CN116526847B - 一种具有保护调节的开关电源电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有保护调节的开关电源电路，包括第一三极管、第一运算放大器、第二运算放大器、第三光电二极管、第四光电三极管、第五光电二极管、第六光电三极管、第一电阻、第二电位器、第三电阻、第一电容，第一三极管集电极和电源连接，第一三极管发射极和第一电阻一端、第二电位器一端连接，第二电位器另一端和第三电阻一端连接。本发明解决开关电源在步进调节时出现降频使实际与预设频率不符的问题，以及调节过压后导致电器损毁的问题。
Description
技术领域
本发明涉及开关电源技术领域，特别涉及一种具有保护调节的开关电源电路。
背景技术
通过控制开关电源的输出电压，可以通过单电源对不同电器进行带载，而开关电源的原理是通过高频脉冲宽度调制信号控制开关管进行高速的导通与截止来实现升压或降压，为使用的电器进行供电，在现有技术中，开关电源在步进调节时存在因运放组成的跳变区间使实际的脉冲宽度调频率低于预设的调制频率，增加功耗的同时也无法精准控制输出的电压幅值，当升压后幅值过高时容易导致使用电器出现损毁情况。
发明内容
针对上述技术问题，本发明的目的是提供一种具有保护调节的开关电源电路，包括控制模块，所述控制模块包括第一三极管Q1、第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三光电二极管U3、第四光电三极管U4、第五光电二极管U5、第六光电三极管U6、第一电阻R1、第二电位器R2、第三电阻R3、第一电容C1，所述第一三极管Q1集电极和电源连接，第一三极管Q1发射极和第一电阻R1一端、第二电位器R2一端连接，第二电位器R2另一端和第三电阻R3一端连接，第二电位器R2抽头端和第一运算放大器U1同相端、第二运算放大器U2反相端、第一电容C1一端连接，第一运算放大器U1输出端和第三光电二极管U3阳极连接，第三光电二极管U3和第四光电三极管U4耦合封装，第二运算放大器U2输出端和第五光电二极管U5阳极连接，第五光电二极管U5和第六光电三极管U6耦合封装；
第二电位器R2和第一电容C1组成RC延时电路，调节第二电位器R2改变分压比使其阻值变化，使第一电容C1改变充能速率，第二电位器R2和第三电阻R3组成分压电路，防止第一三极管Q1集电极电位低于第一运算放大器U1和第二运算放大器U2参考点电位时第一运算放大器U1或第二运算放大器U2无法翻转，第一运算放大器U1反相端和第二运算放大器U2同相端设置不同参考电位，第一运算放大器U1反相端需要大于第二运算放大器U2同相端参考电位，第一运算放大器U1和第二运算放大器U2对比其同相端和反相端后进行开环输出，第二运算放大器U2反相端电位大于其同相端时，第二运算放大器U2输出信号使第五光电二极管U5和第六光电三极管U6耦合，第六光电三极管U6集电极电源信号经第六光电三极管U6发射极到达第一三极管Q1基极进行放大，第一三极管Q1集电极电源信号经第一三极管Q1发射极、第二电位器R2为第一电容C1充能，随第一电容C1电位上升，第一运算放大器U1输出信号使第三光电二极管U3导通和第四光电三极管U4耦合。
进一步的，所述控制模块还包括第二NMOS管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五NMOS管Q5、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7，所述第二NMOS管Q2栅极和第一运算放大器U1输出端连接，第二NMOS管Q2源极和第三三极管Q3集电极、第四电阻R4一端、第五电阻R5一端、第三光电二极管U3阳极连接，第三三极管Q3基极和第六电阻R6一端连接，第四电阻R4另一端和第七电阻R7一端、电源连接，第七电阻R7另一端和第六电阻R6另一端、第四三极管Q4集电极、第五光电二极管U5阳极、第五NMOS管Q5源极连接，第四三极管Q4基极和第五电阻R5另一端连接，第五NMOS管Q5栅极和第二运算放大器U2输出端连接，第五NMOS管Q5漏极和第二NMOS管Q2漏极、电源连接；
