CN218996335U - Goa电路的补偿装置及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种GOA电路的补偿装置，所述补偿装置包括温度检测模块、驱动IC、GOA电路模块和温度补偿模块，所述驱动IC分别和所述温度检测模块、所述GOA电路模块以及所述温度补偿模块连接，所述温度补偿模块和所述GOA电路模块连接。本实用新型还涉及一种使用上述补偿装置进行GOA电路补偿的方法。本实用新型还涉及一种液晶显示器，包括液晶面板及与所述液晶面板连接的上述的GOA电路的补偿装置。
Description
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种可以提升GOA电路在低温环境和高温环境下的稳定性的GOA电路的补偿装置及方法，以及液晶显示器。
背景技术
本部分提供了与本申请相关的背景信息，这些信息并不必然构成现有技术。
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)已经广泛应用于生活的各个方面，阵列基板行驱动(Gate driver On Array，简称GOA)技术是直接将薄膜晶体管的栅极驱动电路制作在阵列基板上，以代替由外接硅芯片制作的驱动芯片的一种技术。由于GOA电路可以节省Gate IC，可直接制作于面板周围，简化了制程工艺，而且还可降低产品成本，提高TFT-LCD面板的集成度，使显示面板趋向于更加薄型化。
图1为现有技术中GOA电路架构示意图，GOA电路中包括多个薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称TFT)。如图1中所示，GOA电路中的TFT包括T11、T21、T22、T31、T321、T41、T42、T51和T52，各TFT的闸极、源极与汲极上搭接的信号攸关整个电路的运作功能正常与稳定性，VDD为电源电压，VSS为公共接地电压，CK、XCK为相位相反的两交流信号，G(N-1)为第N-1级GOA单元的栅极信号输出端，G(N)为第N级GOA单元的栅极信号输出端，G(N+1)为第N+1级GOA单元的栅极信号输出端，ST(N-1)为第N-1级GOA单元的栅极信号输出端，ST(N)第N级GOA单元的栅极信号输出端，Q(N)、P(N)为第N级GOA单元的相应节点。图2为图1所示GOA电路的输入信号和节点波形图。
在不同的环境温度下，TFT的导通能力是不一样的。在低温下，TFT导通效果变差，驱动能力变弱，使得GOA电路的驱动能力不足，甚至导致GOA级联异常。GOA输出不能正常驱动像素TFT的有效打开，就会导致显示异常。而TFT在高温环境下，导通效果变强，漏电能力也加强，在高温环境下，TFT的寿命会缩短，且漏电能力加强，液晶的保持能力也会减弱，加剧画面闪烁的风险。因此为了扩大GOA电路的工作环境温度范围，在设计驱动电路时都会刻意的将GOA的开启电压加大到30V以上，工作环境温度降低时，GOA电路中的TFT需要更高的工作电压；而工作环境温度升高时，GOA电路中的TFT需要较低的开启电压。但是TFT的工作点电压会直接影响到TFT器件的寿命，如果高温下仍然采用较高的工作电压，则会加速TFT器件的老化，而低温下如果不增加TFT工作电压，则会影响栅极扫描信号的正常输出，进而会降低充电率。
为解决上述技术问题，中国专利CN201811540919.4公开了一种GOA电路的驱动电压补偿方法，驱动电压补偿方法包括如下步骤：(1)检测GOA电路的实时温度；以及(2)根据实时温度查预设温补表，获取匹配实时温度的补偿电压值，以根据补偿电压值线性调整GOA电路的驱动电压，其中，预设温补表中记载有预先获取的各个温度区间与对应的补偿电压值。
为解决上述技术问题，中国专利CN201710513968.8提供一种GOA电路模块，包括功率集成模块、时序控制模块、补偿模块及温度传感器，温度传感器分别与功率集成模块和补偿模块连接，用于从功率集成模块中获取GOA电路模块的工作温度，并将工作温度传送给补偿模块；补偿模块还与功率集成模块和时序控制模块连接，用于根据工作温度获取相应的补偿参数，并将补偿参数传送给功率集成模块或/和时序控制模块；功率集成模块还与时序控制模块连接，功率集成模块或/和时序控制模块根据补偿参数对直流低电压或者时钟信号进行调整后再输出至液晶面板，以使液晶面板GOA电路的TFT器件的工作电压与工作温度相匹配。
