CN219436955U - 一种应用于晶体三极管的温度补偿电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,包括温度补偿电路、负载供电电压VCC、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2和负载元件;第二三极管Q2结温随环境温度上升时,第二三极管Q2基极与发射极之间的电压差VBE变小,第二三极管Q2的基极电压VB变小,第一三极管Q1的基极与发射极之间的电压差VBE随温度上升而变大,第一三极管Q1基极电压不变,第一三极管Q1的发射极电压即第二三极管Q2的基极电压开始上升,最终第二三极管Q2的基极电压VB保持不变,晶体管输出电流保持不变,负载元件的电流不会受到晶体管温度漂移的影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及电动自行车电机控制器技术领域,具体涉及一种应用于晶体三极管的温度补偿电路。
背景技术
在现有的晶体三极管电路中,三极管提供的电流都有额定范围,若负载需要固定的电流(比如电动车尾灯),那么工作中的三极管输出电流就需要固定不变。然而在现实中,晶体管的输出电流将随晶体管结温变化而变化,负载电流也将变化,负载的工作状态便会改变。
如何设计一种设计巧妙,结构简单,成本低,可靠性高,增加晶体管温度补偿电路,使晶体管在结温升高时,输出电流依然保持不变,保证负载电流的稳定的一种应用于晶体三极管的温度补偿电路是目前需要解决的问题。
实用新型内容
为了解决现有的晶体三极管电路中,晶体管的输出电流随晶体管结温变化而变化,负载电流也将变化,负载的工作状态便会改变,不利于产品的可靠性等技术问题,本实用新型提供一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,来实现设计巧妙,结构简单,成本低,可靠性高,增加晶体管温度补偿电路,使晶体管在结温升高时,输出电流依然保持不变,保证负载电流的稳定的目的。
本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,包括温度补偿电路、负载供电电压VCC、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2和负载元件,其中,第一电阻R1、第三电阻R3和负载元件串联在温度补偿电路中,并由负载供电电压VCC提供输入电压,第一电阻R1的末端连接第二电阻R2和第一三极管Q1的基极端,第三电阻R3的末端分别连接第一三极管Q1的发射极端和第二三极管Q2的基极端,负载元件的输出端连接在第二三极管Q2的集电极端,第二三极管Q2的发射极端与第四电阻R4相连,第二电阻R2的末端、第一三极管Q1的集电极端和第四电阻R4的末端均接地;当第二三极管Q2结温随环境温度上升时,第二三极管Q2基极与发射极之间的电压差VBE将变小,因第二三极管Q2的发射极电压VE不变,第二三极管Q2的基极电压VB变小,第二三极管Q2的集电极电流Ic变小,负载电流变小;因第一三极管Q1和第二三极管Q2的VBE具有相似的温度依赖性,第一三极管Q1的基极与发射极之间的电压差VBE随温度上升而变大,第一三极管Q1基极电压不变,第一三极管Q1的发射极电压即第二三极管Q2的基极电压开始上升,第二三极管Q2的集电极电流Ic也将上升,负载电流变大,最终晶体管输出电流保持不变,负载元件的电流不会受到晶体管温度漂移的影响。
作为上述一种应用于晶体三极管的温度补偿电路的进一步优化方案,所述第一三极管Q1采用PNP三极管。
作为上述一种应用于晶体三极管的温度补偿电路的进一步优化方案,所述第二三极管Q2采用NPN三极管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
针对晶体管输出电流随温度变化而漂移的问题,本实用新型进行了改良,增加了晶体管温度补偿电路,使晶体管在结温升高时,输出电流依然保持不变,从而保证了负载电流的稳定。
附图说明
图1是本实用新型电路元件连接示意图;
图2是本实用新型电路原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1、图2所示,图1是本实用新型电路元件连接示意图;图2是本实用新型电路原理示意图,一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,包括温度补偿电路、负载供电电压VCC、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2和负载元件,其中,第一电阻R1、第三电阻R3和负载元件串联在温度补偿电路中,并由负载供电电压VCC提供输入电压,第一电阻R1的末端连接第二电阻R2和第一三极管Q1的基极端,第三电阻R3的末端分别连接第一三极管Q1的发射极端和第二三极管Q2的基极端,负载元件的输出端连接在第二三极管Q2的集电