CN218724238U - 一种传感器调理电路及传感器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种传感器调理电路及传感器，涉及电子电路技术领域，用于调节振动MEMS芯片的输出频率响应，针对目前使用的振动MEMS芯片输出频率带宽过小的问题，提供了一种传感器调理电路，通过多阶低通滤波电路对振动MEMS芯片的输出信号进行调节，使得实际输出的频率响应相当于振动MEMS芯片的输出频率响应和多阶低通滤波电路的输出频率响应的叠加，所以通过选用合适的多阶低通滤波电路即可以调节振动MEMS芯片的输出频率响应、增大带宽，使同一振动MEMS芯片可以满足不同应用场景下的需要，无需更换或添加不同类型的振动MEMS芯片，提高了泛用性。

Description

一种传感器调理电路及传感器

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种传感器调理电路及传感器。

背景技术

微机电系统(MEMS)作为一种新兴技术，其最一般的形式可以定义为使用微加工技术制造的小型化机械和机电元件(即设备和结构)，通常基于芯片的形式实现。MEMS芯片凭借其结构紧凑、小巧等优点，被广泛地使用在各种领域中，例如一种较为常见的应用形式是作为检测敏感振动的振动传感器。

但是，由于大部分振动MEMS芯片的输出频率带宽小，不能适应于各种不同的输出需要。目前，主要通过选用不同型号的振动MEMS芯片，以针对性满足对输出频率响应的需要。当实际使用中需要的带宽比较大时，一个振动MEMS芯片就无法满足实际频率响应需求。

所以，现在本领域的技术人员亟需要一种传感器调理电路，解决目前在使用的振动MEMS芯片输出频率带宽过小，不能满足实际频率响应需求的问题。

实用新型内容

本申请的目的是提供一种传感器调理电路及传感器，用以解决目前在使用的振动MEMS芯片输出频率带宽过小，不能满足实际频率响应需求的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供一种传感器调理电路，包括：多阶低通滤波电路和电源电路；

多阶低通滤波电路的输入端与振动MEMS芯片的输出端连接；多阶低通滤波电路用于调节振动MEMS芯片的输出信号，使得实际输出的频率响应相当于振动MEMS芯片的输出频率响应和多阶低通滤波电路的输出频率响应的叠加；振动MEMS芯片用于检测振动；

电源电路与振动MEMS芯片和多阶低通滤波电路连接，用于进行供电。

优选的，还包括：V/I转换电路；

V/I转换电路的输入端与多阶低通滤波电路的输出端连接，用于将电压信号转换成电流信号；

V/I转换电路与电源电路连接。

优选的，还包括设置在振动MEMS芯片与多阶低通滤波电路之间的放大电路，放大电路用于调节振动MEMS芯片的输出，使其匹配多阶低通滤波电路；

放大电路与电源电路连接。

优选的，多阶低通滤波电路为三阶低通滤波电路。

优选的，三阶低通滤波电路为切比雪夫三阶低通滤波电路。

优选的，切比雪夫三阶低通滤波电路包括：第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容和第三电容；

第一电阻的第一端作为多阶低通滤波电路的输入端，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端和第一电容的第一端连接；

第一电容的第二端与第二电容的第二端和电源电路正极连接；

第二电阻的第二端与第三电阻的第一端和第三电容的第一端连接；

第三电阻的第二端与第二电容的第一端和运算放大器的同相输入端连接；

第三电容的第二端与运算放大器的输出端和第四电阻的第二端连接，运算放大器的输出端作为多阶低通滤波电路的输出端；

第四电阻的第一端与运算放大器的反向输入端和第五电阻的第一端连接；第五电阻的第二端接地。

优选的，V/I转换电路包括：第二运算放大器、第三运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻和第十二电阻；

第六电阻的第一端作为V/I转换电路的输入端，第六电阻的第二端与第七电阻的第一端和第二运算放大器的同相输入端连接；

第七电阻的第二端与第三运算放大器的反向输入端和输出端连接；

第二运算放大器的反向输入端通过第八电阻接地，并通过第九电阻与第二运算放大器的输出端连接，第二运算放大器的输出端通过并联的第十电阻和第十一电阻与第三运算放大器的同相输入端连接；