实用新型内容
本实用新型旨在提供可以提升GOA电路在低温环境和高温环境下的稳定性的GOA电路的补偿装置及方法。该补偿装置通过温度检测模块和温度补偿模块的协作，来补偿GOA的驱动能力，可以解决在低温环境下GOA电路因驱动能力减弱导致不能正常显示，同时可以解决在高温环境下GOA电路工作电压过高导致TFT寿命缩短，功耗增大。
为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种GOA电路的补偿装置，包括：温度检测模块、驱动IC(即驱动集成芯片)、GOA电路模块和温度补偿模块。
其中，所述驱动IC分别和所述温度检测模块、所述GOA电路模块以及所述温度补偿模块连接。所述温度补偿模块和所述GOA电路模块连接。
所述驱动IC的引脚包括CK引脚(交流信号输入脚)、VGL引脚(TFT屏的负电源输入脚)、EN_1引脚和EN_2引脚。在一实施例中，所述驱动IC型号为ST7701S。
所述驱动IC通过多个芯片输出引脚以及相关线路连接至所述温度补偿模块和所述GOA电路模块。所述温度检测模块用于获取GOA电路模块的工作温度。所述温度检测模块10将工作温度转换为输出信号传到给驱动IC，由所述驱动IC根据所述输出信号产生对应的控制信号传送给所述温度补偿模块。
所述GOA电路模块包括电容C1、薄膜晶体管M6和薄膜晶体管M1，薄膜晶体管M6的漏极和薄膜晶体管M1的栅极连接，电容C1分别连接薄膜晶体管M1的栅极和源极。Gout(n-1)为GOA电路模块的第n-1级GOA单元的输出信号，Cout(n)为GOA电路模块的第n级GOA单元的输出信号，Gout(n+1)为GOA电路模块的第n+1级GOA单元的输出信号。驱动IC的CK引脚连接薄膜晶体管M1的漏极，Gout(n-1)分别连接薄膜晶体管M6的漏极和薄膜晶体管M1的栅极，Gout(n+1)连接薄膜晶体管M6的栅极，驱动IC的VGL引脚连接薄膜晶体管M6的源极，Gout(n)连接薄膜晶体管M1的源极。
所述驱动IC的EN_1引脚连接开关讯号线EN_1，所述驱动IC的EN_2引脚连接开关讯号线EN_2。所述驱动IC通过开关讯号线EN_1、EN_2分别打开所述温度补偿模块内不同的薄膜晶体元件并进行相应的动作。所述温度补偿模块包括薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4和薄膜晶体管M5。所述驱动IC通过开关讯号线EN_1连接薄膜晶体管M5的栅极，所述驱动IC通过开关讯号线EN_2连接薄膜晶体管M4的栅极，薄膜晶体管M4的源极连接薄膜晶体管M2的栅极，薄膜晶体管M5的源极连接薄膜晶体管M3的栅极，驱动IC的CK引脚同时连接薄膜晶体管M2的漏极和薄膜晶体管M3的漏极，Gout(n)同时连接薄膜晶体管M2的源极和薄膜晶体管M3的源极。电容C1和薄膜晶体管M1的栅极之间的连接点同时连接薄膜晶体管M4的漏极和薄膜晶体管M5的漏极。
根据TFT开关的特性，其开态电流可参考如下公式：
Ids＝μ×Cox×(W/L)×(Vgs-Vth-Vds/2)×Vds
其中，μ为电子迁移率；Cox为TFT器件MIS结构的单位面积电容；W/L为TFT器件沟道宽和沟道长之比；Vgs为栅源电压差；Vth为阈值电压；Vds为源漏极电压差。由TFT开关的开态电流公式可知：Ids与W/L的比值以及Cox正相关，当L一定时，W越大，Cox也会更大，TFT导通能力越强；反之W越小，Cox也会更小，TFT导通能力变弱。因此所述驱动IC通过开关讯号线EN_1、EN_2分别打开薄膜晶体管M4和/或薄膜晶体管M5，从而利用薄膜晶体管M2和/或薄膜晶体管M3来增强M1的导通能力。
本实用新型还提供了一种使用上述补偿装置进行GOA电路补偿的方法，所述方法包括如下步骤：
所述温度检测模块检测所述GOA电路模块的实时温度；
所述驱动IC根据所述温度检测模块的检测结果切换EN_1和EN_2的输出时序；
通过所述温度补偿模块的薄膜晶体管M2和/或薄膜晶体管M3的打开来补偿所述GOA电路模块的薄膜晶体管M1的驱动能力。
本实用新型还提供了一种液晶显示器，包括液晶面板及与所述液晶面板连接的上述的GOA电路的补偿装置。其中，所述补偿装置的所述GOA电路模块连接所述液晶面板，所述驱动IC用于为所述GOA电路模块提供电源，并输出直流低电压至所述液晶面板。
