CN219106120U - 一种ic芯片吸取机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种IC芯片吸取机构。包括吸嘴本体，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；吸嘴，设置于吸嘴本体的底部，内部设置有均流腔体，所述吸嘴的一端与所述吸嘴本体连接，所述吸嘴的另一端朝向IC芯片；所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；所述预定位段一端与垂直区间段连通，所述预定位段的另一端与外界连通。本申请通过在吸嘴内设置有敞口设置的均流腔，实现对待吸取IC芯片的表面吸取力均匀，实现在吸取时不容易偏移，通过设置垂直区间段和预定位段保证了IC产品检测水平度及位置正交性。
Description
技术领域
本实用新型涉及IC芯片加工技术领域，特别涉及一种IC芯片吸取机构。
背景技术
芯片吸嘴用来吸取芯片，配合相关的运动，实现芯片的移动，如授权公告号为：CN212874470U的实用新型一种IC芯片吸嘴采用特殊的三角形内空结构的唇形吸取嘴，用于改善传统的芯片吸嘴在与芯片吸取时，大面积与芯片的表面大面积接触导致对芯片表面造成污染，但是此方案的缺陷在于：由于吸嘴与IC产品的接触面积小，吸取时容易偏移，导致吸放不稳定。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种IC芯片吸取机构，用以解决现有的IC芯片吸取机构在吸取时容易偏移的问题。具体方案为：
一种IC芯片吸取机构，包括：
吸嘴本体，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；
吸嘴，设置于吸嘴本体的底部，内部设置有均流腔体，所述吸嘴的一端与所述吸嘴本体连接，所述吸嘴的另一端朝向IC芯片；
所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；
所述预定位段一端与垂直区间段连通，所述预定位段的另一端与外界连通。
优选的，所述垂直区间段的内廓形状与IC芯片的外廓形状相匹配，所述垂直区间段的截面尺寸与预定位段的连接处截面尺寸相同，所述垂直区间段的截面尺寸大于IC芯片的截面尺寸。
优选的，所述预定位段的竖直剖面呈等腰梯形结构，所述预定位段用于实现吸取IC芯片时对于IC芯片的导正与定位。
优选的，所述预定位段的竖向夹角为15-30°。
优选的，所述预定位段的竖直高度为整个均流腔高度的1/3-2/3。
优选的，所述导流腔整体呈锥形结构，包括靠近吸嘴依次设置的第一腔体、第二腔体以及第三腔体，
所述第一腔体、第二腔体以及第三腔体的截面尺寸依次减小；
所述第一腔体和第三腔体均呈圆柱状；
所述第二腔体呈圆锥状，所述第二腔体的截面尺寸由第一腔体向第三腔体的方向线性减小。
优选的，所述均流腔的截面尺寸大于所述第三腔体的截面尺寸。
优选的，所述第一腔体、第二腔体以及第三腔体以及均流腔的中心线均位于同一直线上。
优选的，所述均流腔的截面呈方型结构，所述均流腔的高度与IC芯片的厚度相同。
与现有技术相比，本申请的有益效果在于：
本申请通过在吸嘴内设置有敞口的均流腔，实现对待吸取IC芯片的表面吸取力均匀，实现在吸取时不容易偏移，通过设置垂直区间段和在垂直区间段靠近外界的一端设置有预定位段，预定位段对待吸取IC芯片进行预定位，保证了IC产品检测水平度及位置正交性，能很好地兼容tray盘间隙。
下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1为本实用新型一种IC芯片吸取机构的剖面结构示意图；
图2为图1中A处放大图；
图3为本实用新型一种IC芯片吸取机构半剖图；
图4为本实用新型一种IC芯片吸取机构吸取前示意图；
图5为本实用新型一种IC芯片吸取机构吸取中示意图；
图6为本实用新型一种IC芯片吸取机构吸取完成示意图；
图7为本实用新型一种IC芯片吸取机构与IC芯片装配前示意图；
图8为本实用新型一种IC芯片吸取机构与IC芯片装配前剖面示意图；
图9为本实用新型一种IC芯片吸取机构的装配图；
图10为现有技术中IC芯片吸取机构吸取完成示意图；
图11为现有技术中IC芯片吸取机构与IC芯片装配示意图；
其中，1-吸嘴本体，2-吸嘴，3-IC芯片，4-第一腔体，5-第二腔体，6-第三腔体，7-预定位段。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
