CN219179296U - 一种分析物持续监测装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种分析物持续监测装置，其特征在于，包括助针组件和底盖，助针组件与底盖具有配合状态和分离状态；助针组件内设有在体监测单元，在体监测单元具有相连的处理器和磁场变化感应电路，底盖具有激活磁体；在配合状态，在体监测单元处于待机状态，在分离状态，在体监测单元处于激活状态。激活磁体不再安装在助针组件上，而是安装到结构更加简单的底盖中，使得激活磁体的装配更加简单，也更加不容易脱落。将激活磁体的位置安装在底盖中，也使得助针组件的内部空间更大，PCB布线也就更加灵活。

Description

一种分析物持续监测装置

技术领域

本申请涉及分析物监测领域，具体涉及一种分析物持续监测装置。

背景技术

针对不同类型的分析物，采用相应的装置和工艺对其进行分析监测。

例如，存在一种分析物监测装置，其包含有助针器、发射器两部分结构，发射器设置在助针器的内部，并且在助针器中安装有激活磁体，在发射器中设置有传感器和控制器，在控制器中设置磁传感器。

该装置的触发方式为：在助针器进行助针时，发射器和助针器分离，激活磁体产生激活信号，传感器和控制器接收到该激活信号后开始工作。然而该种装置仍存在以下问题：

1、磁体安装在助针器上，不仅使得磁体装配困难，易脱落，而且由于磁体的放置位置，使得PCB布线时只能把磁传感器放置PCB旁边，给PCB布线带来限制。

2、磁传感器往往只有磁触发功能，没有集成信号处理和逻辑功能，这使得误触发概率大。

实用新型内容

为了解决上述问题，本申请提出了一种分析物持续监测装置，包括助针组件和底盖，所述助针组件与所述底盖具有配合状态和分离状态；

所述助针组件内设有在体监测单元，所述在体监测单元具有相连的处理器和磁场变化感应电路，所述底盖具有激活磁体；

在所述配合状态，所述在体监测单元处于待机状态，在所述分离状态，所述在体监测单元处于激活状态。

在一个示例中，所述底盖能够相对于助针组件旋转以形成配合状态和分离状态，在所述配合状态，所述激活磁体位于在体监测单元正下方。

在一个示例中，所述底盖设有凸台，所述激活磁体设置在凸台上，所述激活磁体距所述底盖的底面的距离大于所述激活磁体距所述在体监测单元的底面的距离。

在一个示例中，所述激活磁体距所述在体监测单元的底面的距离不大于10mm。

在一个示例中，所述底盖设有支撑柱，所述底盖与所述助针组件的旋转角度为5-30°，在所述配合状态，所述支撑柱能够抵接所述在体监测单元的底面。

在一个示例中，所述底盖与所述助针组件的旋转角度为180°。

在一个示例中，所述底盖与所述助针组件插拔配合。

在一个示例中，所述磁场变化感应电路包括电连接的磁传感器和使能脚；

在所述配合状态，所述磁场变化感应电路向所述处理器输出低电压，以使所述在体监测单元处于待机状态；在所述分离状态，所述磁场变化感应电路向所述处理器输出高电压，以使所述在体监测单元处于激活状态，且所述使能脚置位高电平。

在一个示例中，所述磁场变化感应电路与所述处理器分别与电源连接；

在所述配合状态转换为所述分离状态时，所述处理器基于所述磁场变化感应电路输出的激发信号，从所述待机状态转换为所述激活状态；

在所述激活状态超过预设时长后，所述处理器仍未与外界控制终端连接，恢复待机状态。

在一个示例中，所述处理器具有射频功能；所述激活状态包括第一激活状态和第二激活状态，

当所述在体监测单元处于第一激活状态时，外界控制终端的射频功能能够使所述在体监测单元进入第二激活状态。

在一个示例中，所述在体监测单元包括与所述磁场变化感应电路依次连接的运算放大器、施密特触发器、锁存驱动单元、逻辑单元；

所述逻辑单元与所述磁开关芯片的使能脚连接，并通过场效应管控制所述处理器输出电压。

通过本申请提出的分析物持续监测装置能够带来如下有益效果：

激活磁体不再安装在助针组件上，而是安装到结构更加简单的底盖中，使得激活磁体的装配更加简单，也更加不容易脱落。将激活磁体的位置安装在底盖中，也使得助针组件的内部空间更大，PCB布线也就更加灵活。

