CN218827090U - 双面散热功率模块和电力设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种双面散热功率模块和电力设备,所述双面散热功率模块包括:第一基板,所述第一基板的下表面形成有第一导电层;第二基板,所述第二基板与所述第一基板呈相对设置,所述第二基板的上表面形成有第二导电层;功率芯片,所述功率芯片位于所述第一导电层与所述第二导电层之间;连接单层,用于将所述功率芯片的一面焊点与所述第一导电层连接,以及将功率芯片的另一面焊点与所述第二导电层连接;第一电气端子,所述第一电气端子与所述第一导电层连接;第二电气端子,第二电气端子与所述第二导电层连接。采用该双面散热功率模块可以缩短板间间距,减小模块整体厚度,降低双面散热功率模块工作时产生的电压尖峰,提高模块的整体可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及功率模块技术领域,尤其是涉及一种双面散热功率模块和电力设备。
背景技术
相关技术中,对于双面散热功率模块,其包括相对设置的第一绝缘基板、第二绝缘基板及设置在两绝缘基板之间若干芯片及导电连接块,因采用邦线引出接线端子,所以需预留邦线空间,从而使得上述双面散热功率模块的厚度增加。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种双面散热功率模块,采用该双面散热功率模块可以缩短板间间距,减小模块整体厚度,降低双面散热功率模块工作时产生的电压尖峰,提高模块的整体可靠性。
本实用新型的目的之二在于提出一种电力设备。
为了解决上述问题,本实用新型第一方面实施例提出了一种双面散热功率模块,包括:第一基板,所述第一基板的下表面形成有第一导电层;第二基板,所述第二基板与所述第一基板呈相对设置,所述第二基板的上表面形成有第二导电层;功率芯片,所述功率芯片位于所述第一导电层与所述第二导电层之间;连接单层,用于将所述功率芯片的一面焊点与所述第一导电层连接,以及将所述功率芯片的另一面焊点与所述第二导电层连接;第一电气端子,所述第一电气端子与所述第一导电层连接;第二电气端子,所述第二电气端子与所述第二导电层连接。
根据本实用新型的双面散热功率模块,通过连接单层将功率芯片与第一导电层、第二导电层连接,即本申请中取消邦线连接方式,而是以连接单层的方式实现功率芯片与第一基板、第二基板之间的电气连接,从而也就无需再预留金属导线安装的空间,缩小第一基板与第二基板之间的板间间隔,减小模块整体厚度,增大极间电容,有效降低双面散热功率模块工作时两个基板间的电压尖峰,而且以连接单层实现电气连接的方式,也不会存在金属导线变形、易损坏的隐患,提高模块的整体可靠性。
在一些实施例中,还包括:基座,所述基座位于所述第一导电层与所述第二导电层之间,所述基座在垂直于所述第一导电层的方向上设有通孔,所述基座在平行于所述第一导电层的方向上设有多个开孔;其中,所述功率芯片对应嵌设于所述通孔内,所述第一电气端子的第一端与所述第一导电层连接,所述第二电气端子的第一端与所述第二导电层连接,所述第一电气端子和所述第二电气端子的第二端分别穿过对应的开孔延伸出所述基座。
在一些实施例中,所述基座包括主体部和位于所述主体部外周的边缘部;其中,所述主体部上设有所述通孔,所述边缘部上设有多个所述开孔,所述主体部与所述边缘部之间形成有两个容纳腔,两个所述容纳腔分别位于所述主体部的两侧,所述第一基板与所述第二基板分别对应设于所述容纳腔内。
在一些实施例中,所述边缘部环绕所述主体部,且包括首尾依次连接的第一边缘部、第二边缘部、第三边缘部和第四边缘部,多个所述开孔设于所述第二边缘部。
在一些实施例中,所述连接单层包括第一连接单层和第二连接单层;所述第一导电层上形成有第一电气连接线路,所述第一电气连接线路通过所述第一连接单层与所述功率芯片的一面焊点连接;所述第二导电层上形成有第二电气连接线路,所述第二电气连接线路通过所述第二连接单层与所述功率芯片的另一面焊点连接;所述第一电气端子与所述第一电气连接线路连接,所述第二电气端子与所述第二电气连接线路连接。
