CN218756147U - 一种直拉单晶降温装置 - Google Patents

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张凯鑫
李浩东
张庆虎
王立刚
贾海洋
周宏邦
娄中士
王淼
张强
王彦君
孙晨光
田旭东
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Inner Mongolia Central Leading Semiconductor Materials Co ltd
Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
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Inner Mongolia Central Leading Semiconductor Materials Co ltd
Zhonghuan Advanced Semiconductor Materials Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种直拉单晶降温装置,其包括内导流筒、外导流筒和通气管;外导流筒套设于内导流筒的外侧,内导流筒和外导流筒之间设有间隔;通气管设于间隔内,通气管的一端伸出外导流筒与惰性气体气源连接,通气管的另一端伸入内导流筒的内侧下部。本实用新型的内导流筒和外导流筒之间设有通气管,通过通气管能够向内导流筒内通入惰性气体,单晶生长过程中,在扩肩步骤时,不改变加热器功率,通过通入惰性气体带走单晶热量,达到扩肩目的,减少加热器的温度变化,单晶生长更稳定。

Description

一种直拉单晶降温装置
技术领域
本实用新型涉及直拉单晶扩肩降温技术领域,特别涉及一种直拉单晶降温装置。
背景技术
直拉单晶扩肩时需要进行降温处理。目前使用的降温方法主要是降低加热器功率输出,从而减小加热温度达到降温目的,但是实际使用时,加热器传输热量作用到单晶时中间经历变量较多,稳定性差。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种直拉单晶降温装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本申请提供如下技术方案:
一种直拉单晶降温装置,包括:
内导流筒;
外导流筒,所述外导流筒套设于所述内导流筒的外侧,所述内导流筒和外导流筒之间设有间隔;
通气管,所述通气管设于所述间隔内,所述通气管的一端伸出所述外导流筒与惰性气体气源连接,所述通气管的另一端伸入所述内导流筒的内侧下部。
进一步地,所述通气管的另一端与所述内导流筒的下端面距离至少为10mm。
进一步地,所述通气管的另一端垂直于所述内导流筒的筒壁伸入所述内导流筒内。
进一步地,所述通气管的另一端伸入所述内导流筒的内侧的长度为15-25mm。
进一步地,所述内导流筒和外导流筒的上下两端平齐,所述内导流筒和外导流筒的上端设有连接板,所述连接板的边缘设有提升杆。
进一步地,所述通气管伸出所述外导流筒的一端向上穿过所述提升杆后与惰性气体主管道连接,所述惰性气体主管道上设有流量计。
进一步地,所述通气管数量为多个,所述通气管沿所述内导流筒的轴线周向均匀分布。
综上,本实用新型的技术效果和优点:
内导流筒和外导流筒之间设有通气管,通过通气管能够向内导流筒内通入惰性气体,单晶生长过程中,在扩肩步骤时,不改变加热器功率,通过通入惰性气体带走单晶热量,达到扩肩目的,减少加热器的温度变化,单晶生长更稳定。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例中直拉单晶降温装置的结构示意图。
图中:1、内导流筒;2、外导流筒;3、通气管;4、连接板;5、提升杆;6、单晶。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
此外,下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
为了解决现有技术中的问题。本实用新型一实施例提供一种直拉单晶降温装置,如图1所示,包括内导流筒1、外导流筒2和通气管3。其中,内导流筒1和外导流筒2组成双层结构,通气管3用于向内导流筒1内的单晶6通入惰性气体。具体地,外导流筒2套设于内导流筒1的外侧,内导流筒1和外导流筒2之间设有间隔;通气管3设于间隔内,通气管3的一端伸出外导流筒2,通气管3的另一端伸入内导流筒1的内侧下部。通气管3伸出外导流筒2的一端最终与惰性气体气源连接。
本实施例中,内导流筒1和外导流筒2之间设有通气管3,通过通气管3能够向内导流筒1内通入惰性气体,单晶生长过程中,在扩肩步骤时,不改变加热器功率,通过通入惰性气体带走单晶6热量,达到扩肩目的,减少加热器的温度变化,单晶生长更稳定。
可选地,通气管3的另一端与内导流筒1的下端面距离至少为10mm。可选地,通气管3的另一端垂直于内导流筒1的筒壁伸入内导流筒1内。本实施例中通气管3的另一端与内导流筒1筒壁的夹角可以随实际使用作适应性设计。进一步地,通气管3的另一端伸入内导流筒1的内侧的长度为15-25mm。优选地,通气管3的另一端伸入内导流筒1的内侧的长度为20mm。
进一步地,内导流筒1和外导流筒2的上下两端平齐,内导流筒1和外导流筒2的上端设有连接板4,连接板4的边缘设有提升杆5。提升杆5用于提升内导流筒1和外导流筒2。
进一步地,通气管3伸出外导流筒2的一端向上穿过提升杆5后与惰性气体主管道连接,惰性气体主管道上设有流量计。将通气管3设置在提升杆5内的设置使整体结构更加紧凑。通过流量计能够控制通入惰性气体的流量大小。
进一步地,通气管3数量为多个,通气管3沿内导流筒1的轴线周向均匀分布。如此均匀分布设置能够使惰性气体对单晶均匀降温。
本实施例在单晶生长过程中,在扩肩步骤时,不改变加热器功率,通过通气管3向内导流筒1内的单晶通入惰性气体,改变惰性气体流量带走单晶热量,达到扩肩目的,减少加热器的温度变化,单晶生长更稳定。
最后应说明的是:以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种直拉单晶降温装置,其特征在于,包括:
内导流筒;
外导流筒,所述外导流筒套设于所述内导流筒的外侧,所述内导流筒和外导流筒之间设有间隔;
通气管,所述通气管设于所述间隔内,所述通气管的一端伸出所述外导流筒与惰性气体气源连接,所述通气管的另一端伸入所述内导流筒的内侧下部。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶降温装置,其特征在于,所述通气管的另一端与所述内导流筒的下端面距离至少为10mm。
3.根据权利要求1或2所述的直拉单晶降温装置,其特征在于,所述通气管的另一端垂直于所述内导流筒的筒壁伸入所述内导流筒内。
4.根据权利要求3所述的直拉单晶降温装置,其特征在于,所述通气管的另一端伸入所述内导流筒的内侧的长度为15-25mm。
5.根据权利要求1或2或4所述的直拉单晶降温装置,其特征在于,所述内导流筒和外导流筒的上下两端平齐,所述内导流筒和外导流筒的上端设有连接板,所述连接板的边缘设有提升杆。
6.根据权利要求5所述的直拉单晶降温装置,其特征在于,所述通气管伸出所述外导流筒的一端向上穿过所述提升杆后与惰性气体主管道连接,所述惰性气体主管道上设有流量计。
7.根据权利要求1或2或4或6所述的直拉单晶降温装置,其特征在于,所述通气管数量为多个,所述通气管沿所述内导流筒的轴线周向均匀分布。
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