第三运算放大器的同相输入端与第十二电阻的第一端连接，第十二电阻的第二端作为V/I转换电路的输出端。

优选的，放大电路包括：第四运算放大器、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻和第四电容；

第四运算放大器的同相输入端作为放大电路的输入端，并通过第十三电阻与电源电路正极连接，第四运算放大器的反向输入端通过串联的第十四电阻和第十五电阻接地，第四运算放大器的输出端作为放大电路的输出端，并通过第十六电阻与第十四电阻和第十五电阻的公共端连接；

第四电容的第一端与第四运算放大器的同相输入端连接，第四电容的第二端与第十五电阻的接地端连接。

优选的，还包括：双向瞬变抑制二极管；

双向瞬变抑制二极管的一端与V/I转换电路的输出端连接、另一端接地，用于保护V/I转换电路的输出端接口。

为解决上述技术问题，本申请还提供一种传感器，包括上述的传感器调理电路和振动MEMS芯片。

本申请提供的一种传感器调理电路，通过多阶低通滤波电路对振动MEMS芯片的输出信号进行调节，使得实际输出的频率响应相当于振动MEMS芯片的输出频率响应和多阶低通滤波电路的输出频率响应的叠加，由于多阶低通滤波电路作为成熟的电路结构，具有许许多多不同频率响应的不同类型滤波器电路，所以通过选用合适的多阶低通滤波电路即可以调节振动MEMS芯片的输出频率响应、增大带宽，使同一振动MEMS芯片可以满足不同应用场景下的需要，无需更换或添加不同类型的振动MEMS芯片，提高了泛用性。

本申请提供的传感器，与上述传感器调理电路对应，效果同上。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种振动MEMS芯片的输出频率响应曲线图；

图2为一种振动MEMS芯片的另一输出频率响应曲线图；

图3为本实用新型提供的一种传感器调理电路的结构图；

图4为一种多阶低通滤波电路的输出频率响应曲线图；

图5为本实用新型提供的一种传感器调理电路的输出频率响应曲线图；

图6为本实用新型提供的一种传感器调理电路的另一输出频率响应曲线图；

图7为本实用新型提供的一种多阶低通滤波电路的电路图；

图8为本实用新型提供的一种V/I转换电路的电路图；

图9为本实用新型提供的一种放大电路的电路图；

图10为本实用新型提供的一种传感器调理电路的电路图。

其中，11为多阶低通滤波电路，12为电源电路，13为振动MEMS芯片，14为V/I转换电路，15为放大电路。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。

本申请的核心是提供一种传感器调理电路及传感器。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。

如今，对于一些细微的振动进行感知，需要通过敏感芯片实现的传感器进行检测，一种常见的实现方式即为使用振动MEMS芯片检测被测位置的细微振动。

但是，在振动MEMS芯片的实际应用中存在着一个无法避免的问题，振动MEMS芯片虽然输出的一致性稳定，但大部分振动MEMS芯片的输出频率响应较低，不能很好的满足实际应用中对于频率响应的需求。例如，在实际使用过程中，需要得到的输出信号频率在2kHz。而示例性的，一种振动MEMS芯片的频率响应曲线如图1所示，该振动MEMS芯片在-3dB(即半功率点或截止功率点)时，其频率为1.138kHz，不满足2kHz的输出。而该振动MEMS芯片输出频率为2kHz时，如图2所示，其增益达到了-6.808dB。由于在实际应用中，一般认为大于3dB的增益信号均不可信，所以此时振动MEMS芯片的输出不能满足实际应用的需求。

对于上述这种情况，目前通常采用更换不同型号的振动MEMS芯片以针对性满足输出频率响应的需要。但是由于振动MEMS芯片的带宽过低，面对稍有差别的应用场景可能都需要重新选用合适的振动MEMS芯片，成本高昂的同时，实施难度也非常大，不利于振动MEMS芯片的使用。

基于上述问题，本申请提供一种传感器调理电路，如图3所示，包括：多阶低通滤波电路11和电源电路12；

多阶低通滤波电路11的输入端与振动MEMS芯片13的输出端连接；多阶低通滤波电路11用于调节振动MEMS芯片13的输出信号，使得实际输出的频率响应相当于振动MEMS芯片13的输出频率响应和多阶低通滤波电路11的输出频率响应的叠加；振动MEMS芯片13用于检测振动；

