CN218993999U - 一种半导体原材料提纯烧结装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种半导体原材料提纯烧结装置，包括提纯烧结机箱和气压真空处理件，所述提纯烧结机箱和气压真空处理件相互安装在一起，气压真空处理件安装在提纯烧结机箱的外部上方位置，提纯烧结机箱的内部放置有半导体原材料。本实用新型采用了旋转加热的方式对其加热，但是该加热立柱安装在导温烧结外胆的外部，可以通过旋转围绕着其外围旋转加热，不会影响内部的原材料，其次，内胆和外胆的设计，可以加快原材料的拿取，另外，真空泵及其注入组件安装在整体的外部，致使可以降低高温对其的损害，还可以降低后续维修和检修的难度，并且真空泵及其注入组件安装的位置上设置有省力结构，该结构能够降低工作人员的打开难度。

Description

一种半导体原材料提纯烧结装置

技术领域

本实用新型属于半导体提纯技术领域，尤其涉及一种半导体原材料提纯烧结装置。

背景技术

磷、硫及砷等为重要的半导体原材料，其可以制备磷化铟、磷化镓、砷化镓、二硫化钼等半导体材料，在国民经济中具有重要作用。制造半导体材料对半导体原材料的纯度要求很高，一般要达到99.999％以上，目前主要的半导体原材料的提纯工艺为烧结提纯。目前，为了提高原材料的加热速度，现有设备均在其内部设置有搅拌加热辊，亦或是使其载有原材料的壳体进行旋转，通过该方式提高空间温度的平衡度，因为在熔点以下的温度加热，该方式非常容易让原材料出现大幅度的形变(原材料相互的碰撞，或是与搅拌加热辊的碰撞)，进而造成后续工艺加工的困难，其次，真空设备和一些注入的配套设备，均是安装在其内部，该安装位置不仅容易出现无法耐高温损坏，还会增加后续检修和维修的难度。

因此，发明一种半导体原材料提纯烧结装置显得非常必要。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体原材料提纯烧结装置，包括提纯烧结机箱和气压真空处理件，所述提纯烧结机箱和气压真空处理件相互安装在一起，气压真空处理件安装在提纯烧结机箱的外部上方位置，提纯烧结机箱的内部放置有半导体原材料。

优选的，所述提纯烧结机箱包括烧结保温机箱、支撑腿、密封凹槽、导温烧结外胆、烧结内胆、加热立柱和驱动电机，烧结保温机箱下方安装有支撑腿，烧结保温机箱上开设有密封凹槽，密封凹槽下方设置有导温烧结外胆，导温烧结外胆的内部放置有烧结内胆，导温烧结外胆的外部设置有加热立柱，加热立柱与驱动电机相连。

优选的，所述烧结保温机箱上方开设的密封凹槽为‘U’型，导温烧结外胆设置在烧结保温机箱的内部，导温烧结外胆外部的加热立柱为‘U’型，加热立柱的下方中间与驱动电机的驱动端相连，驱动电机安装在烧结保温机箱下方的底部。

优选的，所述气压真空处理件包括密封盖板、真空泵及其注入组件、收放省力液压缸和载体竖板，密封盖板是采用‘U’型制成的密封板，密封盖板上安装有真空泵及其注入组件，密封盖板上安装有收放省力液压缸，收放省力液压缸安装在载体竖板上。

优选的，所述密封盖板的内侧表面设置有压力传感器，真空泵及其注入组件的端头穿过密封盖板与导温烧结外胆相通，密封盖板设置在导温烧结外胆的上方。

优选的，所述载体竖板是采用矩形制成的立板，载体竖板下端焊接在烧结保温机箱的上方表面，烧结保温机箱的内侧表面与收放省力液压缸相连在一起。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型提纯烧结机箱同样采用了旋转加热的方式对其加热，但是该加热立柱安装在导温烧结外胆的外部，可以通过旋转围绕着其外围旋转加热，不会影响其内部的原材料，其次，内胆和外胆的设计，可以加快原材料的拿取，另外，真空泵及其注入组件安装在整体的外部，致使可以降低高温对其的损害，还可以降低后续维修和检修的难度，并且真空泵及其注入组件安装的位置上设置有省力结构(收放省力液压缸)，该结构能够降低工作人员的打开难度。

附图说明

图1是本实用新型装配完成的侧向结构示意图。

图2是本实用新型图1的半剖面结构示意图。

图中：

提纯烧结机箱1，烧结保温机箱11，支撑腿12，密封凹槽13，导温烧结外胆14，烧结内胆15，加热立柱16，驱动电机17，气压真空处理件2，密封盖板21，真空泵及其注入组件22，收放省力液压缸23，载体竖板24。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

在实施例的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如附图1至附图2所示：

本实用新型提供的一种半导体原材料提纯烧结装置，包括提纯烧结机箱1和气压真空处理件2，所述提纯烧结机箱1和气压真空处理件2相互安装在一起，气压真空处理件2安装在提纯烧结机箱1的外部上方位置，提纯烧结机箱1的内部放置有半导体原材料。