极端,第二三极管Q2的发射极端与第四电阻R4相连,第二电阻R2的末端、第一三极管Q1的集电极端和第四电阻R4的末端均接地;当第二三极管Q2结温随环境温度上升时,第二三极管Q2基极与发射极之间的电压差VBE将变小,因第二三极管Q2的发射极电压VE不变,第二三极管Q2的基极电压VB变小,第二三极管Q2的集电极电流Ic变小,负载电流变小;因第一三极管Q1和第二三极管Q2的VBE具有相似的温度依赖性,第一三极管Q1的基极与发射极之间的电压差VBE随温度上升而变大,第一三极管Q1基极电压不变,第一三极管Q1的发射极电压即第二三极管Q2的基极电压开始上升,第二三极管Q2的集电极电流Ic也将上升,负载电流变大,最终晶体管输出电流保持不变,负载元件的电流不会受到晶体管温度漂移的影响。
作为上述一种应用于晶体三极管的温度补偿电路的进一步优化方案,所述第一三极管Q1采用PNP三极管。
作为上述一种应用于晶体三极管的温度补偿电路的进一步优化方案,所述第二三极管Q2采用NPN三极管。
实际操作中,本实用新型的工作原理如下:当第二三极管Q2结温随环境温度上升时,第二三极管Q2基极与发射极之间的电压差VBE将变小,因第二三极管Q2的发射极电压VE不变,第二三极管Q2的基极电压VB变小,第二三极管Q2的集电极电流Ic变小,负载电流变小;因第一三极管Q1和第二三极管Q2的VBE具有相似的温度依赖性,第一三极管Q1的基极与发射极之间的电压差VBE随温度上升而变大,第一三极管Q1基极电压不变,第一三极管Q1的发射极电压即第二三极管Q2的基极电压开始上升,第二三极管Q2的集电极电流Ic也将上升,负载电流变大,最终晶体管输出电流保持不变,负载元件的电流不会受到晶体管温度漂移的影响。
本实用新型设计巧妙,结构简单,成本低,可靠性高,增加晶体管温度补偿电路,使晶体管在结温升高时,输出电流依然保持不变,保证负载电流的稳定,解决现有的晶体三极管电路中,晶体管的输出电流随晶体管结温变化而变化,负载电流也将变化,负载的工作状态便会改变,不利于产品的可靠性等技术问题,对现有技术来说,具有很好的市场前景和发展空间。
上面结合附图对本实用新型优选的具体实施方式和实施例作了详细说明,但是本实用新型并不限于上述实施方式和实施例,在本领域技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本实用新型构思的前提下作出各种变化。
Claims (3)
1.一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,其特征在于:包括温度补偿电路、负载供电电压VCC、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2和负载元件,其中,第一电阻R1、第三电阻R3和负载元件串联在温度补偿电路中,并由负载供电电压VCC提供输入电压,第一电阻R1的末端连接第二电阻R2和第一三极管Q1的基极端,第三电阻R3的末端分别连接第一三极管Q1的发射极端和第二三极管Q2的基极端,负载元件的输出端连接在第二三极管Q2的集电极端,第二三极管Q2的发射极端与第四电阻R4相连,第二电阻R2的末端、第一三极管Q1的集电极端和第四电阻R4的末端均接地;当第二三极管Q2结温随环境温度上升时,第二三极管Q2基极与发射极之间的电压差VBE将变小,因第二三极管Q2的发射极电压VE不变,第二三极管Q2的基极电压VB变小,第二三极管Q2的集电极电流Ic变小,负载电流变小;因第一三极管Q1和第二三极管Q2的VBE具有相似的温度依赖性,第一三极管Q1的基极与发射极之间的电压差VBE随温度上升而变大,第一三极管Q1基极电压不变,第一三极管Q1的发射极电压即第二三极管Q2的基极电压开始上升,第二三极管Q2的集电极电流Ic也将上升,负载电流变大,最终晶体管输出电流保持不变,负载元件的电流不会受到晶体管温度漂移的影响。
2.如权利要求1所述的一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,其特征在于:所述第一三极管Q1采用PNP三极管。
3.如权利要求1所述的一种应用于晶体三极管的温度补偿电路,其特征在于:所述第二三极管Q2采用NPN三极管。
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CN202223575324.7U Active CN219436955U (zh) | 2022-12-31 | 2022-12-31 | 一种应用于晶体三极管的温度补偿电路 |
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- 2022-12-31 CN CN202223575324.7U patent/CN219436955U/zh active Active
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