第二运算放大器U2输出信号时第五NMOS管Q5导通，第五NMOS管Q5漏极端电源信号经第五NMOS管Q5源极后使第五光电二极管U5导通和第六光电三极管U6耦合，第五NMOS管Q5源极端信号还经第六电阻R6使第三三极管Q3导通放大，第四电阻R4端电源信号经第三三极管Q3到接地端形成回路，第二运算放大器U2无输出时，第二运算放大器U2无输出时，第七电阻R7端电源信号经第五光电二极管U5到接地端形成回路，第五光电二极管U5持续耦合使第一三极管Q1导通，当第一电容C1电位高于第一运算放大器U1反相端参考点电位时，第一运算放大器U1输出信号使第二NMOS管Q2导通，第二NMOS管Q2漏极端电源信号经第二NMOS管Q2源极一路到达第三光电二极管U3使第三光电二极管U3导通和第四光电三极管U4耦合，另一路经第五电阻R5到达第四三极管Q4进行放大，第七电阻R7端电源信号经第四三极管Q4到接地端形成回路，第五光电二极管U5截止，反之第三三极管Q3导通放大时第三光电二极管U3截止进行循环，通过第三三极管Q3和第四三极管Q4对第三光电二极管U3和第四光电三极管U4进行信号锁存和释放防止实际频率和预设频率调节不一致的情况。
进一步的，所述控制模块还包括第一电感L1、第一二极管D1、输出端VO、第二电容C2、第六三极管Q6、第七NMOS管Q7、第八电阻R8，所述第六三极管Q6基极和第四光电三极管U4发射极连接，第六三极管Q6集电极和电源连接，第六三极管Q6发射极和第七NMOS管Q7栅极连接，第七NMOS管Q7漏极和第一电感L1一端、第一二极管D1阳极连接，第一电感L1另一端和电源连接，第一二极管D1阴极第二电容C2一端、输出端VO、第八电阻R8一端连接；
第一二极管D1用于截止第二电容C2回流，防止第七NMOS管Q7闭合时第二电容C2经第七NMOS管Q7到接地端形成回路使输出端VO电位降低，第八电阻R8为负载电阻，在第七NMOS管Q7截止时，第一电感L1端电源信号经第一二极管D1到达第二电容C2，因第一电感L1电流不能突变，输出端VO端电压进行上升，同时也为第二电容C2充能，当第三光电二极管U3和第四光电三极管U4耦合后，第四光电三极管U4输出信号使第六三极管Q6导通，第六三极管Q6集电极电源信号经第六三极管Q6到达第七NMOS管Q7栅极，第七NMOS管Q7导通，第一电感L1端电源信号经第一电感L1、第七NMOS管Q7、接地端形成回路，第二电容C2为输出端VO进行供电，通过第四光电三极管U4和第三光电二极管U3耦合频率控制第七NMOS管Q7完成调节，防止信号干扰。
进一步的，所述控制模块还包括第八PMOS管Q8、第二可控硅二极管D2、第七运算放大器U7、第九电位器R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13，所述第八PMOS管Q8漏极和第一电感L1另一端连接，第八PMOS管Q8源极和电源连接，第八PMOS管Q8栅极和第二可控硅二极管D2的K极、第十三电阻R13一端连接，第二可控硅二极管D2的A极和电源连接，第二可控硅二极管D2的G极和第七运算放大器U7输出端连接，第一运算放大器U1同相端和第十一电阻R11一端、第十二电阻R12一端连接，第七运算放大器U7反相端和第九电位器R9抽头端连接，第九电位器R9一端和电源连接，第九电位器R9另一端和第十电阻R10一端连接；
第十一电阻R11和第十二电阻R12对输出端VO进行分压采样，采样信号输入到第七运算放大器U7同相端，第七运算放大器U7反相端通过第九电位器R9设置升压上限，过压时，第七运算放大器U7输出信号经第二可控硅二极管D2的G极、第十三电阻R13形成回路，第二可控硅二极管D2的G极存在正向电流到达导通条件，第二可控硅二极管D2的A极电源信号经第二可控硅二极管D2到达第八PMOS管Q8栅极，使第八PMOS管Q8栅极达到截止的正向压差或达不到导通的负压差，第八PMOS管Q8进行截止防止过压。