在一些实施例中,所述功率芯片包括第一功率芯片,所述第一功率芯片包括阳极焊点和阴极焊点;所述第一电气连接线路包括源极连接线路,所述源极连接线路通过所述第一连接单层与所述阳极焊点连接;所述第二电气连接线路包括漏极连接线路,所述漏极连接线路通过所述第二连接单层与所述阴极焊点连接;所述第一电气端子包括控制端子和第一功率端子,所述第二电气端子包括第二功率端子,所述控制端子和所述第一功率端子连接于所述源极连接线路,所述第二功率端子连接于所述漏极连接线路。
在一些实施例中,所述功率芯片包括第二功率芯片,所述第二功率芯片包括栅极焊点、源极焊点和漏极焊点;所述第一电气连接线路包括栅极连接线路和源极连接线路,所述栅极连接线路通过所述第一连接单层与所述栅极焊点连接,所述源极连接线路通过所述第一连接单层与所述源极焊点连接;所述第二电气连接线路包括漏极连接线路,所述漏极连接线路通过所述第二连接单层与所述漏极焊点连接;所述第一电气端子包括控制端子、第一功率端子和第三功率端子,所述第二电气端子包括第二功率端子,所述控制端子和所述第一功率端子连接于所述源极连接线路,所述第二功率端子连接于所述漏极连接线路,所述第三功率端子连接于所述栅极连接线路。
在一些实施例中,多个所述开孔包括第一开孔、第二开孔、第三开孔和第四开孔,其中,所述控制端子的第一端与所述源极连接线路连接,所述控制端子的第二端穿过所述第一开孔延伸出所述基座,所述第一功率端子的第一端与所述源极连接线路连接,所述第一功率端子的第二端穿过所述第二开孔延伸出所述基座,所述第二功率端子的第一端与所述漏极连接线路连接,所述第二功率端子的第二端穿过所述第三开孔延伸出所述基座,所述第三功率端子的第一端与所述栅极连接电路连接,所述第三功率端子的第二端穿过所述第四开孔延伸出所述基座。
在一些实施例中,所述栅极连接线路与所述源极连接线路之间具有绝缘介质。
在一些实施例中,所述第一导电层具有第一避让口,所述第一避让口贯通于所述第一导电层的相邻两边缘,用于避让连接于所述第二导电层的第二电气端子。
在一些实施例中,所述第二导电层具有第二避让口,所述第二避让口贯通于所述第二导电层的相邻两边缘,用于避让连接于所述第一导电层的第一电气端子。
在一些实施例中,所述连接单层为银烧结层或锡焊接层。
本实用新型第二方面实施例提出了一种电力设备,包括至少一个上述实施例中所述的双面散热功率模块。
根据本实用新型的电力设备,通过上述双面散热功率模块,可以缩短板间间距,减小模块整体厚度,降低双面散热功率模块工作时产生的电压尖峰,提高模块的整体可靠性。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是现有技术的双面散热功率模块的示意图;
图2是根据本实用新型一个实施例的双面散热功率模块的爆炸示意图;
图3是根据本实用新型一个实施例的双面散热功率模块的侧视图;
图4是根据本实用新型另一个实施例的双面散热功率模块的爆炸示意图;
图5是根据本实用新型另一个实施例的双面散热功率模块的爆炸示意图;
图6是根据本实用新型另一个实施例的双面散热功率模块的爆炸示意图;
图7是根据本实用新型一个实施例的基座的示意图;
图8是根据本实用新型一个实施例的双面散热功率模块的整体示意图;
图9是根据本实用新型一个实施例的电力设备的结构框图。
附图标记:
电力设备100;双面散热功率模块90;
第一基板1;第一导电层2;第二基板3;第二导电层4;功率芯片5;连接单层6;第一电气端子71;第二电气端子72;基座8;通孔9;开孔10;主体部11;边缘部12;第一连接单层14;第二连接单层15;第一电气连接线路16;第二电气连接线路17;第一功率芯片18;阳极焊点19;阴极焊点20;源极连接线路21;漏极连接线路22;栅极连接线路23;控制端子24;第一功率端子25;第二功率端子26;第三功率端子27;第二功率芯片28;栅极焊点29;源极焊点30;漏极焊点31;第一避让口32;第二避让口33;
第一边缘部121;第二边缘部122;第三边缘部123;第四边缘部124;第一开孔101;第二开孔102;第三开孔103;第四开孔104。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,参考附图描述的实施例是示例性的,下面详细描述本实用新型的实施例。
