CN218829604U

CN218829604U - 一种低噪声半导体激光器电流源

Info

Publication number: CN218829604U
Application number: CN202222587592.4U
Authority: CN
Inventors: 刘云; 邹宏新
Original assignee: National University of Defense Technology
Current assignee: National University of Defense Technology
Priority date: 2022-09-29
Filing date: 2022-09-29
Publication date: 2023-04-07
Anticipated expiration: 2032-09-29

Abstract

本实用新型公开了一种低噪声半导体激光器电流源，包括可调稳压电源电路、比较和积分电路、开关电路、电压电流转换电路、电流采样电路和调制电路，所述开关电路与激光控制器主控模块、比较和积分电路相连，所述比较和积分电路与电压电流转换电路、电流采样电路分别相连，所述电压电流转换电路与电流采样电路相连，电压电流转换电路还与比较和积分电路相连，所述电压电流转换电路的电流输出端与调制电路相连后输入半导体激光器。本实用新型通过比较和积分电路、电压电流转换电路，闭环控制输出电流，从而稳定半导体激光器的输出功率和波长。当检测到激光器当前的工作电流、电压和工作温度超过允许的最大阈值时，执行关断措施，保护激光器。

Description

一种低噪声半导体激光器电流源

技术领域

本实用新型涉及电流源技术领域，更具体地说，特别涉及一种低噪声半导体激光器电流源。

背景技术

随着激光技术的发展，半导体激光器以体积小、转换效率高、便于集成及调制、高单色性、高相干性等优点，广泛应用于科研、医疗、国防等领域。半导体激光管(LD)是理想的电流注入式光电转换器件。电流注入时，相当于给PN结加正向电压，在正向电场的作用下，电子从N区流向P区，空穴从P区流向N区，这些在PN结附近的非平衡电子和空穴将发生复合产生自发辐射。当自发辐射产生的光子经过已发射的电子-空穴对附近时，能激励二者复合，产生新的光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新的光子的现象称为受激辐射。谐振腔是激光器必不可少的组成部分，它不仅能放大由电子和空穴复合产生的受激辐射震荡，使腔内的光子有一致的频率、相位和运行方向，从而使激光具有良好的方向性和相干性。也可以很好地缩短工作物质的长度，还能通过改变谐振腔长度来调节所产生激光的模式(即选模)，最终输出相干激光。

小功率半导体激光器主要应用于原子冷却与俘获、激光稳频、精密光谱等领域，这些应用领域对激光器的线宽、频率稳定性等都要求很严格。且激光器是理想的光电转换器件，具有很高的转换效率，细微的电流变化和温度变化都将导致激光器输出波长发生很大变化。所以半导体激光器对驱动电流的要求非常高，不仅要其噪声小、稳定性高，还能够保护其免受过电流和过电压的损害。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低噪声半导体激光器电流源，以克服现有技术所存在的缺陷。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种低噪声半导体激光器电流源，包括可调稳压电源电路、比较和积分电路、开关电路、电压电流转换电路、电流采样电路和调制电路，所述开关电路与激光控制器主控模块、比较和积分电路相连，所述比较和积分电路与激光控制器主控模块、电压电流转换电路、电流采样电路分别相连，所述电压电流转换电路与电流采样电路相连，电压电流转换电路还与比较和积分电路相连，所述电压电流转换电路的电流输出端与调制电路相连后输入半导体激光器。

进一步地，所述可调稳压电源电路包括稳压电源芯片U1、二极管D2、二极管D3、三极管Q2、钽电解电容C1、瓷片电容C2、钽电解电容C4、钽电解电容C8、电阻R1、电阻R2、电阻R4和电阻R5，所述钽电解电容C1和瓷片电容C2连接在稳压电源芯片U1的输入引脚与地之间，所述三极管Q2的集电极和发射极、电阻R5连接在稳压电源芯片U1的可调引脚与地之间，所述电阻R4的一端与三极管Q2的集电极连接，电阻R4的另一端与二极管D2串联后再与电阻R2并联连接在稳压电源芯片U1的输出引脚与可调引脚之间，所述二极管D2反向连接在稳压电源芯片U1的输出引脚与电阻R4之间，所述二极管D3反向连接在稳压电源芯片U1的输入引脚与输出引脚之间，所述钽电解电容C8连接在三极管Q2的基极与地之间，所述电阻R1串联在稳压电源芯片U1输出端并连接至电压电流转换电路，所述钽电解电容C4连接在电阻R1与地之间。