相比于现有技术，本实用新型的技术方案至少存在以下有益效果：本实用新型的技术方案提高了GOA电路的稳定性，拓宽了温度工作范围，降低了高低温显示异常的风险。现有技术方案是根据温度调整驱动IC的驱动电压输出，而本实用新型的技术方案是把温度补偿模块集成在玻璃基板上，降低了驱动IC的成本，而且不用调整驱动IC的驱动电压，使得显示功耗更低，也易于实现。
下面结合具体实施例进行说明。
附图说明
附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制。
图1为现有的GOA电路架构示意图；
图2为现有的GOA电路的输入信号和节点波形图；
图3为本实用新型一实施例提供的液晶显示器的结构示意图；
图4为本实用新型一实施例提供的GOA电路模块和温度补偿模块的电路示意图；
图5a-5c均为本实用新型一实施例提供的GOA电路的补偿装置根据温度补偿的原理而配置的时序图；
图6为根据图5c中所示的低温补偿时序通过Gateway软件模拟得的波形图；
图7为根据图5b中所示的高温补偿时序通过Gateway软件模拟得的波形图。
具体实施方式
应当明确，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本实用新型。在本实用新型实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
如图3所示，本实施例提供一种液晶显示器，包括液晶面板(对应附图3中的显示区50)及与所述液晶面板连接的GOA电路的补偿装置。GOA电路的补偿装置包括：温度检测模块10、驱动IC 20、GOA电路模块30和温度补偿模块40。其中，所述补偿装置的所述GOA电路模块30连接显示区50，所述驱动IC 20分别和所述温度检测模块10、所述GOA电路模块30以及所述温度补偿模块40连接。所述温度补偿模块40和所述GOA电路模块30连接。所述驱动IC 20通过多个芯片输出针脚以及相关线路连接至所述温度补偿模块40和所述GOA电路模块30。
所述温度检测模块10用于获取GOA电路模块30的工作温度，温度检测模块10可以采用任一现有技术实现，故在此不多赘述。本实施例中，所述温度检测模块10位于玻璃基板上，所述GOA电路模块30也位于玻璃基板上，这样的话，相当于所述温度检测模块10和GOA电路模块30所在的环境温度是一致的，从而温度检测模块10的输出信号可以精确的反映出GOA电路模块30的工作环境温度。所述温度检测模块10的输出信号可以传到给所述驱动IC20，由所述驱动IC 20根据所述输出信号产生对应的控制信号。所述驱动IC 20可根据所述输出信号，确定当前温度，根据当前温度确定出所述控制信号。
所述温度检测模块10将工作温度转换为输出信号传到给驱动IC 20，由所述驱动IC 20根据所述输出信号产生对应的控制信号传送给所述温度补偿模块40。所述温度补偿模块40与所述驱动IC 20连接，所述温度补偿模块40根据所述控制信号确定出与当前温度相对应的动作。本实施例中，所述控制信号为薄膜晶体管M4和薄膜晶体管M5的开启信号，控制所述薄膜晶体管M4和薄膜晶体管M5的栅极是否导通，即所述控制信号用于控制所述薄膜晶体管M4和所述薄膜晶体管M5的工作状态。驱动IC 20通过开关讯号线EN_1、EN_2输出与温度对应的控制信号，所述薄膜晶体管M5的温度特性与所述薄膜晶体管M4的温度特性满足预设条件。所述驱动IC 20通过开关讯号线EN_1来控制所述薄膜晶体管M4的工作状态从而间接控制所述薄膜晶体管M2的打开和关闭，所述驱动IC 20通过开关讯号线EN_2来控制所述薄膜晶体管M5的工作状态从而间接控制所述薄膜晶体管M3的打开和关闭。
在本实施例中，所述薄膜晶体管M4的温度特性和薄膜晶体管M5的温度特性满足预设条件，可包括：所述薄膜晶体管M4和所述薄膜晶体管M5的温度特性相同，例如，所述薄膜晶体管M4和所述薄膜晶体管M5的类型和型号相同，则所述薄膜晶体管M4和所述薄膜晶体管M5的温度特性相同。所述温度特性可为：晶体管在不同温度下的开启电压，薄膜晶体管在不同高温度下的电子迁移率的大小等。
在另一些实施例中，所述薄膜晶体管M4的温度特性和所述薄膜晶体管M5的温度特性满足预设条件，还可包括：所述薄膜晶体管M4和所述薄膜晶体管M5的温度特性相似，表明这两个晶体管或者两种晶体管的温度特性非常接近，接近到差异位于预设范围内。
在本实施例中，所述驱动IC 20可为各种处理电路或处理器。所述处理器可包括：中央处理器、微处理器、数字信号处理器、应用处理器、可编程阵列、专用集成电路、或者，其他集成芯片或电路等。
