CN214100844U - 一种直流负载短路保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型为一种直流负载短路保护电路，属于电子技术领域。该负载短路保护电路包括场效应管Q1、三极管Q2、可控硅T1、二极管D1、电阻R1～R4、电容C1、按键K1、电源输入端+VCC、电源输出端Vo+和Vo‑。保护电路采用场效应管Q1作控制开关，当负载短路时，可控硅T1导通，场效应管Q1截止，断开负载供电，起到保护电源的作用。本实用新型具有电路简单，体积小、响应速度快、无电弧产生的特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种直流负载短路保护电路，属于电子技术领域。
背景技术
为了避免负载短路引发电源的元器件过流损坏，直流电源产品通常安装有负载短路保护电路，其一旦检测到负载短路，能自动断开负载的供电，以保护电源自身。负载短路保护电路，常采用继电器作开关，如专利“一种继电器实现的负载短路保护开关(专利号2020213407426)”所述，但继电器作开关，有体积大、响应速度慢、动作易产生电弧的不足。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型提供一种直流负载短路保护电路，其采用场效应管作控制开关，电路简单，体积小、响应速度快、无电弧产生的特点。具体技术方案如下：
一种直流负载短路保护电路，该保护电路包括场效应管Q1、三极管Q2、可控硅T1、二极管D1、电阻R1～R4、电容C1、按键K1、电源输入端+VCC、电源输出端Vo+和Vo-，其中效应管Q1的漏极接电源输入端+VCC、二极管D1的正极和电阻R2的一端，栅极接电阻R2的另一端和三极管Q2的集电极，源极接电源输出端Vo+，二极管D1的负极接电容C1的正极和电阻R1的一端，电容C1的负极接地；三极管Q2的基极接电阻R1的另一端、按键K1的一端和可控硅T1的阳极，发射极和按键K1的另一端接地；可控硅的阴极接地，控制极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接电源输出端Vo-和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；场效应管Q1为PMOS功率管，三极管Q2为小功率NPN管，可控硅T1为小功率单向可控硅。
本实用新型的有益效果为：提供一种直流负载短路保护电路，采用场效应管作控制开关，电路简单，体积小、响应速度快、无电弧产生的特点
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
如图1所示，一种直流负载短路保护电路，该保护电路包括场效应管Q1、三极管Q2、可控硅T1、二极管D1、电阻R1～R4、电容C1、按键K1、电源输入端+VCC、电源输出端Vo+和Vo-，其中效应管Q1的漏极接电源输入端+VCC、二极管D1的正极和电阻R2的一端，栅极接电阻R2的另一端和三极管Q2的集电极，源极接电源输出端Vo+，二极管D1的负极接电容C1的正极和电阻R1的一端，电容C1的负极接地；三极管Q2的基极接电阻R1的另一端、按键K1的一端和可控硅T1的阳极，发射极和按键K1的另一端接地；可控硅的阴极接地，控制极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接电源输出端Vo-和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；场效应管Q1为PMOS功率管，三极管Q2为小功率NPN管，可控硅T1为小功率单向可控硅。
使用时，电源输入接电源输入端+VCC，负载接电源输出端Vo+和Vo-。
通电后，电容C1获充电，其电压升高，三极管Q2基极获得驱动电流，三极管Q2进入饱和导通状态，使场效应管Q1栅极电位接近0V，场效应管Q1充分导通，负载获得供电。
当人为操作失误或负载自身原因，导致电源输出端Vo+与Vo-短路时，短路电流经电阻R4入地，使电源输出端Vo-电位突升，触发单向可控硅T1导通。单向可控硅T1导通后，使三极管Q2的基极电压下降至接近0V，使三极管Q2截止，进而使场效应管Q1栅极电位抬升，使场效应管Q1关闭，从而断开电源对负载的供电，避免电源电路的元件过流而损坏。
当把负载短路故障排除后，按压一次按键K1，以短路单向可控硅T1的阳极和阴极，使可控硅T1恢复至截止状态。当松开按键K1后，三极管Q2、场效应管Q1恢复导通，负载再次获得供电。
Claims (1)
1.一种直流负载短路保护电路，其特征是：该保护电路包括场效应管Q1、三极管Q2、可控硅T1、二极管D1、电阻R1～R4、电容C1、按键K1、电源输入端+VCC、电源输出端Vo+和Vo-，其中效应管Q1的漏极接电源输入端+VCC、二极管D1的正极和电阻R2的一端，栅极接电阻R2的另一端和三极管Q2的集电极，源极接电源输出端Vo+，二极管D1的负极接电容C1的正极和电阻R1的一端，电容C1的负极接地；三极管Q2的基极接电阻R1的另一端、按键K1的一端和可控硅T1的阳极，发射极和按键K1的另一端接地；可控硅的阴极接地，控制极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接电源输出端Vo-和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；场效应管Q1为PMOS功率管，三极管Q2为小功率NPN管，可控硅T1为小功率单向可控硅。
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2020
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