CN219106079U - 一种单片晶圆清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提出一种单片晶圆清洗装置,包括腔体,腔体内部设有清洗槽,清洗槽中设有一个连接架,连接架固定连接有一个传动轴,连接架的上表面设有真空杆,真空杆沿轴线设有贯穿真空杆的真空管路,真空管路沿传动轴的轴线延伸贯穿整个传动轴,传动轴相对转动地设置在腔体上,腔体中分别安装有上清洗装置和下清洗装置,传动轴的底部伸出腔体,传动轴通过齿轮箱连接动力装置,传动轴的底部连接真空发生装置,上清洗装置、下清洗装置能选择喷出超纯水或者氮气。该清洗装置.采用单片清洗,不会造成晶圆片间污染。利用氮气对晶圆表面进行干燥,减少水残。

Description

一种单片晶圆清洗装置
技术领域
本实用新型涉及一种单片晶圆清洗装置。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。
现有的大多数晶圆清洗方式,是采用槽洗的方式,利用花篮盛放多片晶圆并在槽内清洗,各个晶圆在清洗的过程中,各个晶圆表面的灰尘会在每个晶圆之间扩散传递,造成各个晶圆的二次污染,清洗效果不理想。
又或者现有的少数的晶圆清洗过程,采用的是对单片晶圆进行喷洗,再通过旋转的方式对晶圆进行甩干。这种方式,虽然是单片清洗,提高了清洗效果,但是晶圆表面的水粘附在晶圆表面,晶圆非高速旋转的情况,很难完全甩干水,在晶圆表面粘黏的水易形成水残和水痕,降低清洗效果。
发明内容
为克服现有技术的不足,本实用新型提出一种单片晶圆清洗装置,其为了解决如何表面晶圆间二次污染的同时,避免形成水残和水痕的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型的一种单片晶圆清洗装置,包括腔体,腔体内部设有清洗槽,清洗槽中设有一个连接架,连接架固定连接有一个传动轴,连接架的上表面设有真空杆,真空杆沿轴线设有贯穿真空杆的真空管路,真空管路沿传动轴的轴线延伸贯穿整个传动轴,传动轴相对转动地设置在腔体上,腔体中分别安装有上清洗装置和下清洗装置,传动轴的底部伸出腔体,传动轴通过齿轮箱连接动力装置,传动轴的底部连接真空发生装置,上清洗装置、下清洗装置能选择喷出超纯水或者氮气。
进一步地,连接架的上表面一体设置有8个外圈支撑杆、4个内圈支撑杆,8个外圈支撑杆为斜撑设置,4个内圈支撑杆均是竖向设置,8个外圈支撑杆以圆轨迹等距分布在连接架的上表面,4个内圈支撑杆以外圈支撑杆圆轨迹的圆心为圆心,等距分布在外圈支撑杆圆轨迹的内部。
进一步地,清洗槽中设有喷嘴固定件,喷嘴固定件与清洗槽的底部表面之间设有第一密封圈,喷嘴固定件顶部固定连接有遮盖,遮盖的上表面、连接架的底部表面之间设有第二密封圈,第二密封圈与连接架的下表面接触。
进一步地,喷嘴固定件四周低、中间高。
进一步地,清洗槽的四周围设有隔板,8个外圈支撑杆、4个内圈支撑杆、真空杆的高度低于隔板的高度。
进一步地,清洗槽的底侧表面中间高、四周低,腔体的底侧表面中间高、四周低,清洗槽的底侧表面和腔体的底侧表面的低洼处均设有排污口。
进一步地,下清洗装置设置有4个。
有益效果:1、连接架上每次只有单片晶圆进行清洗,不会造成晶圆间相互污染。2、上清洗装置和下清洗装置能单独喷出超纯水和氮气,利用氮气吹,对晶圆表面进行干燥,减少水残和水痕。
附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步描写和阐述。
图1是本实用新型首选实施方式的整体的结构示意图。