在本实施例中，所述GOA电路模块30由多个薄膜晶体管连接而成。所述GOA电路模块30的薄膜晶体管可以控制液显示区50对应像素的液晶的偏转度，从而控制对应像素的显示明暗和/或色彩。
如图4所示，所述GOA电路模块30包括电容C1、薄膜晶体管M6和薄膜晶体管M1，薄膜晶体管M6的漏极和薄膜晶体管M1的栅极连接，电容C1分别连接薄膜晶体管M1的栅极和源极，驱动IC 20的CK引脚(交流信号输入脚)连接薄膜晶体管M1的漏极，Gout(n-1)(第n-1级GOA单元的输出信号)分别连接薄膜晶体管M6的漏极和薄膜晶体管M1的栅极，Gout(n+1)(第n+1级GOA单元的输出信号)连接薄膜晶体管M6的栅极，驱动IC 20的VGL引脚(TFT屏的负电源输入脚)连接薄膜晶体管M6的源极，Gout(n)(第n级GOA单元的输出信号)连接薄膜晶体管M1的源极。
如图4所示，所述驱动IC 20通过开关讯号线EN_1、EN_2分别打开所述温度补偿模块40内不同的薄膜晶体元件并进行相应的动作。所述温度补偿模块40包括薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4和薄膜晶体管M5。所述驱动IC通过开关讯号线EN_1连接薄膜晶体管M5的栅极，所述驱动IC通过开关讯号线EN_2连接薄膜晶体管M4的栅极，薄膜晶体管M4的源极连接薄膜晶体管M2的栅极，薄膜晶体管M5的源极连接薄膜晶体管M3的栅极，CK引脚同时连接薄膜晶体管M2的漏极和薄膜晶体管M3的漏极，Gout(n)同时连接薄膜晶体管M2的源极和薄膜晶体管M3的源极。
如图4所示，电容C1和薄膜晶体管M1的栅极之间的连接点同时连接薄膜晶体管M4的漏极和薄膜晶体管M5的漏极。
在图4中所示的CK为一种预设的周期性变化的信号，EN_1为薄膜晶体管M5的开启引脚，EN_2为薄膜晶体管M4的开启引脚，Gout用于控制所述GOA电路模块30的预定行数的薄膜晶体管的栅极开启。所述GOA电路模块30包括多个级联的驱动子单元，即所述GOA电路模块30包括N个驱动子单元，则第n个驱动子单元的输出信号，是第n+1个驱动子单元的输入信号，所述n为小于所述N的正整数；所述N为正整数。
如图4中所示，可以根据所述温度检测模块10获知当前工作环境温度，所述驱动IC20根据当前工作环境温度产生与当前温度对应的控制信号，再将该控制信号直接作用于所述薄膜晶体管M4和/或所述薄膜晶体管M5，由薄膜晶体管M4和/或所述薄膜晶体管M5自身的导通或开启从而利用薄膜晶体管M2和/或薄膜晶体管M3来来补偿薄膜晶体管M1的驱动能力。这样的话，所述GOA电路的补偿装置可以不包括存储有与温度对应的控制信号的存储器(该存储器的作用是以当前工作环境温度为查询依据或检索依据，查询所述温度与控制信号的对应关系，从而可以找到与当前工作环境温度相适配的控制显示区50良好显示的控制信号)。
如图5所示，本实施例中还提供一种使用本实用新型提供的GOA电路的补偿装置进行GOA电路补偿的方法，所述方法包括如下步骤：
步骤S110：所述温度检测模块检测所述GOA电路模块的实时温度；
步骤S120：所述驱动IC根据所述温度检测模块的检测结果切换EN_1和EN_2的输出时序；
步骤S130：通过所述温度补偿模块的薄膜晶体管M2和薄膜晶体管M3的打开和关闭来补偿所述GOA电路模块的薄膜晶体管M1的驱动能力。
所述GOA电路模块的薄膜晶体管(包括薄膜晶体管M1和薄膜晶体管M6)在不同的温度下，其导通电信号(例如，导通电压或导通电流)可能不同，薄膜晶体管导通与否，决定了当前Gout(n)的输出信号是输出的高电平还是低电平，显然还会决定与Gout(n)的输出信号在一定周期内的占空比。这里的高电平和低电平是先对参考电平而言的，例如，所述参考电平可为0V。
所述方法可以应用于显示设备中。所述方法根据所述当前工作环境温度获得对应的控制信号。
图5a、图5b和图5c为GOA电路的补偿装置根据温度补偿的原理而配置的时序图，具体的：
1.如图5a所示，当温度检测模块检测所述GOA电路模块的工作环境温度为常温(25-35℃)时：
T1：EN_1为高，EN_2为低，Gout(n-1)为高，Gout(n+1)为低，CK为低，A点(对应附图4中标注的A点，下同)为高，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M5打开，薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为低；
