CN218621013U - 加热装置及物理气相沉淀设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种加热装置及物理气相沉淀设备，涉及气相沉淀技术领域。该加热装置包括盖板、盖板调节机构、第一加热件以及第二加热件。盖板调节机构和盖板连接，第一加热件和盖板调节机构连接，第二加热件和第一加热件相对设置，盖板调节机构用于调节第一加热件与盖板之间的距离或用于调节第一加热件和第二加热件之间的距离，将硅片或电池片设置在第一加热件和第二加热件之间，通过盖板调节机构调节第一加热件和第二加热件之间的距离或第一加热件与盖板之间的距离，即，可以调整第一加热件到硅片或电池片之间的距离，进而便于改变对硅片或电池片的加热温度。

Description

加热装置及物理气相沉淀设备

技术领域

本实用新型涉及气相沉淀技术领域，具体而言，涉及一种加热装置及物理气相沉淀设备。

背景技术

通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称：PVD)技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，其制备工艺中一般需要使用到物理气相沉淀设备，即PVD设备。

现有技术中，由于物理气相沉淀设备的加热装置无法调整对硅片或电池片的加热温度，难以满足硅片或电池片的加工需求。

实用新型内容

本实用新型提供了一种加热装置及物理气相沉淀设备，其能够便于调整对硅片或电池片的加热温度。

本实用新型的实施例可以这样实现：

本实用新型的实施例提供了一种加热装置，其包括：

盖板；

盖板调节机构，所述盖板调节机构和所述盖板连接；

第一加热件，所述第一加热件和所述盖板调节机构连接；以及

第二加热件，所述第二加热件和所述第一加热件相对设置，所述盖板调节机构用于调节所述第一加热件与所述盖板之间的距离或用于调节所述第一加热件和所述第二加热件之间的距离。

可选地，所述盖板调节机构包括第一调节件和第二调节件，所述第一调节件和所述盖板连接，所述第二调节件和所述第一加热件连接，所述第一调节件和所述第二调节件螺纹连接。

可选地，所述第一调节件和所述第二调节件均为柱体结构，所述第一调节件的一端和所述盖板连接，所述第二调节件的一端和所述第一加热件连接，所述第一调节件的另一端和所述第二调节件的另一端螺纹连接。

可选地，所述第一调节件的轴心线和所述第二调节件的轴心线共线，且所述第一调节件垂直连接于所述盖板，所述第二调节件垂直连接于所述第一加热件。

可选地，所述盖板调节机构的数目为多个，多个所述盖板调节机构均匀分布于所述盖板。

可选地，所述加热装置还包括底板及底板调节机构，所述底板和所述第二加热件通过所述底板调节机构连接，所述底板调节机构用于调节所述第二加热件和所述第一加热件之间的距离。

可选地，所述加热装置还包括第一连接杆和第二连接杆，所述第一连接杆的一端可转动地连接于和所述第二连接杆的一端，所述第一连接杆的另一端和所述盖板连接，所述第二连接杆的另一端和所述底板连接。

可选地，所述加热装置还包括输送架及输送带，所述输送可移动地设置在所述输送架，所述输送带位于所述第一加热件和所述第二加热件之间，所述输送带用于输送待加热物。

可选地，所述加热装置还包括支撑件，所述支撑件和所述输送架连接，以悬空所述输送架。

本实用新型的实施例还提供了一种物理气相沉淀设备，包括上述的加热装置。

本实用新型实施例的加热装置及物理气相沉淀设备的有益效果包括，例如：

本实用新型的实施例提供了一种加热装置，其包括盖板、盖板调节机构、第一加热件以及第二加热件。盖板调节机构和盖板连接，第一加热件和盖板调节机构连接，第二加热件和第一加热件相对设置，盖板调节机构用于调节第一加热件与盖板之间的距离或用于调节第一加热件和第二加热件之间的距离，将硅片或电池片设置在第一加热件和第二加热件之间，通过盖板调节机构调节第一加热件和第二加热件之间的距离，即，可以调整第一加热件到硅片或电池片之间的距离，进而便于改变对硅片或电池片的加热温度。

本实用新型的实施例还提供了一种物理气相沉淀设备，包括上述的加热装置，该物理气相沉淀设备具有加热装置的全部功能。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。

