CN218676065U - 卡 - Google Patents

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CN218676065U CN202220782076.4U CN202220782076U CN218676065U CN 218676065 U CN218676065 U CN 218676065U CN 202220782076 U CN202220782076 U CN 202220782076U CN 218676065 U CN218676065 U CN 218676065U
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Abstract

本申请提供一种卡，包括卡体和卡接口，卡体包括存储卡电路和SIM卡电路，卡接口固定于卡体，存储卡电路和SIM卡电路通过卡接口的十个金手指传输信号，十个金手指露出于卡体的同一侧。上述卡兼容Nano SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度，能够减少电子设备的卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化。

Description

卡
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种卡。
背景技术
随着电子设备产品的发展，电子设备内需要设置多张信息卡，以满足其功能性的需求。以手机为例，通常手机内需要设置客户识别模块(Subscriber IdentificationModule，SIM)卡及存储卡等。各类信息卡均需要对应的卡座组件与之相匹配，因此，电子设备内通常需要设置多个卡座组件，导致卡座组件的占板面积需求在变大，占用了电子设备内部的空间，严重制约了电子设备轻薄化的发展。
实用新型内容
本申请提供一种卡，该卡兼容Nano SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。此外，当电子设备设置适配该卡的卡座组件时，一个卡座组件即可满足电子设备的插卡需求，从而减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化。
第一方面，本申请提供一种卡。该卡为信息卡。卡包括卡体和卡接口，卡体包括存储卡电路和SIM卡电路，该卡可以为二合一卡。卡接口固定于卡体，存储卡电路和SIM卡电路通过卡接口的十个金手指传输信号，十个金手指露出于卡体的同一侧。
在本申请中，卡通过十个金手指实现SIM卡电路的信号传输和存储卡电路的信号传输，使得卡能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接卡时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
一些可能的实现方式中，十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的其中一个信号。
在本实现方式中，由于卡的SIM卡电路的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，当SIM卡的复位信号和存储卡的其中一个信号复用同一个金手指时，可以通过分时复用的方式充分利用该金手指进行信号传输，从而提高卡的工作效率。
一些可能的实现方式中，卡还包括切换电路，切换电路连接SIM卡电路的复位接口和存储卡电路的其中一个接口，切换电路还连接十个金手指中的其中一个金手指。切换电路用于检测金手指传输的信号并实现对应切换。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持EMMC接口协议；十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的命令和响应信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指；
第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号，第五金手指用于传输存储卡的时钟信号，第六金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的命令和响应信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
在本实现方式中，卡通过第一金手指至第十金手指实现SIM卡电路的信号传输和存储卡电路的信号传输，使得卡能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接卡时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指为存储卡电路的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低卡的内部电路设计难度，易实现。
此外，第三金手指、第四金手指及第五金手指也为SIM卡电路或存储卡电路独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得卡的内部电路设计难度低，易实现。
在本实现方式中，卡通过切换电路实现两路信号的传输切换，使得SIM卡的复位信号和存储卡电路的命令和响应信号均能够通过第六金手指实现传输，使得卡的卡接口的集成度高，且与SIM卡电路的接口及存储卡电路的接口的连接电路切换难度低，易实现，使得卡的可靠性高。
其中，由于SIM卡的复位信号不是常用信号，切换电路的默认状态可以设为导通第六金手指与存储卡电路的命令和响应复用接口，第六金手指与SIM卡电路的复位接口处于断开状态。
示例性的，SIM卡电路和存储卡电路均通过第七金手指传输地信号，通过第八金手指传输电源信号，卡可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高卡的卡接口的集成度，并且内部电路设计难度低，使得卡的可靠性高，成本低。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持EMMC接口协议；十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的命令和响应信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指；
第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号，第五金手指用于传输存储卡的命令和响应信号，第六金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的时钟信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持UFS接口协议或PCIE接口协议；十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号,其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的参考时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指。
第五金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号，第六金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的参考时钟信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；第一金手指和第二金手指中的一者用于传输存储卡的数据信号，另一者用于传输存储卡的第二电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号或参考时钟信号。
在本实现方式中，卡可以通过同一个金手指实现存储卡的参考时钟信号和SIM卡电路的时钟接口的复用，使得卡的卡接口的集成度高，并且金手指无需进行连接电路切换，卡的实现难度低，易实现，使得卡的可靠性高。
一些可能的实现方式中，卡还包括分频器，分频器连接SIM卡电路的时钟接口，还连接存储卡电路的时钟接口或参考时钟接口，还连接十个金手指中的其中一个金手指。此时，通过设置分频器，使得某一金手指传输的初始的时钟信号可以为存储卡的参考时钟信号，存储卡的参考时钟信号直接传输给存储卡电路的参考时钟接口，分频器对存储卡的参考时钟信号进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号，而后将SIM卡的时钟信号传输给SIM卡电路时钟接口。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持EMMC接口协议；十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的命令和响应信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指；
第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号，第五金手指用于传输存储卡的命令和响应信号，第六金手指用于传输SIM卡的复位信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持UFS接口协议或PCIE接口协议；十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的参考时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指；
第五金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的参考时钟信号，第六金手指用于传输SIM卡的复位信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；第一金手指和第二金手指中的一者用于传输存储卡的数据信号，另一者用于传输存储卡的第二电源信号。
一些可能的实现方式中，卡还包括电压调节器，十个金手指中的其中一个金手指连接SIM卡电路的电源接口，还连接存储卡电路的第一电源接口，还通过电压调节器连接存储卡电路的第二电源接口。
在本实现方式中，由于存储卡的第二电源信号可以通过存储卡的第一电源信号调压获得，因此无需通过单独的金手指进行数据传输，从而节约卡的卡接口的金手指数量，提高了卡接口的集成度，并且卡内部的电路结构简单，易实现。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持UFS接口协议或PCIE接口协议；十个金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指。
第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；第五金手指和第六金手指中的一者用于传输存储卡的参考时钟信号，另一者用于传输SIM卡的复位信号。
一些可能的实现方式中，存储卡电路支持PCIE接口协议，十个金手指中的其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号和存储卡的第二电源信号。
在本实现方式中，由于存储卡的参考时钟信号和存储卡的第二电源信号通过同一个金手指传输，节约了卡的卡接口的金手指数量，提高了卡接口的集成度，并且卡内部的电路结构简单，易实现。
一些可能的实现方式中，卡还包括分离电路，存储卡电路的参考时钟接口和第二电源接口连接分离电路，分离电路还连接十个金手指中的其中一个金手指。分离电路用于将金手指传输的信号分离出存储卡的参考时钟信号并传输至存储卡电路的参考时钟接口，还用于将金手指传输的信号分离出存储卡的第二电源信号并传输至存储卡电路的第二电源接口。
一些可能的实现方式中，十个金手指阵列排布，十个金手指沿卡的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，第一列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第一金手指、第三金手指、第五金手指、第七金手指及第九金手指，第二列金手指包括沿卡的宽度方向排布的第二金手指、第四金手指、第六金手指、第八金手指及第十金手指。
第一金手指、第二金手指、第九金手指及第十金手指用于传输存储卡的数据信号，第三金手指用于传输SIM卡的数据信号，第四金手指用于传输SIM卡的时钟信号，第七金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，第八金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；第五金手指和第六金手指中的一者用于传输存储卡的参考时钟信号和存储卡的第二电源信号，另一者用于传输SIM卡的复位信号。
一些可能的实现方式中，卡的卡体的尺寸与Nano SIM卡的卡体的尺寸相同；第三金手指与Nano SIM卡的第一金手指位置对应；第四金手指与Nano SIM卡的第二金手指位置对应；第五金手指与Nano SIM卡的第三金手指位置对应；第六金手指与Nano SIM卡的第四金手指位置对应；第七金手指与Nano SIM卡的第五金手指位置对应；第八金手指与NanoSIM卡的第六金手指位置对应。
在本实现方式中，卡的卡体的尺寸与Nano SIM卡的卡体的尺寸相同，且卡的第三金手指至第八金手指一一对应地与Nano SIM卡的第一金手指至第六金手指位置对应，使得存储卡能够很好地插接于兼容Nano SIM卡的卡座组件。
一些可能的实现方式中，卡和Nano SIM卡能够安装于同一个卡座组件，卡座组件的卡连接器包括呈阵列排布的第一弹片至第十弹片。
当卡安装于卡座组件时，第三金手指电连接卡连接器的第三弹片，第四金手指电连接卡连接器的第四弹片，第五金手指电连接卡连接器的第五弹片，第六金手指电连接卡连接器的第六弹片，第七金手指电连接卡连接器的第七弹片，第八金手指电连接卡连接器的第八弹片。
当Nano SIM卡安装于卡座组件时，Nano SIM卡的第一金手指电连接卡连接器的第三弹片，Nano SIM卡的第二金手指电连接卡连接器的第四弹片，Nano SIM卡的第三金手指电连接卡连接器的第五弹片，Nano SIM卡的第四金手指电连接卡连接器的第六弹片，NanoSIM卡的第五金手指电连接卡连接器的第七弹片，Nano SIM卡的第六金手指电连接卡连接器的第八弹片。
一些可能的实现方式中，卡的卡体包括第一边、第二边、第三边和第四边，第一边和第三边相对设置并沿卡的长度方向延伸，第二边和第四边相对设置并沿卡的宽度方向延伸，第二边与第四边的间距大于第一边与第三边的间距；卡的卡体的一个角为切角，切角设置于第一边与第二边之间；第一列金手指位于第二边与第二列金手指之间，第一金手指位于第一边与第三金手指之间，第二金手指位于第一边与第四金手指之间。
一些可能的实现方式中，十个金手指沿卡的宽度方向排布成第一排金手指至第五排金手指；第二排金手指与第三排金手指的中心间距大于第一排金手指与第二排金手指的中心间距，且大于第四排金手指与第五排金手指的中心间距；第三排金手指与第四排金手指的中心间距大于第一排金手指与第二排金手指的中心间距，且大于第四排金手指与第五排金手指的中心间距。
在本实现方式中，卡的十个金手指通过设置其排布方式和中心间距，从而插接兼容Nano SIM卡的卡座组件，以减少电子设备的卡座组件数量，有利于电子设备的轻薄化。
一些可能的实现方式中，第二排金手指与第三排金手指的中心间距在1.5mm至2.8mm的范围内，第三排金手指与第四排金手指的中心间距在1.5mm至2.8mm的范围内，第一排金手指与第二排金手指的中心间距在1.0mm至1.7mm的范围内，第四排金手指与第五排金手指的中心间距在1.0mm至1.7mm的范围内。
在本实现方式中，卡在插接兼容Nano SIM卡的卡座组件时，卡的十个金手指间发生短路的风险较低，卡与卡座组件的电连接关系可靠。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
图2是图1所示卡座组件在一些使用状态中的结构示意图；
图3是图2所示卡座的分解结构示意图；
图4是图2所示卡托在另一角度的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的一种卡连接器的结构示意图；
图6是图5所示卡连接器在另一个角度的结构示意图一；
图7是图6所示卡连接器的导电体的结构示意图；
图8是图6所示卡连接器的A处结构的内部结构示意图；
图9是图5所示卡连接器在另一角度的结构示意图二；
图10是本申请实施例提供的一种Nano SIM卡的示意框图；
图11是图10所示Nano SIM卡在一些实施例中的结构示意图；
图12是图11所示Nano SIM卡与图5所示卡连接器连接时的结构示意图；
图13是本申请实施例提供的一种第一NM卡的示意框图；
图14是图13所示第一NM卡在一些实施例中的结构示意图；
图15是图14所示第一NM卡与图5所示卡连接器连接时的结构示意图；
图16是本申请实施例提供的一种二合一卡的示意框图；
图17是图16所示二合一卡在一些实施例中的结构示意图；
图18是图17所示二合一卡与图5所示卡连接器连接时的结构示意图；
图19是图17所示二合一卡在一些实施例中的尺寸图；
图20A是图16所示二合一卡在另一些实施例中的尺寸图；
图20B是图20A所示二合一卡的另一尺寸图；
图21是图16所示二合一卡在另一些实施例中的尺寸图；
图22是图16所示二合一卡在另一些实施例中的尺寸图；
图23是图17所示二合一卡在一些实施例中的示意图；
图24A是图23所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图24B是本申请实施例提供的电子设备在一些实施例中的部分电路结构示意图；
图25是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图26A是图25所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图26B是本申请实施例提供的电子设备在另一些实施例中的部分电路结构示意图；
图27是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图28A是图27所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图28B是本申请实施例提供的电子设备在另一些实施例中的部分电路结构示意图；
图29是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图30是图29所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图31是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图32是图31所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图33是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图34是图33所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图35是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图36是图35所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图37是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图38是图37所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图；
图39是图17所示二合一卡在另一些实施例中的示意图；
图40是图39所示二合一卡与一种电子设备的连接电路示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本申请实施例中的技术方案进行描述。其中，在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“/”表示或的意思，例如，A/B可以表示A或B；文本中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况；文本中的“至少部分”包括“部分”和“全部”两种情况；文本中的“多个”是指两个或多于两个，“多张”是指两张或多于两张。
以下，术语“第一”、“第二”等用词仅用于描述目的，而不能理解为暗示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
本申请实施例中所提到的方位用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”、“顶”、“底”等，仅是参考附图的方向，因此，使用的方位用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请实施例，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置在……上”应做广义理解，例如，“连接”可以是可拆卸地连接，也可以是不可拆卸地连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。其中，电子设备100可以是手机、平板、智能穿戴设备等电子产品，本申请实施例以电子设备100是手机为例进行示意。
一些实施例中，电子设备100可以包括卡座组件10、处理器20、壳体30、显示屏40及电路板50。其中，显示屏40可以安装于壳体30，显示屏40用于显示图像、视频等。电路板50安装于壳体30的内侧，处理器20可以固定于电路板50且电连接电路板50。卡座组件10包括卡座1和卡托2。卡座1可以安装于壳体30的内侧，卡座1还可以固定连接电路板50，且与电路板50电连接。处理器20可以通过电路板50电连接卡座1。卡托2可拆卸地插接卡座1。卡托2用于安装一张或多张信息卡，卡托2可以携带信息卡插入卡座1，以使信息卡插接卡座组件10，信息卡与电子设备100实现通信。
示例性的，信息卡可以为Nano SIM(subscriber identification module，用户标识模块)卡、Nano存储卡或Nano二合一卡。Nano SIM卡也称为4FF卡，如ETSI TS 102221V11.0.0规范的、卡体的尺寸为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm的SIM卡。用户可以在卡座组件10中插入Nano SIM卡，Nano SIM卡与处理器20通信，电子设备100通过NanoSIM卡和网络交互，实现通话以及数据通信等功能。Nano存储卡也可以简称为NM(nanomemory，nano存储)卡。用户也可以在卡座组件10中插入NM卡，NM卡与处理器20通信，实现数据存储功能。例如可以将音乐、视频等文件保存在NM卡中。Nano二合一卡可以包括SIM卡电路和存储卡电路，SIM卡电路用于支持通话以及数据通信等功能，存储卡电路用于支持数据存储功能。用户也可以在卡座组件10中插入Nano二合一卡，Nano二合一卡与处理器20通信，实现通话、数据通信及数据存储等功能。
一些实施例中，电子设备100还可以包括内部存储器、通用串行总线(universalserial bus，USB)接口、充电管理模块、电源管理模块、电池、天线、移动通信模块、无线通信模块、音频模块、扬声器、受话器、麦克风、耳机接口、传感器模块、按键、马达、指示器以及摄像头等中的一者或多者。在其他一些实施例中，电子设备100可以具有比上述方案更多的或者更少的部件，可以组合两个或多个的部件，或者可以具有不同的部件配置。上述各种部件可以在包括一个或多个信号处理和/或专用集成电路在内的硬件、软件、或硬件和软件的组合中实现。
在一些实施例中，处理器可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器可以包括应用处理器(application processor，AP)、调制解调处理器、图形处理器(graphicsprocessing unit，GPU)、图像信号处理器(image signal processor，ISP)、控制器、存储器、视频编解码器、数字信号处理器(digital signal processor，DSP)、基带处理器、神经网络处理器(neural-network processing unit，NPU)等中的一者或多者，本申请实施例对此不作严格限定。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器中。其中，处理器还可以包括一个或多个接口，处理器可以通过一个或多个接口与电子设备的其他部件通信。
在一些实施例中，处理器20可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器20可以包括应用处理器(application processor，AP)、调制解调处理器、图形处理器(graphicsprocessing unit，GPU)、图像信号处理器(image signal processor，ISP)、控制器、存储器、视频编解码器、数字信号处理器(digital signal processor，DSP)、基带处理器、神经网络处理器(neural-network processing unit，NPU)等中的一者或多者，本申请实施例对此不作严格限定。其中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个处理器20中。其中，处理器20还可以包括一个或多个接口，处理器20可以通过一个或多个接口与电子设备100的其他部件通信。
请结合参阅图2至图4，图2是图1所示卡座组件10在一些使用状态中的结构示意图，图3是图2所示卡座1的分解结构示意图，图4是图2所示卡托2在另一角度的结构示意图。
一些实施例中，卡座1可以包括座体12、第一卡连接器13、第二卡连接器14、顶出组件15及插入检测弹片16。其中，座体12大体呈罩体形状，座体12包括顶板121及连接顶板121的多个侧板122，顶板121及多个侧板122共同围设出座体12的内侧空间123。第一卡连接器13位于座体12的内侧空间123且固定连接座体12，第一卡连接器13与顶板121相对设置。第二卡连接器14的结构与第一卡连接器13的结构可以相同或不同。第二卡连接器14位于座体12的内侧空间123，第二卡连接器14位于第一卡连接器13背向顶板121的一侧，第二卡连接器14与第一卡连接器13相对设置，第二卡连接器14与第一卡连接器13之间形成间隙。第一卡连接器13、第二卡连接器14及座体12的侧板122共同围设出卡座1的卡槽17。其中，卡槽17的一端敞开、形成开口，卡槽17的另一端形成卡槽17的底部。
其中，卡座1安装于电子设备100中时，多个侧板122的远离顶板121的端部固定至电子设备100的电路板50。第一卡连接器13的多个焊脚固定连接且电连接电路板50，使得第一卡连接器13能够电连接至电子设备100的处理器20。第二卡连接器14可以固定连接电路板50，以通过电路板50固定连接座体12。或者，第二卡连接器14也可以直接固定连接座体12。第二卡连接器14的多个焊脚固定连接且电连接电路板50，使得第二卡连接器14能够电连接至电子设备100的处理器20。
其中，卡托2可以具有相背设置的第一安装槽21和第二安装槽22，第一安装槽21的开口和第二安装槽22的开口分别位于卡托2的两侧表面。第一安装槽21和第二安装槽22均用于安装信息卡。例如图2和图4中，两张信息卡可以分别安装于第一安装槽21和第二安装槽22。其中，第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸可以相同或相近，安装于第一安装槽21和第二安装槽22的两张信息卡的卡体的尺寸相同。在其他一些实施例中，第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸也可以不同，安装于第一安装槽21和第二安装槽22的两张信息卡的卡体的尺寸不同。
第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸与对应的信息卡的卡体的尺寸相适配，例如，第一安装槽21和第二安装槽22的开槽尺寸可以略大于对应的信息卡的卡体的尺寸，但尺寸相差不大，使得信息卡可以顺利装入第一安装槽21和第二安装槽22中，且安装位置较为稳定。
其中，卡托2可以单独、或者携带信息卡，经卡槽17的开口插入卡槽17中。卡托2和/或信息卡插入卡槽17的方向(也即插卡方向)为卡槽17的开口向卡槽17的底部的方向。卡槽17的尺寸与卡托2的尺寸相适配，例如，卡槽17的尺寸可以略大于卡托2的尺寸但两者相差不大，卡托2与卡槽17的槽壁之间具有一定的配合间隙，使得卡托2可以顺利插入卡槽17，且能够稳定安装于卡槽17中。卡托2携带信息卡插入卡槽17时，安装于卡托2的信息卡电连接第一卡连接器13或第二卡连接器14，以电连接电子设备100。
其中，顶出组件15可以安装于座体12和/或第一卡连接器13。卡托2插入卡槽17时，用户可以通过控制顶出组件15，使得顶出组件15将卡托2部分顶出卡槽17，以便于用户取下卡托2。示例性的，插入检测弹片16可以安装于第一卡连接器13，且电连接电路板50。插入检测弹片16可以至少部分位于卡槽17的底部。插入检测弹片16可以用于检测卡托2是否插入卡槽17。
在其他一些实施例中，卡座1也可以设置一个卡连接器，卡座组件10用于安装一张信息卡，卡托2的结构做适应性调整。在其他一些实施例中，卡座1也可以设有三个或更多个的卡连接器，使得卡座组件10能够用于安装三张以上的信息卡，卡托2的结构做适应性调整。本申请实施例对卡座1的卡连接器的数量、位置、卡托2的具体结构等不作严格限定。
在其他一些实施例中，卡座1也可以设置有不同于图示结构的顶出组件15和/或插入检测弹片16。在其他一些实施例中，卡座组件10可以包括比上述实施例更多的或更少的部件，本申请实施例对此不作严格限定。
请结合参阅图5和图6，图5是本申请实施例提供的一种卡连接器11的结构示意图，图6是图5所示卡连接器11在另一个角度的结构示意图一。示例性的，图5所示卡连接器11可以应用于图3所示卡座1中，作为第一卡连接器13和/或第二卡连接器14使用。
本申请实施例提供一种卡连接器11，卡连接器11可以应用于电子设备100的卡座1，卡连接器11用于连接信息卡。其中，卡连接器11包括多个弹片，卡连接器11连接信息卡时，弹片抵持信息卡。
一些实施例中，卡连接器11包括阵列排布的十个弹片，十个弹片彼此间隔。十个弹片可以大致排布成2×5的阵列结构。例如，十个弹片沿第一方向排布成第一排弹片至第五排弹片，沿第二方向排布成第一列弹片和第二列弹片。第一列弹片包括沿第一方向排布的第一弹片11a、第三弹片11c、第五弹片11e、第七弹片11g及第九弹片11i，第二列弹片包括沿第一方向排布的第二弹片11b、第四弹片11d、第六弹片11f、第八弹片11h及第十弹片11j。第一弹片11a和第二弹片11b位于第一排弹片，第三弹片11c和第四弹片11d位于第二排弹片，第五弹片11e和第六弹片11f位于第三排弹片，第七弹片11g和第八弹片11h位于第四排弹片，第九弹片11i和第十弹片11j位于第五排弹片。
其中，多个弹片沿第一方向成列排布时，位于同一列的多个弹片的中心点(也即弹片的用于抵持信息卡的部分的中心点)可以在第一方向上对齐，也可以不对齐、而稍微错开排布，本申请实施例对此不作严格限定。其中，多个弹片沿第二方向成排排布时，位于同一排的两个弹片的中心点(也即弹片的用于抵持信息卡的部分的中心点)可以在第二方向上对齐，也可以不对齐、而稍微错开排布，本申请实施例对此不作严格限定。
其中，结合参阅图2、图3、图5以及图6，卡连接器11应用于卡座组件10时，信息卡插入卡座组件10卡槽17的插卡方向平行于第二方向，也即信息卡连接卡连接器11时的插入方向平行于第二方向。信息卡的插入过程中，信息卡先接触卡连接器11的排布于前侧的结构，后接触卡连接器11的排布于后侧的结构。卡连接器11安装于卡座1时，卡连接器11的排布于前侧的结构靠近卡槽17的开口，卡连接器11的排布于后侧的结构远离卡槽17的开口。例如，卡连接器11的第二列弹片可以位于第一列弹片的后侧，第二列弹片相对第一列弹片远离卡座组件10的卡槽17的开口。在其他一些实施例中，卡连接器11的第二列弹片也可以相对第一列弹片靠近卡座组件10的卡槽17的开口，本申请实施例对此方案不再进行赘述。
请结合参阅图6和图7，图7是图6所示卡连接器11的导电体113的结构示意图。
一些实施例中，卡连接器11包括绝缘本体112和导电体113。其中，绝缘本体112可以大致呈板状，绝缘本体112还设有多个彼此间隔设置的镂空区。例如，绝缘本体112可以包括六个第一镂空区1121、多个第二镂空区1122和多个第三镂空区1123。其中，六个第一镂空区1121可以排布成两列三排，包括第一列第一镂空区1121和位于第一列第一镂空区1121后侧的第二列第一镂空区1121。第二镂空区1122可以排布成两列，且两列第二镂空区1122分别位于两列第一镂空区1121的后侧。第三镂空区1123可以排布成一排，且位于第二列第一镂空区1121的后侧。
示例性的，导电体113嵌设于绝缘本体112。其中，导电体113可以由一体的金属板件冲压形成。导电体113包括十个弹片和十个固定件1131，十个弹片可以包括上述第一弹片11a至第十弹片11j,十个固定件1131一一对应地连接十个弹片，其中固定件1131和弹片都是导电材质。导电体113包括十个导电块，对应的一个固定件1131和一个弹片位于同一个导电块，十个导电块彼此间隔设置。其中，十个固定件1131嵌设于绝缘本体112中，以固定连接绝缘本体112，十个弹片分别通过十个固定件1131固定连接绝缘本体112。