进一步地，所述比较和积分电路包括运算放大器U2、钽电解电容C5、瓷片电容C3、瓷片电容C6、瓷片电容C7、瓷片电容C9、电阻R3、电阻R6和电阻R7，所述电压电流转换电路和电流采样电路由PBH采样电阻RS1、PMOS管Q1、功率电感L1和二极管D1组成，所述瓷片电容C9并联在电阻R7与地之间，所述电阻R7连接在瓷片电容C9与运算放大器U2的同向输入引脚端，所述钽电解电容C5并联在瓷片电容C9与功率电阻R1之间，所述瓷片电容C7连接在运算放大器U2反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R6与瓷片电容C6并联后连接在运算放大器U2输出引脚与电压电流转换模块中PMOS管Q1的栅极，所述瓷片电容C3与电阻R3串联后并联在钽电解电容C5的正极与PMOS管Q1的栅极，所述采样电阻RS1连接在电阻R1与运算放大器U2的反向输入引脚端，所述功率电感L1连接在PMOS管Q1的漏极与二极管D1的正极，恒流源的输出电流从二极管D1负极输出至激光器。

进一步地，所述开关电路由三极管Q4、二极管D5、电阻R10、电阻R13、电阻R18和电阻R36组成，所述电阻R13串联在激光控制系统与三极管Q4基极之间，所述电阻R18并联在三极管Q4的基极与发射极之间，所述三极管Q4发射极连接至地，所述电阻R10串联在输入+15V电源与三极管Q4的集电极之间，所述电阻R36连接在电阻R10与二极管D5正极之间，所述二极管D5负极连接至PMOS管Q1的栅极。

进一步地，所述调制电路由运算放大器U3、运算放大器U5、运算放大器U6、运算放大器U7、基准源芯片U4、三极管Q3、功率电感L2、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电阻R15-R17、电阻R19-R21、电阻R25、电阻R28-R31、瓷片电容C15-C21、瓷片电容C25、瓷片电容C28组成，所述电阻R30连接在输入调制信号与运算放大器U5反向端之间，所述瓷片电容C28连接在运算放大器U5反向端与地之间构成输入调制信号的滤波电路，所述电阻R31连接在运算放大器U5的同向端，为运算放大器同向输入端的匹配电阻，所述电阻R21与瓷片电容C21并联后连接在运算放大器U5的反向输入引脚和输出引脚之间，所述电阻R25连接在运算放大器U5输出引脚与运算放大器U6反向输入引脚端，所述电阻R28连接在运算放大器U5的输出引脚与运算放大器U6的同向输入引脚之间，所述电阻R29连接在运算放大器U6的同向输入引脚端与地之间，所述电阻R20与瓷片电容C20并联后连接在运算放大器U6的反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R12连接在运算放大器U6输出引脚与运算放大器U7同向端输入引脚之间，所述瓷片电容C15连接在运算放大器U7的反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R9连接在运算放大器U7输出引脚与三极管Q3的基极之间，所述基准源芯片U4电源输入引脚与地之间连接滤波电容C17,基准源芯片U4输出引脚与地之间并联瓷片电容C25，基准源芯片U4的TRIM与地之间并联瓷片电容C18，所述电阻R11串联在基准源芯片U4输出引脚与运算放大器U3的反向输入引脚之间，所述电阻R19并联在运算放大器U3的同向输入端与地之间，所述电阻R14与瓷片电容C10并联且连接在运算放大器U3的反向输入端和输出端，所述电阻R8连接在运算放大器U3输出端与瓷片电容C19之间，所述瓷片电容C19连接在电阻R8与地之间，所述电阻R15连接在瓷片电容C19与运算放大器U7的反向输入端，所述电阻R16连接在运算放大器U7的反向输入端与三极管Q3的发射极，所述电阻R17连接在三极管Q3的发射极与地之间，所述调制信号经三极管Q3的集电极连接至功率电感L2输出。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型提供的一种低噪声半导体激光器电流源，激光控制器下传电流设置信号，电流设置信号经过幅值调整和滤波后传输至比较和积分电路，并与采集的实际电流进行对比，产生相应的误差信号作用于电压电流转换电路，调整实际输出电流。本实用新型旨在通过比较和积分电路、电压电流转换电路，闭环控制输出电流，从而稳定半导体激光器的输出功率和波长。当检测到激光器当前的工作电流、电压和工作温度超过允许的最大阈值时，执行关断措施，保护激光器。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型低噪声半导体激光器电流源的功能框图。