为了解决上述问题,本实用新型第一方面实施例提出了一种双面散热功率模块90,如图2所示,该双面散热功率模块90包括:第一基板1、第二基板3、功率芯片5、连接单层6、第一电气端子71和第二电气端子72。
其中,第一基板1的下表面形成有第一导电层2;第二基板3与第一基板1呈相对设置,第二基板3的上表面形成有第二导电层4;功率芯片5位于第一导电层2与第二导电层4之间;连接单层6用于将功率芯片5的一面焊点与第一导电层2连接,以及将功率芯片5的另一面焊点与第二导电层4连接;第一电气端子71与第一导电层2连接;第二电气端子72与第二导电层4连接。其中,所述连接单层为单个导电单层,用于连接功率芯片和导电层,可以包括银烧结层或者锡焊接层等,具体还可以包括其他材料或者工艺所形成的导电连接层,在此不做具体限定。
在实施例中,现有的双面散热功率模块中,如图1所示,采用邦线的方式实现功率芯片与第一绝缘基板、第二绝缘基板的电性连接,但是因模块内晶圆尺寸小,因此在为功率芯片邦线时需在第一绝缘基板与第二绝缘基板之间预留一定的安装空间,从而造成基板间间距大,在工作时易产生较高的电压尖峰,为解决上述问题,本申请中以连接单层6的方式取代邦线连接,来实现功率芯片5与第一基板1、第二基板3之间的电气连接,也就是说,功率芯片5与第一导电层2、第二导电层4之间直接以连接单层6实现电性连接,而无需再采用金属导线,从而也就无需再预留金属导线安装的空间,有效缩小第一基板1与第二基板3之间的板间间隔,减小模块整体厚度,增大极间电容,有效降低双面散热功率模块90工作时两个基板间的电压尖峰,且避免了因金属导线产生电感而造成的电磁干扰的影响,此外以连接单层6实现电气连接的方式,也无需再设置导电连接块,节省加工步骤,加工方法单一,也不会存在金属导线变形、易损坏的隐患,降低成本,提高模块的整体可靠性。
在本申请中,第一基板1可以包括上表面形成的第一散热层、第一绝缘层以及下表面形成的第一导电层2。第二基板3可以包括上表面形成的第二导电层4、第二绝缘层以及下表面形成的第二散热层。其中,第一散热层或第二散热层可以为散热铜片,其可以外接散热系统,以确保模块的散热功能;第一绝缘层或第二绝缘层可以采用绝缘强度高、导热性能好以及化学性质稳定的绝缘陶瓷,如绝缘Al2O3陶瓷。
或者,第一基板1或第二基板3也可以由PCB(Printed circuit boards,印刷电路板)构成,其在PCB的双层可设有各种电子元件组成单面散热的IPM(Intelligent PowerModule,集成功率模块)结构或者无散热面的结构。
功率芯片5可以为有栅极的功率芯片5,如由IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor,金氧半场效晶体管)和/或SiC(碳化硅)等芯片,或者可以为由FRD(Fastrecovery diode,快恢复二极管)组成的无栅极功率芯片,或者也可以为由电阻、电容等无功器件以及混合功率芯片与无功芯片等组成的IPM,对此不作限制。
在实施例中,连接单层6可以为银烧结层或锡焊接层,也就是说,功率芯片5与第一导电层2、第二导电层4之间可以采用银烧结的方式实现电气连接;或者功率芯片5与第一导电层2、第二导电层4之间可以采用锡焊接的方式实现电气连接。
具体地,如图2和图3所示,第二导电层4通过连接单层6如银烧结或锡焊接的方式来与功率芯片5的下表面连接,以及第一导电层2通过连接单层6如银烧结或锡焊接的方式来与功率芯片5的上表面连接,由此实现功率芯片5与第一基板1和第二基板3之间的电气连接,同时利用双层基板对功率芯片5进行散热,并且功率芯片5通过第一电气端子71的一端连接于第一导电层2和第二电气端子72的一端连接于第二导电层4,以及第一电气端子71的另一端和第二电气端子72的另一端与外部系统实现电气连接。由此相较于图1所示的双面散热功率模块,本申请的双面散热功率模块90,在第二基板3的上表面形成的第二导电层4与功率芯片5之间通过连接单层6电气连接,由此无需通过设置金属导线与第二基板3实现电气连接,也就无需设计导电连接块连接第一基板1来预留金属导线安装的空间,从而缩短相对设置的第一基板1和第二基板3之间的间隔,增大极间电容,降低功率模块开关时两个板间的电压尖峰,也利于降低热阻,以及取消邦线的连接方式也使得双面散热功率模块90不易发生故障,减小电磁干扰,降低成本,提高模块的可靠性。