T2：EN_1为高，EN_2为低，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为低，CK为高，A点为高，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M5打开，薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为高；
T3：EN_1为高，EN_2为低，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为高，CK为低，A点为低，薄膜晶体管M5、薄膜晶体管M6打开，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4关闭，Gout(n)输出为低；
T4：EN_1为高，EN_2为低，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为低，CK为高，A点为低，薄膜晶体管M5打开，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为低。
2.如图5b所示，当温度检测模块检测所述GOA电路模块的工作环境温度为高温(不小于80℃)时：
T1：EN_1为低，EN_2为低，Gout(n-1)为高，Gout(n+1)为低，CK为低，A点为高，薄膜晶体管M1打开，薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M5、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为低；
T2：EN_1为低，EN_2为低，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为低，CK为高，A点为高，薄膜晶体管M1打开，薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M5、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为高；
T3：EN_1为低，EN_2为低，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为高，CK为低，A点为低，薄膜晶体管M6打开，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4薄膜晶体管M5关闭，Gout(n)输出为低；
T4：EN_1为低，EN_2为低，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为低，CK为高，A点为低，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M5、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为低。
3.如图5c所示，当温度检测模块检测所述GOA电路模块的工作环境温度为低温(不大于-30℃)时：
T1：EN_1为高，EN_2为高，Gout(n-1)为高，Gout(n+1)为低，CK为低，A点为高，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M5打开，薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为低；
T2：EN_1为高，EN_2为高，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为低，CK为高，A点为高，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M5打开，薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为高；