图1为本实用新型的实施例中提供的加热装置的示意图；

图2为本实用新型的实施例中提供的第一加热件及盖板调节机构的示意图；

图3为本实用新型的实施例中提供的盖板调节机构的示意图；

图4为本实用新型的实施例中提供的第一连接杆和第二连接杆的示意图。

图标：1000-加热装置；100-盖板；200-盖板调节机构；210-第一调节件；220-第二调节件；300-第一加热件；400-第二加热件；500-第一连接杆；600-第二连接杆；700-输送架；800-输送带；810-载板；900-支撑件；10-同步轮。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型的实施例中的特征可以相互结合。

正如背景技术中所提及的，通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称：PVD)技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺，其制备工艺中一般需要使用到物理气相沉淀设备，即PVD设备。

现有技术中，由于PVD设备的加热装置无法调整对硅片或电池片的加热温度，难以满足电池片的加工需求，具体来说，加热装置的加热板不能进行无法调整其加热位置，进而无法调整对硅片或电池片的加热温度。

有鉴于此，请参考图1-图4，本实用新型的实施例中提供的加热装置1000及物理气相沉淀设备可以解决这一问题，接下来将对其进行详细的描述。

本实用新型的实施例提供了一种物理气相沉淀设备，该物理气相沉淀设备包括加热装置1000，具体来说，该加热装置1000包括盖板100、盖板调节机构200、第一加热件300以及第二加热件400。盖板调节机构200和盖板100连接，第一加热件300和盖板调节机构200连接，第二加热件400和第一加热件300相对设置，盖板调节机构200用于调节第一加热件300与盖板100之间的距离或用于调节第一加热件300和第二加热件400之间的距离。

需要说明的是，在本实施例中，为了方便对硅片或电池片进行加热，第一加热件300和第二加热件400均为矩形板体结构，且均可以为现有技术中用于对硅片或电池片进行加热的加热板。

例如在电池片制备工艺的过程中，将电池片设置在第一加热件300和第二加热件400之间，通过调节机构调节第一加热件300和第二加热件400之间的距离，即，可以调整第一加热件300到硅片或电池片之间的距离，进而便于改变对硅片或电池片的加热温度。

为了方便输送电池片或硅片并进行加热，加热装置1000还包括输送架700、输送带800以及支撑件900，输送带800可移动地设置在输送架700，输送带800位于第一加热件300和第二加热件400之间，输送带800用于输送待加热物，此处的待加热物可以理解为电池片或硅片。

具体来说，该输送带800由多个载板810组成，该载板810为格栅板结构，以用于承载电池片或硅片，载板810从输送架700一侧的侧板的开口进入，再从输送架700另一侧侧板的开口穿出。

容易理解的是，加热装置1000还包括同步轮10、同步带以及电机(图未示)，同步轮10安装在输送架700上，且与所述同步带配合，电机安装在输送架700上，电机和同步轮10驱动连接，在电机驱动同步轮10转动的情况下，同步带运动，以带动输送带800的载板810依次经过第一加热件300的下方以及第二加热件400的上方。

其中，支撑件900为柱体结构，四个支撑件900和输送架700连接，以悬空输送架700和输送带800，便于输送带800的循环运动。

同时，为了可以对电池片或硅片的相对的两面均可以调整加热温度，提高生产效率，加热装置1000还包括底板(图未示)及底板调节机构(图未示)，底板和第二加热件400通过底板调节机构连接，底板调节机构用于调节第二加热件400和第一加热件300之间的距离。

其中，底板可以安装在输送架700上，且为了方便第一加热件300和第二加热件400同时对电池片或硅片的相对的两面加热，在本实施例中，第一加热件300和第二加热件400平行设置，以对载板810上的电池片或硅胶同时进行加热。

需要说明的是，该加热装置1000还包括第一连接杆500和第二连接杆600，第一连接杆500为L形杆体，第一连接杆500的一端可转动地连接于和第二连接杆600的一端，第一连接杆500的另一端和盖板100连接，第二连接杆600的另一端和底板连接，通过旋转第一连接杆500，可以使盖板100和底板平行且相对设置，即，使第一加热件300和第二加热件400平行且相对设置。

具体来说，在本实施例中，盖板调节机构200的数目为多个，多个盖板调节机构200均匀分布于盖板100，以增强盖板100和第一加热件300之间的连接强度。

盖板调节机构200包括第一调节件210和第二调节件220，第一调节件210和盖板100连接，第二调节件220和第一加热件300连接，第一调节件210和第二调节件220螺纹连接。