示例性的，每个弹片(附图为了简洁，对其中一个弹片(例如11j)进行标示)均包括固定端111a、抵接端111b及活动端111c，固定端111a、抵接端111b及活动端111c沿弹片的延伸方向依次排布，弹片的延伸方向垂直于第一方向，也即平行于第二方向。固定端111a连接固定件1131，固定端111a通过固定件1131固定于绝缘本体112。抵接端111b相对绝缘本体112的一侧表面突出，以在卡连接器11连接信息卡时，弹性抵持信息卡。活动端111c活动安装于绝缘本体112，活动端111c能够相对绝缘本体112在第二方向上移动。
在本实施例中，卡连接器11与信息卡连接时，抵接端111b抵持信息卡，抵接端111b向靠近绝缘本体112的方向移动，活动端111c相对绝缘本体112发生位移，弹片顺利发生形变，弹片抵持信息卡的弹性力适中，使得信息卡能够顺利连接卡连接器11，并且能够降低由于弹片弹性力过大而损坏信息卡的风险，提高可靠性。
其中，弹片还包括第一连接段111d和第二连接段111e，第一连接段111d连接固定端111a与抵接端111b，第二连接段111e连接抵接端111b与活动端111c，抵接端111b相对第一连接段111d和第二连接段111e凸起。也即，在卡连接器11的厚度方向(垂直于第一方向和第二方向)上，抵接端111b处于最高处，第一连接段111d和第二连接段111e次之，固定端111a和活动端111c位于最低处。弹片与信息卡连接时，弹片由抵接端111b抵持并电连接信息卡，第一连接段111d、固定端111a、第二连接段111e及活动端111c均不接触信息卡、并与信息卡形成间隙。
其中，抵接端111b可以包括凸起设置的抵接触点111f，抵接触点111f具有一定的接触面积。卡连接器11与信息卡连接时，抵接触点111f抵持信息卡的金手指，以使卡连接器11电连接信息卡。
示例性的，第三弹片11c至第八弹片11h可以分别位于六个第一镂空区1121中，第一弹片11a可以与第三弹片11c位于同一个第一镂空区1121中，第二弹片11b可以与第四弹片11d位于同一个第一镂空区1121中，第七弹片11g可以与第九弹片11i位于同一个第一镂空区1121中，第八弹片11h可以与第十弹片11j位于同一个第一镂空区1121中。
各固定件1131包围或半包围对应的弹片。其中，单独位于一个第一镂空区1121的弹片，其对应的固定件1131全包围该弹片。例如，第五弹片11e单独位于其中一个第一镂空区1121中，连接第五弹片11e的固定件1131全包围第五弹片11e。第六弹片11f单独位于其中一个第一镂空区1121中，连接第六弹片11f的固定件1131全包围第六弹片11f。
其中，共用同一个第一镂空区1121的两个弹片，其对应的两个固定件1131呈合围趋势，共同包括这两个弹片，且分别半包围对应的弹片。例如，第一弹片11a和第三弹片11c位于同一个第一镂空区1121中，连接第一弹片11a的固定件1131和连接第三弹片11c的固定件1131，共同环绕第一弹片11a和第三弹片11c，连接第一弹片11a的固定件1131半包围第一弹片11a，连接第三弹片11c的固定件1131半包围第三弹片11c。第七弹片11g和第九弹片11i位于同一个第一镂空区1121中，连接第七弹片11g的固定件1131和连接第九弹片11i的固定件1131，共同环绕第七弹片11g和第九弹片11i，连接第七弹片11g的固定件1131半包围第七弹片11g，连接第九弹片11i的固定件1131半包围第九弹片11i。第二弹片11b和第四弹片11d与其对应的固定件1131的关系，第八弹片11h和第十弹片11j与其对应的固定件1131的关系参考上述描述，此处不再赘述。
请结合参阅图6和图8，图8是图6所示卡连接器11的A处结构的内部结构示意图。图8中示意出弹片的活动端111c与绝缘本体112的连接结构。图6中以第十弹片11j为例进行标号。
一些实施例中，绝缘本体112还包括连通孔1124，连通孔1124连通相邻的第一镂空区1121和第二镂空区1122。弹片的活动端111c插接于连通孔1124，活动端111c的末端包括止位块1111，止位块1111与绝缘本体112配合形成防脱结构。在本实施例中，通过防脱结构能够有效防止弹片的活动端111c脱离绝缘本体112，提高了弹片与绝缘本体112的连接可靠性，使得卡连接器11的可靠性高。
示例性的，弹片的固定端111a和抵接端111b位于第一镂空区1121，弹片的活动端111c插接连通孔1124、经连通孔1124延伸至第二镂空区1122，止位块1111至少部分位于第二镂空区1122。其中，连通孔1124在卡位方向上的宽度小于止位块1111在卡位方向上的宽度，卡位方向可以为任意一个方向，连通孔1124在某一个方向上的尺寸小于止位块1111在同一个方向上的尺寸，即可以使得止位块1111与绝缘本体112配合形成防脱结构，以防止止位块1111穿过连通孔1124、而导致弹片的活动端111c脱离绝缘本体112。例如，在弹片的延伸方向的垂直方向上，也即在第一方向上，止位块1111的宽度大于连通孔1124的宽度。可以理解的是，本申请实施例对连通孔1124的形状和尺寸、止位块1111的形状和尺寸不作严格限定。
请再次参阅图6和图7，一些实施例中，导电体113的各导电块均还包括焊脚1132(附图为了简洁，对部分焊脚1132进行标示)，焊脚1132固定连接固定件1131，焊脚1132用于焊接至电路板50(可参阅图1)，以使卡连接器11固定连接电路板50，弹片电连接电路板50。其中，每个导电块中的焊脚1132数量为至少一个。
示例性的，各导电块均的至少一个焊脚1132包括第一焊脚1133，第一焊脚1133靠近弹片的固定端111a设置。也即，第一焊脚1133连接于固定件1131的靠近弹片的固定端111a的端部。在信息卡的插卡过程中，信息卡与弹片的抵接端111b之间产生摩擦力，该摩擦力使得弹片具有沿插卡方向(也即第二方向)活动的趋势，弹片的固定端111a受到拉力。导电块通过设置靠近弹片的固定端111a的第一焊脚1133，第一焊脚1133焊接电路板50，使得弹片上的受力由第一焊脚1133传递至电路板50，导电块的固定件1131不易发生变形，固定件1131与绝缘本体112的连接关系稳定，有利于提高卡连接器11和卡座组件10的可靠性。可以理解的是，在信息卡的拔卡过程中，第一焊脚1133同样能够传递应力。
其中，部分导电块的至少一个焊脚1132还可以包括第二焊脚1134，第二焊脚1134靠近弹片的活动端111c设置。也即，第二焊脚1134连接于固定件1131的靠近弹片的活动端111c的端部。在信息卡的拔卡过程中，信息卡与弹片的抵接端111b之间产生摩擦力，该摩擦力使得弹片具有沿拔卡方向(也即第二方向的反方向)活动的趋势，弹片的活动端111c经防脱结构对绝缘本体112产生拉力，导电块通过设置靠近弹片的活动端111c的第二焊脚1134，第二焊脚1134焊接电路板50，使得绝缘本体112上的受力由第二焊脚1134传递至电路板50，导电块的固定件1131不易发生变形，固定件1131与绝缘本体112的连接关系稳定，有利于提高卡连接器11和卡座组件10的可靠性。可以理解的是，在信息卡的拔卡过程中，第一焊脚1133同样能够传递应力。在信息卡的插卡过程中，第一焊脚1133和第二焊脚1134均能够传递应力。
在其他一些实施例中，导电块上的焊脚1132也可以连接于固定件1131的其他位置，例如连接固定件1131的中部，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，导电体113的多个焊脚1132中的部分焊脚1132可以位于第一镂空区1121中，部分焊脚1132可以位于第三镂空区1123中，排布位置可以参阅图6。在其他一些实施例中，导电体113的多个焊脚1132也可以有其他排布方式，例如，导电体113的多个焊脚1132均位于第一镂空区1121，则绝缘本体112也可以不设置第三镂空区1123，本申请实施例对此不作严格限定。
请参阅图9，图9是图5所示卡连接器11在另一角度的结构示意图二。
一些实施例中，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距S2大于第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距S1，且大于第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距S4。第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距S3大于第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距S1，且大于第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距S4。也即，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距S2、第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距S3较大，第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距S1、第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距S4较小。
其中，当同一排的两个弹片对齐时，两排弹片的中心间距即为位于同一列的两个弹片的中心间距；两个弹片的中心间距是指，两个弹片的用于抵持信息卡的部分(例如抵接触点111f)的中心点在第一方向上的间距。当同一排的两个弹片在第二方向上有少许错位时，则两排弹片的中心间距为第一列弹片的两个弹片的中心间距和第二列弹片的两个弹片的中心间距的平均值。
如图9所示，第三弹片11c与第五弹片11e的中心间距大于第一弹片11a与第三弹片11c的中心间距及第七弹片11g与第九弹片11i的中心间距；第五弹片11e与第七弹片11g的中心间距大于第一弹片11a与第三弹片11c的中心间距及第七弹片11g与第九弹片11i的中心间距；第四弹片11d与第六弹片11f的中心间距大于第二弹片11b与第四弹片11d的中心间距及第八弹片11h与第十弹片11j的中心间距；第六弹片11f与第八弹片11h的中心间距大于第二弹片11b与第四弹片11d的中心间距及第八弹片11h与第十弹片11j的中心间距。
示例性的，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距S2可以在1.0mm至3.0mm的范围内，例如可以在1.5mm至2.8mm的范围内，例如可以为2.48mm、2.54mm、2.59mm、2.63mm等；和/或，第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距S3可以在1.0mm至3.0mm的范围内，例如可以在1.5mm至2.8mm的范围内，例如可以为2.48mm、2.54mm、2.59mm、2.63mm等；和/或，第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距S1可以在1.0mm至1.7mm的范围内，例如可以为1.03mm、1.07mm、1.12mm等；和/或，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距S4可以在1.0mm至1.7mm的范围内，例如可以为1.32mm、1.37mm、1.41mm等。
其中，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距S2和第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距S3可以相等，也可以不相等，本申请实施例对此不作严格限定。相邻两排弹片中对应的两组弹片的中心间距可以相等，也可以不相等,本申请实施例对此不作严格限定。例如，第一排弹片(11a、11b)和第二排弹片(11c、11d)中，第一弹片11a与第三弹片11c的中心间距，和第二弹片11b与第四弹片11d的中心间距，可以相等，也可以不相等。
在本申请实施例中，通过设置多个弹片的排布方式和中心间距，使得多个弹片能够形成多种组合，多种组合中的弹片数量及位置能够与多种类型的信息卡的金手指数量及位置相适配，使得卡连接器11能够与不同类型的信息卡实现通信，实现多卡兼容，可拓展性较好。因此，当卡连接器11应用于电子设备100的卡座组件10时，电子设备100能够通过同一个卡座组件10适配多种类型的信息卡，从而减少了卡座组件10的数量，降低了对电子设备100内部空间的占用，有利于电子设备100的轻薄化。
在一些实施例中，卡连接器11可以与具有六个金手指(也可以称为端子、端口、金属触点等)的Nano SIM卡通信，也可以与具有至少十个金手指的二合一卡通信，以兼容NanoSIM卡和二合一卡。其中，二合一卡的卡体的尺寸与Nano SIM卡的卡体的尺寸相同。在本申请中，两张信息卡的卡体的尺寸相同，可以是指两张信息卡的卡体的尺寸一致，也可以是两张信息卡的卡体的尺寸很相近、均能够稳定地放置于卡座组件10的卡托2的同一个安装槽中。
在另一些实施例中，卡连接器11可以与具有六个金手指的Nano SIM卡通信，也可以与具有至少十个金手指的二合一卡通信，还可以与具有八个金手指的第一NM卡通信，以兼容Nano SIM卡、二合一卡以及第一NM卡。
在另一些实施例中，卡连接器11可以与具有六个金手指的Nano SIM卡通信，也可以与具有至少十个金手指的二合一卡通信，还可以与具有十个金手指或八个金手指或其他数量金手指的第二NM卡通信，以兼容Nano SIM卡、二合一卡以及第二NM卡。其中，第二NM卡的卡体的尺寸与Nano SIM卡的卡体的尺寸相同。其中，第一NM卡为第一代NM卡，第二NM卡为第二代NM卡，第二NM卡的传输速率大于第一NM卡的传输速率。第一NM卡的卡体的尺寸可以与Nano SIM卡的卡体的尺寸相同。
在另一些实施例中，卡连接器11也可以在兼容Nano SIM卡和二合一卡时，还兼容第一NM卡和/或第二NM卡，本申请实施例对此不作严格限定。
本申请提供一种Nano SIM卡，该Nano SIM卡能够适配上述卡连接器11，以下对Nano SIM卡的结构、Nano SIM卡与卡连接器11的连接结构进行举例说明。
请结合参阅图10至图12，图10是本申请实施例提供的一种Nano SIM卡3的示意框图，图11是图10所示Nano SIM卡3在一些实施例中的结构示意图，图12是图11所示Nano SIM卡3与图5所示卡连接器11连接时的结构示意图。
一些实施例中，如图10和图11所示，Nano SIM卡3可以包括卡体31和卡接口32。卡体31包括封装件311和设置于封装件311内的控制电路312和SIM电路313。卡接口32固定于卡体31，且相对卡体31露出，卡接口32电连接控制电路312。封装件311用于封装控制电路312、SIM电路313以及控制电路312与SIM电路313及卡接口32之间的电连接线路，以进行保护。封装件311采用介电材料，介电材料包括但不限于乙烯醋酸乙烯酯(ethylene-vinylacetate，EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，PVB)、离聚物、聚烯烃(polyolefins，PO)、硅、热塑性聚氨酯等材料。
其中，Nano SIM卡3具有两两垂直的长度方向、宽度方向及厚度方向，Nano SIM卡3的卡体31在长度方向上的最大尺寸为其长度，在宽度方向上的最大尺寸为其宽度，在厚度方向上的最大尺寸为其厚度。Nano SIM卡3的卡体31的尺寸为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm。在本申请实施例中，信息卡的卡体的尺寸即为卡体的封装件的外轮廓的尺寸。
其中，图11中的Nano SIM卡3的卡接口32朝上设置；图12中的Nano SIM卡3所处视角相对图11中的Nano SIM卡3所处视角进行上下翻转，图12中的Nano SIM卡3的卡接口32朝下设置，卡连接器11位于Nano SIM卡3下方。
一些实施例中，Nano SIM卡3的卡体31包括第一边3111、第二边3112、第三边3113以及第四边3114，第一边3111和第三边3113相对设置并沿Nano SIM卡3的长度方向延伸，第二边3112和第四边3114相对设置并沿Nano SIM卡3的宽度方向延伸。其中，第二边3112与第四边3114的间距大于第一边3111与第三边3113的间距。换言之，第一边3111和第三边3113为长边，第二边3112和第四边3114为短边。其中，第一边3111和第三边3113可以平行或近似平行设置，第二边3112和第四边3114可以平行或近似平行设置。
其中，Nano SIM卡3的卡体31的一个角为切角，切角设置于第一边3111与第二边3112之间。该切角形成切边3115，切边3115与第一边3111之间形成钝角，且与第二边3112之间形成钝角。其中，Nano SIM卡3的卡体31的相邻边(包括第一边3111、第二边3112、第三边3113、第四边3114以及切边3115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，Nano SIM卡3的卡体31也可以不设置上述切角，本申请对此不作严格限定。
示例性的，Nano SIM卡3的卡接口32包括至少六个金手指，例如包括阵列排布的第一金手指321、第二金手指322、第三金手指323、第四金手指324、第五金手指325以及第六金手指326。第一金手指321相较于其他金手指更靠近Nano SIM卡3的卡体31的切边3115。
当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10，Nano SIM卡3连接卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片均抵持Nano SIM卡3，其中，卡连接器11的第三弹片11c至第八弹片11h(也即第二排弹片至第四排弹片)一一对应地抵持且电连接Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326，以电连接Nano SIM卡3。在本申请实施例中，卡连接器11的弹片与信息卡的金手指抵持时，两者能够实现电连接。
在本实施例中，卡连接器11将第三弹片11c至第八弹片11h排布成两列三排，第三弹片11c至第八弹片11h能够一一对应地抵持Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326，卡连接器11能够与Nano SIM卡3电连接以实现通信。
其中，结合参阅图9和图12，第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距设置在1.5mm至2.8mm的范围内，使得电子设备100能够通过第三弹片11c至第八弹片11h与Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326通信，且能够有效降低Nano SIM卡3的金手指间发生短路的风险，使得卡连接器11与Nano SIM卡3的电连接关系可靠。
可以理解的是，各国/不同运营商的Nano SIM卡3的金手指形状及尺寸可以不同，形成不同的金手指排布方式。例如，图11中所示Nano SIM卡3是为符合规范定义的其中一种金手指排布方式。本申请实施例中卡连接器11和卡座组件10能够兼容各国/不同运营商的Nano SIM卡3。
其中，当Nano SIM卡3连接卡连接器11时，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和第五排弹片(11i、11j)抵持Nano SIM卡3。一些实施例中，如图11和图12所示，当Nano SIM卡3连接卡连接器11时，第一弹片11a和第三弹片11c可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第一金手指321，第二弹片11b和第四弹片11d可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第二金手指322，第七弹片11g和第九弹片11i可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第五金手指325，第八弹片11h和第十弹片11j可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第六金手指326。其中，抵持同一个金手指的两个弹片可以通过金手指导通。
在其他一些实施例中，Nano SIM卡3的卡接口32的多个金手指也可以有不同于图11的排布结构，当Nano SIM卡3连接卡连接器11时，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和第五排弹片(11i、11j)抵持Nano SIM卡3的卡体31；或者，卡连接器11的第一弹片11a和第三弹片11c可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第一金手指321，第二弹片11b和第四弹片11d可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第二金手指322，卡连接器11的第五排弹片(11i、11j)抵持Nano SIM卡3的卡体31；或者，第七弹片11g和第九弹片11i可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第五金手指325，第八弹片11h和第十弹片11j可以抵持且电连接Nano SIM卡3的第六金手指326，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)抵持Nano SIM卡3的卡体31。其中，当卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和/或第五排弹片(11i、11j)抵持Nano SIM卡3的卡体31时，第一排弹片(11a、11b)和/或第五排弹片(11i、11j)与Nano SIM卡3的金手指不接触，相互之间无电连接关系。本申请实施例对卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)和第五排弹片(11i、11j)与Nano SIM卡3的具体连接结构不作严格限定。
示例性的，Nano SIM卡3的六个金手指可以分别用于传输数据信号(DATA)、时钟信号(clock，CLK)、编程电压/输入信号(programming voltage/input signal，VPP)、复位信号(reset signal，RST)、地信号(GND)以及电源信号(VCC)。其中，数据信号(DATA)，也称为I/O信号，用于实现数据传输通讯；编程电压/输入信号(programming voltage/inputsignal，VPP)用于给Nano SIM卡3编程，也可以用在支持近场通信(near fieldcommunication，NFC)的卡上进行通讯。
如下表1所示，表1为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3的多个金手指及其传输信号的对应关系表。示例性的，卡连接器11的第三弹片11c电连接Nano SIM卡3的第一金手指321，第一金手指321用于传输数据信号(DATA)；第四弹片11d电连接Nano SIM卡3的第二金手指322，第二金手指322用于传输时钟信号(CLK)；第五弹片11e电连接Nano SIM卡3的第三金手指323，第三金手指323用于编程电压/输入信号(VPP)；第六弹片11f电连接NanoSIM卡3的第四金手指324，第四金手指324用于传输复位信号(RST)；第七弹片11g电连接Nano SIM卡3的第五金手指325，第五金手指325用于传输地信号(GND)；第八弹片11h电连接Nano SIM卡3的第六金手指326，第六金手指326用于传输电源信号(VCC)。
表1
Figure BDA0003576743530000161
在其他一些实施例中，Nano SIM卡3的六个金手指与上述六路信号也可以有其他对应关系，Nano SIM卡3的六个金手指也可以用于传输其他组合的信号，例如Nano SIM卡3也可以不传输编程电压/输入信号(VPP)，第三金手指323悬空设置，相应的，第三金手指323对应的第五弹片11e也可以不提供编程电压/输入信号(VPP)。本申请实施例对此不作严格限定。在本申请实施例中，金手指悬空设置也即该金手指不用于传输信号，不用于为信息卡提供信号端口。
本申请提供一种第一NM卡，该第一NM卡能够适配上述卡连接器11，以下对第一NM卡的结构、第一NM卡与卡连接器11的连接结构进行举例说明。
请结合参阅图13、图14以及图15，图13是本申请实施例提供的一种第一NM卡4的示意框图，图14是图13所示第一NM卡4在一些实施例中的结构示意图，图15是图14所示第一NM卡4与图5所示卡连接器11连接时的结构示意图。
一些实施例中，如图13和图14所示，第一NM卡4包括卡体41和卡接口42。卡体41包括封装件411和设置于封装件411内的控制电路412和存储电路413。卡接口42固定于卡体41，且相对卡体41露出，卡接口42电连接控制电路412。封装件411用于封装控制电路412、存储电路413、以及控制电路412与存储电路413及卡接口42之间的电连接线路，以进行保护。封装件411采用介电材料，介电材料包括但不限于乙烯醋酸乙烯酯(ethylene-vinylacetate，EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，PVB)、离聚物、聚烯烃(polyolefins，PO)、硅、热塑性聚氨酯等材料。
其中，第一NM卡4的卡体41的尺寸可以与Nano SIM卡3的卡体31的尺寸相同。第一NM卡4具有两两垂直的长度方向、宽度方向及厚度方向，第一NM卡4的卡体41在长度方向上的最大尺寸为其长度，在宽度方向上的最大尺寸为其宽度，在厚度方向上的最大尺寸为其厚度。例如，第一NM卡4的卡体41的尺寸可以为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm。
其中，图14中的第一NM卡4的卡接口42朝上设置；图15中的第一NM卡4所处视角相对图14中的第一NM卡4所处视角进行上下翻转，图15中的第一NM卡4的卡接口42朝下设置，卡连接器11位于第一NM卡4下方。
一些实施例中，第一NM卡4的卡体41包括第一边4111、第二边4112、第三边4113以及第四边4114，第一边4111和第三边4113相对设置并沿第一NM卡4的长度方向延伸，第二边4112和第四边4114相对设置并沿第一NM卡4的宽度方向延伸。其中，第二边4112与第四边4114的间距大于第一边4111与第三边4113的间距。换言之，第一边4111和第三边4113为长边，第二边4112和第四边4114为短边。其中，第一边4111和第三边4113可以平行或近似平行设置，第二边4112和第四边4114可以平行或近似平行设置。
其中，第一NM卡4的卡体41的一个角为切角，切角设置于第一边4111与第二边4112之间。该切角形成切边4115，切边4115与第一边4111之间形成钝角，且与第二边4112之间形成钝角。其中，第一NM卡4的卡体41的相邻边(包括第一边4111、第二边4112、第三边4113、第四边4114以及切边4115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，第一NM卡4的卡体41也可以不设置上述切角，本申请对此不作严格限定。其中，第一NM卡4的卡体41的切角的尺寸可以与Nano SIM卡3的卡体31的切角的尺寸相同或不同，两者不同时，也认为第一NM卡4的卡体41的尺寸与Nano SIM卡3的卡体31的尺寸相同。
示例性的，第一NM卡4的卡接口42包括至少八个金手指，例如可以包括阵列排布的第一金手指421、第二金手指422、第三金手指423、第四金手指424、第五金手指425、第六金手指426、第七金手指427及第八金手指428。第一金手指421相较于其他金手指更靠近卡体41的切边4115。
当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10，第一NM卡4连接卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片均抵持第一NM卡4，其中，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j(也即第二排弹片至第四排弹片)一一对应地抵持第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428，以电连接第一NM卡4。
在本实施例中，卡连接器11将第三弹片11c至第十弹片11j排布成四排两列，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距、小于第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距，使得卡连接器11的第三弹片11c至第八弹片11h能够与Nano SIM卡3的六个金手指一一对应地电连接，且第三弹片11c至第十弹片11j还能够同时与第一NM卡4的八个金手指一一对应地电连接，因此卡连接器11能够兼容Nano SIM卡3和第一NM卡4。
其中，结合参阅图9、图12和图15，由于Nano SIM卡3和第一NM卡4的金手指数量不同，金手指的形状不同，金手指的尺寸不同，金手指排布位置以及金手指间隔距离也不同，通过将第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距、及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距设置在1.5mm至2.8mm的范围内，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距设置在1.0mm至1.7mm的范围内，使得第三弹片11c至第八弹片11h能够分别与Nano SIM卡3的六个金手指通信，且三弹片11c至第十弹片11j能够分别与第一NM卡4的八个金手指通信，卡连接器11能够在兼容Nano SIM卡3和第一NM卡4的基础上，有效降低当Nano SIM卡3设置于卡连接器11时，Nano SIM卡3的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，以及当第一NM卡4设置于卡连接器11时，第一NM卡4的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，使得卡连接器11与Nano SIM卡3和第一NM卡4的电连接关系可靠，实现Nano SIM卡3和第一NM卡4可以分时共用同一个卡连接器11。
其中，如图15所示，虽然第一NM卡4的第七金手指427和第八金手指428呈“L”型，但是由于卡连接器11的弹片是通过其抵接触点与信息卡的金手指抵接的，弹片的其余部分与金手指之间均形成间隙，因此第九弹片11i电连接第七金手指427，第七弹片11g与第七金手指427之间不接触、无电连接关系，第十弹片11j电连接第八金手指428，第八弹片11h与第八金手指428之间不接触、无电连接关系。
其中，当第一NM卡4连接卡连接器11时，卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)抵持第一NM卡4。一些实施例中，第一弹片11a和第三弹片11c抵持且电连接第一NM卡4的第一金手指421，第二弹片11b和第四弹片11d抵持且电连接第一NM卡4的第二金手指422；在另一些实施例中，第一排弹片(11a、11b)抵接第一NM卡4的卡体41，此时，第一排弹片(11a、11b)与第一NM卡4之间无电连接关系。本申请实施例对卡连接器11的第一排弹片(11a、11b)与第一NM卡4的具体连接结构不作严格限定。
示例性的，第一NM卡4可以采用嵌入式多媒体存储卡(embedded multi mediacard，EMMC)接口协议。第一NM卡4的八个金手指中可以有四个金手指用于传输数据信号(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)，一个金手指用于传输时钟信号(CLK)，一个金手指用于传输命令和响应信号(CMD)，一个金手指用于传输地信号(GND)，一个金手指用于传输电源信号(VCC)。其中，数据信号(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)用于实现数据传输通讯。命令和响应信号(CMD)可以将命令由外部设备发给存储卡，或者是让存储卡对外部设备进行命令的应答响应。
如下表2所示，表2为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3和第一NM卡4的多个金手指及其传输信号的对应关系表。第一NM卡4与卡连接器11连接时，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428。在本申请中，若两张信息卡上的两个金手指在与电子设备100的卡连接器11连接时，与同一个弹片抵持且电连接，则认为这两个金手指位置对应。例如，第一NM卡4的第一金手指421至第六金手指426一一对应地与Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。两张信息卡的两个金手指的位置对应时，两个金手指的形状、尺寸及在信息卡的卡体上具体位置，可以相同，也可以存在差异，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，第一NM卡4的第一金手指421、第四金手指424、第七金手指427及第八金手指428可以用于传输数据信号；例如，第一金手指421用于传输数据信号(DATA1)、第四金手指424用于传输数据信号(DATA0)、第七金手指427用于传输数据信号(DATA3)、第八金手指428用于传输数据信号(DATA2)，第一金手指421、第四金手指424、第七金手指427及第八金手指428中传输的信号在其他一些实施例中可以互相调换，此处不再赘述。第一NM卡4的第二金手指422用于传输时钟信号(CLK)，第三金手指423用于传输命令和响应信号(CMD)，第五金手指425用于传输地信号(GND)，第六金手指426用于传输电源信号(VCC)。