图2是本实用新型中可调稳压电源电路的电路图。

图3是本实用新型中PID控制电路的电路图。

图4是本实用新型中调制电路的电路图。

图5是本实用新型PCB版图设计图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

参阅图1所示，本实施例公开了一种低噪声半导体激光器电流源，包括可调稳压电源电路、比较和积分电路、开关电路、电压电流转换电路、电流采样电路和调制电路，所述开关电路与激光控制器主控模块、比较和积分电路相连，所述比较和积分电路与激光控制器主控模块、电压电流转换电路、电流采样电路分别相连，所述电压电流转换电路与电流采样电路相连，电压电流转换电路还与比较和积分电路相连，所述电压电流转换电路的电流输出端与调制电路相连后输入半导体激光器。

可调稳压电源电路为恒流源的电源供给电路，输出电压可调，同时具备限制最大电流功能，电流采样电路实时采集流经激光管的实际电流，比较和积分电路将流经激光管的实际电流采样值与设置值进行对比，得到误差信号通过电压电流转换电路产生恒定电流。当激光器出现过温、过电流和过电压等情况时，开关电路可直接作用于电压电流转换电路对输出电流进行关断，以保护激光器。调制信号经过幅值调整后叠加在直流电流上，可以周期性的对输出电流进行调整，以对激光器输出频率进行扫描，扫频范围可达10MHz以上。

参阅图2所示，所述可调稳压电源电路包括稳压电源芯片U1、二极管D2、二极管D3、三极管Q2、钽电解电容C1、瓷片电容C2、钽电解电容C4、钽电解电容C8、电阻R1、电阻R2、电阻R4和电阻R5。稳压电源芯片U1为LM317T，Q2为PNP型三极管2N2905，与二极管D2、钽电解电容C8和电阻R4组成缓启动电路。D2、D3为二极管1N4007S，为电容C8、C4提供了一个低阻抗放电路径，防止电容放电到稳压器的输出端，损坏稳压芯片。电阻R2、电阻R5为稳压电源芯片U1的输出电压调节电阻，根据实际输出电流大小，可以通过调节电阻R2和电阻R5的阻值以限制激光器最大输出电流，对激光器起保护作用。输出电压经电阻R1输出至精密采样电阻RS1端，电阻R1一般根据实际电流大小选择其耐受功率和阻值，在允许范围内阻值越大滤波效果越好，一般选择0.5～5欧姆。

其中，钽电解电容C1和瓷片电容C2连接在稳压电源芯片U1的输入引脚与地之间，三极管Q2的集电极和射极、电阻R5连接在稳压电源芯片U1的可调引脚与地之间，电阻R4的一端与三极管Q2的集电极连接，电阻R4的另一端与二极管D2串联后再与电阻R2并联连接在稳压电源芯片U1的输出引脚与可调引脚之间，二极管D2反向连接在稳压电源芯片U1的输出引脚与电阻R4之间，二极管D3反向连接在稳压电源芯片U1的输入引脚与输出引脚之间，电容C8连接在三极管Q2的基极与地之间，电阻R1串联在稳压电源芯片U1输出端并连接至电压电流转换电路，电容C4连接在电阻R1与地之间。

参阅图3所示，比较和积分电路、电压电流转换电路是不可分割的一个整体，是恒流源电路的核心部分，所述比较和积分电路包括运算放大器U2、钽电解电容C5、瓷片电容C3、瓷片电容C6、瓷片电容C7、瓷片电容C9、电阻R3、电阻R6和电阻R7。U2、R6、R7、C6、C7、C9组成积分电路，其中，C6、C7分别为10nF、1nF瓷片电容，RS1为ISA的PBH精密采样电阻，Q1为IR的PMOS管IRF9530，其导通电阻为0.2Ω，输出漏极电流可达14A。运算放大器U2同向端的电流设置值DCC_ISET与反向端输入的实际电流进行比较后输出误差信号，以调节PMOS管GS之间的电压差，进而控制输出电流的大小。在这过程中，PMOS管处于线性区工作区，Q1属于主要发热元器件之一，需做好散热处理。图中，LDO-OUT为图2中稳压电源电路经过滤波处理后输出的电压，DCC-ON为激光器控制系统下传的恒流源开启信号。三极管Q4为2N2222A，二极管D5为2CK4148与电阻R10、R13、R18和R36组成恒流源开关电路，当激光控制系统监测到激光器出现过电流、过电压和过温等危险情况时可下传恒流源关闭信号，以保护激光器。

