CN219441159U - 废气处理装置 - Google Patents
废气处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN219441159U CN219441159U CN202320419960.6U CN202320419960U CN219441159U CN 219441159 U CN219441159 U CN 219441159U CN 202320419960 U CN202320419960 U CN 202320419960U CN 219441159 U CN219441159 U CN 219441159U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- treatment device
- tank
- accommodation space
- gas treatment
- exhaust gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims abstract description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 22
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 20
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 15
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
Abstract
本公开提供一种废气处理装置,包括罐体和冷却管,罐体内具有容置空间,罐体上设置有进气口、排气口、进液口和出液口,进气口与排气口通过容置空间连通,冷却管从进液口延伸至容置空间内并从出液口伸出,容置空间内设置有过滤部件,冷却管包括冷凝容置空间内气体的冷凝段,冷凝段呈螺旋状绕设在过滤部件上。本公开的废气处理装置,一方面,螺旋状冷凝段增加了与气体的接触面积,提升了冷凝效果;另一方面,基于过滤部件的设置,避免了冷凝后副产物跟随气流流动而堵塞排气口;从而降低了维护频率,缩短了维护周期和更换频率,进而提升了机台运行时间。
Description
技术领域
本公开涉及半导体制造设备技术领域,具体地,涉及一种废气处理装置。
背景技术
在半导体制造过程中,氮化硅沉积工艺时需要经过沉积炉进行过滤,氮化硅工艺产生的副产物为氯化铵,其化学特性为遇冷易凝结,由于目前常规的沉积炉管在日常沉积时,冷却收集装置只是单一的通过设备冷却水(Process cooling water,简称PCW)直流管道循环给气体降温,接触面积小,冷凝效果不佳,导致冷却收集装置的预防性维护(PM)频率较高,影响机台运行时间。并且,随着处理批次增加,副产物会堆积在隔板上,当气流通过炉管时凝结的副产物会跟随气流流动,将排气口堵塞,从而导致沉积炉维护周期短,更换频繁,机台运行时间短。
随着半导体产业的发展,机台运行时间需求也逐步提高,如何缩短维护时间,提高机台运行时间就成了亟待解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,为了至少部分的解决上述问题,本公开提供一种废气处理装置,技术方案如下。
一种废气处理装置,包括罐体和冷却管,所述罐体内具有容置空间,所述罐体上设置有进气口、排气口、进液口和出液口,所述进气口与所述排气口通过所述容置空间连通,所述冷却管从所述进液口延伸至所述容置空间内并从所述出液口伸出,所述容置空间内设置有过滤部件,所述冷却管包括冷凝所述容置空间内气体的冷凝段,所述冷凝段呈螺旋状绕设在所述过滤部件上。
可选择地,所述容置空间内还设置有喷淋部件,所述喷淋部件具有朝向所述过滤部件喷洒液体的喷淋口。
可选择地,所述过滤部件包括滤网和滤芯,所述滤网具有环形空间,所述滤芯通过可拆卸结构设置在所述环形空间内,所述冷凝段绕设在所述滤网上并位于所述环形空间外。
可选择地,所述滤网包括第一网状部和第二网状部,所述第一网状部与所述第二网状部围合形成所述环形空间。
可选择地,所述罐体包括罐本体和罐盖体,所述罐本体一端上具有开口,所述罐盖体可拆卸的设置在所述开口处,所述排气口、所述进液口和所述出液口皆设置在所述罐盖体上。
可选择地,所述喷淋部件包括喷淋管,所述喷淋口开设在所述喷淋管上,所述喷淋管通过安装架设置在所述罐盖体上。
可选择地,所述喷淋管、所述冷却管通过三通接头与所述进液口相通。
可选择地,所述废气处理装置还包括有控制器和能够检测所述容置空间内压力的压力检测器,所述喷淋管上设置有开关,所述压力检测器及所述开关分别与所述控制器电连接。
可选择地,所述罐本体具有与所述开口相对设置的罐底壁,所述罐底壁上连接有排水部件。
可选择地,所述排水部件包括接水槽和抽水泵,所述罐底壁上开设有连通所述容置空间与所述接水槽的连通孔,所述抽水泵与所述接水槽相连以能够抽取所述接水槽内的液体。