图2是整体的结构剖视图;
图3是图2中的局部放大图。
附图标记:1、腔体;2、隔板;3、清洗槽;4、连接架;5、传动轴;6、真空杆;7、真空管路;8、齿轮箱;9、旋转接头;10、喷嘴固定件;11、第一密封圈;12、遮盖;13、第二密封圈;14、下清洗装置;15、上清洗装置;16、排污口;17、内圈支撑杆;18、外圈支撑杆。
具体实施方式
下面将结合附图、通过对本实用新型的优选实施方式的描述,更加清楚、完整地阐述本实用新型的技术方案。
如图1所示,本实用新型首选实施方式的一种单片晶圆清洗装置,包括长方体形腔体1,腔体1内部中空,顶部有开口,腔体1内部底侧表面的中部位置向下凹设,形成一个圆柱形的清洗槽3,清洗槽3的四周用隔板2围设,隔板2焊接在腔体1内部底侧表面。
如图2所示,清洗槽3中设有一个连接架4,连接架4的底部通过螺栓固定连接有一个传动轴5,传动轴5竖向设置,传动轴5的底部贯穿腔体1的底部,传动轴5通过轴承相对转动地设置在腔体1上。
连接架4的上表面为平面,连接架4的上表面一体设置有8个外圈支撑杆18、4个内圈支撑杆17,8个外圈支撑杆18为斜撑结构、4个内圈支撑杆17是竖向设置。8个外圈支撑杆18以圆轨迹等距分布在连接架4的上表面。4个内圈支撑杆17以外圈支撑杆18圆轨迹的圆心为圆心,等距分布在外圈支撑杆18圆轨迹的内部。8个外圈支撑杆18、4个内圈支撑杆17的顶部高度相同,两者的顶部位置共同支撑晶圆表面。外圈支撑杆18的圆轨迹圆心位置竖向设置有一个真空杆6,真空杆6的顶部、外圈支撑杆18的顶部、内圈支撑杆17的顶部处于同一高度,真空杆6沿轴线设有贯穿真空杆6的真空管路7,该真空管路7一直沿传动轴5的轴线延伸,贯穿整个传动轴5。
腔体1的外侧底部位置设有齿轮箱8,齿轮箱8通过螺栓固定腔体1上。传动轴5上设有齿,与齿轮箱8中的齿通过齿相互啮合的方式,实现动力传动。齿轮箱8另设动力装置,动力装置通过齿轮箱8带动传动轴5转动。
传动轴5的底部是穿过齿轮箱8的,传动轴5的底部设有一个旋转接头9,旋转接头9是相对转动地设置在传动轴5上的,旋转接头9与真空发生装置通过螺栓固定连接。旋转接头9和真空发生装置是相互固定不动的,传动轴5在动力装置的作用下发生转动,真空发生装置通过真空管路7产生负压吸附真空杆6的顶部、外圈支撑杆18的顶部、内圈支撑杆17的顶部共同支撑的晶圆。在负压的作用下,晶圆连同连接架4一起随传动轴5的转动。
如图3所示,清洗槽3中设有喷嘴固定件10,喷嘴固定件10与清洗槽3的底部表面之间设有第一密封圈11,喷嘴固定件10通过螺栓固定在清洗槽3的底部,喷嘴固定件10顶部通过螺栓固定连接有遮盖12,遮盖12的上表面、连接架4的底部表面之间通过设有第二密封圈13,第二密封圈13嵌在遮盖12的上表面上,并与连接架4的下表面接触。利用第一密封圈11保证喷嘴固定件10、清洗槽3底部表面两者的密封性。利用第二密封圈13保证连接架4、遮盖12两者的密封性。
喷嘴固定件10上固定有4个下清洗装置14,4个下清洗装置14处于晶圆的底侧,对晶圆的底侧表面进行喷洗。下清洗装置14的管路穿过清洗槽3的底侧表面,由外部管路控制下清洗装置14喷出超纯水进行冲洗,又或者喷出氮气去除晶圆表面水渍。下清洗装置14与晶圆下表面之间的夹角为45度。
喷嘴固定件10四周低、中间高,传动轴5穿过喷嘴固定件10中部位置,下清洗装置14喷出的超纯水清洗后,经由喷嘴固定件10表面导向流入到清洗槽3底部,清洗槽3底部表面同样是中间高、四周低,在清洗槽3底部表面的低洼处开设有排液口,竖向连通清洗槽3的外侧。