电源电路12与振动MEMS芯片13和多阶低通滤波电路11连接，用于进行供电。

也即，本实施例通过级联的多阶低通滤波电路11调节振动MEMS芯片13的输出频率响应曲线，增大其输出频率响应的带宽，使振动MEMS芯片13可以应用在更广泛的应用场景中。

具体的，如上述图1、图2示例的振动MEMS芯片13，相搭配使用的多阶低通滤波电路11的输出频率响应曲线如图4所示。因此，图1、图2所示的振动MEMS芯片13和图4所示的多阶低通滤波电路11级联后，两者的输出频率响应曲线相当于进行叠加，如图5所示，振动MEMS芯片13输出频率响应的低带宽问题得到了一定改善。进一步的，对于级联后的输出频率响应，其3dB点如图6所示，频率达到了2.232kHz，满足了2kHz的实际应用需求，无需更换其他型号的振动MEMS芯片13，仅需使用原有的振动MEMS芯片13(即频率响应曲线如图1所示的振动MEMS芯片13)即可实现。节省了成本的同时也降低了敏感振动传感器使用及实施的复杂性，进一步提高了泛用性。

需要进行说明的是，本申请并未限制多阶低通滤波电路11的阶数以及所使用的振动MEMS芯片13的型号。本申请使用多阶低通滤波电路11的目的是为了通过级联的形式将多阶低通滤波电路11的频率响应曲线叠加到振动MEMS芯片13的频率响应曲线之上，从而得到满足实际应用的频率响应曲线。所以，多阶低通滤波电路11的阶数应根据实际实施中对频率响应曲线的要求以及所使用的振动MEMS芯片13的频率响应曲线进行选择。

还需要说明的是，电源电路12是用于为传感器调理电路其余部分电路供电的电路，可以内置电源也可由外部电源实现供电，考虑到本申请所提供的为一种传感器调理电路，通常采用外部电源作为电源输入。进一步的，电源电路12的结构及设计应为本领域技术人员所熟知的，包括但不限于：用于将外部电源电压转换成传感器调理电路其余电路部分所需工作电压的电压转换器、保护传感器调理电路不被损毁的电源保护电路等。本实施例对此不做限制，也不再赘述。

本申请所提供的一种传感器调理电路，通过将多阶低通滤波电路11级联在振动MEMS芯片13的输出端，使实际输出的频率响应曲线相当于振动MEMS芯片13的频率响应曲线和多节低通滤波电路的频率响应曲线的叠加，以实现对振动MEMS芯片13的输出频率响应进行调节的效果。通过选用合适的多阶低通滤波电路11，可以提升振动MEMS芯片13的频率响应，有效地解决振动MEMS芯片13输出频率响应带宽低的问题，于实际应用中使得一个振动MEMS芯片13可以应用在更多的应用场景之中，而不是通过更换其他型号的振动MEMS芯片13来满足实际应用需要，节省成本的同时也降低了敏感振动传感器设计和实施的难度。

如上述实施例所述，虽然本申请并未限制多阶低通滤波电路11的阶数，同样的，低通滤波电路又分为很多类型，常见的有巴特沃斯型和切比雪夫型，本实施例同样对多阶低通滤波电路11的类型也不做限制。但考虑到实际应用中的一般情况，本实施例提供一种优选的实施方案：

多阶低通滤波电路11为三阶低通滤波电路。

在此实施例的基础上进一步的，三阶低通滤波电路的一种可能的实施方式又可以为切比雪夫三阶低通滤波电路。

切比雪夫型低通滤波电路在过渡带比巴特沃斯型低通滤波电路的衰减更快，更好地满足传感器调理电路对振动MEMS芯片13的频率响应曲线的调理需求。

对于上述的切比雪夫三阶低通滤波电路，本实施例提供一种可能的电路结构，如图7所示，包括：第一运算放大器NIA、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3；