根据本实用新型的双面散热功率模块90,通过连接单层6将功率芯片5与第一导电层2、第二导电层4连接,即本申请中取消邦线连接方式,而是以连接单层6的方式实现功率芯片5与第一基板1、第二基板3之间的电气连接,从而也就无需再预留金属导线安装的空间,缩小第一基板1与第二基板3之间的板间间隔,减小模块整体厚度,增大极间电容,有效降低双面散热功率模块工作时两个基板间的电压尖峰,而且以连接单层6实现电气连接的方式,也不会存在金属导线变形、易损坏的隐患,提高模块的整体可靠性。
在一些实施例中,如图1-图4所示,双面散热功率模块90还包括基座8。其中,基座8位于第一导电层2与第二导电层4之间,基座8在垂直于第一导电层2的方向上设有通孔9,基座8在平行于第一导电层2的方向上设有多个开孔10;其中,功率芯片5对应嵌设于通孔9内,第一电气端子71的第一端与第一导电层2连接,第二电气端子72的第一端与第二导电层4连接,第一电气端子71或第二电气端子72的第二端分别穿过对应的开孔10延伸出基座8。
其中,基座8可以为采用由绝缘性能优良的塑料组成的器件。基于基座8具有足够的绝缘耐压能力,通过将基座8设于第一导电层2与第二导电层4之间,并将功率芯片5对应嵌设于通孔9内,可以有效防止第一基板1与第二基板3之间出现放电或漏电的现象,提高功率模块的使用可靠性。此外,第一电气端子71或第二电气端子72通过对应的开孔10延伸出基座8,既可以便于电气端子与外部的电气连接,又可以起到固定的作用。
其中,功率芯片5的数量可以为一个或者为多个,对此不作限制,可以理解的是,基座8上通孔9的数量与功率芯片5的数量一致,即功率芯片5与通孔9一一对应设置。以及,电气端子的数量与开孔10的数量也一致。
在一些实施例中,如图4所示,基座8包括主体部11和位于主体部11外周的边缘部12。
其中,主体部11上设有通孔9,边缘部12上设有多个开孔10,主体部11与边缘部12之间形成有两个容纳腔,两个容纳腔分别位于主体部11的两侧,第一基板1与第二基板3分别对应设于容纳腔内,也就是说,在基座8的两侧分别形成有容纳第一基板1和第二基板3的容纳腔,如图5所示在基座8的上方形成有容纳第一基板1的容纳腔,以及如图6所示在基座8的下方也形成有容纳第二基板3的容纳腔,由此,在制作双面散热功率模块90时,通过将第一基板1和第二基板3分别嵌入对应的容纳腔内,在使得第一基板1和第二基板3之间实现电气隔离的前提下,也可以起到固定的作用,利用基座8具有的机械强度,来有效保证此功率模块不受外力破坏。
在一些实施例中,如图4和图7所示,边缘部12环绕主体部11,且包括首尾依次连接的第一边缘部121、第二边缘部122、第三边缘部123和第四边缘部124,多个开孔10均设于第二边缘部122,由此设计,通过将电气端子设于双面散热功率模块90的同一侧,可以在固定电气端子的前提下,还利于简化双面散热功率模块90的封装工艺,也利于双面散热功率模块90整体与外部的连接设计。
在一些实施例中,连接单层6包括第一连接单层14和第二连接单层15;第一导电层2上形成有第一电气连接线路16,第一电气连接线路16通过第一连接单层14与功率芯片5的一面焊点连接;第二导电层4上形成有第二电气连接线路17,第二电气连接线路17通过第二连接单层15与功率芯片5的另一面焊点连接;第一电气端子71与第一电气连接线路16连接,第二电气端子72与第二电气连接线路17连接。由此,第一电气连接线路16通过第一连接单层14与功率芯片5连接,以及第二电气连接线路17通过第二连接单层15与功率芯片5连接,以使功率芯片5的上下表面分别与两个导电层以及电气端子之间形成电气连接,实现双面散热功率模块90的电能转换功能。
示例性的,第一基板1上制备形成第一导电层2后,并在第一导电层2上进行走线设计以形成第一电气连接电路,第一电气连接电路则通过以银烧结方式形成的第一连接单层14与功率芯片5的上表面连接,由此第一基板1和功率芯片5之间实现电气连接;同理,在第二导电层4上进行走线设计以形成第二电气连接电路,第二电气连接电路通过以银烧结方式形成的第二连接单层15与功率芯片5的下表面连接,由此第二基板3和功率芯片5之间实现电气连接;以及通过第一电气端子71的一端连接于第一电气连接电路和第二电气端子72的一端连接于第二电气连接电路,由电气端子的另一端来连接外部系统,以实现双面散热功率模块90的电能转换功能。
