CN218735116U - 一种改良的干蚀刻机 - Google Patents
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Abstract
一种改良的干蚀刻机,包括:反应腔,供蚀刻气体对基板进行干蚀刻反应;上电极,设于反应腔内部的上方空间;下电极,设于反应腔内部的下方空间并与上电极相对设置,其上表面承载用于接受蚀刻气体蚀刻的基板;下电极的四个侧面均设有导流板,导流板平铺于下电极侧壁陶瓷保护片和反应腔侧壁之间,底部通过两侧的固定块进行支撑;反应腔侧壁的固定块的侧边孔与螺丝的螺丝帽相接触的部位做裸铝处理;所述螺丝的螺丝帽上均套设有氧化铝陶瓷帽。本实用新型通过改造,通过改造后的导流板和固定块将运行过程中产生的静电导出腔体本体,改造后有效降低电磁吸附电压异常波动的宕机率,并避免部件的损坏。
Description
技术领域
本实用新型属于蚀刻机的技术领域,具体涉及一种改良的干蚀刻机。
背景技术
液晶显示面板(Liquidcrystaldisplay,LCD)的制造需要使用蚀刻工艺。根据蚀刻剂的物理状态可以将蚀刻工艺分为干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺。其中,湿蚀刻工艺利用蚀刻液体对基板进行蚀刻。干蚀刻工艺是利用干蚀刻机使蚀刻气体在RF射频电极的作用产生等离子体,在基板上把没有被光阻覆盖或保护的薄膜层以化学反应和物理反应的方式去除,而被光阻覆盖或保护的薄膜层因不被等离子体蚀刻而保留下来。
现有的干蚀刻机包括上电极、下电极和导流板。上电极和下电极的共同作用使蚀刻气体产生等离子体等。导流板则用于导流蚀刻完毕后残余的等离子气体。等离子体处于相对稳定状态,但是现有的腔体结构和材质的设计不良,会因避雷针效应产生异常放电现象,导致电磁吸附电压异常波动。甚至是电弧击伤,造成基板和腔体的损伤。
现有机台频宕电磁吸附电压异常波动,因宕机处于主蚀刻步骤,导致产品异常,且多次宕机需开腔处理,影响机台稼动。检查发现,主要存在如下问题:1、干蚀刻机下电极侧边的竖直导流板侧边条与下电极周边的保护陶瓷片之间具有小的间隙,容易将电浆吸附到间隙中,引起不良。2、固定导流板的螺丝一般采用纯铝金属母材,表面再进行阳极氧化处理形成一层氧化膜,但处理不好会形成毛刺,会造成电荷吸附导致异常。3、导流板和支撑固定导流板的固定块都是铝材质内芯加表面阳极氧化膜,由于阳极氧化膜不导电,因此,产生的寄生电荷不容易导出,容易引起静电。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种改良的干蚀刻机,避免出现异常放电现象。
本实用新型是这样实现的:
一种改良的干蚀刻机,包括:
反应腔,供蚀刻气体对基板进行干蚀刻反应;
上电极,设于所述反应腔内部的上方空间;
下电极,设于所述反应腔内部的下方空间并与所述上电极相对设置,其上表面承载用于接受所述蚀刻气体蚀刻的所述基板;
所述下电极的四个侧面均设有导流板,所述导流板平铺于所述下电极侧壁陶瓷保护片和所述反应腔侧壁之间,底部通过两侧的固定块进行支撑;一侧所述固定块通过多个螺丝锁固在所述下电极侧壁陶瓷保护片上,另一侧所述固定块通过多个螺丝锁固在所述反应腔侧壁;所述导流板通过多个螺丝固定在底部两侧的所述固定块上;
所述反应腔侧壁的固定块的侧边孔与所述螺丝的螺丝帽相接触的部位做裸铝处理;
所述螺丝的螺丝帽上均套设有氧化铝陶瓷帽。
进一步地,所述螺丝均采用不锈钢材质。
本实用新型的优点在于:本实用新型通过改造,去除导流板侧边条,反应腔侧壁的固定块在与螺丝的连接处做裸铝处理,并在螺丝帽上套设绝缘的氧化铝陶瓷,通过改造后的导流板和固定块将运行过程中产生的静电导出腔体本体。改造后有效降低电磁吸附电压异常波动的宕机率,并避免部件的损坏。
附图说明
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型中的反应腔侧壁的固定块结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,一种改良的干蚀刻机,包括:
反应腔1,供蚀刻气体对基板4进行干蚀刻反应;
上电极2,设于所述反应腔1内部的上方空间;