本公开具有如下有益效果:由于在容置空间内设置过滤部件,且冷却管的冷凝段呈螺旋状绕设在过滤部件上,一方面,螺旋状冷凝段增加了与气体的接触面积,提升了冷凝效果;另一方面,基于过滤部件的设置,避免了冷凝后副产物跟随气流流动而堵塞排气口;从而降低了维护频率,缩短了维护周期和更换频率,进而提升了机台运行时间。
以下结合附图,详细说明本公开的优点和特征。
附图说明
本公开的下列附图在此作为本公开的一部分用于理解本公开。附图中示出了本公开的实施方式及其描述,用来解释本公开的原理。在附图中,
图1为根据本公开一实施例废气处理装置的结构示意图;
图2为图1中一实施例的过滤部件的结构示意图;
图3为图2中一实施例滤网的横剖视图;
图4为图2中一实施例滤网的侧视图;
图5为图2中一实施例滤芯的结构示意图。
图中标号说明:
1、出液口;2、进液口;3、罐体;4、排气口;5、喷淋部件;6、过滤部件;7、冷凝段;8、接水槽;9、水泵;10、连接部件;11、进气口;12、罐盖体;13、滤芯;14、滤网;141、第一网状部;142、第二网状部;15、安装架。
具体实施方式
在下文的描述中,提供了大量的细节以便能够彻底地理解本公开。然而,本领域技术人员可以了解,如下描述仅示例性地示出了本公开的可选实施例,本公开可以无需一个或多个这样的细节而得以实施。此外,为了避免与本公开发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行详细描述。
如图1所示,本公开一个实施例中,废气处理装置包括罐体3和冷却管(冷却管图中未标记),罐体3内具有容置空间,罐体3上设置有进气口11、排气口4、进液口2和出液口1,进气口11与排气口4通过容置空间连通,冷却管从进液口2延伸至容置空间内并从出液口1伸出,容置空间内设置有过滤部件6,冷却管包括冷凝容置空间内气体的冷凝段7,冷凝段7呈螺旋状绕设在过滤部件6上。
本公开的废气处理装置应用至半导体制造氮化硅沉积工艺时,进气口11与沉积炉连接用于收集氮化硅工艺产生的副产物氯化铵,PCW在冷却管内循环流动,由于冷却管的冷凝段7呈螺旋状绕设在过滤部件6上,一方面,螺旋状冷凝段7增加了与气体(即氯化铵)的接触面积,提升了冷凝效果;另一方面,基于过滤部件6的设置,避免了冷凝后副产物跟随气流流动而堵塞排气口4;如此,降低了维护频率,缩短了维护周期和更换频率,进而提升了机台运行时间。
再一次参阅图1,容置空间内还设置有喷淋部件5,喷淋部件5具有朝向过滤部件6喷洒液体的喷淋口。如此,在气体冷凝后附着在过滤部件6后,可以通过喷淋部件5对可溶于水的副产物进行冲洗,进一步避免了冷凝后副产物跟随气流流动而堵塞排气口4。
结合参阅图2至图5,过滤部件6包括滤网14和滤芯13,滤网14具有环形空间,滤芯13通过可拆卸结构设置在环形空间内,冷凝段7绕设在滤网14上并位于环形空间外。滤芯13用以过滤粉尘和凝结物、干燥气体、以及使用药剂与部分废气反应,气体冷凝后附着在滤网14上,过滤部件6形成内外两层结构,且滤芯13可更换。
在本公开的一个实施例中,滤网14包括第一网状部141和第二网状部142,第一网状部141与第二网状部142围合形成环形空间。如此,通过围合结构的滤网14设置,方便快速更换滤芯13。
再一次参阅图1,罐体3包括罐本体(罐本体图中未标记)和罐盖体12,罐本体一端上具有开口,罐盖体12可拆卸的设置在开口处,排气口4、进液口2和出液口1皆设置在罐盖体12上。如此,不仅方便设置排气口4、进液口2和出液口1,而且更能简化结构。这里,罐盖体12可以是通过螺纹结构与罐本体连接,且罐盖体12上可以设置有螺纹孔,滤芯13通过螺纹结构连接在螺纹孔,以实现滤芯13的可拆卸连接。这里,为了方便更换滤芯3,滤网14可以是设置在罐盖体12上。
在本公开的一个实施例中,喷淋部件5包括喷淋管(喷淋管图中未示出),喷淋口开设在喷淋管上,喷淋管通过安装架15设置在罐盖体12上。如此,能保证滤网14表面可溶于水的副产物冲洗至罐体3下方。
在本公开的一个实施例中,喷淋管、冷却管通过三通接头与进液口2相通。如此,通过三通接头分别向喷淋管和冷却管提供PCW,从而能够简化结构。
在本公开的一个实施例中,废气处理装置还包括有控制器和能够检测容置空间内压力的压力检测器,喷淋管上设置有开关,压力检测器及开关分别与控制器电连接。这里,控制器基于压力检测器检测的压力值,打开或关闭开关,当压力值达到阈值时,打开开关,以使喷淋管朝向过滤部件6喷洒液体。这里,控制器可以采用常见的可编辑逻辑控制器(即,PLC控制器)。
再一次参阅图1,本公开的一个实施例中,罐本体具有与开口相对设置的罐底壁,罐底壁上连接有排水部件。如此,在使用喷淋部件5将滤网14表面可溶于水的副产物冲洗至下方时,可以排水部件进行排水。
本公开的一个实施例中,排水部件包括接水槽8和抽水泵9,罐底壁上开设有连通容置空间与接水槽8的连通孔,抽水泵9与接水槽8相连以能够抽取接水槽8内的液体。如此,滤网14表面可溶于水的副产物可被冲洗至接水槽8,并使用抽水泵9进行排水。
再一次参阅图1,本公开一个实施例的废气处理装置,工作原理为:废气经进气口11进入罐体3后遇到冷凝部件(即冷凝段7)产生冷凝副产物,压力检测器反馈的压力值达到阈值时,控制器控制喷淋部件5打开,喷淋部件5打开后将过滤部件6上残留的副产物冲刷至接水槽8,接水槽8中的液体通过水泵9和连接部件10抽取至罐体3外部。当需要更换滤芯13时,可以通过旋转罐盖体12将滤芯13取出,并进行替换后重新放进罐体3内部。
