CN219117539U - 半导体器件加工设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种半导体器件加工设备，包括：反应腔室；靶材，设置在反应腔室内；磁发生器，设置在反应腔室的顶部并位于靶材的上方；承载装置，承载装置设置于反应腔室内，其中，承载装置包括：基座，基座位于靶材的下方；卡环，卡环包括环形主体和固定组件，固定组件设置于环形主体的内周圆；沉积环，沉积环包括上下层叠设置的第一环体和第二环体，第一环体和第二环体之间设有间隙，其中，沉积环设置在卡环上方，第一环体包括第一表面和与第一表面相背离的第二表面，第一环体的第一表面和第一环体的第二表面均为喷砂表面。本申请的承载装置能够管控粒子流的流场，减少溅射，进而减少晶圆晶格异常，减少甚至避免在晶圆上产生黑点，提高产品良率。

Description

半导体器件加工设备

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体器件加工设备。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，经常会采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，以下简称PVD)设备在晶片表面沉积金属材料例如Ti或者Cu等。

例如，在硅通孔(Through-Silicon-Via，简称TSV)的制作过程中，需要先采用PVD进行常规的扩散阻挡层例如Ti和种子层例如铜的沉积，此时在衬底的表面和形状在衬底中的通孔结构中均形成了扩散阻挡层和种子层，之后，再通过喷涂光刻胶，并通过对光刻胶进行曝光显影的方法，定义出需要进行电镀的区域，例如通孔中的区域，再将形成有铜种子层的衬底例如晶圆，置入电镀设备进行电镀，以在通孔中填充例如Cu的金属，之后去除光刻胶，并刻蚀去除被光刻胶覆盖的扩散阻挡层和种子层，经过上述工艺流程之后，晶圆的部分区域产生黑点，特别是边缘区域相对更加严重，严重影响了产品的良率。

鉴于上述问题的存在，本申请提出了一种新的半导体器件加工设备。

实用新型内容

针对目前存在的问题，本申请提供了一种半导体加工设备，包括：

反应腔室；

靶材，设置在所述反应腔室内；

磁发生器，设置在所述反应腔室的顶部并位于所述靶材的上方；

承载装置，所述承载装置设置于所述反应腔室内，所述承载装置位于所述靶材的下方，其中，所述承载装置包括：

基座，所述基座的顶面用于承载被加工件，所述基座位于所述靶材的下方；

卡环，所述卡环包括环形主体和固定组件，所述固定组件设置于所述环形主体的内周圆，当所述环形主体搭接所述基座时，所述环形主体位于所述基座的顶面的外周边缘区域上，所述卡环被配置为：通过所述固定组件叠压所述被加工件的边缘区域，以将所述被加工件固定在所述基座的顶面；

沉积环，所述沉积环包括上下层叠设置的第一环体和第二环体，所述第一环体和所述第二环体之间设有间隙，其中，所述沉积环层叠设置在所述卡环上方，所述第一环体包括第一表面和与所述第一表面相背离的第二表面，所述第一环体的第一表面和所述第一环体的第二表面均为喷砂表面，所述沉积环所环绕的空间区域位于所述基座用于放置所述被加工件的区域上方。

示例性地，所述第二环体包括第一表面和与所述第一表面背离的第二表面，所述第二环体的第一表面和所述第二环体的第二表面均为喷砂表面。

示例性地，所述沉积环内径大于所述基座预定用于放置所述被加工件的区域的直径；和/或

所述环形主体的内径比所述基座预定用于放置所述被加工件的区域的直径大4mm以上。

示例性地，所述卡环和所述第二环体之间设置有多个第一支撑柱，所述第二环体通过多个所述第一支撑柱设置于所述卡环上，所述第一环体和所述第二环体之间设置有多个第二支撑柱，所述第一环体通过多个所述第二支撑柱设置于所述第二环体上。