表2
Figure BDA0003576743530000191
在其他一些实施例中，第一NM卡4的八个金手指与上述八路信号也可以有其他对应关系，第一NM卡4的八个金手指也可以用于传输其他组合的信号，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，第一NM卡4的第一金手指421、第四金手指424和第八金手指428均可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免第三弹片11c至第五弹片11e以及第八弹片11h提供高压时烧坏第一NM卡4的电路。其中，耐高压电路或保护开关均位于第一NM卡4的封装件411内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，例如在接口控制器内增加保护电路实现。
本申请还提供一种二合一卡，二合一卡集成SIM卡电路和存储卡电路，且SIM卡电路和存储卡电路通过十个金手指实现与电子设备等外部设备的通信，以兼容实现通话、数据通信及数据存储等功能。
请结合参阅图16、图17和图18，图16是本申请实施例提供的一种二合一卡7的示意框图，图17是图16所示二合一卡7在一些实施例中的结构示意图，图18是图17所示二合一卡7与图5所示卡连接器连接时的结构示意图。
一些实施例中，如图16和图17所示，二合一卡7包括卡体71和卡接口72。卡体71包括封装件711和设置于封装件711内的存储卡电路712和SIM卡电路713。卡接口72固定于卡体71，且相对卡体71露出，卡接口72电连接存储卡电路712和SIM卡电路713。封装件711用于封装存储卡电路712、SIM卡电路713、以及存储卡电路712及SIM卡电路713和卡接口72之间的电连接线路，以进行保护。封装件711采用介电材料，介电材料包括但不限于乙烯醋酸乙烯酯(ethylene-vinyl acetate，EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(polyvinyl butyral，PVB)、离聚物、聚烯烃(polyolefins，PO)、硅、热塑性聚氨酯等材料。
其中，存储卡电路712可以采用嵌入式多媒体存储卡(embedded multi mediacard，EMMC)接口协议、闪存存储(Universal Flash Storage，UFS)接口协议、高速外设部件互连(peripheral component interconnect express，PCIE)接口协议、安全数据(SecureDigital，SD)接口协议等接口协议。其中，存储卡电路712可以包括控制部分和存储部分，控制部分电连接二合一卡7的卡接口72，存储部分电连接存储部分，控制部分承载接口协议内容，控制部分用于接收从卡接口72传输的数据，并依据接收的依据进行命令的识别和处理，存储部分用于存储数据。其中，SIM卡电路713同样可以包括控制部分和SIM部分，控制部分电连接二合一卡7的卡接口72，存储部分电连接SIM部分，控制部分承载接口协议内容，控制部分用于接收从卡接口72传输的数据，并依据接收的依据进行命令的识别和处理，SIM部分用于存储数据。
其中，卡接口72与存储卡电路712及SIM卡电路713也可以设置其他电路部分，以使卡接口72与存储卡电路712及SIM卡电路713进行适配的信号传输过程。
其中，二合一卡7的卡体71的尺寸可以与Nano SIM卡的卡体的尺寸相同。二合一卡7具有两两垂直的长度方向、宽度方向及厚度方向，二合一卡7的卡体71在长度方向上的最大尺寸为其长度，在宽度方向上的最大尺寸为其宽度，在厚度方向上的最大尺寸为其厚度。例如，二合一卡7的卡体71的尺寸可以为长度12.30mm、宽度8.80mm、厚度0.67mm。
其中，图17中的二合一卡7的卡接口72朝上设置；图18中的二合一卡7所处视角相对图17中的二合一卡7所处视角进行上下翻转，图18中的二合一卡7的卡接口72朝下设置，卡连接器位于二合一卡7下方。
一些实施例中，二合一卡7的卡体71包括第一边7111、第二边7112、第三边7113以及第四边7114，第一边7111和第三边7113相对设置并沿二合一卡7的长度方向延伸，第二边7112和第四边7114相对设置并沿二合一卡7的宽度方向延伸。其中，第二边7112与第四边7114的间距大于第一边7111与第三边7113的间距。换言之，第一边7111和第三边7113为长边，第二边7112和第四边7114为短边。第一边7111和第三边7113可以平行或近似平行设置，第二边7112和第四边7114可以平行或近似平行设置。
其中，二合一卡7的卡体71的一个角为切角，切角设置于第一边7111与第二边7112之间。该切角形成切边7115，切边7115与第一边7111之间形成钝角，且与第二边7112之间形成钝角。其中，卡体71的相邻边(包括第一边7111、第二边7112、第三边7113、第四边7114以及切边7115)之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。在其他一些实施例中，二合一卡7的卡体71也可以不设置上述切角，本申请对此不作严格限定。其中，二合一卡7的卡体71的切角的尺寸可以与Nano SIM卡3的卡体31的切角的尺寸相同或不同，两者不同时，也认为二合一卡7的卡体71的尺寸与Nano SIM卡3的卡体31的尺寸相同。
示例性的，二合一卡7的卡接口72包括多个金手指，多个金手指露出于卡体71的同一侧。二合一卡7的金手指的数量为至少十个，多个金手指例如可以包括第一金手指721、第二金手指722、第三金手指723、第四金手指724、第五金手指725、第六金手指726、第七金手指727、第八金手指728、第九金手指729及第十金手指7210。二合一卡7的第一金手指721、第三金手指723、第五金手指725、第七金手指727及第九金手指729沿二合一卡7的宽度方向排成第一列金手指，第二金手指722、第四金手指724、第六金手指726、第八金手指728及第十金手指7210沿二合一卡7的宽度方向排成第二列金手指，第一列金手指和第二列金手指排布于二合一卡7的长度方向，第一列金手指(721、723、725、727、729)的五个金手指与第二列金手指(722、724、726、728、7210)的五个金手指一一对应、两两成排设置，也即十个金手指沿二合一卡7的宽度方向排布成第一排金手指(721、722)、第二排金手指(723、724)、第三排金手指(725、726)、第四排金手指(727、728)以及第五排金手指(729、7210)。也即，第一金手指321至第十金手指7210排布成两列五排。
其中，第一列金手指(721、723、725、727、729)位于第二边7112与第二列金手指(722、724、726、728、7210)之间，也即第一列金手指(721、723、725、727、729)靠近第二边7112排布，第二列金手指(722、724、726、728、7210)靠近第四边7114排布。
其中，第一金手指721位于第一边7111与第三金手指723之间，第二金手指位于第一边7111与第四金手指714之间。也即，第一排金手指(721、722)靠近第一边7111排布，第五排金手指(729、7210)靠近第三边7113排布。
其中，第一金手指721可以设有斜边，形成直角梯形，第一金手指721的斜边面向卡体71的切边7115设置，两者之间的间距大于或等于0.1mm，例如可以为0.2mm；第二金手指722至第十金手指7210可以为矩形。在其他一些实施例中，第一金手指721也可以为矩形。
其中，第二排金手指(723、724)与第三排金手指(725、726)的中心间距，大于第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的中心间距，且大于第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的中心间距。第三排金手指(725、726)与第四排金手指(727、728)的中心间距，大于第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的中心间距，且大于第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的中心间距。
例如，第二排金手指(723、724)与第三排金手指(725、726)的中心间距可以在1.5mm至2.8mm的范围内，第三排金手指(725、726)与第四排金手指(727、728)的中心间距可以在1.5mm至2.8mm的范围内，第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的中心间距可以在1.0mm至1.7mm的范围内，第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的中心间距可以在1.0mm至1.7mm的范围内。
当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10，二合一卡7连接卡连接器11时，二合一卡7的宽度方向平行于卡连接器11的第一方向，长度方向平行于卡连接器11的第二方向，卡连接器11的十个弹片均抵持二合一卡7。其中，当二合一卡7连接卡连接器11时，卡连接器11的十个弹片一一对应地抵持二合一卡7的十个金手指，第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。
在本实施例中，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j排布成两列五排，且第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距和第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距，均大于第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距和第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距，使得卡连接器11的第三弹片11c至第八弹片11h能够一一对应地抵持且电连接Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326，卡连接器11的第三弹片11c至第十弹片11j能够一一对应地抵持且电连接第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428，卡连接器11的第一弹片11a至第十弹片11j一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，因此卡连接器11能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及二合一卡7。在其他一些实施例中，卡连接器11也可以设计为兼容Nano SIM卡3和二合一卡7。
示例性的，结合参阅图9、图12、图15以及图18，卡连接器11的第二排弹片(11c、11d)与第三排弹片(11e、11f)的中心间距及第三排弹片(11e、11f)与第四排弹片(11g、11h)的中心间距设置在1.5mm至2.8mm的范围内，第一排弹片(11a、11b)与第二排弹片(11c、11d)的中心间距设置在1.0mm至1.7mm的范围内，第四排弹片(11g、11h)与第五排弹片(11i、11j)的中心间距设置在1.0mm至1.7mm的范围内，使得第三弹片11c至第八弹片11h能够分别与Nano SIM卡3的六个金手指通信，第三弹片11c至第十弹片11j能够分别与第一NM卡4的八个金手指通信，第一弹片11a至第十弹片11j能够分别与二合一卡7的十个金手指通信。
由于Nano SIM卡3、第一NM卡4以及二合一卡7三种卡的金手指的数量不同，金手指的形状不同，金手指的排布位置以及金手指的间隔距离也不同，通过第一弹片11a至第十弹片11j的间距的独特设计，实现卡连接器11能够在兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及二合一卡7的基础上，有效降低当Nano SIM卡3设置于卡连接器11，Nano SIM卡3的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，当第一NM卡4设置于卡连接器11，第一NM卡4的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，以及当二合一卡7设置于卡连接器11，二合一卡7的金手指与卡连接器11的弹片发生短路的风险，使得卡连接器11与Nano SIM卡3、第一NM卡4及二合一卡7的电连接关系可靠，实现Nano SIM卡3、第一NM卡4以及二合一卡7可以分时共用同一个卡连接器11。可以理解的是，在其他一些实施例中，卡连接器11也可以设计为能够兼容Nano SIM卡3和二合一卡7即可的方案。
在本申请中，二合一卡7的卡接口可以有多种实现方式，以下进行举例说明，以下实施例中的二合一卡7均能够与图5所示卡连接器11连接。
请参阅图19，图19是图17所示二合一卡7在一些实施例中的尺寸图。
一些实施例中，二合一卡7的十个金手指排布成两列五排，第一列金手指(721、723、725、727、729)靠近第二边7112排布，第二列金手指(722、724、726、728、7210)靠近第四边7114排布，每一列金手指均在宽度方向上对齐排列，第一排金手指(721、722)靠近第一边7111排布，第五排金手指(729、7210)靠近第三边7113排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。其中，第一金手指721可以设有切边，形成直角梯形，第一金手指721的斜边面向卡体71的切边7115设置，两者之间的间距可以为0.2mm；第二金手指722至第十金手指7210可以为矩形。
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(723、724)的中心与第一边7111的间距可以为1.95mm，第三排金手指(725、726)的中心与第一边7111的间距可以为4.25mm，第三排金手指(725、726)的中心与第三边7113的间距可以为4.55mm，第四排金手指(727、728)的中心与第三边7113的间距可以为1.95mm。其中，在宽度方向上，第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的间距可以为0.25mm，第一排金手指(721、722)与第一边7111的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的间距可以为0.25mm，第五排金手指(729、7210)与第三边7113的间距可以为0.2mm。其中，在长度方向上，第一列金手指(721、723、725、727、729)与第二边7112的间距可以为1.1mm，第二列金手指(722、724、726、728、7210)与第四边7114的间距可以为1.1mm。
其中，每个金手指的长度可以为3.2mm，宽度可以为1.0mm。其中，第一金手指721的长度即为其底边的尺寸，第一金手指721的宽度即为其高的尺寸。
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为±0.1mm。
请结合参阅图20A和图20B，图20A是图16所示二合一卡7在另一些实施例中的尺寸图，图20B是图20A所示二合一卡7的另一尺寸图。
一些实施例中，二合一卡7的卡体71的封装件711包括第一边7111、第三边7113、第二边7112以及第四边7114，第一边7111和第三边7113相对设置，为长边，第二边7112和第四边7114相对设置，为短边，相邻边之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。
示例性的，二合一卡7的十个金手指排布成两列，第一列金手指(721、723、725、727、729)靠近第二边7112排布，第二列金手指(722、724、726、728、7210)靠近第四边7114排布。其中，第一金手指721至第六金手指726排布成两列三排，每一列金手指均在宽度方向上对齐排列，第一排金手指(721、722)靠近第一边7111排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。第四排金手指(727、728)在长度方向上对齐排列。其中，第一金手指721可以设有切边，形成直角梯形，第一金手指721的斜边面向卡体71的切边7115设置，两者之间的间距可以为0.2mm；第二金手指722至第八金手指728可以为矩形。第九金手指729和第十金手指7210可以呈L形。第九金手指729半包围第七金手指727。第九金手指729包括第一部分7291和第二部分，第一部分7291沿长度方向延伸，第二部分7292沿宽度方向延伸。第九金手指729的第一部分7291位于第七金手指727与第三边7113之间，第九金手指729的第二部分7292连接第一部分7291且位于第七金手指727与第二边7112之间。第十金手指7210包括第一部分72101和第二部分72102，第一部分72101沿长度方向延伸，第二部分72102沿宽度方向延伸。第十金手指7210的第一部分72101位于第八金手指728与第三边7113之间，第十金手指7210的第二部分72102连接第一部分7291且位于第八金手指728与第二边7112之间。如上描述，可以将第九金手指729和第十金手指7210理解为第五排金手指(729、7210)。
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(723、724)的中心与第一边7111的间距可以为1.95mm，第三排金手指(725、726)的中心与第一边7111的间距可以为4.25mm，第三排金手指(725、726)的中心与第三边7113的间距可以为4.55mm，第四排金手指(727、728)的中心与第三边7113的间距可以为1.95mm。其中，在宽度方向上，第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的间距可以为0.25mm，第一排金手指(721、722)与第一边7111的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的间距可以为0.25mm，第五排金手指(729、7210)与第三边7113的间距可以为0.2mm。也即，在宽度方向上，第九金手指729与第三边7113的间距可以为0.2mm，第九金手指729的第一部分7291与第七金手指727的间距可以为0.25mm；第十金手指7210与第三边7113的间距可以为0.2mm，第十金手指7210的第一部分72101与第八金手指728的间距可以为0.25mm。其中，第九金手指729的第二部分7292的靠近第一边7111的顶边可以与第七金手指727的靠近第一边7111的顶边齐平；第十金手指7210的第二部分72102的靠近第一边7111的顶边可以与第八金手指728的靠近第一边7111的顶边齐平。其中，在宽度方向上，第一金手指721至第八金手指728以及第九金手指729的第一部分7291、第十金手指7210的第一部分72101的宽度均可以为1.0mm。
示例性的，在长度方向上，第一金手指721、第三金手指723及第五金手指725与第二边7112的间距可以为1.1mm，第二金手指722、第四金手指724及第六金手指726与第四边7114的间距可以为1.1mm。其中，在长度方向上，第七金手指727的靠近第四边7114的侧边和第九金手指729的第一部分7291的靠近第四边7114的侧边，均可以与第五金手指725靠近第四边7114的侧边齐平；第七金手指727与第九金手指729的第二部分7292的间距可以为0.2mm，第九金手指729与第二边7112的间距可以为0.5mm；第九金手指729的第二部分7292的宽度可以为0.9mm。其中，在长度方向上，第八金手指728的靠近第二边7112的侧边和第十金手指7210的第一部分72101的靠近第二边7112的侧边，均可以与第六金手指726靠近第二边7112的侧边齐平；第八金手指728与第十金手指7210的第二部分72102的间距可以为0.2mm，第十金手指7210与第四边7114的间距可以为0.5mm；第十金手指7210的第二部分72102的宽度可以为0.9mm。
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为±0.1mm。
请参阅图21，图21是图16所示二合一卡7在另一些实施例中的尺寸图。
一些实施例中，二合一卡7的卡体71的封装件711包括第一边7111、第三边7113、第二边7112以及第四边7114，第一边7111和第三边7113相对设置，为长边，第二边7112和第四边7114相对设置，为短边，相邻边之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210排布成两列五排，第一列金手指(721、723、725、727、729)靠近第二边7112排布，第二列金手指(722、724、726、728、7210)靠近第四边7114排布；第一排金手指(721、722)靠近第一边7111排布，第五排金手指(729、7210)靠近第三边7113排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。二合一卡7还包括第十一金手指7220和第十二金手指7230，第十一金手指7220和第十二金手指7230排布于第四排金手指(727、728、7220、7230)，第十一金手指7220位于第二边7112与第七金手指727之间，第十二金手指7230位于第四边7114与第八金手指728之间。其中，第一金手指721可以设有切边，形成直角梯形，第一金手指721的斜边面向卡体71的切边7115设置，两者之间的间距可以为0.2mm；第二金手指722至第十二金手指7230可以为矩形。
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(723、724)的中心与第一边7111的间距可以为1.95mm，第三排金手指(725、726)的中心与第一边7111的间距可以为4.25mm，第三排金手指(725、726)的中心与第三边7113的间距可以为4.55mm，第四排金手指(727、728、7220、7230)的中心与第三边7113的间距可以为1.95mm。其中，在宽度方向上，第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的间距可以为0.25mm，第一排金手指(721、722)与第一边7111的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第四排金手指(727、728、7220、7230)与第五排金手指(729、7210)的间距可以为0.25mm，第五排金手指(729、7210)与第三边7113的间距可以为0.2mm。其中，在宽度方向上，第一金手指721至第十二金手指7230的宽度均可以为1.0mm。
示例性的，在长度方向上，第一金手指721、第三金手指723及第五金手指725与第二边7112的间距可以为1.1mm，第二金手指722、第四金手指724及第六金手指726与第四边7114的间距可以为1.1mm。其中，在长度方向上，第七金手指727的靠近第四边7114的侧边和第九金手指729的靠近第四边7114的侧边，均可以与第五金手指725靠近第四边7114的侧边齐平；第十一金手指7220的靠近第二边7112的侧边与第九金手指729的靠近第二边7112的侧边齐平；第七金手指727与第十一金手指7220的间距可以为0.2mm，第十一金手指7220与第二边7112的间距可以为0.5mm，第十一金手指7220的长度可以为0.9mm。其中，在长度方向上，第八金手指728的靠近第二边7112的侧边和第十金手指7210的靠近第二边7112的侧边，均可以与第六金手指726靠近第二边7112的侧边齐平；第十二金手指7230的靠近第四边7114的侧边与第十金手指7210的靠近第四边7114的侧边齐平；第八金手指728与第十二金手指7230的间距可以为0.2mm，第十二金手指7230与第四边7114的间距可以为0.5mm，第十二金手指7230的长度可以为0.9mm。
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为±0.1mm。
请参阅图22，图22是图16所示二合一卡7在另一些实施例中的尺寸图。
一些实施例中，二合一卡7的卡体71的封装件711包括第一边7111、第三边7113、第二边7112以及第四边7114，第一边7111和第三边7113相对设置，为长边，第二边7112和第四边7114相对设置，为短边，相邻边之间可以设置圆弧过渡结构或倒角过渡结构。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210排布成两列五排，第一列金手指(721、723、725、727、729)靠近第二边7112排布，第二列金手指(722、724、726、728、7210)靠近第四边7114排布，每一列金手指均在宽度方向上对齐排列；第一排金手指(721、722)靠近第一边7111排布，第五排金手指(729、7210)靠近第三边7113排布，每一排金手指均在长度方向上对齐排列。其中，第一金手指721至第十金手指7210均可以为矩形。其中，第一金手指721可以相较于其他金手指更靠近卡体71的切边7115。
示例性的，在宽度方向上，第二排金手指(723、724)的中心与第一边7111的间距可以为1.86mm，第三排金手指(725、726)的中心与第一边7111的间距可以为4.4mm，第三排金手指(725、726)的中心与第三边7113的间距可以为4.4mm，第四排金手指(727、728)的中心与第三边7113的间距可以为1.86mm。其中，第一排金手指(721、722)与第一边7111的间距可以为0.2mm，第五排金手指(729、7210)与第三边7113的间距可以为0.2mm。
示例性的，在长度方向上，第一列金手指(721、723、725、727、729)的中心与第二边7112的间距可以为2.68mm，第二列金手指(722、724、726、728、7210)的中心与第四边7114的间距可以为2.0mm。其中，二合一卡7的卡体71的长度可以为12.3mm。
其中，上述形状尺寸及间距尺寸的公差为±0.1mm。
可以理解的是，图19至图22所示二合一卡7的结构尺寸是为二合一卡7的部分示例，二合一卡7的卡接口72还可以有更多种金手指排布方式和尺寸，二合一卡7的卡接口72至少包括第一金手指721至第十金手指7210即可，本申请实施例对此不作严格限定。
以下对二合一卡7的卡接口72的信号排布方式及内部电路进行举例说明，同时对能够连接二合一卡7的电子设备的部分电路进行举例说明。其中，以下实施例中二合一卡7的卡接口72的信号排布方式均能够应用于具有第一金手指至第十金手指的二合一卡7中，例如图17、图19至图22所示二合一卡7及具有其他卡接口72结构的二合一卡7，以下实施例以图17所示卡接口72结构为例进行示意。
请参阅图23，图23是图17所示二合一卡7在一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712支持EMMC接口协议。二合一卡7的卡接口72包括阵列排布的第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NMDATA1、NM DATA2、NM DATA3)，其中一个金手指用于传输存储卡的时钟信号(NM CLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡的命令和响应信号(NM CMD)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NM VCC)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA3、NM DATA2)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM DATA0)、第二金手指722用于传输数据信号(NM DATA1)、第九金手指729用于传输数据信号(NM DATA3)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM DATA2)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第二金手指722传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；第五金手指725用于传输存储卡的时钟信号(NM CLK)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡的命令和响应信号(NM CMD)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NM VCC)。
请结合参阅图23和图24A以及表3，表3是图23所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表3
Figure BDA0003576743530000261
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)、时钟接口(CLK)、命令和响应复用接口(CMD)、地接口(GND)以及电源接口(VCC)。存储卡电路712的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA2、NM DATA3)，存储卡电路712的时钟接口(CLK)用于传输存储卡的时钟信号(NM CLK)，存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的电源接口(VCC)用于传输存储卡的电源信号(NM VCC)。上述存储卡电路712的接口可以位于存储卡电路712的控制部分。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。上述SIM卡电路713的接口可以位于SIM卡电路713的控制部分。
其中，二合一卡7还包括切换电路714。二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA3、DATA2)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第五金手指725电连接存储卡电路712的时钟接口(CLK)，第六金手指726经切换电路714电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)和存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的电源接口(VCC)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第三金手指723、第四金手指724及第五金手指725也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，切换电路714用于检测第六金手指726传输的信号并实现对应切换。例如，若切换电路714检测到第六金手指726传输的信号是SIM卡的复位信号(SIM RST)，则导通第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)。此时第六金手指726与存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)处于断开状态。若切换电路714检测到第六金手指726传输的信号是存储卡的命令和响应信号(NM CMD)，则导通第六金手指726与存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)。此时，第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)处于断开状态。
在本实施例中，二合一卡7通过切换电路714实现两路信号的传输切换，使得SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡电路712的命令和响应信号(CMD)均能够通过第六金手指726实现传输，使得二合一卡7的卡接口72的集成度高，且与SIM卡电路713的接口及存储卡电路712的接口的连接电路切换难度低，易实现，使得二合一卡7的可靠性高。
其中，由于SIM卡的复位信号(SIM RST)不是常用信号，切换电路714的默认状态可以设为导通第六金手指726与存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)，第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)处于断开状态。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。
例如，通过第七金手指727传输一个地信号，该地信号即传输给SIM卡电路713的地接口(GND)，也传输给存储卡电路712的地接口(GND)。通过第八金手指728传输一个电源信号，当SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NM VCC)的压力相同时，则该电源信号传输给SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的电源接口(VCC)；当SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NM VCC)的压力不同时，则第八金手指728电连接一路直传支路和一路调压支路，直传支路与调压支路并联，直传支路用于传输经第八金手指728的电源信号，调压支路则对第八金手指728的电源信号进行调压后继续传输，直传支路和调压支路中的一者电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC),另一者电连接存储卡电路712的电源接口(VCC)。其中，调压支路可以串联电压调节器(regulator)，以实现调压。