实施例一：

具体的，提纯烧结机箱1包括烧结保温机箱11、支撑腿12、密封凹槽13、导温烧结外胆14、烧结内胆15、加热立柱16和驱动电机17，烧结保温机箱11下方安装有支撑腿12，支撑腿12共安装有四个，且该四个支撑腿12分别安装在烧结保温机箱11的下方四角位置，烧结保温机箱11上开设有密封凹槽13，密封凹槽13下方设置有导温烧结外胆14，导温烧结外胆14的内部放置有烧结内胆15，导温烧结外胆14的内部安装有压力传感器，导温烧结外胆14的外部设置有加热立柱16，加热立柱16与驱动电机17相连。

具体的，烧结保温机箱11上方开设的密封凹槽13为‘U’型，烧结保温机箱11的内部设置有保温内衬，导温烧结外胆14设置在烧结保温机箱11的内部，导温烧结外胆14外部的加热立柱16为‘U’型，导温烧结外胆14内部安装有压力均衡组件，加热立柱16的下方中间与驱动电机17的驱动端相连，驱动电机17安装在烧结保温机箱11下方的底部。

具体的，气压真空处理件2包括密封盖板21、真空泵及其注入组件22、收放省力液压缸23和载体竖板24，密封盖板21是采用‘U’型制成的密封板，密封盖板21上安装有真空泵及其注入组件22，密封盖板21上安装有收放省力液压缸23，收放省力液压缸23安装在载体竖板24上。

具体的，密封盖板21的内侧表面设置有压力传感器，真空泵及其注入组件22的端头穿过密封盖板21与导温烧结外胆14相通，密封盖板21设置在导温烧结外胆14的上方，密封凹槽13的大小与密封盖板21的大小对应。

具体的，载体竖板24是采用矩形制成的立板，载体竖板24下端焊接在烧结保温机箱11的上方表面，烧结保温机箱11的内侧表面与收放省力液压缸23相连在一起，收放省力液压缸23的液压杆通过铰接与密封盖板21的表面相连，收放省力液压缸23呈倾斜安装在载体竖板24的表面上。

实施例二：

需要对半导体原材料进行烧结提纯时，将原材料放置到烧结内胆15的内部，打开气压真空处理件2，气压真空处理件2的收放省力液压缸23带动密封盖板21，密封盖板21与密封凹槽13脱离这时将具有原材料的烧结内胆15置入到导温烧结外胆14的内部，将气压真空处理件2关闭，此时，打开气压真空处理件2的真空泵及其注入组件22和提纯烧结机箱1的加热立柱16和驱动电机17作业，驱动电机17带动加热立柱16围绕着导温烧结外胆14加热，加热立柱16在旋转的过程中，加热立柱16会带动周围的空气进行流动，加热立柱16加热的温度一直处于原材料熔点以下，导温烧结外胆14内部也会被收放省力液压缸23抽取呈真空状态。

利用本实用新型所述技术方案，或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于，包括提纯烧结机箱(1)和气压真空处理件(2)，所述提纯烧结机箱(1)和气压真空处理件(2)相互安装在一起，气压真空处理件(2)安装在提纯烧结机箱(1)的外部上方位置，提纯烧结机箱(1)的内部放置有半导体原材料。

2.如权利要求1所述的半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于：所述提纯烧结机箱(1)包括烧结保温机箱(11)、支撑腿(12)、密封凹槽(13)、导温烧结外胆(14)、烧结内胆(15)、加热立柱(16)和驱动电机(17)，烧结保温机箱(11)下方安装有支撑腿(12)，烧结保温机箱(11)上开设有密封凹槽(13)，密封凹槽(13)下方设置有导温烧结外胆(14)，导温烧结外胆(14)的内部放置有烧结内胆(15)，导温烧结外胆(14)的外部设置有加热立柱(16)，加热立柱(16)与驱动电机(17)相连。

3.如权利要求2所述的半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于：所述烧结保温机箱(11)上方开设的密封凹槽(13)为‘U’型，导温烧结外胆(14)设置在烧结保温机箱(11)的内部，导温烧结外胆(14)外部的加热立柱(16)为‘U’型，加热立柱(16)的下方中间与驱动电机(17)的驱动端相连，驱动电机(17)安装在烧结保温机箱(11)下方的底部。

4.如权利要求1所述的半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于：所述气压真空处理件(2)包括密封盖板(21)、真空泵及其注入组件(22)、收放省力液压缸(23)和载体竖板(24)，密封盖板(21)是采用‘U’型制成的密封板，密封盖板(21)上安装有真空泵及其注入组件(22)，密封盖板(21)上安装有收放省力液压缸(23)，收放省力液压缸(23)安装在载体竖板(24)上。

5.如权利要求4所述的半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于：所述密封盖板(21)的内侧表面设置有压力传感器，真空泵及其注入组件(22)的端头穿过密封盖板(21)与导温烧结外胆(14)相通，密封盖板(21)设置在导温烧结外胆(14)的上方。

6.如权利要求4所述的半导体原材料提纯烧结装置，其特征在于：所述载体竖板(24)是采用矩形制成的立板，载体竖板(24)下端焊接在烧结保温机箱(11)的上方表面，烧结保温机箱(11)的内侧表面与收放省力液压缸(23)相连在一起。

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