示例性地，所述固定组件包括多个压爪，多个所述压爪间隔设置于所述环形主体的内圆周，所述压爪远离所述内圆周的一端压接所述被加工件的边缘区域。

示例性地，所述压爪的数量小于8，且大于或等于2。

示例性地，所述加工设备还包括驱动组件，所述驱动组件连接所述基座，用于驱动所述基座沿与所述基座的顶面垂直的方向在第一位置和第二位置之间移动，其中，

当所述基座位于所述第一位置时，所述基座位于所述卡环的下方并和所述卡环之间存在间隔，所述卡环搭接于所述反应腔室内的支撑结构上，当所述基座从所述第一位置升至所述第二位置时，所述环形主体搭接所述基座并位于所述基座的顶面的外周边缘区域上。

示例性地，所述第一环体设置于所述第二环体的上方，其中，所述第一环体的第一表面的至少部分区域呈坡面。

示例性地，所述磁发生器和所述靶材在与所述基座的顶面垂直的方向上间隔第一距离，所述第一距离在1-2mm之间，和/或

在与所述基座的顶面垂直的方向上，所述靶材与述基座的顶面之间的距离在350mm-500mm之间。

示例性地，所述半导体器件加工设备为物理气相沉积设备。

本实用新型实施例的加工设备，通过在沉积环的第一环体和第二环体之间设置间隙，并且第一环体202a的第一表面和第二表面为喷砂表面，以吸附PVD沉积种子层或扩散阻挡层时产生的部分粒子流，从而合理的管控粒子流的流场，减少溅射，进而减少晶圆晶格异常，减少甚至避免在晶圆上产生黑点，提高产品良率。

附图说明

本实用新型的下列附图在此作为本实用新型的一部分用于理解本实用新型。附图中示出了本实用新型的实施例及其描述，用来解释本实用新型的原理。

图1示出了常规的卡环的附视示意图以及压爪的局部放大截面示意图；

图2A示出了使用本申请一个实施例中的半导体器件加工设备的结构示意图；

图2B示出了本申请一个实施例中的半导体加工设备的结构示意图；

图3A和3B示出了本申请一个实施例中的沉积环的第一环体和第二环体的俯视结构示意图；

图4示出了本申请一个实施例中的卡环的附视示意图以及压爪的局部放大截面示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本申请能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本申请的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出的结构，以便阐释本申请提出的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。

在硅通孔(Through-Silicon-Via，简称TSV)的制作过程中，需要先采用PVD进行常规的扩散阻挡层例如Ti和种子层例如铜的沉积，此时在衬底的表面和形状在衬底中的通孔结构中均形成了扩散阻挡层和种子层，之后，再通过喷涂光刻胶，并通过对光刻胶进行曝光显影的方法，定义出需要进行电镀的区域，例如通孔中的区域，再将形成有铜种子层的衬底例如晶圆，置入电镀设备进行电镀，以在通孔中填充例如Cu的金属，之后去除光刻胶，并刻蚀去除被光刻胶覆盖的扩散阻挡层和种子层，经过上述工艺流程之后，晶圆的部分区域产生黑点，特别是边缘区域相对更加严重，严重影响了产品的良率，本申请的发明人通过创造性劳动发现，导致产生黑点的一些原因是，目前PVD沉积所使用的用于承载晶圆的承载装置，该承载装置包括基座和卡环，如图1所示，卡环102的内周边缘设置有压爪103，其中，基座的顶面用于放置被加工件(例如晶圆，该晶圆可以是已经经过了多道工艺制程之后的晶圆)，其中，压爪103压接晶圆的边缘区域，当物理气相沉积时，反应腔室内的粒子流会被压爪103反射再次溅射到晶圆上，反溅过来的金属粒子例如铜或Ti因为温度差异和直接落下的金属粒子例如铜或Ti不能很好的结合到一起，在空旷区域(例如通孔之外的区域)堆积，从而导致例如晶圆的被加工件上沉积的种子层或扩散阻挡层的晶格异常，特别是边缘区域的晶格异常，晶格异常的种子层或扩散阻挡层在后续进行刻蚀时，很容易产生刻蚀残留(通过显微镜观察可能视觉上为黑点)；在电镀区(例如在通孔内的区域)，反溅的粒子流中的铜原子与正常沉积的铜没有很好的结合,致密性不好，且容易导致后续电镀铜时使的电镀的铜的表面粗糙度不好，形成镀瘤，且由于致密性不好，进而后续工艺液体渗到晶格间,导致晶格异常，基于以上原因导致了上文描述的黑点，使得产品良率降低。