所述开关电路由三极管Q4、二极管D5、电阻R10、电阻R13、电阻R18和电阻R36组成，电阻R13串联在激光控制系统与三极管Q4基极之间，电阻R18并联在三极管Q4的基极与发射极之间，电阻R10串联在输入+15V电源与三极管Q4的集电极之间，电阻R36连接在电阻R10与二极管D5正极之间，二极管D5负极连接至PMOS管Q1的栅极。

所述电压电流转换电路和电流采样电路由PBH采样电阻RS1、PMOS管Q1、功率电感L1和二极管D1组成，瓷片电容C9并联在电阻R7与地之间，电阻R7连接在瓷片电容C9与运算放大器U2的同向输入引脚端，钽电解电容C5并联在瓷片电容C9与功率电阻R1之间，瓷片电容C7连接在运算放大器U2反向输入引脚与输出引脚之间，电阻R6与瓷片电容C6并联后连接在运算放大器U2输出引脚与电压电流转换模块中PMOS管Q1的栅极之间，瓷片电容C3与电阻R3串联后并联在钽电解电容C5的正极与PMOS管Q1的栅极，采样电阻RS1连接在电阻R1与运算放大器U2的反向输入引脚端，功率电感L1连接在PMOS管Q1的漏极与二极管D1的正极，恒流源的输出电流从二极管D1负极输出至激光器。

所述调制电路由运算放大器U3、运算放大器U5、运算放大器U6、运算放大器U7、基准源芯片U4、三极管Q3、功率电感L2、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电阻R15-R17、电阻R19-R21、电阻R25、电阻R28-R31、瓷片电容C15-C21、瓷片电容C25、瓷片电容C28组成。U5、U6、U7为TI公司高速运算放大器LM7121IM5，其单位增益带宽可达160MHz，用于实现电流调制信号的幅值调整及方向选择。U4为TI公司2.5V电压基准源ADR03BRZ，U3型号为TI公司高精度低噪声运算放大器OPA277UA。Q3为Philips Semiconductors公司的NPN三极管BFG97。运算放大器U3、电阻R11、R14、R19及电容C10一起构成反向运算放大器，输出-2.5V基准电压。该电压经电阻R15、R16、R17分压后，调整其NPN三极管Q3的静态工作点。幅度调整后的电流调制信号经三极管Q3输出至电感L2，与前述设置电流进行叠加，共同驱动激光管发光。

所述电阻R30连接在输入调制信号与运算放大器U5反向端之间，所述瓷片电容C28连接在运算放大器U5反向端与地之间构成输入调制信号的滤波电路，所述电阻R31连接在运算放大器U5的同向端，为运算放大器同向输入端的匹配电阻，所述电阻R21与瓷片电容C21并联后连接在运算放大器U5的反向输入引脚和输出引脚之间，所述电阻R25连接在运算放大器U5输出引脚与运算放大器U6反向输入引脚端，所述电阻R28连接在运算放大器U5的输出引脚与运算放大器U6的同向输入引脚之间，所述电阻R29连接在运算放大器U6的同向输入引脚端与地之间，所述电阻R20与瓷片电容C20并联后连接在运算放大器U6的反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R12连接在运算放大器U6输出引脚与运算放大器U7同向端输入引脚之间，所述瓷片电容C15连接在运算放大器U7的反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R9连接在运算放大器U7输出引脚与三极管Q3的基极之间，所述基准源芯片U4电源输入引脚与地之间连接滤波电容C17,基准源芯片U4输出引脚与地之间并联瓷片电容C25，基准源芯片U4的TRIM与地之间并联瓷片电容C18，所述电阻R11串联在基准源芯片U4输出引脚与运算放大器U3的反向输入引脚之间，所述电阻R19并联在运算放大器U3的同向输入端与地之间，所述电阻R14与瓷片电容C10并联且连接在运算放大器U3的反向输入端和输出端，所述电阻R8连接在运算放大器U3输出端与瓷片电容C19之间，所述瓷片电容C19连接在电阻R8与地之间，所述电阻R15连接在瓷片电容C19与运算放大器U7的反向输入端，所述电阻R16连接在运算放大器U7的反向输入端与三极管Q3的发射极，所述电阻R17连接在三极管Q3的发射极与地之间，所述调制信号经三极管Q3的集电极连接至功率电感L2输出。