在一些实施例中,如图5-图8所示,功率芯片5包括第一功率芯片18,第一功率芯片18包括阳极焊点19和阴极焊点20;第一电气连接线路16包括源极连接线路21,源极连接线路21通过第一连接单层14与阳极焊点19连接;第二电气连接线路17包括漏极连接线路22,漏极连接线路22通过第二连接单层15与阴极焊点20连接;第一电气端子71包括控制端子24和第一功率端子25,第二电气端子72包括第二功率端子26,控制端子24和第一功率端子25连接于源极连接线路21,第二功率端子26连接于漏极连接线路22。
示例性的,第一功率芯片18的阳极焊点19通过以银烧结方式形成的第一连接单层14与源极连接线路21连接,实现其与第一导电层2的电气连接;第一功率芯片18的阴极焊点20通过以银烧结方式形成的第二连接单层15与漏极连接线路22连接,实现其与第二导电层4的电气连接。控制端子24通过银烧结或锡焊接的方式实现与源极连接线路21电气连接,以用于传输模块的控制信号;第一功率端子25通过银烧结或锡焊接的方式实现与源极连接线路21的电气连接,以及第二功率端子26通过银烧结或锡焊接的方式实现与漏极连接线路22的电气连接,以用于传输双面散热功率模块90的输出信号。
在实施例中,第一功率芯片18可以为FRD。可以理解的是,在具有复杂的电路结构时,第一电气连接线路16或第二电气连接线路17也可以包括除源极连接线路21或漏极连接线路22外的其它功能的连接线路,如发射极、集电极或者非电极普通导线等的连接线路,对此不作限制。
在一些实施例中,如图5-图8所示,功率芯片5包括第二功率芯片28,第二功率芯片28包括栅极焊点29、源极焊点30和漏极焊点31;第一电气连接线路16包括栅极连接线路23和源极连接线路21,栅极连接线路23通过第一连接单层14与栅极焊点29连接,源极连接线路21通过第一连接单层14与源极焊点30连接;第二电气连接线路17包括漏极连接线路22,漏极连接线路22通过第二连接单层15与漏极焊点31连接;第一电气端子71包括控制端子24、第一功率端子25和第三功率端子27,第二电气端子72包括第二功率端子26,控制端子24和第一功率端子25连接于源极连接线路21,第二功率端子26连接于漏极连接线路22,第三功率端子27连接于栅极连接线路23。由此,使得功率芯片5的上下表面分别与两个导电层以及电气端子之间形成电气连接,实现双面散热功率模块90的电能转换功能。
在一些实施例中,如图7所示,多个开孔10包括第一开孔101、第二开孔102、第三开孔103和第四开孔104,其中,控制端子24的第一端与源极连接线路21连接,控制端子24的第二端穿过第一开孔104延伸出基座8,第一功率端子25的第一端与源极连接线路21连接,第一功率端子25的第二端穿过第二开孔102延伸出基座8,第二功率端子26的第一端与漏极连接线路22连接,第二功率端子26的第二端穿过第三开孔103延伸出基座8,第三功率端子27的第一端与栅极连接电路23连接,第三功率端子27的第二端穿过第四开孔104延伸出基座8。
在一些实施例中,栅极连接线路23与源极连接线路21之间具有绝缘介质,由此可以有效使得栅极连接线路23与源极连接线路21之间相互绝缘,避免发生放电或漏电的现象。
在一些实施例中,如图4所示,第一导电层2具有第一避让口32,第一避让口32贯通于第一导电层2的相邻两边缘,例如图4所示,第一导电层2未完全覆盖第一基板1的第一绝缘层,而是在第一导电层2的一个边缘角处具有一缺口即第一避让口32,而该第一避让口32的位置恰好与第二基板3上连接第二电气端子72的位置相对应,由此在进行封装时,该第一避让口32可以避让连接于第二导电层4的第二电气端子72,使得模块表面可以保持水平,以避免封装后的模块出现凹凸不平的问题。
在一些实施例中,如图2所示,第二导电层4具有第二避让口33,其中,第二避让口33贯通于第二导电层4的相邻两边缘,例如图4所示,第二导电层4未完全覆盖第二基板3的第二绝缘层,而是在第二导电层4的一个边缘角处具有一缺口即第二避让口33,而该第二避让口33的位置恰好与第一基板1上连接第一电气端子71的位置相对应,由此在进行封装时,该第二避让口33可以避让连接于第一导电层2的第一电气端子71,使得模块表面可以保持水平,以避免封装后的模块出现凹凸不平的问题。