为了至少部分的解决前述的技术问题，本申请提供一种加工设备，下面，将结合附图2A至4对本申请的承载装置详细结构进行描述，其中，图2A示出了使用本申请一个实施例中的半导体器件加工设备的结构示意图，图2B示出了本申请一个实施例中的具有半导体加工设备的结构示意图；图3A和3B示出了本申请一个实施例中的沉积环的第一环体和第二环体的俯视结构示意图；图4示出了本申请一个实施例中的卡环的附视示意图以及压爪的局部放大截面示意图。

如图2A和图2B所示，本申请提供一种加工设备300，包括：反应腔室301，靶材302，磁发生器303和承载装置200，其中，靶材302设置在反应腔室内，磁发生器303设置在所述反应腔室的顶部并位于所述靶材302的上方，用于产生磁场吸引使反应腔室内的等离子体轰击靶材302产生PVD工艺所需的沉积物粒子流201，沉积物粒子流201中所包含的沉积物落至基座上的被加工件上，以完成物理气相沉积工艺。

示例性地，所述磁发生器303和所述靶材302在与所述基座205的顶面垂直的方向上间隔第一距离，所述第一距离在1-2mm之间，用于形成固定磁场，控制等离子体速度，使等离子体均匀冲击靶材302，从而使靶材302产生的沉积物粒子流201均匀稳定。可选地，磁发生器303可以包括旋转磁控管。

示例性地，在与所述基座205的顶面垂直的方向上，所述基座205的顶面和所述靶材302之间的距离还可以在350-500mm之间，更进一步地，还可以在350-460mm，具体地，根据所述靶材302材料不同，该距离可以也可能不同，具体可以根据实际需要合理设定。承载装置200设置在反应腔室内部，并位于靶材302的下方，承载装置200包括：基座205，所述基座205的顶面用于承载被加工件204，所述基座205位于所述靶材302的下方；卡环203，所述卡环203包括环形主体203b和固定组件203a，所述固定组件203a设置于所述环形主体203b的内周圆，当所述环形主体203b搭接基座205时，环形主体203b位于基座205的顶面的外周边缘区域上，所述卡环203被配置为：通过所述固定组件203a叠压所述被加工件204的边缘区域，以将所述被加工件204固定在所述基座205的顶面。

承载装置200还包括沉积环202，所述沉积环202包括上下层叠设置的第一环体202a和第二环体202b，所述第一环体202a和所述第二环体202b之间设有间隙202c，其中，所述沉积环202层叠设置在所述卡环203上方，其中，第一环体202a包括第一表面和与所述第一表面相背离的第二表面，第一环体202a的第一表面和所述第二环体202b的第二表面均为喷砂表面，可选地，第一环体202a位于第二环体202b的上方，其中第一环体202a的第一表面可以是指的第一环体202a远离第二环体202b一侧的表面，该第一环体202a的第一表面也可以称为第一环体202a的顶面，相对地，第一环体202a的第二表面也可以称为第一环体202a的底面。

示例性地，卡环203和沉积环202上下层叠设置，并且卡环203的圆心和沉积环202的圆心大体同轴，卡环203和沉积环202所环绕成的空间区域位于基座205的顶面上用于放置被加工件的区域上方，以使得粒子流能够通过卡环203、沉积环202所包围的空间区域沉积到被加工件204上。

本申请的承载装置200，通过在沉积环202中第一环体202a和第二环体202b之间设置间隙202c，并且第一环体202a的第一表面和第二表面为喷砂表面，以吸附部分粒子流201，从而控制粒子流201流向镀膜区域进而合理的管控粒子流的流场，减少溅射，进而减少晶圆晶格异常，减少甚至避免在晶圆上产生黑点，提高产品良率。

参照图2B，被加工件204被卡环203上的固定组件203a叠压固定在基座205上，上方设置有沉积环202。粒子流201向下射向被加工件204。在一个示例中，被加工件204可以是已经经过了多道半导体工艺制程之后的晶圆或者还可以是其他适合的被加工件。