用户在使用过程中，需要将底盖从助针组件中分离后，才能使在体监测单元触发激活状态，降低了误触发的概率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例中分析物持续监测装置的结构示意图；

图2为本申请实施例中助针组件的结构示意图；

图3为本申请实施例中在体监测单元的结构示意图；

图4为本申请实施例中底盖的结构示意图；

图5为本申请实施例中一种场景下的磁场变化感应电路和处理器的连接关系示意图；

图6为本申请实施例中另一种场景下的磁场变化感应电路和处理器的连接关系示意图；

图7为本申请实施例中射频功能的示意图；

图8为本申请实施例中磁场变化感应电路的示意图；

其中，1、助针组件，11、外壳，12、在体监测单元，121、处理器，122、磁场变化感应电路，123、电池，124、射频模块，2、底盖，21、激活磁体，22、凸台，23、支撑柱，3、外界控制终端。

具体实施方式

为了更清楚的阐释本实用新型的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

另外，在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

如图1所示，本申请实施例提供一种分析物持续监测装置，包括助针组件1和底盖2，助针组件1与底盖2具有配合状态和分离状态。如图1所示，在配合状态下，助针组件1与底盖2配合组装在一起，当然，两者之间可以基于外力分离，在分离后分别如图2和图4所示，两者属于分离状态，为相互独立的结构。其中，为了保证助针组件1与底盖2配合形成的腔室内为无菌环境，该分析物持续监测装置的出厂状态通常为配合状态。

如图2所示，助针组件1内设有在体监测单元12，在体监测单元12设置在外壳11内。在配合状态下，在体监测单元12处于待机状态，在分离状态下，在体监测单元12处于激活状态。在激活状态之后，用户使用助针组件1，将在体监测单元12从外壳11内部脱离，其上设置的血样传感器通过针头刺入目标用户体内，在体监测单元12由激活状态进入工作状态，采集用户的相关数据。

如图3所示，在体监测单元12具有相连的处理器121和磁场变化感应电路122，处理器121设置在在体监测单元12内部的顶壁，磁场变化感应电路122设置在底壁上。当然，在体监测单元12内部还可以设置有电池123，电池123与处理器121和磁场变化感应电路122连接，在体监测单元12包括用于血糖测量的传感器，传感器植入目标用户体内的组织间液中，从而实现血糖的测量。

如图4所示，底盖2具有激活磁体21。激活磁体21不再安装在助针组件1上，而是安装到结构更加简单的底盖2中，使得激活磁体21的装配更加简单，也更加不容易脱落。将激活磁体21的位置安装在底盖2中，也使得助针组件1的内部空间更大，PCB布线也就更加灵活。

用户在使用过程中，需要将底盖2从助针组件1中分离后，才能使在体监测单元12触发激活状态，降低了误触发的概率。

在一个实施例中，底盖2能够相对于助针组件1旋转以形成配合状态和分离状态，比如，在底盖2上端和助针组件1的下端设置有相互配合的螺纹结构，从而使得两者能够进行旋转配合。底盖2内设置有激活磁体21，当激活磁体21具有NS极时，磁场变化感应电路122可以包括NS极磁阻芯片，随着用户施加的外力作用下，激活磁体21随着底盖2的旋转而旋转，NS极也随之旋转变换位置，助针组件1内的磁场变化感应电路122通过监测到NS极的旋转，而使得在体监测单元12触发激活状态；或者磁场变化感应电路122包括全极磁阻芯片时，其能够感应激活磁体21的远离带来的磁力的降低，使得在体监测单元12触发激活状态。而在配合状态时，如图1所示，激活磁体21位于在体监测单元12正下方。

