CN219372995U - 一种多层空穴注入层结构及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种多层空穴注入层结构及显示装置，包括空穴注入层，所述空穴注入层包括依次相连的第一层、第二层……第n层，所述n≥2。本实用新型的技术方案能够有效的改善低灰阶串扰。

Description

一种多层空穴注入层结构及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示装置领域，具体地说，涉及一种多层空穴注入层结构及显示装置。

背景技术

近年来，在消费需求的推动下，AMOLED(英语：Active-matrix organic light-emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)终端产品产量呈爆发式增长态势，引领全球AMOLED产业迈入高速成长期。AMOLED显示屏凭借技术优势已成为当今中高端移动智能终端产品的首选，但是AMOLED面板也遭遇到了发展瓶颈，如AMOLED出光率仅25％左右，低灰阶串扰，磷光材料无法用于蓝色发光，传统封装技术无法满足折叠屏需求等。

特别是平板电脑和手机穿戴屏幕需求也日渐增长，因此对OLED屏幕提出了高对比度，高HDR(高动态范围成像，High Dynamic Range Imaging)的要求。

但由于AMOLED是通过TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)控制输出电流的大小从而控制不同亮度，低灰阶下OLED的亮度很低，TFT的驱动电流低，B&R色开启电压不同，B色像素点会串扰给R色偷亮，造成偏色。因此低灰阶串扰是OLED的正常现象，由OLED器件结构及材料本身决定，只能控制，无法消除。

为了达到以上需求，通常是在普通结构上更换横向电阻更大，传输性更差的空穴传输材料以达到降低低灰阶串扰的要求。但是单纯通过更换空穴传输材料带来低灰阶改善的同时，由于改变了空穴电子复合的空间区域及效率，通常会有一定的效率损失和工作电压增加。并且会伴随着材料成本增加，研发迭代频率高的不利影响。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型的目的在于提供一种改善低灰阶串扰的多层空穴注入层结构及显示装置。

根据本实用新型的一方面，提供了一种多层空穴注入层结构，适用于显示装置，所述显示装置包括空穴注入层，所述空穴注入层包括依次相连的第一层、第二层……第n层，所述n≥2。

优选的：所述空穴注入层的第一层的厚度小于第二层的厚度。

优选的：所述空穴注入层中还掺杂了掺杂剂。

优选的：所述空穴注入层的第一层中掺杂剂含量大于第二层中掺杂剂含量。

优选的：所述n＝2。

优选的：所述n＝3。

优选的：所述第一层的厚度与第三层的厚度相同。

优选的：所述第一层和第三层中掺杂了掺杂剂，所述第二层中没有掺杂掺杂剂。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种显示装置，包括根据上述的多层空穴注入层结构。

优选的：还包括阳极和空穴传输层，所述空穴注入层设于所述阳极和空穴传输层之间。

优选的，所述显示装置为OLED。

本实用新型的一种多层空穴注入层结构及显示装置，通过多层空穴注入层代替现有的单层结构，增加横向电阻的同时保证空穴的有效传输和复合，非常有利于改善OLED器件的低灰阶效果，同时也能保持OLED器件的效率和寿命。同时，也可避免花费高成本寻求新的有机材料，而在低灰阶改善和器件的效率寿命做出取舍的不利影响。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1是本实用新型实施例显示装置中各层的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

在本实用新型的实施例中，提供了一种多层空穴注入层结构及具有其的显示装置。

其中，显示装置优选为OLED，并优选为AMOLED。

如图1中所示，在本实用新型的实施例中，显示装置包括阳极，优选为ITO、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极、光取出层。

现有的AMOLED面板中空穴注入层，通常是使用一层HOMO能级较深、空穴传输性能较好的有机材料掺杂合适的掺杂剂比例组合而成。

如图1中所示，在本实用新型的实施例中，优选空穴注入层包括依次相连的第一层、第二层……第n层，n≥2。

本实用新型实施例的空穴注入层用多层空穴注入层代替现有的单层结构，增加横向电阻的同时保证空穴的有效传输和复合，非常有利于改善OLED器件的低灰阶效果，同时也能保持OLED器件的效率和寿命。