当承载装置200位于反应腔室内时，卡环203可以通过设置于反应腔室内的支撑结构来固定支撑卡环203，该支撑结构可以是任意适合的结构，在此不再具体限定。

参照图2B，沉积环可以以任意适合的方式设置于卡环203上方，例如，卡环203的顶面(具体可以是环形主体203b的顶面)沿圆周排布设置有多个支撑柱206，该支撑柱206连接沉积环的底部，以支撑沉积环202，在一些具体示例中，卡环203和第二环体202b之间设置有多个支撑柱206，第二环体202b通过多个支撑柱206设置于所述卡环203上，支撑柱206可以是可拆卸地连接卡环203和第二环体202b，例如，在卡环203的顶面(也即面向第二环体202b的表面)设置有多个第一安装孔(未示出)，第二环体202b的底面(也即面向卡环203的表面)设置有多个第二安装孔，第一安装孔和第二安装孔一一相对，每个支撑柱206的一端插设于第一安装孔另一端插设于第二安装孔，多个支撑柱206可以等间隔的均匀排布设置于卡环203的顶面，或者可以是不同间隔排布设置于卡环203的顶面。可选地，支撑柱206还可以是陶瓷柱，或者其他适合的支撑结构。支撑柱206的形状可以根据实际需要合理设定，例如可以是圆柱或者其他形状的柱体。支撑柱206的数量也可以根据实际需要合理设定，例如可以为3个、4个等。

在其他示例中，还可以通过其他适合的方式将沉积环202固定于卡环203上方，例如在PVD设备的反应腔内设置有支撑结构，用于支撑沉积环。

在一个示例中，参照图2B，沉积环202中的第一环体202a设置于第二环体202b的上方，第一环体202a和所述第二环体202b之间设置有多个支撑柱207，第一环体202a通过多个支撑柱207设置于第二环体202b上，在一个示例中，沉积环202中的第二环体202b顶部靠外径一侧沿圆周均匀设置有多个支撑柱207，用于支撑第一环体202a并使第一环体202a和第二环体202b之间产生间隙202c。

在一些实施例中，第二环体202b的顶面设置有多个第三安装孔，第一环体202a的底面设置有多个第四安装孔，第三安装孔和第四安装孔一一相对，每个支撑柱207的两端分别对应插设于相对的第三安装孔和第四安装孔内其中有间隙202c，通过设置该间隙可以降低接触晶圆的流场(shield)温度，并且通过该间隙202c部分粒子流能够接触第一环体202a面向第二环体202b的表面(也即第二表面)，由于第二表面为喷砂表面，因此能吸附沿D2射入的部分粒子流201，避免了溅射，从而使得本申请的承载装置能控制所述粒子流201的流向使粒子流201主要以D1方向射向被加工件204。

值得一提的是，在本申请中，粒子流201可以是指的离子轰击靶材表面，使靶材材料被轰击出来形成的粒子流。

在一个示例中，参照图3A和图3B，第一环体202a的第一表面和所述第二环体202b的第二表面均为喷砂表面，并且，第二环体202b包括第一表面和与所述第一表面背离的第二表面，所述第二环体202b的第一表面和所述第二环体202b的第二表面均为喷砂表面，也即第一环体202a和第二环体202b上下表面均为喷砂表面，用于吸附粒子流201。参考图2B，粒子流201中的大部分沿D1射向被加工件204，还有少部分入射角度产生了偏移，沿着例如包括但不限于D2的方向射向间隙202c，由于第一环体202a和第二环体202b上下表面均为喷砂表面，因此增加了吸附表面，从而能够吸附更多的粒子流例如沉积的铜，避免了溅射，从而使得本申请的承载装置能控制所述粒子流201的流向使粒子流201主要以D1方向射向被加工件204。

值得一提的是，在本申请中，喷砂表面可以是指经过喷砂处理后的表面，其类似磨砂表面，具有较高的粗糙度，并且可以通过例如双面喷砂工艺使的第一环体和第二环体的上下表面均为喷砂表面。