进一步的，所述控制模块还包括第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17，所述第十四电阻R14串接在第一三极管Q1集电极和电源之间，第十五电阻R15串接在第六光电三极管U6集电极和电源之间，第十六电阻R16串接在第四光电三极管U4集电极和电源之间，第十七电阻R17串接在第六三极管Q6集电极和电源之间；
第十四电阻R14用于第一三极管Q1限流，第十五电阻R15用于第六光电三极管U6限流，第十六电阻R16用于第四光电三极管U4限流，第十七电阻R17用于第六三极管Q6限流，防止过流烧毁。
进一步的，所述控制模块还包括第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21、第二十二电阻R22，所述第十八电阻R18一端和电源连接，第十八电阻R18另一端和第一运算放大器U1反相端、第十九电阻R19一端连接，第十九电阻R19另一端和第二运算放大器U2同相端、第二十电阻R20一端连接，第二十一电阻R21一端和电源连接，第二十一电阻R21另一端和第二NMOS管Q2漏极、第二十二电阻R22一端连接；
第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20分压为第一运算放大器U1和第二运算放大器U2提供参考点电位。
进一步的，所述控制模块还包括第一开关S1，所述第一开关S1一端和第二可控硅二极管D2的A极连接，第一开关S1另一端和电源连接；
第一开关S1断开时，第二可控硅二极管D2的A极到K极无电流，第二可控硅二极管D2截止，通过第一开关S1闭断进行过压保护及复位。
进一步的，所述控制模块还包括第二十三电阻R23、第二十四电阻R24，所述第二十三电阻R23和第二NMOS管Q2栅极连接，第二十四电阻R24和第五NMOS管Q5栅极连接；
第二十三电阻R23用于第二NMOS管Q2寄生电容释放，第二十四电阻R24用于第五NMOS管Q5寄生电容释放，防止振荡损坏。
进一步的，所述控制模块还包括第二十五电阻R25，所述第二十五电阻R25一端和第六三极管Q6发射极连接，第二十五电阻R25另一端和接地端连接；
第二十五电阻R25用于第七NMOS管Q7寄生电容释放，防止振荡损坏。
本发明与现有技术相比的有益效果是：
通过少量元件实现开关电源的升降调节，同时解决在步进调节时出现降频使实际与预设频率不符的问题，对输出端进行采样的方式实现过压保护和复位功能，防止调节过压后导致电器电路损毁问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种具有保护调节的开关电源电路的控制模块结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行具体说明，应当理解，以下文字仅仅用以描述本发明的一种或几种具体的实施方式，并不对本发明具体请求的保护范围进行严格限定。
参阅附图，本发明是一种具有保护调节的开关电源电路，包括控制模块，所述控制模块包括第一三极管Q1、第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三光电二极管U3、第四光电三极管U4、第五光电二极管U5、第六光电三极管U6、第一电阻R1、第二电位器R2、第三电阻R3、第一电容C1，所述第一三极管Q1集电极和电源连接，第一三极管Q1发射极和第一电阻R1一端、第二电位器R2一端连接，第二电位器R2另一端和第三电阻R3一端连接，第二电位器R2抽头端和第一运算放大器U1同相端、第二运算放大器U2反相端、第一电容C1一端连接，第一运算放大器U1输出端和第三光电二极管U3阳极连接，第三光电二极管U3和第四光电三极管U4耦合封装，第二运算放大器U2输出端和第五光电二极管U5阳极连接，第五光电二极管U5和第六光电三极管U6耦合封装；