本实用新型的PCB版图如图5所示。图中U1为稳压电源芯片，Q1为PMOS管，RS1为PBH精密采样电阻，该类器件为主要发热器件，结构上设计了凸台做散热处理。

本实用新型恒流源电流供给电源电压为+15V。该电源电压经滤波后，接入稳压芯片LM317T的电源输入端，考虑到稳压芯片LM317T的参数如最大电流限制、漏电压及串联二极管的压降，通过调节输出端的分压电阻，恒流源的最大输出电流可达500mA。电阻R2、R5为输出电压调节电阻，其输出电压与电阻之间满足公式(1)所示关系。本实施例中，R2取值240Ω，R5取值750Ω，输出电压为5.2V左右。且稳压芯片输出端串接的功率电阻R1必不可少，该电阻可有效的降低恒流源的电流噪声。

V_OUT＝V_REF*(1+R5/R2)+I_ADJ*R5，(I_ADJ＝50μA，V_REF＝1.25V) (1)

在稳压电源电路中，三极管Q8、钽电解电容C2、二极管D2及相关电阻构成缓启动电路，其输出电压满足公式(2)所示关系。恒流源的供电电源开启瞬间，钽电解电容C2充电，三极管导通，输出电压约为1.9V左右。当输出电压VOUT到达目标电压时，三极管Q8关断。该缓启动电路能降低外接电源开关瞬间对激光器的电流冲击，可有效的延长激光器的使用寿命。

V_OUT＝V_C1+V_BE+1.25 V (2)

半导体激光器工作温度控制在合适的工作点后，激光控制系统下传恒流源开启信号，恒流源开始工作。电流设置值下传至比较和积分电路后，与当前流经LD的实际电流进行比较得到的误差信号，经积分电路后，输出控制电压调整PMOS管IRF9530NS的开启电压。本设计中稳压电路输出电压在5.2V时，最大电流为0-150mA可调。输出电流在100mA以下时，输出电流噪声不大于2uA。根据激光二极管的结电压和阈值电流大小，可以调整稳压电路的输出电压，以限制激光器最大输出电流，起电流保护作用。

本实用新型激光控制系统监测到激光器出现过电压、过电流和过温的情况时，恒流源关闭信号经三极管Q4、二极管D5和电阻R36传输至电压电流转换电路，控制电流源关断，执行激光器保护功能。

本实用新型在使用时，激光控制器下传电流设置信号，电流设置信号经过幅值调整和滤波后传输至比较和积分电路，并与采集的实际电流进行对比，产生相应的误差信号作用于电压电流转换电路，调整实际输出电流。本实用新型旨在通过比较和积分电路、电压电流转换电路，闭环控制输出电流，从而稳定半导体激光器的输出功率和波长。当检测到激光器当前的工作电流、电压和工作温度超过允许的最大阈值时，执行关断措施，保护激光器。

虽然结合附图描述了本实用新型的实施方式，但是专利所有者可以在所附权利要求的范围之内做出各种变形或修改，只要不超过本实用新型的权利要求所描述的保护范围，都应当在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种低噪声半导体激光器电流源，其特征在于：包括可调稳压电源电路、比较和积分电路、开关电路、电压电流转换电路、电流采样电路和调制电路，所述开关电路与激光控制器主控模块、比较和积分电路相连，所述比较和积分电路与激光控制器主控模块、电压电流转换电路、电流采样电路分别相连，所述电压电流转换电路与电流采样电路相连，电压电流转换电路还与比较和积分电路相连，所述电压电流转换电路的电流输出端与调制电路相连后输入半导体激光器。

2.根据权利要求1所述的低噪声半导体激光器电流源，其特征在于：所述可调稳压电源电路包括稳压电源芯片U1、二极管D2、二极管D3、三极管Q2、钽电解电容C1、瓷片电容C2、钽电解电容C4、钽电解电容C8、电阻R1、电阻R2、电阻R4和电阻R5，所述钽电解电容C1和瓷片电容C2连接在稳压电源芯片U1的输入引脚与地之间，所述三极管Q2的集电极和发射极、电阻R5连接在稳压电源芯片U1的可调引脚与地之间，所述电阻R4的一端与三极管Q2的集电极连接，电阻R4的另一端与二极管D2串联后再与电阻R2并联连接在稳压电源芯片U1的输出引脚与可调引脚之间，所述二极管D2反向连接在稳压电源芯片U1的输出引脚与电阻R4之间，所述二极管D3反向连接在稳压电源芯片U1的输入引脚与输出引脚之间，所述钽电解电容C8连接在三极管Q2的基极与地之间，所述电阻R1串联在稳压电源芯片U1输出端并连接至电压电流转换电路，所述钽电解电容C4连接在电阻R1与地之间。