在一些实施例中，第一环体202a的第一表面(也即顶面)的至少部分区域呈坡面，例如可以是第一环体202a的第一表面位于外周圆的区域大体呈平面或者弧面，而位于内周圆的区域呈坡面，该坡面的方向可以是任意适合的方向，例如坡面朝向远离第一环体202a的中心轴的方向倾斜，通过使其为坡面，可以增加第一环体202a的表面积，也即增加了喷砂表面的面积从而使第一环体202a能吸附更多的粒子流201，避免溅射。

在一个示例中，参考图2B和图4，沉积环202内径大于基座205预定用于放置被加工件204的区域的直径，这使得类似于图4中的粒子流201被间隙202c吸附的方式作用于射向被加工件204边缘的部分粒子流201，减少溅射，进而减少晶圆晶格异常，从而有效解决了刻蚀后晶圆的边缘部分出现黑点的问题，从而有效提升产品良率。可选地，沉积环202的内径大体与卡环203的环形主体203b的内径相同，或者也可以不同。

在一个示例中，参考图2B，固定组件203a可以为压爪，压爪通过叠压将被加工件204固定在基座205上。其中，所述被加工件204被所述压爪叠压部分的面积为压爪面积。其中，压爪的数量可以是任意适合的数量，例如压爪的数量小于8且大于等于2，进一步，压爪的数量还可以大于2且小于7。参考图4，在一个示例中，环形主体203b上沿圆周均匀分布有4个压爪，相比设置有常规具有更多压爪的卡环，本申请通过减少压爪的数量，使得压爪的总面积较小，从而使的被加工件的良率得以提升，压爪周围不再出现黑点，使器件的可靠性也得以提升，并且，无需再通过返工去除刻蚀残留，因此还节省了人力和机台利用率。

在使用本申请的加工设备的PVD设备中，基座205可以是静电吸附卡盘，基座205上设置有升降引脚(也称升降pin脚)，该升降引脚可以用于对被加工件4例如晶圆进行定位，被加工件204进入反应腔室后，例如静电卡盘的基座通过高压直流电压对其进行吸附固定，在对晶圆进行加工完成后，静电卡盘施加反向的高压直流电压对晶圆进行解吸附(de-chuck)，然后晶圆与静电卡盘分离，最后晶圆利用机械手传出反应腔室。在一个示例中，所述压爪覆盖所述升降引脚，保护所述升降引脚部分不被镀膜，以使其保持正常的对位作用，例如和机械手的对位作用，以使机械手能够准确抓取被加工件4。

在一个示例中，基座205下方还可以设置驱动组件(未示出)，驱动组件连接基座205，驱动基座205沿与所述基座205的顶面垂直的方向移动，例如，驱动基座205沿与基座205的顶面垂直的方向在第一位置和第二位置之间移动，从而升降基座205上承载的被加工件。示例性地，当基座205位于第一位置时，基座205位于卡环203的下方并和卡环203之间存在间隔，卡环203位于反应腔室内的支撑结构上，当基座205从第一位置升至第二位置时，卡环203搭接基座205的外周边缘区域，也即卡环203的环形主体位于基座205的外周边缘区域上，基座205支撑卡环203，此时，被加工件设置于基座205的顶面时，通过卡环203的固定组件叠压所述被加工件的边缘区域，以将所述被加工件固定在所述基座205的顶面。

在一些实施例中，如图4所示，还可以通过对压爪尺寸的更改，减少压爪和被加工件204之间的接触面积，固定组件203a例如压爪包括与环形主体203b连接的连接段2031以及用于叠压被加工件204的压接部2032，压接部2032的长度在0.4mm-0.8mm，通过使用相比常规压爪更短的压接部2032，可以减少压爪和被加工件204之间的接触面积，以减少由于压爪造成的溅射。

在一个示例中，参考图2B，环形主体203b内径大于基座205预定用于放置被加工件的区域的直径，例如比基座205预定用于放置被加工件的区域的直径大4mm以上，例如还可以是大5mm以上，在使用本申请的加工设备的PVD装置中，粒子流201可沿D3方向流到环形主体203b和被加工件之间的间隔区域内，从而使得被沉积环或压爪溅射的粒子流被管控在被加工件例如晶圆之外，减少了反射的粒子流201对被加工件的溅射，这使得本申请的承载装置200能控制粒子流201的流向使其以接近参考图2B中D1的方向射向被加工件204，使得沉积在被加工件表面的薄膜质量更好，均匀性也更好。