第二电位器R2和第一电容C1组成RC延时电路，调节第二电位器R2改变分压比使其阻值变化，使第一电容C1改变充能速率，第二电位器R2和第三电阻R3组成分压电路，防止第一三极管Q1集电极电位低于第一运算放大器U1和第二运算放大器U2参考点电位时第一运算放大器U1或第二运算放大器U2无法翻转，第一运算放大器U1反相端和第二运算放大器U2同相端设置不同参考电位，第一运算放大器U1反相端需要大于第二运算放大器U2同相端参考电位，第一运算放大器U1和第二运算放大器U2对比其同相端和反相端后进行开环输出，第二运算放大器U2反相端电位大于其同相端时，第二运算放大器U2输出信号使第五光电二极管U5和第六光电三极管U6耦合，第六光电三极管U6集电极电源信号经第六光电三极管U6发射极到达第一三极管Q1基极进行放大，第一三极管Q1集电极电源信号经第一三极管Q1发射极、第二电位器R2为第一电容C1充能，随第一电容C1电位上升，第一运算放大器U1输出信号使第三光电二极管U3导通和第四光电三极管U4耦合。
具体地，所述控制模块还包括第二NMOS管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五NMOS管Q5、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7，所述第二NMOS管Q2栅极和第一运算放大器U1输出端连接，第二NMOS管Q2源极和第三三极管Q3集电极、第四电阻R4一端、第五电阻R5一端、第三光电二极管U3阳极连接，第三三极管Q3基极和第六电阻R6一端连接，第四电阻R4另一端和第七电阻R7一端、电源连接，第七电阻R7另一端和第六电阻R6另一端、第四三极管Q4集电极、第五光电二极管U5阳极、第五NMOS管Q5源极连接，第四三极管Q4基极和第五电阻R5另一端连接，第五NMOS管Q5栅极和第二运算放大器U2输出端连接，第五NMOS管Q5漏极和第二NMOS管Q2漏极、电源连接；
第二运算放大器U2输出信号时第五NMOS管Q5导通，第五NMOS管Q5漏极端电源信号经第五NMOS管Q5源极后使第五光电二极管U5导通和第六光电三极管U6耦合，第五NMOS管Q5源极端信号还经第六电阻R6使第三三极管Q3导通放大，第四电阻R4端电源信号经第三三极管Q3到接地端形成回路，第二运算放大器U2无输出时，第二运算放大器U2无输出时，第七电阻R7端电源信号经第五光电二极管U5到接地端形成回路，第五光电二极管U5持续耦合使第一三极管Q1导通，当第一电容C1电位高于第一运算放大器U1反相端参考点电位时，第一运算放大器U1输出信号使第二NMOS管Q2导通，第二NMOS管Q2漏极端电源信号经第二NMOS管Q2源极一路到达第三光电二极管U3使第三光电二极管U3导通和第四光电三极管U4耦合，另一路经第五电阻R5到达第四三极管Q4进行放大，第七电阻R7端电源信号经第四三极管Q4到接地端形成回路，第五光电二极管U5截止，反之第三三极管Q3导通放大时第三光电二极管U3截止进行循环，通过第三三极管Q3和第四三极管Q4对第三光电二极管U3和第四光电三极管U4进行信号锁存和释放防止实际频率和预设频率调节不一致的情况。
具体地，所述控制模块还包括第一电感L1、第一二极管D1、输出端VO、第二电容C2、第六三极管Q6、第七NMOS管Q7、第八电阻R8，所述第六三极管Q6基极和第四光电三极管U4发射极连接，第六三极管Q6集电极和电源连接，第六三极管Q6发射极和第七NMOS管Q7栅极连接，第七NMOS管Q7漏极和第一电感L1一端、第一二极管D1阳极连接，第一电感L1另一端和电源连接，第一二极管D1阴极第二电容C2一端、输出端VO、第八电阻R8一端连接；
第一二极管D1用于截止第二电容C2回流，防止第七NMOS管Q7闭合时第二电容C2经第七NMOS管Q7到接地端形成回路使输出端VO电位降低，第八电阻R8为负载电阻，在第七NMOS管Q7截止时，第一电感L1端电源信号经第一二极管D1到达第二电容C2，因第一电感L1电流不能突变，输出端VO端电压进行上升，同时也为第二电容C2充能，当第三光电二极管U3和第四光电三极管U4耦合后，第四光电三极管U4输出信号使第六三极管Q6导通，第六三极管Q6集电极电源信号经第六三极管Q6到达第七NMOS管Q7栅极，第七NMOS管Q7导通，第一电感L1端电源信号经第一电感L1、第七NMOS管Q7、接地端形成回路，第二电容C2为输出端VO进行供电，通过第四光电三极管U4和第三光电二极管U3耦合频率控制第七NMOS管Q7完成调节，防止信号干扰。