其中，第一调节件210和第二调节件220均为柱体结构，第一调节件210的一端和盖板100连接，第二调节件220的一端和第一加热件300连接，第一调节件210的另一端和第二调节件220的另一端螺纹连接，且第一调节件210的轴心线和第二调节件220的轴心线共线，且第一调节件210垂直连接于盖板100，第二调节件220垂直连接于第一加热件300。

在本实施例中，第一调节件210的一端固定连接在盖板100，第一调节件210的另一端设有外螺纹，第二调节件220的另一端设有内螺纹，外螺纹和内螺纹配合，第二调节件220的一端可转动地连接于第一加热件300，可以通过拧动所有的第一调节件210，调整第一加热件300和盖板100之间的距离，进而可以使第一加热件300靠近输送带800，提高对电池片的加热温度，或者可以使第一加热件300远离输送带800，降低对电池片的加热温度。

需要说明的是，在本实施例中，底板调节机构和盖板调节机构200相同，底板调节机构的结构及原理可以参考盖板调节机构200，此处不再赘述。

综上所述，该加热装置1000包括盖板100、盖板调节机构200、第一加热件300以及第二加热件400。盖板调节机构200和盖板100连接，第一加热件300和调节机构连接，第二加热件400和第一加热件300相对设置，调节机构用于调节第一加热件300与盖板100之间的距离或用于调节第一加热件300和第二加热件400之间的距离，将硅片或电池片设置在第一加热件300和第二加热件400之间，通过调节机构调节第一加热件300和第二加热件400之间的距离，即，可以调整第一加热件300到硅片或电池片之间的距离，进而便于改变对硅片或电池片的加热温度。

该物理气相沉淀设备包括上述的加热装置1000，该物理气相沉淀设备具有加热装置1000的全部功能。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种加热装置，其特征在于，包括：

盖板(100)；

盖板调节机构(200)，所述盖板调节机构(200)和所述盖板(100)连接；

第一加热件(300)，所述第一加热件(300)和所述盖板调节机构(200)连接；以及

第二加热件(400)，所述第二加热件(400)和所述第一加热件(300)相对设置，所述盖板调节机构(200)用于调节所述第一加热件(300)与所述盖板(100)之间的距离或用于调节所述第一加热件(300)和所述第二加热件(400)之间的距离。

2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述盖板调节机构(200)包括第一调节件(210)和第二调节件(220)，所述第一调节件(210)和所述盖板(100)连接，所述第二调节件(220)和所述第一加热件(300)连接，所述第一调节件(210)和所述第二调节件(220)螺纹连接。

3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述第一调节件(210)和所述第二调节件(220)均为柱体结构，所述第一调节件(210)的一端和所述盖板(100)连接，所述第二调节件(220)的一端和所述第一加热件(300)连接，所述第一调节件(210)的另一端和所述第二调节件(220)的另一端螺纹连接。

4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述第一调节件(210)的轴心线和所述第二调节件(220)的轴心线共线，且所述第一调节件(210)垂直连接于所述盖板(100)，所述第二调节件(220)垂直连接于所述第一加热件(300)。

5.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述盖板调节机构(200)的数目为多个，多个所述盖板调节机构(200)均匀分布于所述盖板(100)。

6.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括底板及底板调节机构，所述底板和所述第二加热件(400)通过所述底板调节机构连接，所述底板调节机构用于调节所述第二加热件(400)和所述第一加热件(300)之间的距离。

7.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括第一连接杆(500)和第二连接杆(600)，所述第一连接杆(500)的一端可转动地连接于和所述第二连接杆(600)的一端，所述第一连接杆(500)的另一端和所述盖板(100)连接，所述第二连接杆(600)的另一端和所述底板连接。

8.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括输送架(700)及输送带(800)，所述输送带(800)可移动地设置在所述输送架(700)，所述输送带(800)位于所述第一加热件(300)和所述第二加热件(400)之间，所述输送带(800)用于输送待加热物。

9.根据权利要求8所述的加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括支撑件(900)，所述支撑件(900)和所述输送架(700)连接，以悬空所述输送架(700)。

10.一种物理气相沉淀设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的加热装置。

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