根据附图1-9所示的一种IC芯片吸取机构，包括：
吸嘴本体1，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；
吸嘴2，设置于吸嘴本体1的底部，内部设置有均流腔体，所述吸嘴2的一端与所述吸嘴本体1连接，所述吸嘴2的另一端朝向IC芯片3；
所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段7，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；
所述预定位段7一端与垂直区间段连通，所述预定位段7的另一端与外界连通。
进一步的，所述垂直区间段的内廓形状与IC芯片3的外廓形状相匹配，所述垂直区间段与预定位段7连接处的截面尺寸相同，所述垂直区间段的截面尺寸大于IC芯片3的截面尺寸。
进一步的，所述预定位段7的竖直剖面呈等腰梯形结构，所述预定位段7用于实现吸取IC芯片3时对于IC芯片3的导正与定位。
进一步的，所述预定位段7的竖向夹角为15-30°。
进一步的，所述预定位段7的竖直高度为整个均流腔高度的1/3-2/3。
进一步的，所述导流腔整体呈锥形结构，包括靠近吸嘴2依次设置的第一腔体4、第二腔体5以及第三腔体6，
所述第一腔体4、第二腔体5以及第三腔体6的截面尺寸依次减小；
所述第一腔体4和第三腔体6均呈圆柱状；
所述第二腔体5呈圆锥状，所述第二腔体5的截面尺寸由第一腔体4向第三腔体6的方向线性减小。
进一步的，所述均流腔的截面尺寸大于所述第三腔体6的截面尺寸。
进一步的，所述第一腔体4、第二腔体5以及第三腔体6以及均流腔的中心线均位于同一直线上。
进一步的，所述均流腔的截面呈方向结构，所述均流腔的高度与IC芯片3的厚度相同。
需要说明的是：
本申请所述的一种IC芯片的吸取机构应用于小型IC芯片以及与此类结构类似的小型封装形式的产品，以及检测精度要求高、对吸取位置及水平度，正交性有要求的相关检测；
现有的IC芯片的吸取机构，由于接触面小，水平度无法保证，吸取后不能满足产品的正交性检测要求；
本申请中的吸嘴本体1外观结构以及整体尺寸可根据实际的工作需求进行定制，但导流腔的整体结构应该有第一腔体4、第二腔体5、第三腔体6依次固定连接形成的整体呈锥形的腔体，采用此结构的作用在于，其中第三腔体6的横截面尺寸小于均流腔，其作用在于采用缩孔径结构，降低压缩空气损耗量，同时也最大限度提高了吸嘴的真空吸力；
本申请中设置均流腔的截面呈方型结构是为了与所要吸取的IC芯片的形状相匹配；
在本申请的一个实施例中第一腔体4、第二腔体5、第三腔体6为一体成型；
在本申请中第一腔体4、第二腔体5、第三腔体6以及均流腔的中心线均位于同一直线上；
本申请中的吸嘴2通过但不局限于螺栓/螺钉固定连接在吸嘴本体1的底部，吸嘴2内部为均流腔，吸嘴2远离吸嘴本体1的一端为敞口设置，均流腔通过敞口与外界连通；
均流腔的腔体形状与实际吸取的IC芯片的外形尺寸相匹配，其横向和纵向尺寸略大于待吸取的IC芯片0.02～0.1mm，在吸取时，首先将吸嘴2置于IC芯片的正上方；
均流腔的作用在于吸取时IC芯片表面受到的吸力相同，从而保持吸取时的稳定性；均流腔由两部分构成，包括预定位段7和垂直区间段，其中，垂直区间段靠近吸嘴本体1设置，预定位段7设置在远离吸嘴本体1的一端；垂直区间段的高度与预定位段7的高度之和与待吸取IC芯片的厚度相同；垂直区间段即为垂直面，预定位段7为倾斜面，从垂直区间段到预定位段7远离垂直区间段的一端，预定位段7的内廓横向截面尺寸线性增加，即预定位段7的竖直剖面呈等腰梯形结构，在吸取过程中，首先通过预定位段7对IC芯片进行预定位，其中预定位与导正的过程为：由于预定位段7为沿着均流腔一周设置的倾斜面，IC芯片3在上升的过程中发生水平偏移时，会受到倾斜面的限制从而沿着倾斜面爬坡，倾斜面以均流腔的轴线对称设置，因此在爬坡的过程中也是完成导正的过程；
步通过预定位端到垂直区间段时IC芯片3前后左右方向均得到定位，保证了IC芯片位置正交性；
在确保待吸取的IC芯片3的中心线与均流腔的中心线位于同一直线上之后，进行吸取，最终使IC芯片3的上表面与吸嘴2的内顶面贴合，IC芯片3的侧壁与垂直区间段相贴合最终达到准确定位的目的。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种IC芯片吸取机构，其特征在于，包括：