下电极3,设于所述反应腔1内部的下方空间并与所述上电极2相对设置,其上表面承载用于接受所述蚀刻气体蚀刻的所述基板4,其周边设有陶瓷保护片;
所述下电极3的四个侧面均设有导流板5,所述导流板5平铺于所述下电极3侧壁陶瓷保护片和所述反应腔侧壁11之间,底部通过两侧的固定块6进行支撑;一侧所述固定块6通过多个螺丝7锁固在所述下电极3侧壁陶瓷保护片上,另一侧所述固定块6通过多个螺丝锁固在所述反应腔侧壁11;所述导流板5通过多个螺丝7固定在底部两侧的所述固定块6上;
如图2所示,所述反应腔侧壁11的固定块6的侧边孔62与所述螺丝7的螺丝帽相接触的部位做裸铝处理(就是将固定块侧边孔周边的阳极氧化膜去除,将铝裸露出来);图2中虚线所示为电荷导出路径,可以看出,电荷到达反应腔侧壁11的固定块6时,通过侧边孔62的裸铝处再从螺丝7的螺杆导出;而固定块6上方的用于固定导流板5的侧边孔61无须做裸铝处理。
所述螺丝7的螺丝帽上均套设有氧化铝陶瓷帽。
所述螺丝7均采用不锈钢材质。
本实用新型通过改造,去除导流板侧边条,反应腔侧壁的固定块在与螺丝的连接处做裸铝处理,并在螺丝帽上套设绝缘的氧化铝陶瓷,通过改造后的导流板和固定块将运行过程中产生的静电导出腔体本体。改造后有效降低电磁吸附电压异常波动的宕机率,并避免部件的损坏。
上述实施例和图式并非限定本实用新型的产品形态和式样,任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰,皆应视为不脱离本实用新型的专利范畴。
Claims (2)
1.一种改良的干蚀刻机,包括:
反应腔,供蚀刻气体对基板进行干蚀刻反应;
上电极,设于所述反应腔内部的上方空间;
下电极,设于所述反应腔内部的下方空间并与所述上电极相对设置,其上表面承载用于接受所述蚀刻气体蚀刻的所述基板,其周边设有陶瓷保护片;
其特征在于:所述下电极的四个侧面均设有导流板,所述导流板平铺于所述下电极侧壁陶瓷保护片和所述反应腔侧壁之间,底部通过两侧的固定块进行支撑;一侧所述固定块通过多个螺丝锁固在所述下电极侧壁陶瓷保护片上,另一侧所述固定块通过多个螺丝锁固在所述反应腔侧壁;所述导流板通过多个螺丝固定在底部两侧的所述固定块上;
所述反应腔侧壁的固定块的侧边孔与所述螺丝的螺丝帽相接触的部位做裸铝处理;
所述螺丝的螺丝帽上均套设有氧化铝陶瓷帽。
2.如权利要求1所述的一种改良的干蚀刻机,其特征在于:所述螺丝均采用不锈钢材质。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202222826037.2U CN218735116U (zh) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 一种改良的干蚀刻机 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202222826037.2U CN218735116U (zh) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 一种改良的干蚀刻机 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN218735116U true CN218735116U (zh) | 2023-03-24 |
Family
ID=85590539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202222826037.2U Active CN218735116U (zh) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 一种改良的干蚀刻机 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN218735116U (zh) |
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2022
- 2022-10-26 CN CN202222826037.2U patent/CN218735116U/zh active Active
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