第一电阻R1的第一端作为多阶低通滤波电路11的输入端，第一电阻R1的第二端与第二电阻R2的第一端和第一电容C1的第一端连接；

第一电容C1的第二端与第二电容C2的第二端和电源电路12正极连接；

第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端和第三电容C3的第一端连接；

第三电阻R3的第二端与第二电容C2的第一端和第一运算放大器NIA的同相输入端连接；

第三电容C3的第二端与第一运算放大器NIA的输出端和第四电阻R4的第二端连接，第一运算放大器NIA的输出端作为多阶低通滤波电路11的输出端；

第四电阻R4的第一端与第一运算放大器NIA的反向输入端和第五电阻R5的第一端连接；第五电阻R5的第二端接地。

需要说明的是，对于上述组成切比雪夫三阶低通滤波电路的各个电气元件具体的电气参数本实施例不做限制，应根据实际的频率响应需要而定，选用不同电气参数的电气元件组成的切比雪夫三阶低通滤波电路拥有不同的频率响应曲线，适应于不同应用场景下调理振动MEMS芯片13输出的需要。如图4所示的一种频率响应曲线图，即为本实施例所使用的切比雪夫三阶低通滤波电路的一种可能的实施方式下对应的频率响应曲线。

本实施例提供了多阶低通滤波电路11的优选方案，多阶低通滤波电路11具体可以为三阶低通滤波电路，由于低通滤波电路的不同阶数主要影响其过渡带的长短，低通滤波电路的阶数每增加一阶，其过渡带的斜率增加20dB/十倍频程，综合考虑确定三阶的低通滤波电路更贴合实际振动MEMS芯片13输出频率响应调节的需要。此外，进一步优选三阶低通滤波电路为切比雪夫三阶低通滤波电路也是基于相同的思路，切比雪夫型相比于另一常用的巴特沃斯型，低通滤波电路在过渡带的衰减更快，更符合实际应用中的调节需求。通过本实施例所提供的优选方案，可以更好地保证对振动MEMS芯片13输出频率响应的调节效果，提升其输出频率响应，满足实际需要。

由上述实施例可知，为实现对振动MEMS芯片13输出频率响应的调节，多阶低通滤波电路11是必须的，此外还有用于为传感器调理电路其余电路部分供电的电源电路12。但上述实施例并未限制传感器调理电路中仅包含上述电路，在实际应用中根据使用需要，可以先传感器调理电路中添加更多的电路或器件。

具体的，考虑到在实际的敏感振动检测应用中，振动信号通常是以电流信号的形式被信号处理器件所接收和处理，进而或者当前振动情况，而振动MEMS芯片13的输出信号则是以电压信号的方式存在，所以，本实施例在上述实施例的基础上，还提供一种优选的实施方案，如图3所示，上述的传感器调理电路还包括：电压/电流(V/I)转换电路14；

V/I转换电路14的输入端与多阶低通滤波电路11的输出端连接，用于将电压信号转换成电流信号；V/I转换电路14与电源电路12连接，由电源电路12供电。

进一步的，本实施例也提供一种V/I转换电路14的可能的电路结构，如图8所示，V/I转换电路14包括：第二运算放大器NIB、第三运算放大器NIC、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11和第十二电阻R12；

第六电阻R6的第一端作为V/I转换电路14的输入端，第六电阻R6的第二端与第七电阻R7的第一端和第二运算放大器NIB的同相输入端连接；

第七电阻R7的第二端与第三运算放大器NIC的反向输入端和输出端连接；

第二运算放大器NIB的反向输入端通过第八电阻R8接地，并通过第九电阻R9与第二运算放大器NIB的输出端连接，第二运算放大器NIB的输出端通过并联的第十电阻R10和第十一电阻R11与第三运算放大器NIC的同相输入端连接；

第三运算放大器NIC的同相输入端与第十二电阻R12的第一端连接，第十二电阻R12的第二端作为V/I转换电路14的输出端。

经由本实施例所提供的一种优选方案，传感器调理电路还包括了用于将振动MEMS芯片13输出的电压信号转换成电流信号的形式，以进行输出，使得用于接收振动传感器反馈的振动信号以进行后续的数据处理的装置或设备可以直接接收并处理。基于此，包含上述实施例的传感器调理电路可以集成到电路板并装入壳体内部，成为一种检测敏感振动的传感器，应用在实际场景中。