3.根据权利要求1所述的低噪声半导体激光器电流源，其特征在于：所述比较和积分电路包括运算放大器U2、钽电解电容C5、瓷片电容C3、瓷片电容C6、瓷片电容C7、瓷片电容C9、电阻R3、电阻R6和电阻R7，所述电压电流转换电路和电流采样电路由PBH采样电阻RS1、PMOS管Q1、功率电感L1和二极管D1组成，所述瓷片电容C9并联在电阻R7与地之间，所述电阻R7连接在瓷片电容C9与运算放大器U2的同向输入引脚端，所述钽电解电容C5并联在瓷片电容C9与功率电阻R1之间，所述瓷片电容C7连接在运算放大器U2反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R6与瓷片电容C6并联后连接在运算放大器U2输出引脚与电压电流转换模块中PMOS管Q1的栅极，所述瓷片电容C3与电阻R3串联后并联在钽电解电容C5的正极与PMOS管Q1的栅极，所述采样电阻RS1连接在电阻R1与运算放大器U2的反向输入引脚端，所述功率电感L1连接在PMOS管Q1的漏极与二极管D1的正极，恒流源的输出电流从二极管D1负极输出至激光器。

4.根据权利要求1所述的低噪声半导体激光器电流源，其特征在于：所述开关电路由三极管Q4、二极管D5、电阻R10、电阻R13、电阻R18和电阻R36组成，所述电阻R13串联在激光控制系统与三极管Q4基极之间，所述电阻R18并联在三极管Q4的基极与发射极之间，所述三极管Q4发射极连接至地，所述电阻R10串联在输入+15V电源与三极管Q4的集电极之间，所述电阻R36连接在电阻R10与二极管D5正极之间，所述二极管D5负极连接至PMOS管Q1的栅极。

5.根据权利要求1所述的低噪声半导体激光器电流源，其特征在于：所述调制电路由运算放大器U3、运算放大器U5、运算放大器U6、运算放大器U7、基准源芯片U4、三极管Q3、功率电感L2、电阻R8、电阻R9、电阻R11、电阻R12、电阻R15-R17、电阻R19-R21、电阻R25、电阻R28-R31、瓷片电容C15-C21、瓷片电容C25、瓷片电容C28组成，所述电阻R30连接在输入调制信号与运算放大器U5反向端之间，所述瓷片电容C28连接在运算放大器U5反向端与地之间构成输入调制信号的滤波电路，所述电阻R31连接在运算放大器U5的同向端，为运算放大器同向输入端的匹配电阻，所述电阻R21与瓷片电容C21并联后连接在运算放大器U5的反向输入引脚和输出引脚之间，所述电阻R25连接在运算放大器U5输出引脚与运算放大器U6反向输入引脚端，所述电阻R28连接在运算放大器U5的输出引脚与运算放大器U6的同向输入引脚之间，所述电阻R29连接在运算放大器U6的同向输入引脚端与地之间，所述电阻R20与瓷片电容C20并联后连接在运算放大器U6的反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R12连接在运算放大器U6输出引脚与运算放大器U7同向端输入引脚之间，所述瓷片电容C15连接在运算放大器U7的反向输入引脚与输出引脚之间，所述电阻R9连接在运算放大器U7输出引脚与三极管Q3的基极之间，所述基准源芯片U4电源输入引脚与地之间连接滤波电容C17,基准源芯片U4输出引脚与地之间并联瓷片电容C25，基准源芯片U4的TRIM与地之间并联瓷片电容C18，所述电阻R11串联在基准源芯片U4输出引脚与运算放大器U3的反向输入引脚之间，所述电阻R19并联在运算放大器U3的同向输入端与地之间，所述电阻R14与瓷片电容C10并联且连接在运算放大器U3的反向输入端和输出端，所述电阻R8连接在运算放大器U3输出端与瓷片电容C19之间，所述瓷片电容C19连接在电阻R8与地之间，所述电阻R15连接在瓷片电容C19与运算放大器U7的反向输入端，所述电阻R16连接在运算放大器U7的反向输入端与三极管Q3的发射极，所述电阻R17连接在三极管Q3的发射极与地之间，所述调制信号经三极管Q3的集电极连接至功率电感L2输出。