在其他一些实施例中，当SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NMVCC)的压力相同时，第八金手指728也可以电连接两路并联的调压支路，两路调压支路分别连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的电源接口(VCC)。
在其他一些实施例中，当SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NMVCC)的压力相同时，电源信号的调压动作也可以由存储卡电路712或SIM卡电路713完成，第八金手指728传输的电源信号直接传输至SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的电源接口(VCC)。本申请实施例对SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NMVCC)是否进行调压、调压实现方式等不作严格限定。
在其他一些实施例中，也可以将存储卡电路712和SIM卡电路713的电源接口和地接口独立出来，形成二合一卡7的电源接口和地接口。
请结合参阅图23和图24A，图24A是图23所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、开关203、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为与二合一卡7进行交互的SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的电源信号(NM VCC)，地信号可以为与二合一卡7进行交互的存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图24A中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201的接口和SIM卡控制器202的接口连接卡连接器11的十个弹片中的八个弹片。电源接口连接至十个弹片中的另一个弹片，地接口连接至十个弹片中的另一个弹片。在本实施例中，电子设备通过卡连接器11的十个弹片实现与二合一卡7的通话、数据通信及数据存储等交互，弹片数量少，卡连接器11及卡座组件的体积小，有利于电子设备的轻薄化。
示例性的，SIM卡控制器202包括复位接口(RST)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)。其中，开关203可以连接SIM卡控制器202包括复位接口(RST)和存储卡控制器201的其中一个接口，开关203还连接卡连接器11的十个弹片中的其中一个弹片。
在本实施例中，由于二合一卡7的SIM卡电路的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，当复位接口(RST)和存储卡控制器201的其中一个接口复用同一个弹片时，可以通过分时复用的方式充分利用该弹片进行信号传输，例如，在二合一卡7的SIM卡电路需要复位时，先将卡连接器11的某一弹片导通至SIM卡控制器202包括复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当二合一卡7的SIM卡模块的复位过程完成后，则该弹片切回至导通存储卡控制器201，以继续完成对二合一卡7的读写操作，从而提高电子设备的工作效率。
一些实施例中，存储卡控制器201支持EMMC接口协议。存储卡控制器201包括四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)、时钟接口(CLK)以及命令和响应复用接口(CMD)，四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NMDATA1、NM DATA2、NM DATA3)，时钟接口(CLK)用于传输存储卡的时钟信号(NM CLK)，命令和响应复用接口(CMD)用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)。SIM卡控制器202还包括数据接口(DATA)以及时钟接口(CLK)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIMDATA)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
其中，开关203还连接存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)。卡连接器11的十个弹片中的其中七个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)、存储卡控制器201的时钟接口(CLK)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)以及SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA3、DATA2)一一对应地电连接卡连接器11的第一弹片、第二弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)电连接卡连接器11的第五弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)电连接卡连接器11的第四弹片。开关203连接存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)和SIM卡控制器202的复位接口(RST)，开关203还连接卡连接器11的第六弹片。开关203用于导通第六弹片与存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)，或者导通第六弹片与SIM卡控制器202的复位接口(RST)。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第二弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA3、NM DATA2)的传输，经第五弹片与二合一卡7之间进行存储卡的时钟信号(NM CLK)的传输，经第六弹片与二合一卡7之间进行存储卡的命令和响应信号(NM CMD)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的电源信号(NM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
其中，当电子设备需要存储数据时，控制开关203导通存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)与第六弹片，由第六弹片发送信号至二合一卡7的第六金手指726，连接第六金手指726的切换电路714识别传输信号或待传输信号为存储卡的命令和响应信号(NMCMD)，切换电路714导通第六金手指726与存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)，以实现存储卡的命令和响应信号(NM CMD)的传输。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。
其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，处理器20控制开关203导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第六弹片，由第六弹片发送信号至二合一卡7的第六金手指726，连接第六金手指726的切换电路714识别传输信号或待传输信号为SIM卡的复位信号(SIM RST)，切换电路714导通第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(SIM RST)，以实现SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在本实施例中，SIM卡的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，在SIM卡需要复位时，先将二合一卡7的第六金手指726导通至SIM卡的复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当SIM卡的复位过程完成后，则第六金手指726切回至导通存储卡电路712，以继续完成读写操作，从而提高二合一卡7的工作效率。
在其他一些实施例中，二合一卡7的卡接口72的信号排布可以有其他方式。例如，第五金手指725用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)，第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和传输存储卡的时钟信号(NM CLK)，其他金手指的信号排布不变。此时，二合一卡7的切换电路714电连接存储卡电路712的时钟接口(CLK)和SIM卡电路713的复位接口(RST)，第五金手指725连接存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)，其他接口与金手指的连接电路不变；电子设备的存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)电连接第五弹片，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)电连接开关203，其他接口与卡连接器11的弹片的连接电路不变；二合一卡7和电子设备的工作流程做适应性调整，此处不再赘述。
请参阅表4，表4为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图23所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表4
Figure BDA0003576743530000301
Figure BDA0003576743530000311
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图23所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的时钟接口(CLK)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的时钟接口(CLK)与第五弹片。
请结合参阅图24B和表4，图24B是本申请实施例提供的电子设备在一些实施例中的部分电路结构示意图。本实施例电子设备可以包括图24A对应电子设备的大部分技术内容，以下主要说明两者的区别。
一些实施例中，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图23所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器20包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202以及接口控制器205，接口控制器205电连接存储卡控制器201以及SIM卡控制器202，接口控制器205还电连接卡连接器11的多个弹片。存储卡控制器201的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4和二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制第一NM卡4运行和控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器202用于控制Nano SIM卡3运行。当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器205能够控制存储卡控制器201和/或SIM卡控制器202经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器205控制SIM卡控制器202经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器205控制存储卡控制器201经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器205控制存储卡控制器201和SIM卡控制器202经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器205可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器20中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器205还可以包括多根导线。接口控制器205的示例性方案可以参阅图24B，此处不再赘述。本实施例的其他技术内容可以参考图24A对应实施例的相关描述，此处不再赘述。其中，开关203可以为接口控制器205的一部分。
请参阅图25，图25是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712支持UFS接口协议。UFS接口协议是由联合电子设备工程委员会(Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC)协会制定的、用于定义UFS通用闪存的电气接口和UFS存储设备的标准。UFS定义了一个完整的协议栈，从上到下依次为应用层、传输层和互联层。UFS定义了一个独特的UFS特性集，并将EMMC标准的特性集作为一个子集，使用MIPI(Mobile Industry Processor Interface，移动产业处理器20接口)联盟的UniPro(接口)作为数据链路层和MIPI的M-PHY(串行接口)作为物理层，两者合起来称之为互连层(UFS InterConnect Layer)。UFS接口协议自2011年发布了1.0版本，之后于2012年、2013年、2016年、2018年分别发布了1.1版本、2.0版本、2.1版本、3.0版本，每个版本的更新都伴随了速度的提升。UFS接口协议是EMMC接口协议4.5版本之后的衔接。UFS接口协议的主要改进在于传输层，在数据信号传输上UFS接口协议采用的是差分串行传输，支持同时读写数据，同时由于差分信号抗干扰能力强、能提供更宽的带宽，因此相对于前一代协议标准EMMC，UFS接口协议具有速度快、功耗低的特点。
二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号(NMVCCQ),其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
其中，存储卡的数据信号(NM RX+)和存储卡的数据信号(NM RX-)为输入差分信号；存储卡的数据信号(NM TX+)和存储卡的数据信号(NM TX-)信号为输出差分信号；存储卡的第一电源信号(NM VCC)负责二合一卡7的存储卡电路712的闪存颗粒(也即存储部分)的供电；存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)负责二合一卡7的存储卡电路712的控制部分的供电。其中，在一些实施例中，存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)也可以负责存储卡电路712的M-PHY接口、闪存输入输出及其他内部低电压电路的供电。其中，存储卡的第一电源信号(NM VCC)的电压可以在1.7V至1.95V的范围内，或者在2.7V至3.6V的范围内。存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)的电压可以在1.1V至1.3V的范围内。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM RX+)、第五金手指725用于传输数据信号(NM RX-)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第五金手指725传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第二金手指722用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)；第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
请结合参阅图25和表5，表5是图25所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表5
Figure BDA0003576743530000331
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VCCQ)、参考时钟接口(RCLK)、地接口(GND)以及第一电源接口(VCC)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)用于传输存储卡的第二电源信号(NMVCCQ)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VCC)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。
其中，二合一卡7还包括切换电路714。二合一卡7的第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第二金手指722电连接存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第六金手指726经切换电路714电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)和存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VCC)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第二金手指722、第三金手指723以及第四金手指724也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，切换电路714用于检测第六金手指726传输的信号并实现对应切换。例如，若切换电路714检测到第六金手指726传输的信号是SIM卡的复位信号(SIM RST)，则导通第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)。此时第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)处于断开状态。若切换电路714检测到第六金手指726传输的信号是存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，则导通第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)。此时，第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)处于断开状态。
在本实施例中，二合一卡7通过切换电路714实现两路信号的传输切换，使得SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)均能够通过第六金手指726实现传输，使得二合一卡7的卡接口72的集成度高，且与SIM卡电路713的接口及存储卡电路712的接口的连接电路切换难度低，易实现，使得二合一卡7的可靠性高。
其中，由于SIM卡的复位信号(SIM RST)不是常用信号，切换电路714的默认状态可以设为导通第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)处于断开状态。
在本实施例中，SIM卡的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，在SIM卡需要复位时，先将二合一卡7的第六金手指726导通至SIM卡的复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当SIM卡的复位过程完成后，则第六金手指726切回至导通存储卡电路712，以继续完成读写操作，从而提高二合一卡7的工作效率。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
请结合参阅图25和图26A，图26A是图25所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、开关203、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VCC)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图26A中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201的接口和SIM卡控制器202的接口连接卡连接器11的十个弹片中的八个弹片。电源接口连接至十个弹片中的另一个弹片，地接口连接至十个弹片中的另一个弹片。在本实施例中，电子设备通过卡连接器11的十个弹片实现与二合一卡7的通话、数据通信及数据存储等交互，弹片数量少，卡连接器11及卡座组件的体积小，有利于电子设备的轻薄化。
示例性的，SIM卡控制器202包括复位接口(RST)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)。其中，开关203可以连接SIM卡控制器202包括复位接口(RST)和存储卡控制器201的其中一个接口，开关203还连接卡连接器11的十个弹片中的其中一个弹片。
在本实施例中，由于二合一卡7的SIM卡电路的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，当复位接口(RST)和存储卡控制器201的其中一个接口复用同一个弹片时，可以通过分时复用的方式充分利用该弹片进行信号传输，例如，在二合一卡7的SIM卡电路需要复位时，先将卡连接器11的某一弹片导通至SIM卡控制器202包括复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当二合一卡7的SIM卡模块的复位过程完成后，则该弹片切回至导通存储卡控制器201，以继续完成对二合一卡7的读写操作，从而提高电子设备的工作效率。
一些实施例中，存储卡控制器201支持UFS接口协议。存储卡控制器201包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VCCQ)以及参考时钟接口(RCLK)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，第二电源接口(VCCQ)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)。SIM卡控制器202还包括数据接口(DATA)以及时钟接口(CLK)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
其中，开关203还连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)，卡连接器11的十个弹片中的其中七个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、存储卡控制器201的第二电源接口(VCCQ)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)以及SIM卡控制器202的数据接口(DATA)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)分别电连接卡连接器11的第一弹片、第五弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201第二电源接口(VCCQ)电连接卡连接器11的第二弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第四弹片。开关203连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的复位接口(RST)，开关203还连接卡连接器11的第六弹片。开关203用于导通第六弹片与存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)，或者导通第六弹片与SIM卡控制器202的复位接口(RST)。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第五弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第二弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)的传输，经第六弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
其中，当电子设备需要存储数据时，控制开关203导通存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)与第六弹片，由第六弹片发送信号至二合一卡7的第六金手指726，连接第六金手指726的切换电路714识别传输信号或待传输信号为存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)，切换电路714导通第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，以实现存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。
其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，处理器20控制开关203导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第六弹片，由第六弹片发送信号至二合一卡7的第六金手指726，连接第六金手指726的切换电路714识别传输信号或待传输信号为SIM卡的复位信号(SIM RST)，切换电路714导通第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(SIM RST)，以实现SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在本实施例中，SIM卡的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，在SIM卡需要复位时，先将二合一卡7的第六金手指726导通至SIM卡的复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当SIM卡的复位过程完成后，则第六金手指726切回至导通存储卡电路712，以继续完成读写操作，从而提高二合一卡7的工作效率。
在其他一些实施例中，二合一卡7的卡接口72的信号排布可以有其他方式。例如，第一金手指721用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，第二金手指722用于传输存储卡的其中一个数据信号(例如NM RX+)，其他金手指的信号排布不变。此时，二合一卡7的第一金手指721电连接存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)，第二金手指722连接存储卡电路712的其中一个数据接口(例如RX+)，其他接口与金手指的连接电路不变；电子设备的存储卡控制器201的第二电源接口(VCCQ)电连接第一弹片，存储卡控制器201的其中一个数据接口(例如RX+)电连接第二弹片，其他接口与卡连接器11的弹片的连接电路不变；二合一卡7和电子设备的工作流程做适应性调整，此处不再赘述。
请参阅表6，表6为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图25所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表6
Figure BDA0003576743530000371
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图25所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的数据接口(例如RX-)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的数据接口(例如RX-)与第五弹片。
请结合参阅图26B和表6，图26B是本申请实施例提供的电子设备在另一些实施例中的部分电路结构示意图。本实施例电子设备可以包括图26A对应电子设备的大部分技术内容，以下主要说明两者的区别。
一些实施例中，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图25所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器20包括存储卡控制器201、第二存储卡控制器206、SIM卡控制器202以及接口控制器205，接口控制器205电连接存储卡控制器201、第二存储卡控制器206以及SIM卡控制器202，接口控制器205还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器201的接口协议(例如UFS接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器202用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器206的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器205能够控制SIM卡控制器202经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器201和SIM卡控制器202经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器206经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器205控制SIM卡控制器202经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器205控制第二存储卡控制器206经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器205控制存储卡控制器201和SIM卡控制器202经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器205可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器20中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器205还可以包括多根导线。接口控制器205的示例性方案可以参阅图26B，此处不再赘述。本实施例的其他技术内容可以参考图26A对应实施例的相关描述，此处不再赘述。其中，开关203可以为接口控制器205的一部分。
在本实施例中，二合一卡7将一个高速信号(例如NM RX+)排布于第一金手指721，由于二合一卡7的第一金手指721与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第一弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
二合一卡7将存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)排布于第二金手指722，由于二合一卡7的第二金手指722与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，二合一卡7的第二金手指722无需与Nano SIM卡3和第一NM卡4复用电子设备的卡连接器11的同一个弹片，避免存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)与Nano SIM卡3和第一NM卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低Nano SIM卡3和第一NM卡4插入电子设备、连接卡连接器11时，被存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)烧坏的风险，电子设备兼容Nano SIM卡3和第一NM卡4以及二合一卡7的可靠性较高。此外，第一NM卡4和Nano SIM卡3也无需部署用于避免电路被存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