进一步的，V/I转换电路14的输出端也即为整个敏感振动传感器的输出端，用于与外部设备相连，所以，本实施例基于此还提供一种优选的实施方案，上述的V/I转换电路14还包括：双向瞬变抑制二极管RV1；

双向瞬变抑制二极管RV1的一端与V/I转换电路14的输出端连接、另一端接地，用于保护V/I转换电路14的输出端接口。

也即，本实施例在V/I转换电路14的输出端额外添加的双向瞬变抑制二极管RV1，其目的是为了实现接口保护，进一步保证传感器调理电路的安全性。

本实施例提供了一种V/I转换电路14及其具体电路结构，用于将振动MEMS芯片13输出的电压信号转换成电流信号的形式，便于直接被接收敏感振动传感器返回信息的数据处理设备或装置所利用，令整个传感器调理电路更加完整，也有利于实际应用。进一步，在V/I转换电路14的输出端还添加有双向瞬变抑制二极管RV1，用以实现接口保护，保护作为敏感振动传感器与外部设备连接的输出端口，进一步提高安全性。

在上述实施例中，无论是多阶低通滤波电路11还是V/I转换电路14，其所使用的电气元件的电气参数都需根据实际需要调整，以匹配振动MEMS芯片13，那么基于上述角度出发，如图3所示，本实施例还提供一种优选的实施方案，上述的传感器调理电路还包括：

设置在振动MEMS芯片13与多阶低通滤波电路11之间的放大电路15，放大电路15用于调节振动MEMS芯片13的输出，使其匹配多阶低通滤波电路11；

放大电路15与电源电路12连接，由电源电路12供电。

本实施例所提供的一种放大电路15是为了调节振动MEMS芯片13的工作点电压，使其匹配后续级联的多阶低通滤波电路11，实现输出频率响应的调理，进而以符合实际实施需要，故本实施例的放大电路15就作用而言，也可称为工作点移位电路，其目的是为了使振动MEMS芯片13的工作点与多阶低通滤波电路11所匹配，若两者本身工作点就是匹配的，则无需使用本实施例提供的放大电路15。

进一步的，针对上述的放大电路15，本实施例也提供一种可能的电路结构实施方案，如图9所示，放大电路15包括：第四运算放大器NID、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16和第四电容C4；

第四运算放大器NID的同相输入端作为放大电路15的输入端，并通过第十三电阻R13与电源电路12正极连接，第四运算放大器NID的反向输入端通过串联的第十四电阻R14和第十五电阻R15接地，第四运算放大器NID的输出端作为放大电路15的输出端，并通过第十六电阻R16与第十四电阻R14和第十五电阻R15的公共端连接；

第四电容C4的第一端与第四运算放大器NID的同相输入端连接，第四电容C4的第二端与第十五电阻R15的接地端连接。

本实施例所提供的一种放大电路15及其电路结构，用于调节振动MEMS芯片13的工作点，从而使其匹配后续级联的多阶低通滤波电路11，有利于更好地保证输出频率响应的调节效果。同时，也使得多阶低通滤波电路11在设计之时仅需考虑输出频率响应曲线的调节要求，而不同担心是否与振动MEMS芯片13的工作点是否匹配，一方面降低了实施难度，一方面也为多阶低通滤波电路11的实施提供了更多可能。并且，在部分特定的应用场景下，可能也会出现无法找到既满足频率响应曲线调节需求，又匹配工作点的多阶低通滤波电路11，而本实施例所提供的优选方案则可以有效地解决这一问题，进一步保证传感器调理电路调节振动MEMS芯片13输出频率响应效果的实现。

在上述实施例中，对于一种传感器调理电路进行了详细描述，本申请还提供一种传感器对应的实施例，传感器包括上述的传感器调理电路和振动MEMS芯片，振动MEMS芯片与传感器调理电路级联，用于调节输出频率响应曲线以满足实际实施需求。一种综合上述传感器调理电路各优选实施例的电路结构则如图10所示，由于传感器部分的实施例与上述传感器调理电路部分的实施例相互对应，因此传感器部分的实施例请参见传感器调理电路部分的实施例的描述，这里暂不赘述。

以上对本申请所提供的一种传感器调理电路及传感器进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种传感器调理电路，其特征在于，包括：多阶低通滤波电路(11)和电源电路(12)；