具体地，所述控制模块还包括第八PMOS管Q8、第二可控硅二极管D2、第七运算放大器U7、第九电位器R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13，所述第八PMOS管Q8漏极和第一电感L1另一端连接，第八PMOS管Q8源极和电源连接，第八PMOS管Q8栅极和第二可控硅二极管D2的K极、第十三电阻R13一端连接，第二可控硅二极管D2的A极和电源连接，第二可控硅二极管D2的G极和第七运算放大器U7输出端连接，第一运算放大器U1同相端和第十一电阻R11一端、第十二电阻R12一端连接，第七运算放大器U7反相端和第九电位器R9抽头端连接，第九电位器R9一端和电源连接，第九电位器R9另一端和第十电阻R10一端连接；
第十一电阻R11和第十二电阻R12对输出端VO进行分压采样，采样信号输入到第七运算放大器U7同相端，第七运算放大器U7反相端通过第九电位器R9设置升压上限，过压时，第七运算放大器U7输出信号经第二可控硅二极管D2的G极、第十三电阻R13形成回路，第二可控硅二极管D2的G极存在正向电流到达导通条件，第二可控硅二极管D2的A极电源信号经第二可控硅二极管D2到达第八PMOS管Q8栅极，使第八PMOS管Q8栅极达到截止的正向压差或达不到导通的负压差，第八PMOS管Q8进行截止防止过压。
具体地，所述控制模块还包括第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17，所述第十四电阻R14串接在第一三极管Q1集电极和电源之间，第十五电阻R15串接在第六光电三极管U6集电极和电源之间，第十六电阻R16串接在第四光电三极管U4集电极和电源之间，第十七电阻R17串接在第六三极管Q6集电极和电源之间；
第十四电阻R14用于第一三极管Q1限流，第十五电阻R15用于第六光电三极管U6限流，第十六电阻R16用于第四光电三极管U4限流，第十七电阻R17用于第六三极管Q6限流，防止过流烧毁。
具体地，所述控制模块还包括第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21、第二十二电阻R22，所述第十八电阻R18一端和电源连接，第十八电阻R18另一端和第一运算放大器U1反相端、第十九电阻R19一端连接，第十九电阻R19另一端和第二运算放大器U2同相端、第二十电阻R20一端连接，第二十一电阻R21一端和电源连接，第二十一电阻R21另一端和第二NMOS管Q2漏极、第二十二电阻R22一端连接；
第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20分压为第一运算放大器U1和第二运算放大器U2提供参考点电位。
具体地，所述控制模块还包括第一开关S1，所述第一开关S1一端和第二可控硅二极管D2的A极连接，第一开关S1另一端和电源连接；
第一开关S1断开时，第二可控硅二极管D2的A极到K极无电流，第二可控硅二极管D2截止，通过第一开关S1闭断进行过压保护及复位。
具体地，所述控制模块还包括第二十三电阻R23、第二十四电阻R24，所述第二十三电阻R23和第二NMOS管Q2栅极连接，第二十四电阻R24和第五NMOS管Q5栅极连接；
第二十三电阻R23用于第二NMOS管Q2寄生电容释放，第二十四电阻R24用于第五NMOS管Q5寄生电容释放，防止振荡损坏。
具体地，所述控制模块还包括第二十五电阻R25，所述第二十五电阻R25一端和第六三极管Q6发射极连接，第二十五电阻R25另一端和接地端连接；
第二十五电阻R25用于第七NMOS管Q7寄生电容释放，防止振荡损坏。
Claims (6)