总而言之,根据本实用新型的双面散热功率模块90,在对功率芯片5、电气端子以及基板进行电气连接时,以连接单层6的方式来取代邦线连接,从而可以在制备模块时无需再预留金属导线安装的空间,缩小第一基板1与第二基板3之间的板间间隔,减小模块整体厚度,实现超薄双面散热功率模块90,且缩小基板间距后也可以增大极间电容,有效降低双面散热功率模块90工作时两个基板间的电压尖峰,而且以连接单层6实现电气连接的方式,也不会存在金属导线变形、易损坏的隐患,提高模块的整体可靠性。
本实用新型第二方面实施例提出了一种电力设备100,如图9所示,该电力设备100包括至少一个上述实施例中的双面散热功率模块90。
根据本实用新型的电力设备100,通过采用上述双面散热功率模块90,缩短板间间距,减小模块整体厚度,降低双面散热功率模块90工作时产生的电压尖峰,提高模块的整体可靠性。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (13)
1.一种双面散热功率模块,其特征在于,包括:
第一基板,所述第一基板的下表面形成有第一导电层;
第二基板,所述第二基板与所述第一基板呈相对设置,所述第二基板的上表面形成有第二导电层;
功率芯片,所述功率芯片位于所述第一导电层与所述第二导电层之间;
连接单层,用于将所述功率芯片的一面焊点与所述第一导电层连接,以及将所述功率芯片的另一面焊点与所述第二导电层连接;
第一电气端子,所述第一电气端子与所述第一导电层连接;
第二电气端子,所述第二电气端子与所述第二导电层连接。
2.根据权利要求1所述的双面散热功率模块,其特征在于,还包括:
基座,所述基座位于所述第一导电层与所述第二导电层之间,所述基座在垂直于所述第一导电层的方向上设有通孔,所述基座在平行于所述第一导电层的方向上设有多个开孔;
其中,所述功率芯片对应嵌设于所述通孔内,所述第一电气端子的第一端与所述第一导电层连接,所述第二电气端子的第一端与所述第二导电层连接,所述第一电气端子和所述第二电气端子的第二端分别穿过对应的开孔延伸出所述基座。
3.根据权利要求2所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述基座包括主体部和位于所述主体部外周的边缘部;
其中,所述主体部上设有所述通孔,所述边缘部上设有多个所述开孔,所述主体部与所述边缘部之间形成有两个容纳腔,两个所述容纳腔分别位于所述主体部的两侧,所述第一基板与所述第二基板分别对应设于所述容纳腔内。
4.根据权利要求3所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述边缘部环绕所述主体部,且包括首尾依次连接的第一边缘部、第二边缘部、第三边缘部和第四边缘部,多个所述开孔设于所述第二边缘部。
5.根据权利要求2所述的双面散热功率模块,其特征在于,
所述连接单层包括第一连接单层和第二连接单层;
所述第一导电层上形成有第一电气连接线路,所述第一电气连接线路通过所述第一连接单层与所述功率芯片的一面焊点连接;
所述第二导电层上形成有第二电气连接线路,所述第二电气连接线路通过所述第二连接单层与所述功率芯片的另一面焊点连接;
所述第一电气端子与所述第一电气连接线路连接,所述第二电气端子与所述第二电气连接线路连接。
6.根据权利要求5所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述功率芯片包括第一功率芯片,所述第一功率芯片包括阳极焊点和阴极焊点;
所述第一电气连接线路包括源极连接线路,所述源极连接线路通过所述第一连接单层与所述阳极焊点连接;
所述第二电气连接线路包括漏极连接线路,所述漏极连接线路通过所述第二连接单层与所述阴极焊点连接;
所述第一电气端子包括控制端子和第一功率端子,所述第二电气端子包括第二功率端子,所述控制端子和所述第一功率端子连接于所述源极连接线路,所述第二功率端子连接于所述漏极连接线路。
