CN219417753U - 一种高计数率γ探测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及核辐射检测和信号处理控制系统领域,尤其为一种高计数率γ探测电路,包括电源模块、γ探测模块和微处理模块,所述电源模块提供稳定的电源,供γ探测模块进行γ辐射探测,并通过微处理器接收传递γ的探测结果。本实用新型提出的一种高计数率γ探测电路,通过电源模块对输入的电源进行滤波、放大,产生宽度适宜、顶部平坦、具有良好信噪比的电压脉冲供γ探测模块高效率工作,具有低功耗、高速、且具有非线性功能,能够较好的满足γ探测电路的高技术率要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及核辐射检测和信号处理控制系统领域,尤其是一种高计数率γ探测电路。
背景技术
随着核技术研究及应用的快速发展,核辐射检测设备应用越来越多,分布式在线检测设备将成为装备热点,其中的辐射检测的准确性和可靠性及为重要,目前对核辐射检测的设备的探测电路中。具有信号量大、空间局限性强等特点,目的在于提供一种高计数率γ辐射探测电路,解决上述问题。
发明内容
本实用新型的目的是通过提出一种高计数率γ探测电路,以解决上述背景技术中提出的缺陷。
本实用新型采用的技术方案如下:
提供一种高计数率γ探测电路,包括电源模块、γ探测模块和微处理模块,所述电源模块提供稳定的电源,供γ探测模块进行γ辐射探测,并通过微处理器接收传递γ的探测结果。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述电源模块包括放大电路和保持电路,输出稳定的电压脉冲,提升电路频率性能。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述放大电路包括第一电阻、第二电阻和第一电容,所述第一电阻和第一电容第一端接输入电源,所述第二电阻第一端接所述第一电阻第二端和第一电容第二端,所述第二电阻第二端接地。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述放大电路还包括第一运放、第三电阻和第四电阻,所述第一运放第一端接电压正极,第二端分别接第三电阻第一端和第四电阻第一端,所述第三电阻第二端接地,所述第四电阻第二端接第一运放第五端,所述第一运放第三端接第二电阻第一端,所述第一运放第四端电压负极。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述放大电路还包括第五电阻、第六电阻、第二电容、第三电容和第二运放,所述第五电阻第一端接第一运放第五端,第五电阻第二端分别接第二电容第一端和第六电阻第一端,所述第二电容第二端接第二运放第五端,所述第六电阻第二端分别接第三电容第一端和第二运放第三端,所述第三电容第二端接地,所述第二运放第一端接电压正极,第二运放第二端接第二运放第五端,第二运放第四端接电压负极。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述保持电路包括第七电阻、第一复位芯片、第二复位芯片、第一二极管、第四电容和第一开关,所述第七电阻第一端接第二运放第五端和第一复位芯片第一端,第七电阻第二端接地,第一复位芯片第二端分别接第二复位芯片第二端和第三端,第一复位芯片第三端接第一二极管阳极,第一二极管阴极分别接第四电容第一端和第一开关第一端,所述第四电容第二端和第一开关第二端均接地。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述γ探测模块包括第八电阻、第五电容、盖革管、第二二极管、第九电阻、第六电容、第七电容和第十电阻,所述第八电阻第一端和第五电容第一端接第二复位芯片第三端,第八电阻第二端和第五电容第二端接盖革管第一端,所述盖革管第二端分别接第二二极管阳极、第九电阻第一端、第六电容第一端和第七电容第一端,第二二极管阴极、第九电阻第二端和第六电容第二端均接地,第七电容第二端接第十电阻第一端,第十电阻第二端接微处理器。
作为本实用新型的一种优选技术方案:所述微处理模块包括微处理芯片,用于接收γ探测模块探测的γ辐射的剂量率和累积剂量的系数。
本实用新型提供的一种高计数率γ探测电路,与现有技术相比,其有益效果有:
本实用新型提出的一种高计数率γ探测电路,通过电源模块对输入的电源进行滤波、放大,产生宽度适宜、顶部平坦、具有良好信噪比的电压脉冲供γ探测模块高效率工作,具有低功耗、高速、且具有非线性功能,能够较好的满足γ探测电路的高技术率要求。
附图说明
图1为本实用新型优选实施例的高计数率γ探测电路图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
参照图1,本实用新型优选实施例提供了一种高计数率γ探测电路,包括电源模块、γ探测模块和微处理模块,所述电源模块提供稳定的电源,供γ探测模块进行γ辐射探测,并通过微处理器接收传递γ的探测结果。
所述电源模块包括放大电路和保持电路,输出稳定的电压脉冲,提升电路频率性能。
所述放大电路包括第一电阻、第二电阻和第一电容,所述第一电阻和第一电容第一端接输入电源,所述第二电阻第一端接所述第一电阻第二端和第一电容第二端,所述第二电阻第二端接地。
所述放大电路还包括第一运放、第三电阻和第四电阻,所述第一运放第一端接电压正极,第二端分别接第三电阻第一端和第四电阻第一端,所述第三电阻第二端接地,所述第四电阻第二端接第一运放第五端,所述第一运放第三端接第二电阻第一端,所述第一运放第四端电压负极。