吸嘴本体(1)，内部设置有导流腔，所述导流腔的一端与外接真空发生器连接；
吸嘴(2)，设置于吸嘴本体(1)的底部，内部设置有均流腔，所述吸嘴(2)的一端与所述吸嘴本体(1)连接，所述吸嘴(2)的另一端朝向IC芯片(3)；
所述均流腔包括竖直设置的垂直区间段和预定位段(7)，所述垂直区间段与所述导流腔的另一端连通；
所述预定位段(7)一端与垂直区间段连通，所述预定位段(7)的另一端与外界连通。
2.根据权利要求1所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述垂直区间段的内廓形状与IC芯片(3)的外廓形状相匹配，所述垂直区间段与所述预定位段(7)的连接处截面尺寸相同，所述垂直区间段的截面尺寸大于IC芯片(3)的截面尺寸。
3.根据权利要求1所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述预定位段(7)的竖直剖面呈等腰梯形结构，所述预定位段(7)用于实现吸取IC芯片(3)时对于IC芯片(3)的导正与定位。
4.根据权利要求3所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述预定位段(7)的竖向夹角为15-30°。
5.根据权利要求3所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述预定位段(7)的竖直高度为整个均流腔高度的1/3-2/3。
6.根据权利要求2所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述导流腔整体呈锥形结构，包括靠近吸嘴(2)依次设置的第一腔体(4)、第二腔体(5)以及第三腔体(6)；
所述第一腔体(4)、第二腔体(5)以及第三腔体(6)的截面尺寸依次减小；
所述第一腔体(4)和第三腔体(6)均呈圆柱状；
所述第二腔体(5)呈圆锥状，所述第二腔体(5)的截面尺寸由第一腔体(4)向第三腔体(6)的方向线性减小。
7.根据权利要求6所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述均流腔的截面尺寸大于所述第三腔体(6)的截面尺寸。
8.根据权利要求7所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述第一腔体(4)、第二腔体(5)以及第三腔体(6)以及均流腔的中心线均位于同一直线上。
9.根据权利要求1所述的一种IC芯片吸取机构，其特征在于，所述均流腔的截面呈方型结构，所述均流腔的高度与IC芯片(3)的厚度相同。
Priority Applications (1)
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| CN202320015634.9U CN219106120U (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种ic芯片吸取机构 |
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Publications (1)
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| CN219106120U true CN219106120U (zh) | 2023-05-30 |
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Family Applications (1)
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| CN202320015634.9U Active CN219106120U (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种ic芯片吸取机构 |
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- 2023-01-04 CN CN202320015634.9U patent/CN219106120U/zh active Active
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