7.根据权利要求5所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述功率芯片包括第二功率芯片,所述第二功率芯片包括栅极焊点、源极焊点和漏极焊点;
所述第一电气连接线路包括栅极连接线路和源极连接线路,所述栅极连接线路通过所述第一连接单层与所述栅极焊点连接,所述源极连接线路通过所述第一连接单层与所述源极焊点连接;
所述第二电气连接线路包括漏极连接线路,所述漏极连接线路通过所述第二连接单层与所述漏极焊点连接;
所述第一电气端子包括控制端子、第一功率端子和第三功率端子,所述第二电气端子包括第二功率端子,所述控制端子和所述第一功率端子连接于所述源极连接线路,所述第二功率端子连接于所述漏极连接线路,所述第三功率端子连接于所述栅极连接线路。
8.根据权利要求7所述的双面散热功率模块,其特征在于,多个所述开孔包括第一开孔、第二开孔、第三开孔和第四开孔,
其中,所述控制端子的第一端与所述源极连接线路连接,所述控制端子的第二端穿过所述第一开孔延伸出所述基座,所述第一功率端子的第一端与所述源极连接线路连接,所述第一功率端子的第二端穿过所述第二开孔延伸出所述基座,所述第二功率端子的第一端与所述漏极连接线路连接,所述第二功率端子的第二端穿过所述第三开孔延伸出所述基座,所述第三功率端子的第一端与所述栅极连接电路连接,所述第三功率端子的第二端穿过所述第四开孔延伸出所述基座。
9.根据权利要求7所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述栅极连接线路与所述源极连接线路之间具有绝缘介质。
10.根据权利要求1所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述第一导电层具有第一避让口,所述第一避让口贯通于所述第一导电层的相邻两边缘,用于避让连接于所述第二导电层的第二电气端子。
11.根据权利要求1所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述第二导电层具有第二避让口,所述第二避让口贯通于所述第二导电层的相邻两边缘,用于避让连接于所述第一导电层的第一电气端子。
12.根据权利要求1所述的双面散热功率模块,其特征在于,所述连接单层为银烧结层或锡焊接层。
13.一种电力设备,其特征在于,包括至少一个权利要求1-12任一项所述的双面散热功率模块。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202222585743.2U CN218827090U (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 双面散热功率模块和电力设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202222585743.2U CN218827090U (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 双面散热功率模块和电力设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN218827090U true CN218827090U (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=87045985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202222585743.2U Active CN218827090U (zh) | 2022-09-27 | 2022-09-27 | 双面散热功率模块和电力设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN218827090U (zh) |
-
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GR01 | Patent grant | ||
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