综合上述可以看出,本公开的废气处理装置,具有如下有益效果:
1、提高了副产物的冷凝量,提升了废气处理效果,提高了产品良率。
2、降低了维护频率,缩短了维护周期和更换频率,进而提升了机台运行时间。
本公开的描述中,需要理解的是,方位词所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,在未作相反说明的情况下,这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开保护范围的限制;方位词“内”、“外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等,用来描述图中所示的一个或多个部件或特征与其他部件或特征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语不但包含部件在图中所描述的方位,还包括使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的部件被整体倒置,则部件“在其他部件或特征上方”或“在其他部件或特征之上”的将包括部件“在其他部件或构造下方”或“在其他部件或构造之下”的情况。因而,示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外,这些部件或特征也可以其他不同角度来定位(例如旋转90度或其他角度),本文意在包含所有这些情况。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本公开的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组合。
需要说明的是,本公开的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本公开的实施方式能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
本公开已经通过上述实施例进行了说明,但应当理解的是,上述实施例只是用于举例和说明的目的,而非意在将本公开限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是,本公开并不局限于上述实施例,根据本公开的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本公开所要求保护的范围以内。本公开的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
Claims (10)
1.一种废气处理装置,包括罐体(3)和冷却管,所述罐体(3)内具有容置空间,所述罐体(3)上设置有进气口(11)、排气口(4)、进液口(2)和出液口(1),所述进气口(11)与所述排气口(4)通过所述容置空间连通,所述冷却管从所述进液口(2)延伸至所述容置空间内并从所述出液口(1)伸出,其特征在于,所述容置空间内设置有过滤部件(6),所述冷却管包括冷凝所述容置空间内气体的冷凝段(7),所述冷凝段(7)呈螺旋状绕设在所述过滤部件(6)上。
2.根据权利要求1所述的废气处理装置,其特征在于,所述容置空间内还设置有喷淋部件(5),所述喷淋部件(5)具有朝向所述过滤部件(6)喷洒液体的喷淋口。
3.根据权利要求1所述的废气处理装置,其特征在于,所述过滤部件(6)包括滤网(14)和滤芯(13),所述滤网(14)具有环形空间,所述滤芯(13)通过可拆卸结构设置在所述环形空间内,所述冷凝段(7)绕设在所述滤网(14)上并位于所述环形空间外。
4.根据权利要求3所述的废气处理装置,其特征在于,所述滤网(14)包括第一网状部(141)和第二网状部(142),所述第一网状部(141)与所述第二网状部(142)围合形成所述环形空间。
5.根据权利要求2所述的废气处理装置,其特征在于,所述罐体(3)包括罐本体和罐盖体(12),所述罐本体一端上具有开口,所述罐盖体(12)可拆卸的设置在所述开口处,所述排气口(4)、所述进液口(2)和所述出液口(1)皆设置在所述罐盖体(12)上。
6.根据权利要求5所述的废气处理装置,其特征在于,所述喷淋部件(5)包括喷淋管,所述喷淋口开设在所述喷淋管上,所述喷淋管通过安装架(15)设置在所述罐盖体(12)上。
7.根据权利要求6所述的废气处理装置,其特征在于,所述喷淋管、所述冷却管通过三通接头与所述进液口(2)相通。
8.根据权利要求6所述的废气处理装置,其特征在于,所述废气处理装置还包括有控制器和能够检测所述容置空间内压力的压力检测器,所述喷淋管上设置有开关,所述压力检测器及所述开关分别与所述控制器电连接。
9.根据权利要求5所述的废气处理装置,其特征在于,所述罐本体具有与所述开口相对设置的罐底壁,所述罐底壁上连接有排水部件。