进一步地，如图4所示，底盖2上设有凸台22，激活磁体21设置在凸台22上。激活磁体21距底盖2的底面的距离大于激活磁体21距在体监测单元12的底面的距离。将激活磁体21设置为离在体监测单元12更近，能够使配合状态下，在体监测单元12从待机状态到激活状态时，有更大的空间变化区域，在体监测单元12也就有了更大的监测空间。

其中，激活磁体21距在体监测单元12的底面的距离不大于10mm。

另外，如图4所示，底盖2上设有支撑柱23，在配合状态，支撑柱23能够抵接在体监测单元12的底面，通过支撑柱23与凸台22的配合可以使得左右的高度一致，保证在体监测单元12受力平衡，防止其因受力不均导致其产生倾斜。当然，在体监测单元12除了该抵接设计外，还可以通过胶带、卡接等方式，设置在助针组件1的内部。底盖2与助针组件1的旋转角度为5-30°，用户在旋转底盖2一定度数后，即可将底盖2与助针组件1分离，在分离前设置该旋转角度，可以防止用户由于误触发导致底盖2被拔出。当然，底盖2与助针组件1的旋转角度也可以为180°，此时，能够适配上文中提到的，当激活磁体21具有NS极时对应的情况，在此不再赘述。

在一个实施例中，底盖2与助针组件1不再是旋转配合，而是插拔配合，此时，激活磁体21可以为NS磁体，也可以为不具备NS极的永磁体，其均能起到相应的识别监测效果。当然，底盖2与助针组件1之间的配合旋转角度也不再做限制。

在一个实施例中，磁场变化感应电路122包括电连接的磁传感器和使能脚，在配合状态时，磁场变化感应电路122向处理器121输出低电压，此时，在体监测单元12处于待机状态。在监测到分离状态后，磁场变化感应电路122向处理器121输出高电压，此时，在体监测单元12处于激活状态，且使能脚置位高电平。

具体地，处于配合状态时，磁场靠近，对应的开关处于动作位置(OP)。处于分离状态时，磁场远离，对应的开关处于返回位置(RP)。

当处于初始的配合状态时，使能脚(EN脚)接地或空载，磁场靠近，Vout输出0V低电压，在体监测单元12处于低功耗状态。用户使用时拿掉底盖2，磁场变化感应电路122检测到磁力的变化超出预设阈值，或磁力降低至预设阈值后，转换为分离状态，磁场远离，使能脚输出等于VCC的高电压。当已经处于分离状态后，无论磁场再靠近还是再远离，使能脚均输出等于VCC的高电压。在磁场变化感应电路122中添加逻辑处理和判断，使信号更加灵敏、功耗更低、封装尺寸更小。

进一步地，如图5所示，磁场变化感应电路122和处理器121之间的连接关系，通常是磁场变化感应电路122的使能脚(EN脚)与处理器121的I/O脚连接，磁场变化感应电路122的供电电压脚(VCC脚)一端连接电源，另一端连接处理器121的VCC脚，此时，EN脚在激活状态下能够一直保持高电压工作，然而其却难以应对误触发的场景。

例如，在待机状态下，由于激活磁体21磁体失活导致了误触发进入激活状态，此时EN脚则一直处于激活状态，进行电量消耗，而由于处理器121仍未与外界控制终端3连接，无法传输数据，待用户使用时，无法再将处理器121与外界控制终端3相连，而导致该产品失效。

基于此，如图6所示，磁场变化感应电路122与处理器121分别与电源连接，且EN脚不再连接处理器121的I/O脚，比如，磁场变化感应电路122的I/O脚或其他引脚与处理器121的I/O脚连接。

此时，在体监测单元12的状态(也就是其中处理器121的状态)不再完全由磁场变化感应电路122来决定，而是在处理器121内部内置相应的程序，由该程序和磁场变化感应电路122共同决定。