请参阅图27，图27是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712支持PCIE接口协议。PCIE又称为PCIExpress，是一种分层协议，由事务层、数据链路层和物理层组成。它的主要优势就是数据传输速率高，另外还有抗干扰能力强、传输距离远、功耗低等优点。PCI Express的传输方式由PCI的并行改为串行，通过使用差分信号传输(differential transmission)。这种传输方式将相同内容通过一正一反镜像传输以提高干扰被发现和纠正的效率，并且PCI Express可以采用全双工，因此PCI Express的传输效率相较PCI大大提升。自2001年起，PCIExpress从1.0版本在20年间更新至5.0版本，且在2021年将会正式更新至6.0版本，无疑PCIExpress是流行的传输总线标准。对于PCIE1.0，带宽达到PCI的近两倍，而在2021年计划发布的PCI Express6.0带宽最高可达256GB/s。2018年，SD Association正式宣布SD(SecureDigital)卡兼容PCI Express通道，PCI Express兼容于移动存储卡成为现实，对于NM卡来说，PCI Express具有提供大带宽的优势。
二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号(NMVDD2),其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
示例性的，二合一卡7的第二金手指722、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第二金手指722用于传输数据信号(NM RX-)、第五金手指725用于传输数据信号(NM RX+)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第二金手指722、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第二金手指722与第五金手指725传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第一金手指721用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)；第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
请结合参阅图27和表7，表7是图27所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表7
Figure BDA0003576743530000391
Figure BDA0003576743530000401
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VDD2)、参考时钟接口(RCLK)、地接口(GND)以及第一电源接口(VDD1)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NMVDD2)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。
其中，二合一卡7的第二金手指722、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第一金手指721电连接存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第六金手指726经切换电路714电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)和存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第二金手指722、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第二金手指722、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第一金手指721、第三金手指723以及第四金手指724也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，切换电路714用于检测第六金手指726传输的信号并实现对应切换。例如，若切换电路714检测到第六金手指726传输的信号是SIM卡的复位信号(SIM RST)，则导通第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)。此时第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)处于断开状态。若切换电路714检测到第六金手指726传输的信号是存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，则导通第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)。此时，第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)处于断开状态。
在本实施例中，二合一卡7通过切换电路714实现两路信号的传输切换，使得SIM卡的复位信号(SIM RST)和存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)均能够通过第六金手指726实现传输，使得二合一卡7的卡接口72的集成度高，且与SIM卡电路713的接口及存储卡电路712的接口的连接电路切换难度低，易实现，使得二合一卡7的可靠性高。
其中，由于SIM卡的复位信号(SIM RST)不是常用信号，切换电路714的默认状态可以设为导通第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(RST)处于断开状态。
在本实施例中，SIM卡的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，在SIM卡需要复位时，先将二合一卡7的第六金手指726导通至SIM卡的复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当SIM卡的复位过程完成后，则第六金手指726切回至导通存储卡电路712，以继续完成读写操作，从而提高二合一卡7的工作效率。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
请结合参阅图27和图28A，图28A是图27所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、开关203、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VDD1)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图28A中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201的接口和SIM卡控制器202的接口连接卡连接器11的十个弹片中的八个弹片。电源接口连接至十个弹片中的另一个弹片，地接口连接至十个弹片中的另一个弹片。在本实施例中，电子设备通过卡连接器11的十个弹片实现与二合一卡7的通话、数据通信及数据存储等交互，弹片数量少，卡连接器11及卡座组件的体积小，有利于电子设备的轻薄化。
示例性的，SIM卡控制器202包括复位接口(RST)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)。其中，开关203可以连接SIM卡控制器202包括复位接口(RST)和存储卡控制器201的其中一个接口，开关203还连接卡连接器11的十个弹片中的其中一个弹片。
在本实施例中，由于二合一卡7的SIM卡电路的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，当复位接口(RST)和存储卡控制器201的其中一个接口复用同一个弹片时，可以通过分时复用的方式充分利用该弹片进行信号传输，例如，在二合一卡7的SIM卡电路需要复位时，先将卡连接器11的某一弹片导通至SIM卡控制器202包括复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当二合一卡7的SIM卡模块的复位过程完成后，则该弹片切回至导通存储卡控制器201，以继续完成对二合一卡7的读写操作，从而提高电子设备的工作效率。
一些实施例中，存储卡控制器201支持PCIE接口协议。存储卡控制器201包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VDD2)以及参考时钟接口(RCLK)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)。SIM卡控制器202还包括数据接口(DATA)以及时钟接口(CLK)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
其中，开关还连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)，卡连接器11的十个弹片中的其中七个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、存储卡控制器201的第二电源接口(VDD2)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)以及SIM卡控制器202的数据接口(DATA)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)分别电连接卡连接器11的第二弹片、第五弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201的第二电源接口(VDD2)电连接卡连接器11的第一弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第四弹片。开关203连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的复位接口(RST)，开关203还连接卡连接器11的第六弹片。开关203用于导通第六弹片与存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)，或者导通第六弹片与SIM卡控制器202的复位接口(RST)。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第二弹片、第五弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第一弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第二电源信号(NM VDD2)的传输，经第六弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VDD1)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
其中，当电子设备需要存储数据时，控制开关203导通存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)与第六弹片，由第六弹片发送信号至二合一卡7的第六金手指726，连接第六金手指726的切换电路714识别传输信号或待传输信号为存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)，切换电路714导通第六金手指726与存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，以实现存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。
其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，处理器20控制开关203导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第六弹片，由第六弹片发送信号至二合一卡7的第六金手指726，连接第六金手指726的切换电路714识别传输信号或待传输信号为SIM卡的复位信号(SIM RST)，切换电路714导通第六金手指726与SIM卡电路713的复位接口(SIM RST)，以实现SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在本实施例中，SIM卡的复位操作并非频繁操作，且复位过程能够很快完成，在SIM卡需要复位时，先将二合一卡7的第六金手指726导通至SIM卡的复位接口(RST)，以保证用户的联网体验，当SIM卡的复位过程完成后，则第六金手指726切回至导通存储卡电路712，以继续完成读写操作，从而提高二合一卡7的工作效率。
在其他一些实施例中，二合一卡7的卡接口72的信号排布可以有其他方式。例如，第一金手指721用于传输存储卡的其中一个数据信号(例如NM RX-)，第二金手指722用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，其他金手指的信号排布不变。此时，二合一卡7的第一金手指721连接存储卡电路712的其中一个数据接口(例如RX-)，第二金手指722电连接存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，其他接口与金手指的连接电路不变；电子设备的存储卡控制器201的其中一个数据接口(例如RX-)电连接第一弹片,存储卡控制器201的第二电源接口(VDD2)电连接第二弹片，其他接口与卡连接器11的弹片的连接电路不变；二合一卡7和电子设备的工作流程做适应性调整，此处不再赘述。
请参阅表8，表8为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图27所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与Nano SIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表8
Figure BDA0003576743530000431
Figure BDA0003576743530000441
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图27所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的数据接口(例如RX+)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的数据接口(例如RX+)与第五弹片。
请结合参阅图28B和表8，图28B是本申请实施例提供的电子设备在另一些实施例中的部分电路结构示意图。本实施例电子设备可以包括图28A对应电子设备的大部分技术内容，以下主要说明两者的区别。
一些实施例中，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图27所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器20包括存储卡控制器201、第二存储卡控制器206、SIM卡控制器202以及接口控制器205，接口控制器205电连接存储卡控制器201、第二存储卡控制器206以及SIM卡控制器202，接口控制器205还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器201的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器202用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器206的接口协议(例如PCIE接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器205能够控制SIM卡控制器202经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器201和SIM卡控制器202经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器206经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器205控制SIM卡控制器202经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器205控制第二存储卡控制器206经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器205控制存储卡控制器201和SIM卡控制器202经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器205可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器20中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器205还可以包括多根导线。接口控制器205的示例性方案可以参阅图28B，此处不再赘述。本实施例的其他技术内容可以参考图28A对应实施例的相关描述，此处不再赘述。其中，开关203可以为接口控制器205的一部分。
在本实施例中，二合一卡7将存储卡的第二电源信号(NM VDD2)排布于第一金手指721，由于二合一卡7的第一金手指721与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，二合一卡7的第一金手指721无需与Nano SIM卡3和第一NM卡4复用电子设备的卡连接器11的同一个弹片，避免存储卡的第二电源信号(NM VDD2)与Nano SIM卡3和第一NM卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低Nano SIM卡3和第一NM卡4插入电子设备、连接卡连接器11时，被存储卡的第二电源信号(NM VDD2)烧坏的风险，电子设备兼容Nano SIM卡3和第一NM卡4以及二合一卡7的可靠性较高。此外，第一NM卡4和Nano SIM卡3也无需部署用于避免电路被存储卡的第二电源信号(NM VDD2)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
二合一卡7将一个高速信号(例如NM RX-)排布于第二金手指722，由于二合一卡7的第二金手指722与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第二弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
请参阅图29，图29是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712采用EMMC接口协议。二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NMDATA2、NM DATA3)，其中一个金手指用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)和存储卡的时钟信号(NM CLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NM VCC)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA3、NM DATA2)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM DATA0)、第二金手指722用于传输数据信号(NM DATA1)、第九金手指729用于传输数据信号(NM DATA3)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM DATA2)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第二金手指722传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)和存储卡的时钟信号(NM CLK)；第五金手指725用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的电源信号(NM VCC)。
请结合参阅图29和表9，表9是图29所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表9
Figure BDA0003576743530000461
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)、时钟接口(CLK)、命令和响应复用接口(CMD)、地接口(GND)以及电源接口(VCC)。存储卡电路712的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA2、NM DATA3)，存储卡电路712的时钟接口(CLK)用于传输存储卡的时钟信号(NM CLK)，存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的电源接口(VCC)用于传输存储卡的电源信号(NM VCC)。上述存储卡电路712的接口可以位于存储卡电路712的控制部分。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。上述SIM卡电路713的接口可以位于SIM卡电路713的控制部分。
其中，二合一卡7还包括分频器715。二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA3、DATA2)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接存储卡电路712的时钟接口(CLK)，并经分频器715电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第五金手指725电连接存储卡电路712的命令和响应复用接口(CMD)，第六金手指726电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的电源接口(VCC)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第三金手指723、第五金手指725及第六金手指726也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，分频器715用于改变信号的频率。在本实施例中，通过设置分频器715，使得第四金手指724传输的初始的时钟信号可以为存储卡的时钟信号(NM CLK)，存储卡的时钟信号(NM CLK)直接传输给存储卡电路712的时钟接口(CLK)，分频器715对存储卡的时钟信号(NM CLK)进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，而后将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)传输给SIM卡电路713的时钟接口(CLK)。例如，存储卡的时钟信号(NM CLK)的频率为200MHz，经过分频器715，可以将频率调整为5MHz，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
在本实施例中，二合一卡7可以通过同一个金手指(也即第四金手指724)实现存储卡的时钟信号(NM CLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)的复用，使得二合一卡7的卡接口72的集成度高，并且第四金手指724无需进行连接电路切换，二合一卡7的实现难度低，易实现，使得二合一卡7的可靠性高。其中，存储卡的时钟信号(NM CLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)可以时分复用第四金手指724，也可以同步使用第四金手指724，本申请对此不作严格限定。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
请结合参阅图29和图30，图30是图29所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、分频器204、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的电源信号(NM VCC)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图30中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201的接口和SIM卡控制器202的接口连接卡连接器11的十个弹片中的八个弹片。电源接口连接至十个弹片中的另一个弹片，地接口连接至十个弹片中的另一个弹片。在本实施例中，电子设备通过卡连接器11的十个弹片实现与二合一卡7的通话、数据通信及数据存储等交互，弹片数量少，卡连接器11及卡座组件的体积小，有利于电子设备的轻薄化。
示例性的，存储卡控制器201支持EMMC接口协议，存储卡控制器201包括时钟接口(CLK)，时钟接口(CLK)用于传输存储卡的时钟信号(NM CLK)。SIM卡控制器202包括时钟接口(CLK)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。存储卡控制器201的时钟接口(CLK)连接卡连接器11的十个弹片中的一个弹片，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)经分频器204连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)。
在本实施例中，分频器204连接存储卡控制器201的时钟接口(CLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，分频器204用于对存储卡控制器201的时钟接口(CLK)传输的存储卡的时钟信号(NM CLK)进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，并与SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)进行传输，使得SIM卡控制器202与存储卡控制器201实现时钟对齐。例如，存储卡的时钟信号(NM CLK)的频率为200MHz，经过分频器204，可以将频率调整为5MHz，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
由于电子设备的处理器20通过卡连接器11的其中一个弹片提供存储卡的时钟信号(NM CLK)，从而为二合一卡7提供需要的时钟信号，同时，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)经分频器204连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，使得SIM卡控制器202的时钟能够与存储卡控制器201对齐，以提高电子设备与二合一卡7的通信效率和通信质量。
示例性的，存储卡控制器201支持EMMC接口协议。存储卡控制器201还包括四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)以及命令和响应复用接口(CMD)，四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA2、DATA3)用于传输存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA2、NM DATA3)，命令和响应复用接口(CMD)用于传输存储卡的命令和响应信号(NM CMD)。SIM卡控制器202还包括复位接口(RST)和数据接口(DATA)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)。
其中，卡连接器11的十个弹片中的七个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA3、DATA2)、存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)以及SIM卡控制器202的复位接口(RST)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(DATA0、DATA1、DATA3、DATA2)一一对应地电连接卡连接器11的第一弹片、第二弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)电连接卡连接器11的第四弹片，存储卡控制器201的命令和响应复用接口(CMD)电连接卡连接器的第五弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接卡连接器11的第六弹片。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第二弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM DATA0、NM DATA1、NM DATA3、NM DATA2)的传输，经第五弹片与二合一卡7之间进行存储卡的命令和响应信号(NM CMD)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行存储卡的时钟信号(NM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的电源信号(NM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202接收由存储卡控制器201发出的、经分频器204调整后的时钟信号，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。
其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，SIM卡控制器202经第六弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在其他一些实施例中，处理器20中可以不设置分频器204，二合一卡7中也可以不设置分频器715。在电子设备的处理器20中，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)均电连接卡连接器11的第四弹片。在二合一卡7中，存储卡电路712的时钟接口(CLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接卡接口72的第四金手指724。存储卡控制器201经第四弹片发送存储卡的时钟信号(NM CLK)至第四金手指724，SIM卡控制器202经第四弹片发送SIM卡的时钟信号(SIM CLK)至第四金手指724，存储卡电路712和SIM卡电路713根据接收到的信号进行对应处理，也即，只处理电路可识别的时钟信号。例如，当第四金手指724传输的信号只有存储卡的时钟信号(NM CLK)时，存储卡电路712处理存储卡的时钟信号(NM CLK)；当第四金手指724传输的信号只有SIM卡的时钟信号(SIMCLK)时，SIM卡电路713处理SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；当第四金手指724传输的信号有存储卡的时钟信号(NM CLK)和有SIM卡的时钟信号(SIM CLK)时，存储卡电路712处理存储卡的时钟信号(NM CLK)，例如采集100MHz以上的信号，SIM卡电路713处理SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，例如采集5MHz以下的信号。
在其他一些实施例中，处理器20中可以不设置分频器204，二合一卡7中也可以不设置分频器715，将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的频率提升至和存储卡的时钟信号(NMCLK)的频率相同，例如将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)提升至存储卡的时钟信号(NM CLK)所需要的19.2MHz频率、或是20MHz频率，以实现时钟的共用。此时，电子设备中，存储卡控制器201的时钟接口(CLK)电连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，其中一个时钟接口电连接卡连接器11的第四弹片。二合一卡7中，存储卡电路712的时钟接口(CLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接第四金手指724。
在其他一些实施例中，处理器20中可以将分频器204更换为开关，二合一卡7中可以不设置分频器715。此时，在电子设备的处理器20中，开关连接存储卡控制器201的时钟接口(CLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，还连接第四弹片；二合一卡7中，存储卡电路712的时钟接口(CLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接第四金手指724。电子设备通过同一个弹片时分复用，提供存储卡的时钟信号和SIM卡的时钟信号，当有SIM卡业务时，提供SIM卡的时钟信号，当有存储卡业务时提供存储卡的时钟信号。在某些情况下，如果SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号相同时，可提供相同的时钟信号。在某些情况下，如果SIM卡和存储卡同时有业务时，可优先提供SIM卡的时钟信号，存储卡的时钟信后待SIM卡结束业务后恢复提供。在其他一些实施例中，在处理器20将分频器204更换为开关的方案中，二合一卡7中的分频器715也可以更换为开关。