T3：EN_1为高，EN_2为高，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为高，CK为低，A点为低，薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M5、薄膜晶体管M6打开，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3关闭，Gout(n)输出为低；
T4：EN_1为高，EN_2为高，Gout(n-1)为低，Gout(n+1)为低，CK为高，A点为低，薄膜晶体管M4、薄膜晶体管M5打开，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M6关闭，Gout(n)输出为低。
图6为根据图5c中所示的低温补偿时序通过Gateway软件模拟得的波形图，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2和薄膜晶体管M3的W/L的值均为1000/3，如图6所示，低温补偿后，爬升时间由8.3624us减少到5.914us，下降时间由30.39us减少到4.6911us，波形得到明显改善。
图7为根据图5b中所示的高温补偿时序通过Gateway软件模拟得的波形图，薄膜晶体管M1、薄膜晶体管M2和薄膜晶体管M3的W/L的值均为1000/3，如图7所示，高温补偿后，输出电压由-2.8197V减少到-8.6966V，波形得到明显改善。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部组件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部组件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本实用新型各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬组件的形式实现，也可以采用硬组件加软组件功能单元的形式实现。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬组件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (4)
1.一种GOA电路的补偿装置，其特征在于，所述补偿装置包括温度检测模块、驱动IC、GOA电路模块和温度补偿模块，所述驱动IC分别和所述温度检测模块、所述GOA电路模块以及所述温度补偿模块连接，所述温度补偿模块和所述GOA电路模块连接。
2.根据权利要求1所述的补偿装置，其特征在于，
Gout(n-1)为所述GOA电路模块的第n-1级GOA单元的输出信号，Cout(n)为所述GOA电路模块的第n级GOA单元的输出信号，Gout(n+1)为GOA电路模块的第n+1级GOA单元的输出信号；
所述GOA电路模块包括电容C1、薄膜晶体管M6和薄膜晶体管M1，所述薄膜晶体管M6的漏极和所述薄膜晶体管M1的栅极连接，所述电容C1分别连接所述薄膜晶体管M1的栅极和源极，所述驱动IC的CK引脚连接所述薄膜晶体管M1的漏极，所述Gout(n-1)分别连接所述薄膜晶体管M6的漏极和所述薄膜晶体管M1的栅极，所述Gout(n+1)连接所述薄膜晶体管M6的栅极，所述驱动IC的VGL引脚连接所述薄膜晶体管M6的源极，所述Gout(n)连接所述薄膜晶体管M1的源极。
3.根据权利要求2所述的补偿装置，其特征在于，所述温度补偿模块包括薄膜晶体管M2、薄膜晶体管M3、薄膜晶体管M4和薄膜晶体管M5，所述驱动IC通过开关讯号线EN_1连接所述薄膜晶体管M5的栅极，所述驱动IC通过开关讯号线EN_2连接所述薄膜晶体管M4的栅极，所述薄膜晶体管M4的源极连接所述薄膜晶体管M2的栅极，所述薄膜晶体管M5的源极连接所述薄膜晶体管M3的栅极，所述CK引脚同时连接所述薄膜晶体管M2的漏极和所述薄膜晶体管M3的漏极，所述Gout(n)同时连接所述薄膜晶体管M2的源极和所述薄膜晶体管M3的源极，所述电容C1和所述薄膜晶体管M1的栅极之间的连接点同时连接所述薄膜晶体管M4的漏极和所述薄膜晶体管M5的漏极。
4.一种液晶显示器，其特征在于，包括液晶面板及与所述液晶面板连接的权利要求3所述的补偿装置，所述补偿装置的所述GOA电路模块连接所述液晶面板。
Priority Applications (1)
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