8个外圈支撑杆18、4个内圈支撑杆17、真空杆6的高度低于隔板2的高度,下清洗装置14清洗时,绝大部分的超纯水会留在清洗槽3中,少部分的超纯水会溅出到隔板2外侧的腔体1中,腔体1底侧表面仍然是中间高、四周低,在腔体1的底侧表面低洼处另设其他的排液口,排出溅出的超纯水。
腔体1的内部底侧表面安装有上清洗装置15,上清洗装置15与下清洗装置14的结构相同,上清洗装置15处于晶圆的上侧,对晶圆的上表面进行清洗。同样地,上清洗装置15也可以可选择地喷出氮气,而不喷出超纯水,利用高压氮气吹掉晶圆表面的水渍,避免产生水痕和水残。上清洗装置15与晶圆上表面的夹角为30度。
本实施例相对于现有技术的好处在于:1、每次只对单个晶圆进行冲洗,多个晶圆表面的污秽物不会相互污染。2、每次冲洗后,清洗装置关闭并打开氮气,利用高压氮气将晶圆表面的超纯水吹掉,避免产生水痕和水残。
上述具体实施方式仅仅对本实用新型的优选实施方式进行描述,而并非对本实用新型的保护范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思和精神范畴的前提下,本领域的普通技术人员根据本实用新型所提供的文字描述、附图对本实用新型的技术方案所作出的各种变形、替代和改进,均应属于本实用新型的保护范畴。本实用新型的保护范围由权利要求确定。

Claims (7)

1.一种单片晶圆清洗装置,包括腔体,其特征在于,所述腔体内部设有清洗槽,所述清洗槽中设有一个连接架,所述连接架固定连接有一个传动轴,所述连接架的上表面设有真空杆,所述真空杆沿轴线设有贯穿真空杆的真空管路,所述真空管路沿传动轴的轴线延伸贯穿整个传动轴,所述传动轴相对转动地设置在腔体上,所述腔体中分别安装有上清洗装置和下清洗装置,所述传动轴的底部伸出腔体,所述传动轴通过齿轮箱连接动力装置,所述传动轴的底部连接真空发生装置,所述上清洗装置、下清洗装置能选择喷出超纯水或者氮气。
2.根据权利要求1所述的一种单片晶圆清洗装置,其特征在于,所述连接架的上表面一体设置有8个外圈支撑杆、4个内圈支撑杆,8个所述外圈支撑杆为斜撑设置,4个所述内圈支撑杆均是竖向设置,8个所述外圈支撑杆以圆轨迹等距分布在连接架的上表面,4个所述内圈支撑杆以外圈支撑杆圆轨迹的圆心为圆心,等距分布在所述外圈支撑杆圆轨迹的内部。
3.根据权利要求1所述的一种单片晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗槽中设有喷嘴固定件,所述喷嘴固定件与清洗槽的底部表面之间设有第一密封圈,所述喷嘴固定件顶部固定连接有遮盖,所述遮盖的上表面、连接架的底部表面之间设有第二密封圈,所述第二密封圈与连接架的下表面接触。
4.根据权利要求3所述的一种单片晶圆清洗装置,其特征在于,所述喷嘴固定件四周低、中间高。
5.根据权利要求2所述的一种单片晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗槽的四周围设有隔板,8个所述外圈支撑杆、4个内圈支撑杆、真空杆的高度低于隔板的高度。
6.根据权利要求1所述的一种单片晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗槽的底侧表面中间高、四周低,所述腔体的底侧表面中间高、四周低,所述清洗槽的底侧表面和腔体的底侧表面的低洼处均设有排污口。
7.根据权利要求1所述的一种单片晶圆清洗装置,其特征在于,所述下清洗装置设置有4个。
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