可以理解的是，存储卡的时钟信号(NM CLK)和SIM卡的时钟信号(SIM CLK)复用第四金手指724进行传输的实现方式还有其他方案，本申请对此不作严格限定。
请参阅表10，表10为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图29所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与NanoSIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表10
Figure BDA0003576743530000501
Figure BDA0003576743530000511
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图29所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的命令与响应复用接口(CMD)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的命令与响应复用接口(CMD)与第五弹片。
在另一些实施例中，本申请还提供一种电子设备，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图29所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器可以包括存储卡控制器、SIM卡控制器以及接口控制器，接口控制器电连接存储卡控制器以及SIM卡控制器，接口控制器还电连接卡连接器11的多个弹片。存储卡控制器的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4和二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制第一NM卡4运行和控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器202用于控制Nano SIM卡3运行。当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，接口控制器能够控制存储卡控制器和/或SIM卡控制器经卡连接器与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器控制SIM卡控制器经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器还可以包括多根导线。本实施例的其他技术内容可以参考图30对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
请参阅图31，图31是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712支持UFS接口协议。二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NMTX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)和存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM RX+)、第五金手指725用于传输数据信号(NM RX-)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第五金手指725传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)和存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；第二金手指722用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
请结合参阅图31和表11，表11是图31所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表11
Figure BDA0003576743530000521
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、参考时钟接口(RCLK)、第二电源接口(VCCQ)、地接口(GND)以及第一电源接口(VCC)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)，存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VCC)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VCC)。上述存储卡电路712的接口可以位于存储卡电路712的控制部分。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。上述SIM卡电路713的接口可以位于SIM卡电路713的控制部分。
其中，二合一卡7的第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第二金手指722电连接存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接存储卡电路712的参考时钟接口(CLK)，并经分频器715电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第六金手指726电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VCC)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第二金手指722、第三金手指723及第六金手指726也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，分频器715用于改变信号的频率。在本实施例中，通过设置分频器715，使得第四金手指724传输的初始的时钟信号可以为存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)直接传输给存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，分频器715对存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，而后将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)传输给SIM卡电路713的时钟接口(CLK)。例如，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的频率为200MHz，经过分频器715，可以将频率调整为5MHz，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
在本实施例中，二合一卡7可以通过同一个金手指(也即第四金手指724)实现存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)的复用，使得二合一卡7的卡接口72的集成度高，并且第四金手指724无需进行连接电路切换，二合一卡7的实现难度低，易实现，使得二合一卡7的可靠性高。其中，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)可以时分复用第四金手指724，也可以同步使用第四金手指724，本申请对此不作严格限定。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
请结合参阅图31和图32,图32是图31所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、分频器204、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VCC)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图32中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201的接口和SIM卡控制器202的接口连接卡连接器11的十个弹片中的八个弹片。电源接口连接至十个弹片中的另一个弹片，地接口连接至十个弹片中的另一个弹片。在本实施例中，电子设备通过卡连接器11的十个弹片实现与二合一卡7的通话、数据通信及数据存储等交互，弹片数量少，卡连接器11及卡座组件的体积小，有利于电子设备的轻薄化。
示例性的，存储卡控制器201支持UFS接口协议。存储卡控制器201包括参考时钟接口(RCLK)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)。SIM卡控制器202包括时钟接口(CLK)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)连接卡连接器11的十个弹片中的一个弹片，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)经分频器204连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)。
在本实施例中，分频器204连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，分频器204用于对存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)传输的存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，并与SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)进行传输，使得SIM卡控制器202与存储卡控制器201实现时钟对齐。例如，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的频率为200MHz，经过分频器204，可以将频率调整为5MHz，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
由于电子设备的处理器20通过卡连接器11的其中一个弹片提供存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，从而为二合一卡7提供需要的时钟信号，同时，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)经分频器204连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，使得SIM卡控制器202的时钟能够与存储卡控制器201对齐，以提高电子设备与二合一卡7的通信效率和通信质量。
示例性的，存储卡控制器201还包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)和第二电源接口(VCCQ)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NMRX-、NM TX+、NM TX-)，第二电源接口(VCCQ)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)。SIM卡控制器202还包括复位接口(RST)和数据接口(DATA)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)。
其中，卡连接器11的十个弹片中的七个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、存储卡控制器201的第二电源接口(VCCQ)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)以及SIM卡控制器202的复位接口(RST)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)一一对应地电连接卡连接器11的第一弹片、第五弹片、第九弹片以及第十弹片，第二电源接口(VCCQ)电连接卡连接器11的第二弹片，参考时钟接口(RCLK)电连接卡连接器11的第四弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接卡连接器11的第六弹片。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第五弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第二弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202接收由存储卡控制器201发出的、经分频器204调整后的时钟信号，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，SIM卡控制器202经第六弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在其他一些实施例中，处理器20中可以不设置分频器204，二合一卡7中也可以不设置分频器715。在电子设备的处理器20中，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)均电连接卡连接器11的第四弹片。在二合一卡7中，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接卡接口72的第四金手指724。存储卡控制器201经第四弹片发送存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)至第四金手指724，SIM卡控制器202经第四弹片发送SIM卡的时钟信号(SIM CLK)至第四金手指724，存储卡电路712和SIM卡电路713根据接收到的信号进行对应处理，也即，只处理电路可识别的时钟信号。例如，当第四金手指724传输的信号只有存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)时，存储卡电路712处理存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；当第四金手指724传输的信号只有SIM卡的时钟信号(SIM CLK)时，SIM卡电路713处理SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；当第四金手指724传输的信号有存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和有SIM卡的时钟信号(SIM CLK)时，存储卡电路712处理存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，例如采集100MHz以上的信号，SIM卡电路713处理SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，例如采集5MHz以下的信号。
在其他一些实施例中，处理器20中可以不设置分频器204，二合一卡7中也可以不设置分频器715，将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的频率提升至和存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)的频率相同，例如将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)提升至存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)所需要的19.2MHz频率、或是20MHz频率，以实现时钟的共用。此时，电子设备中，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)电连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，其中一个时钟接口电连接卡连接器11的第四弹片。二合一卡7中，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接第四金手指724。
在其他一些实施例中，处理器20中可以将分频器204更换为开关，二合一卡7中可以不设置分频器715。此时，在电子设备的处理器20中，开关连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，还连接第四弹片；二合一卡7中，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接第四金手指724。电子设备通过同一个弹片时分复用，提供存储卡的参考时钟信号和SIM卡的时钟信号，当有SIM卡业务时，提供SIM卡的时钟信号，当有存储卡业务时提供存储卡的参考时钟信号。在某些情况下，如果SIM卡的时钟信号和存储卡的参考时钟信号相同时，可提供相同的时钟信号。在某些情况下，如果SIM卡和存储卡同时有业务时，可优先提供SIM卡的时钟信号，存储卡的参考时钟信后待SIM卡结束业务后恢复提供。在其他一些实施例中，在处理器20将分频器204更换为开关的方案中，二合一卡7中的分频器715也可以更换为开关。
可以理解的是，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和SIM卡的时钟信号(SIM CLK)复用第四金手指724进行传输的实现方式还有其他方案，本申请对此不作严格限定。
在其他一些实施例中，二合一卡7的卡接口72的信号排布可以有其他方式。例如，第一金手指721用于传输存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，第二金手指722用于传输存储卡的其中一个数据信号(例如NM RX+)，其他金手指的信号排布不变。此时，二合一卡7的第一金手指721电连接存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)，第二金手指722连接存储卡电路712的其中一个数据接口(例如RX+)，其他接口与金手指的连接电路不变；电子设备的存储卡控制器201的第二电源接口(VCCQ)电连接第一弹片，存储卡控制器201的其中一个数据接口(例如RX+)电连接第二弹片，其他接口与卡连接器11的弹片的连接电路不变；二合一卡7和电子设备的工作流程做适应性调整，此处不再赘述。
请参阅表12，表12为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图31所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与NanoSIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表12
Figure BDA0003576743530000571
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图31所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的数据接口(例如RX-)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的数据接口(例如RX-)与第五弹片。
在另一些实施例中，本申请还提供一种电子设备，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图31所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器可以包括存储卡控制器、第二存储卡控制器、SIM卡控制器以及接口控制器，接口控制器电连接存储卡控制器、第二存储卡控制器以及SIM卡控制器，接口控制器还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器的接口协议(例如UFS接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器能够控制SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器控制SIM卡控制器经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器控制第二存储卡控制器经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器还可以包括多根导线。本实施例的其他技术内容可以参考图32对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
在本实施例中，二合一卡7将一个高速信号(例如NM RX+)排布于第一金手指721，由于二合一卡7的第一金手指721与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第一弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
二合一卡7将存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)排布于第二金手指722，由于二合一卡7的第二金手指722与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，二合一卡7的第二金手指722无需与Nano SIM卡3和第一NM卡4复用电子设备的卡连接器11的同一个弹片，避免存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)与Nano SIM卡3和第一NM卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低Nano SIM卡3和第一NM卡4插入电子设备、连接卡连接器11时，被存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)烧坏的风险，电子设备兼容Nano SIM卡3和第一NM卡4以及二合一卡7的可靠性较高。此外，第一NM卡4和Nano SIM卡3也无需部署用于避免电路被存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
请参阅图33，图33是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712采用PCIE接口协议。二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NMTX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)和存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM RX+)、第五金手指725用于传输数据信号(NM RX-)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第五金手指725传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)和存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；第二金手指722用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
请结合参阅图33和表13，表13是图33所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表13
Figure BDA0003576743530000591
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、参考时钟接口(RCLK)、第二电源接口(VDD2)、地接口(GND)以及第一电源接口(VDD1)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)，存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。上述存储卡电路712的接口可以位于存储卡电路712的控制部分。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。上述SIM卡电路713的接口可以位于SIM卡电路713的控制部分。
其中，二合一卡7的第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第二金手指722电连接存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接存储卡电路712的参考时钟接口(CLK)，并经分频器715电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第六金手指726电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第五金手指725、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第二金手指722、第三金手指723及第六金手指726也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，分频器715用于改变信号的频率。在本实施例中，通过设置分频器715，使得第四金手指724传输的初始的时钟信号可以为存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)直接传输给存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，分频器715对存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，而后将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)传输给SIM卡电路713的时钟接口(CLK)。例如，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的频率为200MHz，经过分频器715，可以将频率调整为5MHz，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
在本实施例中，二合一卡7可以通过同一个金手指(也即第四金手指724)实现存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)的复用，使得二合一卡7的卡接口72的集成度高，并且第四金手指724无需进行连接电路切换，二合一卡7的实现难度低，易实现，使得二合一卡7的可靠性高。其中，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)可以时分复用第四金手指724，也可以同步使用第四金手指724，本申请对此不作严格限定。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
一些实施例中，请结合参阅图33和图34，图34是图33所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、分频器204、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VDD1)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图34中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201的接口和SIM卡控制器202的接口连接卡连接器11的十个弹片中的八个弹片。电源接口连接至十个弹片中的另一个弹片，地接口连接至十个弹片中的另一个弹片。在本实施例中，电子设备通过卡连接器11的十个弹片实现与二合一卡7的通话、数据通信及数据存储等交互，弹片数量少，卡连接器11及卡座组件的体积小，有利于电子设备的轻薄化。
示例性的，存储卡控制器201支持PCIE接口协议。存储卡控制器201包括参考时钟接口(RCLK)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)。SIM卡控制器202包括时钟接口(CLK)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)连接卡连接器11的十个弹片中的一个弹片，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)经分频器204连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)。
在本实施例中，分频器204连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，分频器204用于对存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)传输的存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)进行频率调整，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，并与SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)进行传输，使得SIM卡控制器202与存储卡控制器201实现时钟对齐。例如，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的频率为200MHz，经过分频器204，可以将频率调整为5MHz，形成SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
由于电子设备的处理器20通过卡连接器11的其中一个弹片提供存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，从而为二合一卡7提供需要的时钟信号，同时，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)经分频器204连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，使得SIM卡控制器202的时钟能够与存储卡控制器201对齐，以提高电子设备与二合一卡7的通信效率和通信质量。
示例性的，存储卡控制器201还包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)和第二电源接口(VDD2)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NMRX-、NM TX+、NM TX-)，第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)。SIM卡控制器202包括复位接口(RST)和数据接口(DATA)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)。