1.一种具有保护调节的开关电源电路，包括控制模块，其特征在于，所述控制模块包括第一三极管、第一运算放大器、第二运算放大器、第三光电二极管、第四光电三极管、第五光电二极管、第六光电三极管、第一电阻、第二电位器、第三电阻、第一电容，所述第一三极管集电极和电源连接，第一三极管发射极和第一电阻一端、第二电位器一端连接，第二电位器另一端和第三电阻一端连接，第二电位器抽头端和第一运算放大器同相端、第二运算放大器反相端、第一电容一端连接，第一运算放大器输出端和第三光电二极管阳极连接，第三光电二极管和第四光电三极管耦合封装，第二运算放大器输出端和第五光电二极管阳极连接，第五光电二极管和第六光电三极管耦合封装；
所述控制模块还包括第二NMOS管、第三三极管、第四三极管、第五NMOS管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻，所述第二NMOS管栅极和第一运算放大器输出端连接，第二NMOS管源极和第三三极管集电极、第四电阻一端、第五电阻一端、第三光电二极管阳极连接，第三三极管基极和第六电阻一端连接，第四电阻另一端和第七电阻一端、电源连接，第七电阻另一端和第六电阻另一端、第四三极管集电极、第五光电二极管阳极、第五NMOS管源极连接，第四三极管基极和第五电阻另一端连接，第五NMOS管栅极和第二运算放大器输出端连接，第五NMOS管漏极和第二NMOS管漏极、电源连接；
所述控制模块还包括第一电感、第一二极管、输出端、第二电容、第六三极管、第七NMOS管、第八电阻，所述第六三极管基极和第四光电三极管发射极连接，第六三极管集电极和电源连接，第六三极管发射极和第七NMOS管栅极连接，第七NMOS管漏极和第一电感一端、第一二极管阳极连接，第一电感另一端和电源连接，第一二极管阴极第二电容一端、输出端、第八电阻一端连接；
所述控制模块还包括第八PMOS管、第二可控硅二极管、第七运算放大器、第九电位器、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻，所述第八PMOS管漏极和第一电感另一端连接，第八PMOS管源极和电源连接，第八PMOS管栅极和第二可控硅二极管的K极、第十三电阻一端连接，第二可控硅二极管的A极和电源连接，第二可控硅二极管的G极和第七运算放大器输出端连接，第一运算放大器同相端和第十一电阻一端、第十二电阻一端连接，第七运算放大器反相端和第九电位器抽头端连接，第九电位器一端和电源连接，第九电位器另一端和第十电阻一端连接。
2.根据权利要求1所述的具有保护调节的开关电源电路，其特征在于，所述控制模块还包括第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻，所述第十四电阻串接在第一三极管集电极和电源之间，第十五电阻串接在第六光电三极管集电极和电源之间，第十六电阻串接在第四光电三极管集电极和电源之间，第十七电阻串接在第六三极管集电极和电源之间。
3.根据权利要求1所述的具有保护调节的开关电源电路，其特征在于，所述控制模块还包括第十八电阻、第十九电阻、第二十电阻、第二十一电阻、第二十二电阻，所述第十八电阻一端和电源连接，第十八电阻另一端和第一运算放大器反相端、第十九电阻一端连接，第十九电阻另一端和第二运算放大器同相端、第二十电阻一端连接，第二十一电阻一端和电源连接，第二十一电阻另一端和第二NMOS管漏极、第二十二电阻一端连接。
4.根据权利要求1所述的具有保护调节的开关电源电路，其特征在于，所述控制模块还包括第一开关，所述第一开关一端和第二可控硅二极管的A极连接，第一开关另一端和电源连接。
5.根据权利要求1所述的具有保护调节的开关电源电路，其特征在于，所述控制模块还包括第二十三电阻、第二十四电阻，所述第二十三电阻和第二NMOS管栅极连接，第二十四电阻和第五NMOS管栅极连接。
6.根据权利要求1所述的具有保护调节的开关电源电路，其特征在于，所述控制模块还包括第二十五电阻，所述第二十五电阻一端和第六三极管发射极连接，第二十五电阻另一端和接地端连接。
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