10.根据权利要求9所述的废气处理装置,其特征在于,所述排水部件包括接水槽(8)和抽水泵(9),所述罐底壁上开设有连通所述容置空间与所述接水槽(8)的连通孔,所述抽水泵(9)与所述接水槽(8)相连以能够抽取所述接水槽(8)内的液体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320419960.6U CN219441159U (zh) | 2023-03-02 | 2023-03-02 | 废气处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202320419960.6U CN219441159U (zh) | 2023-03-02 | 2023-03-02 | 废气处理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN219441159U true CN219441159U (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=87416485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202320419960.6U Active CN219441159U (zh) | 2023-03-02 | 2023-03-02 | 废气处理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN219441159U (zh) |
-
2023
- 2023-03-02 CN CN202320419960.6U patent/CN219441159U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106073668A (zh) | 一种水槽式清洗装置 | |
KR102046694B1 (ko) | 자체 세척 스크린 장치 | |
CN211513928U (zh) | 一种废气处理器 | |
CN100546534C (zh) | 洗碗机的加热器安装结构 | |
KR101024504B1 (ko) | 입자 관성을 이용한 반도체 공정에서의 잔류 케미칼 및 부산물 포집장치 | |
CN219441159U (zh) | 废气处理装置 | |
CN214781302U (zh) | 一种酚醛树脂废水回收装置 | |
CN217164358U (zh) | 一种便于清洁的甲基磺酸生产用反应罐 | |
CN206120271U (zh) | 一种水槽式清洗装置 | |
CN214513584U (zh) | 一种环保型废气处理装置 | |
CN212316483U (zh) | 可循环式节能水洗机 | |
CN108031204B (zh) | 颗粒捕捉器及其应用 | |
CN110671325A (zh) | 真空吸附装置 | |
CN215161650U (zh) | 一种废水处理装置 | |
CN108113615B (zh) | 过滤系统及洗涤电器 | |
CN220589343U (zh) | 干燥机捕尘器的清洗装置 | |
KR200244929Y1 (ko) | 반도체제조장비의부산물포획장치 | |
WO2018210313A1 (zh) | 一种线屑过滤装置及洗衣机 | |
KR19990038729U (ko) | 반도체 웨이퍼 증착장비의 잔류부산물 포집장치 | |
CN213492430U (zh) | 一种清洗液再生循环装置 | |
CN214422363U (zh) | 一种酸洗生产线的污水处理装置 | |
CN216323734U (zh) | 一种米酒加工用原料清洗装置 | |
CN216878115U (zh) | 一种过滤器 | |
CN214714854U (zh) | 一种非金属粉末分离系统 | |
CN212974328U (zh) | 一种建筑供暖系统用的太阳能热水输送装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No. 135 Binfu Avenue, Lingqiao Town, Fuyang District, Hangzhou City, Zhejiang Province, 311418 (Binfu Cooperation Zone) Patentee after: Hangzhou Fuxin Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 1-1301, No. 6 Lianhui Street, Xixing Street, Binjiang District, Hangzhou City, Zhejiang Province, 310051 Patentee before: Hangzhou Fuxin Semiconductor Co.,Ltd. |
|
CP02 | Change in the address of a patent holder |