其中，卡连接器11的十个弹片中的七个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、存储卡控制器201的第二电源接口(VDD2)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)以及SIM卡控制器202的复位接口(RST)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)一一对应地电连接卡连接器11的第一弹片、第五弹片、第九弹片以及第十弹片，第二电源接口(VDD2)电连接卡连接器11的第二弹片，参考时钟接口(RCLK)电连接卡连接器11的第四弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接卡连接器11的第六弹片。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第五弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第二弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第二电源信号(NM VDD2)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VDD1)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202接收由存储卡控制器201发出的、经分频器204调整后的时钟信号，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，SIM卡控制器202经第六弹片与二合一卡之间进行SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在其他一些实施例中，处理器20中可以不设置分频器204，二合一卡7中也可以不设置分频器715。在电子设备的处理器20中，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)均电连接卡连接器11的第四弹片。在二合一卡7中，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接卡接口72的第四金手指724。存储卡控制器201经第四弹片发送存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)至第四金手指724，SIM卡控制器202经第四弹片发送SIM卡的时钟信号(SIM CLK)至第四金手指724，存储卡电路712和SIM卡电路713根据接收到的信号进行对应处理，也即，只处理电路可识别的时钟信号。例如，当第四金手指724传输的信号只有存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)时，存储卡电路712处理存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；当第四金手指724传输的信号只有SIM卡的时钟信号(SIM CLK)时，SIM卡电路713处理SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；当第四金手指724传输的信号有存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和有SIM卡的时钟信号(SIM CLK)时，存储卡电路712处理存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，例如采集100MHz以上的信号，SIM卡电路713处理SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，例如采集5MHz以下的信号。
在其他一些实施例中，处理器20中可以不设置分频器204，二合一卡7中也可以不设置分频器715，将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的频率提升至和存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)的频率相同，例如将SIM卡的时钟信号(SIM CLK)提升至存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)所需要的19.2MHz频率、或是20MHz频率，以实现时钟的共用。此时，电子设备中，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)电连接SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，其中一个时钟接口电连接卡连接器11的第四弹片。二合一卡7中，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接第四金手指724。
在其他一些实施例中，处理器20中可以将分频器204更换为开关，二合一卡7中可以不设置分频器715。此时，在电子设备的处理器20中，开关连接存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)，还连接第四弹片；二合一卡7中，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和SIM卡电路713的时钟接口(CLK)均电连接第四金手指724。电子设备通过同一个弹片时分复用，提供存储卡的参考时钟信号和SIM卡的时钟信号，当有SIM卡业务时，提供SIM卡的时钟信号，当有存储卡业务时提供存储卡的参考时钟信号。在某些情况下，如果SIM卡的时钟信号和存储卡的参考时钟信号相同时，可提供相同的时钟信号。在某些情况下，如果SIM卡和存储卡同时有业务时，可优先提供SIM卡的时钟信号，存储卡的参考时钟信后待SIM卡结束业务后恢复提供。在其他一些实施例中，在处理器20将分频器204更换为开关的方案中，二合一卡7中的分频器715也可以更换为开关。
可以理解的是，存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和SIM卡的时钟信号(SIM CLK)复用第四金手指724进行传输的实现方式还有其他方案，本申请对此不作严格限定。
在其他一些实施例中，二合一卡7的卡接口72的信号排布可以有其他方式。例如，第二金手指722用于传输存储卡的其中一个数据信号(例如NM RX+)，第一金手指721用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，其他金手指的信号排布不变。此时，二合一卡7的第二金手指722连接存储卡电路712的其中一个数据接口(例如RX+)，第一金手指721电连接存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，其他接口与金手指的连接电路不变；电子设备的存储卡控制器201的其中一个数据接口(例如RX+)电连接第二弹片,存储卡控制器201的第二电源接口(VDD2)电连接第一弹片，其他接口与卡连接器11的弹片的连接电路不变；二合一卡7和电子设备的工作流程做适应性调整，此处不再赘述。
请参阅表14，表14为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图33所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与NanoSIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表14
Figure BDA0003576743530000631
Figure BDA0003576743530000641
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图33所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的数据接口(例如RX-)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的数据接口(例如RX-)与第五弹片。
在另一些实施例中，本申请还提供一种电子设备，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图31所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器可以包括存储卡控制器、第二存储卡控制器、SIM卡控制器以及接口控制器，接口控制器电连接存储卡控制器、第二存储卡控制器以及SIM卡控制器，接口控制器还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器的接口协议(例如PCIE接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器能够控制SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器控制SIM卡控制器经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器控制第二存储卡控制器经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器还可以包括多根导线。本实施例的其他技术内容可以参考图32对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
在本实施例中，二合一卡7将一个高速信号(例如NM RX+)排布于第一金手指721，由于二合一卡7的第一金手指721与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第一弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
二合一卡7将存储卡的第二电源信号(NM VDD2)排布于第二金手指722，由于二合一卡7的第二金手指722与Nano SIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，二合一卡7的第二金手指722无需与Nano SIM卡3和第一NM卡4复用电子设备的卡连接器11的同一个弹片，避免存储卡的第二电源信号(NM VDD2)与Nano SIM卡3和第一NM卡4的数据信号共用同一个弹片，以降低Nano SIM卡3和第一NM卡4插入电子设备、连接卡连接器11时，被存储卡的第二电源信号(NM VDD2)烧坏的风险，电子设备兼容Nano SIM卡3和第一NM卡4以及二合一卡7的可靠性较高。此外，第一NM卡4和Nano SIM卡3也无需部署用于避免电路被存储卡的第二电源信号(NM VDD2)烧坏的耐高压设计，能够降低成本。
请参阅图35，图35是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712支持UFS接口协议。二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM RX+)、第二金手指722用于传输数据信号(NM RX-)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第二金手指722传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；第五金手指725用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
请结合参阅图35和表15，表15是图35所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表15
Figure BDA0003576743530000661
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VCCQ)、参考时钟接口(RCLK)、地接口(GND)以及第一电源接口(VCC)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)用于传输存储卡的第二电源信号(NMVCCQ)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VCC)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VCC)。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。
其中，二合一卡7还包括电压调节器716。二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第五金手指725电连接存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，第六金手指726电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VCC)。其中，第八金手指728还通过电压调节器716电连接存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第三金手指723至第六金手指726也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
示例性的，第八金手指728通过电压调节器716电连接存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)，电压调节器716能够对第八金手指728传输的电源信号进行调压，从而形成存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，并传输至存储卡电路712的第二电源接口(VCCQ)。例如，存储卡的第一电源信号(NM VCC)的电压为2.5V，电压调节器716可以调节至1.2V至1.25V，以形成存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)。
在本实施例中，由于存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)可以通过存储卡的第一电源信号(NM VCC)调压获得，因此无需通过单独的金手指进行数据传输，从而节约二合一卡7的卡接口72的金手指数量，提高了卡接口72的集成度，并且二合一卡7内部的电路结构简单，易实现。
请结合参阅图35和图36，图36是图35所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VCC)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图36中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201支持UFS接口协议。存储卡控制器201包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)和参考时钟接口(RCLK)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)。SIM卡控制器202包括复位接口(RST)、数据接口(DATA)以及时钟接口(CLK)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIMCLK)。
其中，卡连接器11的十个弹片中的八个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)、SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)、以及SIM卡控制器202的复位接口(RST)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)分别电连接卡连接器11的第一弹片、第二弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)电连接卡连接器11的第五弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)电连接卡连接器11的第四弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接第六弹片。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第二弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第五弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VCC)的传输，存储卡的第一电源信号(NM VCC)在二合一卡7中，经电压调节器716调整为存储卡的第二电源信号(NM VCCQ)，与存储卡电路712进行传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，经第六弹片与二合一卡7进行SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
请参阅表16，表16为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图35所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与NanoSIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表16
Figure BDA0003576743530000691
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图35所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置开关，开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，开关导通存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)与第五弹片。
在另一些实施例中，本申请还提供一种电子设备，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图35所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器可以包括存储卡控制器、第二存储卡控制器、SIM卡控制器以及接口控制器，接口控制器电连接存储卡控制器、第二存储卡控制器以及SIM卡控制器，接口控制器还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器的接口协议(例如UFS接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器能够控制SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器控制SIM卡控制器经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器控制第二存储卡控制器经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器还可以包括多根导线。本实施例的其他技术内容可以参考图32对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
在本实施例中，二合一卡7将两个高速信号(例如NM RX+、NM RX-)分别排布于第一金手指721和第二金手指722，由于二合一卡7的第一金手指721和第二金手指722与NanoSIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第一弹片和第二弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
请参阅图37，图37是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712采用PCIE接口协议。二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM RX+)、第二金手指722用于传输数据信号(NM RX-)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第二金手指722传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；第五金手指725用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)；第六金手指726用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIMVCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
请结合参阅图37和表17，表17是图37所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表17
Figure BDA0003576743530000711
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VDD2)、参考时钟接口(RCLK)、地接口(GND)以及第一电源接口(VDD1)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NMVDD2)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。
其中，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第五金手指725电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)，第六金手指726电连接存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)。其中，第八金手指728还通过电压调节器716电连接存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第三金手指723至第六金手指726也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
示例性的，第八金手指728通过电压调节器716电连接存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，电压调节器716能够对第八金手指728传输的电源信号进行调压，从而形成存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，并传输至存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)。
在本实施例中，由于存储卡的第二电源信号(NM VDD2)可以通过存储卡的第一电源信号(NM VDD1)调压获得，因此无需通过单独的金手指进行数据传输，从而节约二合一卡7的卡接口72的金手指数量，提高了卡接口72的集成度，并且二合一卡7内部的电路结构简单，易实现。
请结合参阅图37和图38，图38是图37所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。
一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VDD1)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图38中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201支持PCIE接口协议。存储卡控制器201包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)和参考时钟接口(RCLK)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)。SIM卡控制器202包括复位接口(RST)、数据接口(DATA)以及时钟接口(CLK)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIMCLK)。
其中，卡连接器11的十个弹片中的八个弹片一一对应地连接存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)、SIM卡控制器202的数据接口(DATA)、SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)、以及SIM卡控制器202的复位接口(RST)。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)分别电连接卡连接器11的第一弹片、第二弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)电连接卡连接器11的第六弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)电连接卡连接器11的第四弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接第五弹片。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第二弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第六弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VDD1)的传输，存储卡的第一电源信号(NM VDD1)在二合一卡7中，经电压调节器716调整为存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，与存储卡电路712进行传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，经第五弹片与二合一卡7进行SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在其他一些实施例中，二合一卡7的第五金手指725可以用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)。此时，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)电连接卡接口72的第五金手指725，SIM卡电路713的复位接口(RST)电连接卡接口72的第五金手指725。在电子设备侧，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)电连接卡连接器11的第五弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接卡连接器11的第六弹片。
请参阅表18，表18为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图37所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与NanoSIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表18
Figure BDA0003576743530000741
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图37所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置第一开关，第一开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及SIM卡控制器202的复位接口(RST)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，第一开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，第一开关导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第五弹片。
电子设备的处理器20包括第二开关，第二开关连接SIM卡控制器202的复位接口(RST)和存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)，还连接卡连接器11的第六弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，第二开关导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第六弹片；当电子设备插入二合一卡7时，第二开关导通存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)与第六弹片。
在另一些实施例中，本申请还提供一种电子设备，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图35所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器可以包括存储卡控制器、第二存储卡控制器、SIM卡控制器以及接口控制器，接口控制器电连接存储卡控制器、第二存储卡控制器以及SIM卡控制器，接口控制器还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器的接口协议(例如PCIE接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器能够控制SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器控制SIM卡控制器经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器控制第二存储卡控制器经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器还可以包括多根导线。本实施例的其他技术内容可以参考图32对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
在本实施例中，二合一卡7将两个高速信号(例如NM RX+、NM RX-)分别排布于第一金手指721和第二金手指722，由于二合一卡7的第一金手指721和第二金手指722与NanoSIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第一弹片和第二弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
请参阅图39，图39是图17所示二合一卡7在另一些实施例中的示意图。
一些实施例中，二合一卡7的存储卡电路712采用PCIE接口协议。二合一卡7的卡接口72包括第一金手指721至第十金手指7210。在第一金手指721至第十金手指7210中，其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
示例性的，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)。以下实施例以第一金手指721用于传输数据信号(NM RX+)、第二金手指722用于传输数据信号(NM RX-)、第九金手指729用于传输数据信号(NM TX+)、第十金手指7210用于传输数据信号(NM TX-)，为例进行说明。在其他一些实施例中，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210传输的数据信号能够互相调换。例如，第一金手指721与第二金手指722传输的数据信号互相调换，第九金手指729与第十金手指7210传输的数据信号互相调换，其他实施例此处不再赘述。
第三金手指723用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)；第四金手指724用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)；第五金手指725用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)；第六金手指726用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和存储卡的第二电源信号(NM VDD2)；第七金手指727用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)和存储卡的地信号(NM GND)；第八金手指728用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)和存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
请结合参阅图39和表19，表19是图39所示二合一卡7的金手指与电路的接口对应关系的示意表。在本申请实施例中，为了便于示意，后文及附图中涉及的电路的接口或控制器的接口，均以其传输的信号进行对应标识。
表19
Figure BDA0003576743530000761
一些实施例中，存储卡电路712包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、第二电源接口(VDD2)、参考时钟接口(RCLK)、地接口(GND)以及第一电源接口(VDD1)。存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NMVDD2)，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，存储卡电路712的地接口(GND)用于传输存储卡的地信号(NM GND)，存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)用于传输存储卡的第一电源信号(NM VDD1)。
SIM卡电路713包括数据接口(DATA)、时钟接口(CLK)、复位接口(RST)、地接口(GND)、以及电源接口(VCC)。SIM卡电路713的数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，SIM卡电路713的时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)，SIM卡电路713的复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，SIM卡电路713的地接口(GND)用于传输SIM卡的地信号(SIM GND)，SIM卡电路713的电源接口(VCC)用于传输SIM卡的电源信号(SIM VCC)。