在配合状态转换为分离状态时，处理器121基于磁场变化感应电路122输出的激发信号(比如，磁场变化感应电路122监测到磁场远离后，输出上升沿的激发信号)，从待机状态转换为激活状态。

此时，在激活状态超过预设时长后，处理器121仍未与外界控制终端3连接(比如，与相应的客户端APP连接)，恢复待机状态，重新进入低功耗的状态，防止磁体失活或误触发造成的电源消耗；待用户使用时，可重新使用磁体将其触发为激活状态。在体监测单元12脱离助针组件1进入工作状态后，处理器121不再进入待机状态，防止工作状态后，磁体靠近对工作状态的影响。

在一个实施例中，如图7所示，在体监测单元12中还包括射频模块124，射频模块124与处理器121连接，处理器121具有射频功能(RF功能)，此时，激活状态包括第一激活状态和第二激活状态。当在体监测单元12处于第一激活状态时，说明其已被激活，此时，用户操作外界控制终端3，通过其对应的射频功能，能够使在体监测单元12进入第二激活状态。在体监测单元12只有在进入第二激活状态下，才会真正开始工作，如此可以避免有磁体靠近在体监测单元12出现误操作，为在体监测单元12的工作增加保障。

在一个实施例中，如图8所示，在体监测单元12包括与磁场变化感应电路122(TMR)依次连接的运算放大器、施密特触发器、锁存驱动单元、逻辑单元。其中，逻辑单元与磁开关芯片的使能脚连接，并通过场效应管控制处理器121输出电压。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (11)

1.一种分析物持续监测装置，其特征在于，包括助针组件和底盖，所述助针组件与所述底盖具有配合状态和分离状态；

所述助针组件内设有在体监测单元，所述在体监测单元具有相连的处理器和磁场变化感应电路，所述底盖具有激活磁体；

在所述配合状态，所述在体监测单元处于待机状态，在所述分离状态，所述在体监测单元处于激活状态。

2.根据权利要求1所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述底盖能够相对于助针组件旋转以形成配合状态和分离状态，在所述配合状态，所述激活磁体位于在体监测单元正下方。

3.根据权利要求2所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述底盖设有凸台，所述激活磁体设置在凸台上，所述激活磁体距所述底盖的底面的距离大于所述激活磁体距所述在体监测单元的底面的距离。

4.根据权利要求3所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述激活磁体距所述在体监测单元的底面的距离不大于10mm。

5.根据权利要求2所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述底盖设有支撑柱，所述底盖与所述助针组件的旋转角度为5-30°，在所述配合状态，所述支撑柱能够抵接所述在体监测单元的底面。

6.根据权利要求2所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述底盖与所述助针组件的旋转角度为180°。

7.根据权利要求1所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述底盖与所述助针组件插拔配合。

8.根据权利要求1所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述磁场变化感应电路包括电连接的磁传感器和使能脚；

在所述配合状态，所述磁场变化感应电路向所述处理器输出低电压，以使所述在体监测单元处于待机状态；在所述分离状态，所述磁场变化感应电路向所述处理器输出高电压，以使所述在体监测单元处于激活状态，且所述使能脚置位高电平。

9.根据权利要求1所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述磁场变化感应电路与所述处理器分别与电源连接；

在所述配合状态转换为所述分离状态时，所述处理器基于所述磁场变化感应电路输出的激发信号，从所述待机状态转换为所述激活状态；

在所述激活状态超过预设时长后，所述处理器仍未与外界控制终端连接，恢复待机状态。

10.根据权利要求1所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述处理器具有射频功能；所述激活状态包括第一激活状态和第二激活状态，

当所述在体监测单元处于第一激活状态时，外界控制终端的射频功能能够使所述在体监测单元进入第二激活状态。

11.根据权利要求1所述的分析物持续监测装置，其特征在于，所述在体监测单元包括与所述磁场变化感应电路依次连接的运算放大器、施密特触发器、锁存驱动单元、逻辑单元；

所述逻辑单元与所述磁场变化感应电路的使能脚连接，并通过场效应管控制所述处理器输出电压。

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