所述多阶低通滤波电路(11)的输入端与振动MEMS芯片(13)的输出端连接；所述多阶低通滤波电路(11)用于调节所述振动MEMS芯片(13)的输出信号，使得实际输出的频率响应相当于所述振动MEMS芯片(13)的输出频率响应和所述多阶低通滤波电路(11)的输出频率响应的叠加；所述振动MEMS芯片(13)用于检测振动；

所述电源电路(12)与所述振动MEMS芯片(13)和所述多阶低通滤波电路(11)连接，用于进行供电。

2.根据权利要求1所述的传感器调理电路，其特征在于，还包括：V/I转换电路(14)；

所述V/I转换电路(14)的输入端与所述多阶低通滤波电路(11)的输出端连接，用于将电压信号转换成电流信号；

所述V/I转换电路(14)与所述电源电路(12)连接。

3.根据权利要求1所述的传感器调理电路，其特征在于，还包括设置在所述振动MEMS芯片(13)与所述多阶低通滤波电路(11)之间的放大电路(15)，所述放大电路(15)用于调节所述振动MEMS芯片(13)的输出，使其匹配所述多阶低通滤波电路(11)；

所述放大电路(15)与所述电源电路(12)连接。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的传感器调理电路，其特征在于，所述多阶低通滤波电路(11)为三阶低通滤波电路。

5.根据权利要求4所述的传感器调理电路，其特征在于，所述三阶低通滤波电路为切比雪夫三阶低通滤波电路。

6.根据权利要求5所述的传感器调理电路，其特征在于，所述切比雪夫三阶低通滤波电路包括：第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容和第三电容；

所述第一电阻的第一端作为所述多阶低通滤波电路(11)的输入端，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接；

所述第一电容的第二端与所述第二电容的第二端和所述电源电路(12)正极连接；

所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端和所述第三电容的第一端连接；

所述第三电阻的第二端与所述第二电容的第一端和所述第一运算放大器的同相输入端连接；

所述第三电容的第二端与所述第一运算放大器的输出端和所述第四电阻的第二端连接，所述第一运算放大器的输出端作为所述多阶低通滤波电路(11)的输出端；

所述第四电阻的第一端与所述第一运算放大器的反向输入端和所述第五电阻的第一端连接；所述第五电阻的第二端接地。

7.根据权利要求2所述的传感器调理电路，其特征在于，所述V/I转换电路(14)包括：第二运算放大器、第三运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻和第十二电阻；

所述第六电阻的第一端作为所述V/I转换电路(14)的输入端，所述第六电阻的第二端与所述第七电阻的第一端和所述第二运算放大器的同相输入端连接；

所述第七电阻的第二端与所述第三运算放大器的反向输入端和输出端连接；

所述第二运算放大器的反向输入端通过所述第八电阻接地，并通过所述第九电阻与所述第二运算放大器的输出端连接，所述第二运算放大器的输出端通过并联的第十电阻和第十一电阻与所述第三运算放大器的同相输入端连接；

所述第三运算放大器的同相输入端与所述第十二电阻的第一端连接，所述第十二电阻的第二端作为所述V/I转换电路(14)的输出端。

8.根据权利要求3所述的传感器调理电路，其特征在于，所述放大电路(15)包括：第四运算放大器、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻和第四电容；

所述第四运算放大器的同相输入端作为所述放大电路(15)的输入端，并通过所述第十三电阻与所述电源电路(12)正极连接，所述第四运算放大器的反向输入端通过串联的所述第十四电阻和所述第十五电阻接地，所述第四运算放大器的输出端作为所述放大电路(15)的输出端，并通过所述第十六电阻与所述第十四电阻和所述第十五电阻的公共端连接；

所述第四电容的第一端与所述第四运算放大器的同相输入端连接，所述第四电容的第二端与所述第十五电阻的接地端连接。

9.根据权利要求7所述的传感器调理电路，其特征在于，还包括：双向瞬变抑制二极管；

所述双向瞬变抑制二极管的一端与所述V/I转换电路(14)的输出端连接、另一端接地，用于保护所述V/I转换电路(14)的输出端接口。

10.一种传感器，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的传感器调理电路和振动MEMS芯片(13)。

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