其中，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210分别电连接存储卡电路712的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)，第三金手指723电连接SIM卡电路713的数据接口(DATA)，第四金手指724电连接SIM卡电路713的时钟接口(CLK)，第五金手指725电连接SIM卡电路713的复位接口(RST)，第六金手指726电连接存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，第七金手指727电连接SIM卡电路713的地接口(GND)和存储卡电路712的地接口(GND)，第八金手指728电连接SIM卡电路713的电源接口(VCC)和存储卡电路712的第一电源接口(VDD1)。
在本实施例中，二合一卡7通过第一金手指721至第十金手指7210实现SIM卡电路713的信号传输和存储卡电路712的信号传输，使得二合一卡7能够集成SIM卡功能和存储卡功能，实现了多功能化，提高了集成度。电子设备插接二合一卡7时，能够有效减少需要插接的信息卡数量，减少卡座组件的数量，有利于电子设备的轻薄化，也能够提高用户的使用体验。
此外，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210为存储卡电路712的独占金手指，用于传输存储卡的高速数据，第一金手指721、第二金手指722、第九金手指729及第十金手指7210无需进行高速数据接口与低速数据接口的连接电路切换设计，能够有效降低二合一卡7的内部电路设计难度，易实现。
此外，第三金手指723至第五金手指725也为SIM卡电路713或存储卡电路712独占的金手指，这部分金手指同样无需进行连接电路的切换设计，使得二合一卡7的内部电路设计难度低，易实现。
示例性的，SIM卡电路713和存储卡电路712均通过第七金手指727传输地信号，通过第八金手指728传输电源信号，二合一卡7可以不设置相关的连接电路的切换方案，或者切换方案易实现，因此既能够提高二合一卡7的卡接口72的集成度，并且内部电路设计难度低，使得二合一卡7的可靠性高，成本低。SIM卡电路713和存储卡电路712经第七金手指727和第八金手指728传输地信号和电源信号的方案，具体的可参考前文实施例的相关描述，此处不再赘述。
二合一卡7中设置分离电路717，分离电路717电连接第六金手指726和存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)，分离电路717用于将第六金手指726传输的信号分离出存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)并传输至存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)，还用于将第六金手指726传输的信号分离出存储卡的第二电源信号(NM VDD2)并传输至存储卡电路712的第二电源接口(VDD2)。
请结合参阅图39和图40，图40是图39所示二合一卡7与一种电子设备的连接电路示意图。一些实施例中，二合一卡7插入电子设备的卡座组件，与卡连接器11电连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持并电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210。示例性的，电子设备的处理器20可以包括存储卡控制器201、SIM卡控制器202、电源接口及地接口。存储卡控制器201可以用于控制二合一卡7的存储卡电路的运行，SIM卡控制器202可以用于控制二合一卡7的SIM卡电路的运行。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。其中，处理器20的多个控制器可以为彼此独立的部件，也可以通过集成部件进行组合，也可以一个控制器拆分在多个部件中，本申请实施例对此不作严格限定。
示例性的，处理器20的电源接口用于传输电源信号，地接口用于传输地信号。其中，电源信号可以为SIM卡的电源信号(SIM VCC)或存储卡的第一电源信号(NM VDD1)，地信号可以为存储卡的地信号(NM GND)或SIM卡的地信号(SIM GND)。其中，电源接口和地接口可以独立在SIM卡控制器202和存储卡控制器201之外，也可以各自拆分后、集成在SIM卡控制器202和存储卡控制器201中，本申请实施例对此不作严格限定。图40中以及后续附图中，以电源接口和地接口相对SIM卡控制器202和存储卡控制器201独立为例进行示意，并分别标识为电源和地。
示例性的，存储卡控制器201支持PCIE接口协议。存储卡控制器201包括四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)、参考时钟接口(RCLK)以及第二电源接口(VDD2)，四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)用于传输存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)，参考时钟接口(RCLK)用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)，第二电源接口(VDD2)用于传输存储卡的第二电源信号(NM VDD2)。SIM卡控制器202包括复位接口(RST)、数据接口(DATA)以及时钟接口(CLK)，复位接口(RST)用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)，数据接口(DATA)用于传输SIM卡的数据信号(SIM DATA)，时钟接口(CLK)用于传输SIM卡的时钟信号(SIM CLK)。
示例性的，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和第二电源接口(VDD2)连接至卡连接器11的十个弹片中的同一个弹片。在本实施例中，由于存储卡的参考时钟信号(NMRCLK)和存储卡的第二电源信号(NM VDD2)可以分离，因此通过卡连接器11的同一个弹片传输这两个信号，能够减少卡连接器11的弹片数量，从而减小其面积，有利于电子设备的小型化。
示例性的，存储卡控制器201的四个数据接口(RX+、RX-、TX+、TX-)分别电连接卡连接器11的第一弹片、第二弹片、第九弹片以及第十弹片，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和第二电源接口(VDD2)电连接卡连接器11的第六弹片。SIM卡控制器202的数据接口(DATA)电连接卡连接器11的第三弹片，SIM卡控制器202的时钟接口(CLK)电连接卡连接器11的第四弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接第五弹片。处理器20的电源接口电连接卡连接器11的第八弹片，地接口电连接卡连接器11的第七弹片。
在本实施例中，当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的存储卡电路712工作时，存储卡控制器201经第一弹片、第二弹片、第九弹片及第十弹片与二合一卡7之间进行存储卡的数据信号(NM RX+、NM RX-、NM TX+、NM TX-)的传输，经第六弹片与二合一卡7之间进行存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和存储卡的第二电源信号(NM VDD2)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行存储卡的第一电源信号(NM VDD1)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行存储卡的地信号(NM GND)的传输，二合一卡7实现数据存储功能。
当二合一卡7插入电子设备，二合一卡7的SIM卡电路713工作时，SIM卡控制器202经第三弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的数据信号(SIM DATA)的传输，经第四弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的时钟信号(SIM CLK)的传输；处理器20的电源接口经第八弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的电源信号(SIM VCC)的传输，地接口经第七弹片与二合一卡7之间进行SIM卡的地信号(SIM GND)的传输，二合一卡7实现通话、数据通信功能。其中，当电子设备需要对二合一卡7的SIM卡电路713进行复位操作时，经第五弹片与二合一卡7进行SIM卡的复位信号(SIM RST)的传输，控制SIM卡电路713进行复位。
在其他一些实施例中，二合一卡7的第五金手指725可以用于传输存储卡的参考时钟信号(NM RCLK)和存储卡的第二电源信号(NM VDD2)，第六金手指726用于传输SIM卡的复位信号(SIM RST)。此时，存储卡电路712的参考时钟接口(RCLK)和第二电源接口(VDD2)电连接卡接口72的第五金手指725，SIM卡电路713的复位接口(RST)电连接卡接口72的第五金手指725。在电子设备侧，存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和第二电源接口(VDD2)电连接卡连接器11的第五弹片，SIM卡控制器202的复位接口(RST)电连接卡连接器11的第六弹片。
请参阅表20，表20为卡连接器11的多个弹片与Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图39所示二合一卡7的多个金手指及其传输信号的对应关系表。二合一卡7与卡连接器11连接时，卡连接器11的第一弹片至第十弹片一一对应地抵持且电连接二合一卡7的第一金手指721至第十金手指7210，二合一卡7的第三金手指723至第八金手指728一一对应地与NanoSIM卡3的第一金手指321至第六金手指326位置对应。一些实施例中，二合一卡7的第三金手指723至第十金手指7210一一对应地与第一NM卡4的第一金手指421至第八金手指428位置对应。
表20
Figure BDA0003576743530000791
当电子设备兼容Nano SIM卡3和图39所示二合一卡7时，电子设备的SIM卡控制器202可以不支持编程电压/输入信号。或者，电子设备的SIM卡控制器202也可以支持编程电压/输入信号。此时，电子设备的SIM卡控制器202还可以包括编程电压/输入信号接口(VPP)，处理器20可以设置第一开关，第一开关连接SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)及SIM卡控制器202的复位接口(RST)，还连接卡连接器11的第五弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，第一开关导通SIM卡控制器202的编程电压/输入信号接口(VPP)与第五弹片；当电子设备插入二合一卡7时，第一开关导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第五弹片。
电子设备的处理器20包括第二开关，第二开关连接SIM卡控制器202的复位接口(RST)、存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和第二电源接口(VDD2)，还连接卡连接器11的第六弹片。当电子设备插入Nano SIM卡3时，第二开关导通SIM卡控制器202的复位接口(RST)与第六弹片；当电子设备插入二合一卡7时，第二开关导通存储卡控制器201的参考时钟接口(RCLK)和第二电源接口(VDD2)与第六弹片。
在另一些实施例中，本申请还提供一种电子设备，电子设备能够兼容Nano SIM卡3、第一NM卡4以及图35所示二合一卡7。其中，电子设备的处理器可以包括存储卡控制器、第二存储卡控制器、SIM卡控制器以及接口控制器，接口控制器电连接存储卡控制器、第二存储卡控制器以及SIM卡控制器，接口控制器还电连接卡连接器11的多个弹片。
存储卡控制器的接口协议(例如PCIE接口协议)能够与二合一卡7的存储卡电路通信，用于控制二合一卡7的存储卡电路运行，SIM卡控制器用于控制Nano SIM卡3运行，第二存储卡控制器的接口协议(例如EMMC接口协议)能够与第一NM卡4通信，用于控制第一NM卡4运行。
当不同的信息卡插入电子设备的卡座组件10，与卡连接器11电连接时，接口控制器能够控制SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与信息卡通信、或者第二存储卡控制器经卡连接器11与信息卡通信。例如，当卡托2安装有Nano SIM卡3，Nano SIM卡3插入卡座组件10时，接口控制器控制SIM卡控制器经卡连接器11与Nano SIM卡3进行通信；当卡托2安装有第一NM卡4，第一NM卡4插入卡座组件10时，接口控制器控制第二存储卡控制器经卡连接器11与第一NM卡4进行通信；当卡托2安装有二合一卡7，二合一卡7插入卡座组件10时，接口控制器控制存储卡控制器和SIM卡控制器经卡连接器11与二合一卡7进行通信。
其中，接口控制器可以包括多个开关，通过多个开关切换卡连接器11的多个弹片与处理器中的多个控制器的连接关系，以实现在不同场景下的通信需求。接口控制器还可以包括多根导线。本实施例的其他技术内容可以参考图32对应实施例的相关描述，此处不再赘述。
在本实施例中，二合一卡7将两个高速信号(例如NM RX+、NM RX-)分别排布于第一金手指721和第二金手指722，由于二合一卡7的第一金手指721和第二金手指722与NanoSIM卡3和第一NM卡4的所有金手指均无位置对应关系，因此无论电子设备中插入的信息卡是二合一卡7、Nano SIM卡3还是第一NM卡4，处理器20均无需切换与第一弹片和第二弹片电连接的接口，从而可以简化处理器20的电路，降低设计难度和成本。
基于上述实施例的描述，在不冲突的情况下，在本申请的其他一些实施例中，二合一卡7的第一金手指721、第二金手指722以及第十金手指7210用作数据接口时，可以电连接耐高压电路或保护开关，用于避免在卡连接器11的第三弹片输出SIM卡控制器202的高压的数据信号、第四弹片输出SIM卡控制器202的高压的时钟信号、第八弹片输出高压的电源信号时，由于弹片短路，而烧坏电路，以提高二合一卡7的可靠性。其中，耐高压电路或保护开关均位于二合一卡7的封装件711内。在其他一些实施例中，也可通过在电子设备内提供高阻抗保护电路，避免烧坏二合一卡7的电路，例如在电子设备的接口控制器或其他控制器内增加保护电路实现。
在本申请的其他一些实施例中，二合一卡也可以有其他设计方式，其适配的卡连接器及卡座组件可以不兼容第一NM卡。
在本申请的其他一些实施例中，二合一卡也可以有其他设计方式，其适配的卡连接器及卡座组件可以不兼容Nano SIM卡。此时，二合一卡的第一金手指至第十金手指的排布位置可以进行调整，第一金手指至第十金手指的信号排布位置可以进行相互调换，二合一卡的卡体的尺寸可以发生变化。
一些实施例中，电子设备可以通过信息卡识别方法识别插入电子设备的信息卡的类型。
一些实施例中，信息卡识别方法能够识别信息卡是否为Nano SIM卡或二合一卡，信息卡识别方法可以应用于能够兼容Nano SIM卡和二合一卡的电子设备。
信息卡识别方法包括：
步骤001：执行第一初始化流程；
步骤002：若接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡为第一卡；若未接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡非第一卡，执行第二初始化流程；
步骤003：若接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡为第二卡；若未接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡非第二卡。
在本实施例中，电子设备通过执行信息卡的初始化流程，若接收到特定的回复信号，则能够判断信息卡是与初始化流程对应的信息卡，若未接收到特定的回复信号，则判断信息卡不是与初始化流程对应的信息卡，并执行下一个初始化流程，判断信息卡是否为与下一个初始化流程对应的信息卡。
在本实施例中，电子设备能够通过处理器自动识别信息卡类型，并控制与信息卡对应的控制器与卡连接器导通，使得信息卡能够与电子设备能够自动匹配，从而进行通信，提高了用户的使用体验。
一些实施例中，第一初始化流程可以为SIM卡初始化流程，第一卡为Nano SIM卡；第二初始化流程可以为二合一卡初始化流程，第二卡为二合一卡。或者，第一初始化流程可以为二合一卡初始化流程，第一卡为二合一卡；第二初始化流程可以为SIM卡初始化流程，第二卡为Nano SIM卡。
一些实施例中，信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启。
一些实施例中，信息卡识别方法响应于检测到卡托状态由脱离状态切换为插入状态。其中，参阅图3，电子设备可以通过卡座组件中的插入检测弹片检测卡托状态为脱离状态还是插入状态。
另一些实施例中，信息卡识别方法能够识别信息卡是否为Nano SIM卡、第一NM卡或二合一卡，信息卡识别方法可以应用于能够兼容Nano SIM卡、第一NM卡以及二合一卡的电子设备。
信息卡识别方法包括：
步骤001：执行第一初始化流程；
步骤002：若接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡为第一卡；若未接收到第一回复指令，则判断插入的信息卡非第一卡，执行第二初始化流程；
步骤003：若接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡为第二卡；若未接收到第二回复指令，则判断插入的信息卡非第二卡，执行第三初始化流程；
步骤004：若接收到第三回复指令，则判断插入的信息卡为第三卡；若未接收到第三回复指令，则判断插入的信息卡非第三卡。
本实施例信息卡识别方法与前文实施例中信息卡识别方法的主要区别在于，在步骤003中，当判断插入的信息卡非第二卡时，信息卡识别方法接着执行第三初始化流程，以判断信息卡是否为第三卡。
一些实施例中，在第一初始化流程、第二初始化流程、第三初始化流程中，一者为SIM卡初始化流程，另一者为第一NM卡初始化流程，另一者为二合一卡初始化流程。对应的，在第一卡、第二卡和第三卡中，一者为Nano SIM卡、另一者为第一NM卡、另一者为二合一卡。
一些实施例中，信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启时，其中，第一初始化流程可以为SIM卡初始化流程或二合一卡初始化流程。在本实施例中，当电子设备开机或电子设备重启时，信息卡识别方法先进行SIM卡初始化流程或二合一卡初始化流程，判断信息卡是否为Nano SIM卡或二合一卡，以先进入联网状态。当然，在其他一些实施例中，当信息卡识别方法响应于电子设备开机或电子设备重启时，信息卡识别方法也可以先执行其他初始化流程，本申请实施例对此不作严格限定。
本实施例信息卡识别方法的其他内容可以参阅前文实施例中信息卡识别方法的相关描述，此处不再赘述。
在其他一些实施例中，处理器也可以设有用于检测信息卡类型的检测电路，处理器能够依据检测电路的检测结果识别信息卡的类型。本申请实施例不对处理器识别信息卡类型的具体方式进行严格限定。
以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (26)

1.一种卡(7)，其特征在于，包括卡体(71)和卡接口(72)，所述卡体(71)包括存储卡电路(712)和SIM卡电路(713)，所述卡接口(72)固定于所述卡体(71)，所述存储卡电路(712)和所述SIM卡电路(713)通过所述卡接口(72)的十个金手指传输信号，十个所述金手指露出于所述卡体(71)的同一侧；
所述卡(7)的卡体(71)包括第一边(7111)、第二边(7112)、第三边(7113)和第四边(7114)，所述第一边(7111)和所述第三边(7113)相对设置并沿所述卡(7)的长度方向延伸，所述第二边(7112)和所述第四边(7114)相对设置并沿所述卡(7)的宽度方向延伸，所述第二边(7112)与所述第四边(7114)的间距大于所述第一边(7111)与所述第三边(7113)的间距，所述卡(7)的卡体(71)的一个角为切角，所述切角设置于所述第一边(7111)与所述第二边(7112)之间；
十个所述金手指沿所述卡(7)的长度方向排布成第一列金手指和第二列金手指，所述第一列金手指包括沿所述卡(7)的宽度方向排布的第一金手指(721)、第三金手指(723)、第五金手指(725)、第七金手指(727)及第九金手指(729)，所述第二列金手指包括沿所述卡(7)的宽度方向排布的第二金手指(722)、第四金手指(724)、第六金手指(726)、第八金手指(728)及第十金手指(7210)；
所述第一金手指(721)位于所述第一边(7111)与所述第三金手指(723)之间，所述第二金手指(722)位于所述第一边(7111)与所述第四金手指(724)之间。
2.根据权利要求1所述的卡(7)，其特征在于，十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的其中一个信号。
3.根据权利要求2所述的卡(7)，其特征在于，所述卡(7)还包括切换电路(714)，所述切换电路(714)连接所述SIM卡电路(713)的复位接口和所述存储卡电路(712)的其中一个接口，所述切换电路(714)还连接十个所述金手指中的其中一个金手指。
4.根据权利要求2或3所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持EMMC接口协议；
十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的命令和响应信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
5.根据权利要求4所述的卡(7)，其特征在于，所述第一金手指(721)、所述第二金手指(722)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号，所述第五金手指(725)用于传输存储卡的时钟信号，所述第六金手指(726)用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的命令和响应信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
6.根据权利要求2或3所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持EMMC接口协议；
十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的命令和响应信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
7.根据权利要求6所述的卡(7)，其特征在于，所述第一金手指(721)、所述第二金手指(722)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号，所述第五金手指(725)用于传输存储卡的命令和响应信号，所述第六金手指(726)用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的时钟信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
8.根据权利要求2或3所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持UFS接口协议或PCIE接口协议；
十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号,其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的参考时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号。
9.根据权利要求8所述的卡(7)，其特征在于，
所述第五金手指(725)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号，所述第六金手指(726)用于传输SIM卡的复位信号和存储卡的参考时钟信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；
所述第一金手指(721)和所述第二金手指(722)中的一者用于传输存储卡的数据信号，另一者用于传输存储卡的第二电源信号。
10.根据权利要求1所述的卡(7)，其特征在于，十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号或参考时钟信号。
11.根据权利要求10所述的卡(7)，其特征在于，所述卡(7)还包括分频器(715)，所述分频器(715)连接所述SIM卡电路(713)的时钟接口，还连接所述存储卡电路(712)的时钟接口或参考时钟接口，还连接十个所述金手指中的其中一个金手指。
12.根据权利要求10或11所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持EMMC接口协议；
十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的命令和响应信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
13.根据权利要求12所述的卡(7)，其特征在于，
所述第一金手指(721)、所述第二金手指(722)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的时钟信号，所述第五金手指(725)用于传输存储卡的命令和响应信号，所述第六金手指(726)用于传输SIM卡的复位信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的电源信号。
14.根据权利要求10或11所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持UFS接口协议或PCIE接口协议；
十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的第二电源信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的参考时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号。
15.根据权利要求14所述的卡(7)，其特征在于，
所述第五金手指(725)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号和存储卡的参考时钟信号，所述第六金手指(726)用于传输SIM卡的复位信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；
所述第一金手指(721)和第二金手指(722)中的一者用于传输存储卡的数据信号，另一者用于传输存储卡的第二电源信号。
16.根据权利要求1所述的卡(7)，其特征在于，所述卡(7)还包括电压调节器(716)，十个所述金手指中的其中一个金手指连接所述SIM卡电路(713)的电源接口，还连接存储卡电路(712)的第一电源接口，还通过电压调节器(716)连接存储卡电路(712)的第二电源接口。
17.根据权利要求16所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持UFS接口协议或PCIE接口协议；
十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输SIM卡的数据信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的复位信号，其中四个金手指用于传输存储卡的数据信号，其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，其中一个金手指用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号。
18.根据权利要求17所述的卡(7)，其特征在于，
所述第一金手指(721)、所述第二金手指(722)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；
所述第五金手指(725)和所述第六金手指(726)中的一者用于传输存储卡的参考时钟信号，另一者用于传输SIM卡的复位信号。
19.根据权利要求1所述的卡(7)，其特征在于，所述存储卡电路(712)支持PCIE接口协议，十个所述金手指中的其中一个金手指用于传输存储卡的参考时钟信号和存储卡的第二电源信号。
20.根据权利要求19所述的卡(7)，其特征在于，所述卡(7)还包括分离电路(717)，所述存储卡电路(712)的参考时钟接口和第二电源接口连接所述分离电路(717)，所述分离电路(717)还连接十个所述金手指中的其中一个金手指。
21.根据权利要求19所述的卡(7)，其特征在于，
所述第一金手指(721)、所述第二金手指(722)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；
所述第五金手指(725)和所述第六金手指(726)中的一者用于传输存储卡的参考时钟信号和存储卡的第二电源信号，另一者用于传输SIM卡的复位信号。
22.根据权利要求20所述的卡(7)，其特征在于，
所述第一金手指(721)、所述第二金手指(722)、所述第九金手指(729)及所述第十金手指(7210)用于传输存储卡的数据信号，所述第三金手指(723)用于传输SIM卡的数据信号，所述第四金手指(724)用于传输SIM卡的时钟信号，所述第七金手指(727)用于传输SIM卡的地信号和存储卡的地信号，所述第八金手指(728)用于传输SIM卡的电源信号和存储卡的第一电源信号；
所述第五金手指(725)和所述第六金手指(726)中的一者用于传输存储卡的参考时钟信号和存储卡的第二电源信号，另一者用于传输SIM卡的复位信号。
23.根据权利要求5、7、9、13、15、18、21、22中任一项所述的卡(7)，其特征在于，所述卡(7)的卡体(71)的尺寸与Nano SIM卡(3)的卡体(31)的尺寸相同；
所述第三金手指(723)与所述Nano SIM卡(3)的第一金手指(321)位置对应；
所述第四金手指(724)与所述Nano SIM卡(3)的第二金手指(322)位置对应；
所述第五金手指(725)与所述Nano SIM卡(3)的第三金手指(323)位置对应；
所述第六金手指(726)与所述Nano SIM卡(3)的第四金手指(324)位置对应；
所述第七金手指(727)与所述Nano SIM卡(3)的第五金手指(325)位置对应；
所述第八金手指(728)与所述Nano SIM卡(3)的第六金手指(326)位置对应。
24.根据权利要求23所述的卡(7)，其特征在于，所述卡(7)和所述Nano SIM卡(3)能够安装于同一个卡座组件(10)，所述卡座组件(10)的卡连接器(11)包括呈阵列排布的第一弹片(11a)至第十弹片(11j)；
当所述卡(7)安装于所述卡座组件(10)时，所述第三金手指(723)电连接所述卡连接器(11)的第三弹片(11c)，所述第四金手指(724)电连接所述卡连接器(11)的第四弹片(11d)，所述第五金手指(725)电连接所述卡连接器(11)的第五弹片(11e)，所述第六金手指(726)电连接所述卡连接器(11)的第六弹片(11f)，所述第七金手指(727)电连接所述卡连接器(11)的第七弹片(11g)，所述第八金手指(728)电连接所述卡连接器(11)的第八弹片(11h)；
当所述Nano SIM卡(3)安装于所述卡座组件(10)时，所述Nano SIM卡(3)的第一金手指(321)电连接所述卡连接器(11)的第三弹片(11c)，所述Nano SIM卡(3)的第二金手指(322)电连接所述卡连接器(11)的第四弹片(11d)，所述Nano SIM卡(3)的第三金手指(323)电连接所述卡连接器(11)的第五弹片(11e)，所述Nano SIM卡(3)的第四金手指(324)电连接所述卡连接器(11)的第六弹片(11f)，所述Nano SIM卡(3)的第五金手指(325)电连接所述卡连接器(11)的第七弹片(11g)，所述Nano SIM卡(3)的第六金手指(326)电连接所述卡连接器(11)的第八弹片(11h)。
25.根据权利要求1所述的卡(7)，其特征在于，十个所述金手指沿所述卡(7)的宽度方向排布成第一排金手指(721、722)至第五排金手指(729、7210)；
第二排金手指(723、724)与第三排金手指(725、726)的中心间距大于第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的中心间距，且大于第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的中心间距；
第三排金手指(725、726)与第四排金手指(727、728)的中心间距大于第一排金手指(721、722)与第二排金手指(723、724)的中心间距，且大于第四排金手指(727、728)与第五排金手指(729、7210)的中心间距。
26.根据权利要求25所述的卡(7)，其特征在于，所述第二排金手指(723、724)与所述第三排金手指(725、726)的中心间距在1.5mm至2.8mm的范围内，所述第三排金手指(725、726)与所述第四排金手指(727、728)的中心间距在1.5mm至2.8mm的范围内，所述第一排金手指(721、722)与所述第二排金手指(723、724)的中心间距在1.0mm至1.7mm的范围内，所述第四排金手指(727、728)与所述第五排金手指(729、7210)的中心间距在1.0mm至1.7mm的范围内。
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