所述放大电路还包括第五电阻、第六电阻、第二电容、第三电容和第二运放,所述第五电阻第一端接第一运放第五端,第五电阻第二端分别接第二电容第一端和第六电阻第一端,所述第二电容第二端接第二运放第五端,所述第六电阻第二端分别接第三电容第一端和第二运放第三端,所述第三电容第二端接地,所述第二运放第一端接电压正极,第二运放第二端接第二运放第五端,第二运放第四端接电压负极。
所述保持电路包括第七电阻、第一复位芯片、第二复位芯片、第一二极管、第四电容和第一开关,所述第七电阻第一端接第二运放第五端和第一复位芯片第一端,第七电阻第二端接地,第一复位芯片第二端分别接第二复位芯片第二端和第三端,第一复位芯片第三端接第一二极管阳极,第一二极管阴极分别接第四电容第一端和第一开关第一端,所述第四电容第二端和第一开关第二端均接地。
所述γ探测模块包括第八电阻、第五电容、盖革管、第二二极管、第九电阻、第六电容、第七电容和第十电阻,所述第八电阻第一端和第五电容第一端接第二复位芯片第三端,第八电阻第二端和第五电容第二端接盖革管第一端,所述盖革管第二端分别接第二二极管阳极、第九电阻第一端、第六电容第一端和第七电容第一端,第二二极管阴极、第九电阻第二端和第六电容第二端均接地,第七电容第二端接第十电阻第一端,第十电阻第二端接微处理器。
所述微处理模块包括微处理芯片,用于接收γ探测模块探测的γ辐射的剂量率和累积剂量的系数。
本实施例中,放大电路中,R1和C1第一端接输入电源,R2第一端接R1第二端和C1第二端,第二电阻第二端接地。
采用R1、C1和R2构成的极零相消微分电路避免长尾部的反冲信号,保证微分后为单极信号。还可通过减小R2值减小输出脉冲的宽度。
A1第一端接电压正极,第二端分别接R3第一端和R4第一端,R3第二端接地,R4第二端接A1第五端,A1第三端接R2第一端,A1第四端电压负极。
通过放大电路对输入的电源信号进行放大,提供能够供γ探测模块稳定、高效工作的电压。
R5第一端接A1第五端,R5第二端分别接C2第一端和R6第一端,C2第二端接A2第五端,R6第二端分别接C3第一端和A2第三端,C3第二端接地,A2第一端接电压正极,A2第二端接A2第五端,A2第四端接电压负极。
其中,两运放接的电压正极电压为6V电压,电压负极电压为-6V电压。
通过滤波电路对输入的电源信号进行滤波,输出稳定的电压信号供γ探测模块稳定工作。
保持电路中,R7第一端接A2第五端和OPA1第一端,R7第二端接地,OPA1第二端分别接OPA2第二端和第三端,OPA1第三端接D1阳极,D1阴极分别接C4第一端和S1第一端,C4第二端和S1第二端均接地。
将放大电路输出的电压脉冲峰值进行保持,输出较长时间的恒定电压信号,以便γ探测模块的高效率工作。
γ探测模块中,R8第一端和C5第一端接OPA2第三端,R8第二端和C5第二端接G第一端,G第二端分别接D2阳极、R9第一端、C6第一端和C7第一端,D2阴极、第九电阻第二端和C6第二端均接地,第七电容第二端接R10第一端,R10第二端接微处理器。
所述γ探测模块通过盖革管响应后,其脉冲信号通过D2和R9限压后,由C7和R10采样后与微处理器连接,微处理器接收换算γ辐射的剂量率和累积剂量。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (3)
1.一种高计数率γ探测电路,包括电源模块、γ探测模块和微处理模块,其特征在于:所述电源模块提供稳定的电源,供γ探测模块进行γ辐射探测,并通过微处理器接收传递γ的探测结果,所述电源模块包括放大电路和保持电路,输出稳定的电压脉冲,提升电路频率性能,所述放大电路包括第一电阻、第二电阻和第一电容,所述第一电阻和第一电容第一端接输入电源,所述第二电阻第一端接所述第一电阻第二端和第一电容第二端,所述第二电阻第二端接地,所述放大电路还包括第一运放、第三电阻和第四电阻,所述第一运放第一端接电压正极,第二端分别接第三电阻第一端和第四电阻第一端,所述第三电阻第二端接地,所述第四电阻第二端接第一运放第五端,所述第一运放第三端接第二电阻第一端,所述第一运放第四端电压负极,所述放大电路还包括第五电阻、第六电阻、第二电容、第三电容和第二运放,所述第五电阻第一端接第一运放第五端,第五电阻第二端分别接第二电容第一端和第六电阻第一端,所述第二电容第二端接第二运放第五端,所述第六电阻第二端分别接第三电容第一端和第二运放第三端,所述第三电容第二端接地,所述第二运放第一端接电压正极,第二运放第二端接第二运放第五端,第二运放第四端接电压负极,所述保持电路包括第七电阻、第一复位芯片、第二复位芯片、第一二极管、第四电容和第一开关,所述第七电阻第一端接第二运放第五端和第一复位芯片第一端,第七电阻第二端接地,第一复位芯片第二端分别接第二复位芯片第二端和第三端,第一复位芯片第三端接第一二极管阳极,第一二极管阴极分别接第四电容第一端和第一开关第一端,所述第四电容第二端和第一开关第二端均接地。
2.根据权利要求1所述的高计数率γ探测电路,其特征在于:所述γ探测模块包括第八电阻、第五电容、盖革管、第二二极管、第九电阻、第六电容、第七电容和第十电阻,所述第八电阻第一端和第五电容第一端接第二复位芯片第三端,第八电阻第二端和第五电容第二端接盖革管第一端,所述盖革管第二端分别接第二二极管阳极、第九电阻第一端、第六电容第一端和第七电容第一端,第二二极管阴极、第九电阻第二端和第六电容第二端均接地,第七电容第二端接第十电阻第一端,第十电阻第二端接微处理器。
3.根据权利要求2所述的高计数率γ探测电路,其特征在于:所述微处理模块包括微处理芯片,用于接收γ探测模块探测的γ辐射的剂量率和累积剂量的系数。
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