并优选这种多层结构不限于双层如小膜厚高掺杂、大膜厚低掺杂或三层如两段小膜厚低掺杂、中间不掺杂以及以此类推的四层以上的搭配。

在本实用新型的实施例中，优选空穴注入层的第一层的厚度小于第二层的厚度。

并优选空穴注入层的第一层中掺杂剂含量大于第二层中掺杂剂含量。即通过不同膜厚、不同惨杂量的空穴注入层增加横向电阻的同时保证空穴的有效传输和复合。

对照试验：

在本实用新型的实施例中，优选n＝2或者3。通过制备相同厚度的空穴注入层的有机发光元件来验证本实用新型的效果。

有机发光元件由下至上依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层和阴极。其中，各个层中的材料均为现有技术的材料。在本实用新型中仅仅举例其中之一。

各层的组成材料如下：(仅仅进行举例，如果没有影响，可以列举为现有中比较常见的材料和厚度)

阳极：ITO(氧化铟锡)，厚度为75nm；

空穴注入层：主体材料NPB，掺杂材料为；空穴注入层的厚度为

空穴传输层：NPB，厚度为150nm；

电子阻挡层：Mcp(甲基环戊烯醇酮)，厚度

发光层：主体材料TCTA，客体材料Ir(ppy)3，客体材料的摩尔百分含量为7％；厚度为40nm；

电子传输层：厚度40nm，主体材料为BPhen，客体材料为LiQ；

阴极：Mg/Ag，厚度18nm。

当n＝2时，优选第一层的膜厚小，但掺杂量高；第二层的膜厚大，但掺杂量低。

经过测量，以单层为对照，测试结果如下表1中所示：

表1：双层空穴注入层测试结果表

其中，HIL:AD(1.5P,100)是指空穴注入层中掺杂了掺杂剂，空穴注入层的厚度为掺杂剂的掺杂量为1.5％。HIL:AD(30_5P+70_0.5P)是指第一层厚度为/>掺杂剂的掺杂量为5％，第二层厚度为/>掺杂剂的掺杂量为0.5％，其余类似。

由上表1中可知，通过合理搭配双层空穴注入层的高低掺杂比例，能极大增加横向电阻，器件效率寿命仍能维持。

当n＝3时，优选第一层和第三层的膜厚小，但掺杂；第二层的膜厚大，但未掺杂。

经过测量，以单层为对照，测试结果如下表2中所示：

表2：三层空穴注入层测试结果表

其中，HIL:AD(20_3P+60+20_3P)是指第一层厚度为掺杂剂的掺杂量为3％，第二层厚度为/>掺杂剂的掺杂量为0，第三层厚度为/>掺杂剂的掺杂量为3％，其余类似。

由上表1中可知，通过三层空穴注入层，横向电阻增大，器件效率寿命进一步提升。

综上，本实用新型的实施例的多层空穴注入层结构及显示装置，能够有效的改善低灰阶串扰。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (7)

1.一种多层空穴注入层结构，适用于显示装置，其特征在于，所述显示装置包括空穴注入层，所述空穴注入层包括依次相连的第一层、第二层……第n层，所述n≥2，所述空穴注入层的第一层的厚度小于第二层的厚度，所述空穴注入层中还掺杂了掺杂剂，所述空穴注入层的第一层中掺杂剂含量大于第二层中掺杂剂含量。

2.根据权利要求1所述的多层空穴注入层结构，其特征在于：所述n＝2。

3.根据权利要求1所述的多层空穴注入层结构，其特征在于：所述n＝3。

4.根据权利要求3所述的多层空穴注入层结构，其特征在于：所述第一层的厚度与第三层的厚度相同。

5.根据权利要求4所述的多层空穴注入层结构，其特征在于：所述第一层和第三层中掺杂了掺杂剂，所述第二层中没有掺杂掺杂剂。

6.一种显示装置，其特征在于：包括根据权利要求1至5任一项所述的多层空穴注入层结构。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：还包括阳极和空穴传输层，所述空穴注入层设于所述阳极和空穴传输层之间。