本实用新型实施例的加工设备，通过在沉积环的第一环体和第二环体之间设置间隙，并且第一环体202a的第一表面和第二表面为喷砂表面，以吸附PVD沉积种子层或扩散阻挡层时产生的部分粒子流，从而合理的管控粒子流的流场，减少溅射，进而减少晶圆晶格异常，减少甚至避免在晶圆上产生黑点，提高产品良率。

尽管这里已经参考附图描述了示例实施例，应理解上述示例实施例仅仅是示例性的，并且不意图将本申请的范围限制于此。本领域普通技术人员可以在其中进行各种改变和修改，而不偏离本申请的范围和精神。所有这些改变和修改意在被包括在所附权利要求所要求的本申请的范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体器件加工设备，其特征在于，包括：

反应腔室；

靶材，设置在所述反应腔室内；

磁发生器，设置在所述反应腔室的顶部并位于所述靶材的上方；

承载装置，所述承载装置设置于所述反应腔室内，所述承载装置位于所述靶材的下方，其中，所述承载装置包括：

基座，所述基座的顶面用于承载被加工件，所述基座位于所述靶材的下方；

卡环，所述卡环包括环形主体和固定组件，所述固定组件设置于所述环形主体的内周圆，当所述环形主体搭接所述基座时，所述环形主体位于所述基座的顶面的外周边缘区域上，所述卡环被配置为：通过所述固定组件叠压所述被加工件的边缘区域，以将所述被加工件固定在所述基座的顶面；

沉积环，所述沉积环包括上下层叠设置的第一环体和第二环体，所述第一环体和所述第二环体之间设有间隙，其中，所述沉积环层叠设置在所述卡环上方，所述第一环体包括第一表面和与所述第一表面相背离的第二表面，所述第一环体的第一表面和所述第一环体的第二表面均为喷砂表面，所述沉积环所环绕的空间区域位于所述基座用于放置所述被加工件的区域上方。

2.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述第二环体包括第一表面和与所述第一表面背离的第二表面，所述第二环体的第一表面和所述第二环体的第二表面均为喷砂表面。

3.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述沉积环内径大于所述基座预定用于放置所述被加工件的区域的直径；和/或

所述环形主体的内径比所述基座预定用于放置所述被加工件的区域的直径大4mm以上。

4.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述卡环和所述第二环体之间设置有多个第一支撑柱，所述第二环体通过多个所述第一支撑柱设置于所述卡环上，所述第一环体和所述第二环体之间设置有多个第二支撑柱，所述第一环体通过多个所述第二支撑柱设置于所述第二环体上。

5.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述固定组件包括多个压爪，多个所述压爪间隔设置于所述环形主体的内圆周，所述压爪远离所述内圆周的一端压接所述被加工件的边缘区域。

6.如权利要求5所述的加工设备，其特征在于，所述压爪的数量小于8，且大于或等于2。

7.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述加工设备还包括驱动组件，所述驱动组件连接所述基座，用于驱动所述基座沿与所述基座的顶面垂直的方向在第一位置和第二位置之间移动，其中，

当所述基座位于所述第一位置时，所述基座位于所述卡环的下方并和所述卡环之间存在间隔，所述卡环搭接于所述反应腔室内的支撑结构上，当所述基座从所述第一位置升至所述第二位置时，所述环形主体搭接所述基座并位于所述基座的顶面的外周边缘区域上。

8.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，所述第一环体设置于所述第二环体的上方，其中，所述第一环体的第一表面的至少部分区域呈坡面。

9.如权利要求1所述的加工设备，其特征在于，

所述磁发生器和所述靶材在与所述基座的顶面垂直的方向上间隔第一距离，所述第一距离在1-2mm之间，和/或

在与所述基座的顶面垂直的方向上，所述靶材与所述基座的顶面之间的距离在350mm-500mm之间。

10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述半导体器件加工设备为物理气相沉积设备。

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