CN218416660U - 发声器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种发声器件，发声器件包括：盆架；第一振动系统，第一振动系统包括第一振膜和第一音圈；磁路系统，磁路系统间隔设置有第一磁间隙和第二磁间隙；第一音圈插设于第一磁间隙内；盖体，盆架、第一振动系统、磁路系统和盖体共同围成发声内腔，第二振动系统，第二振动系统位于发声内腔内，其包括第二振膜和第二音圈，第二音圈插设于第二磁间隙内，支撑环以及嵌件，支撑环的连通孔与发声内腔连通，第一振膜振动产生的气流穿过支撑环的连通孔推动第二振膜；嵌件位于第二振膜下方，嵌件设有贯穿其上的泄压孔，第二振膜振动产生的气流自泄压孔传输至外界。与相关技术相比，本实用新型的发声器件便于提升低频性能且用户体验效果好。

Description

发声器件

【技术领域】

本实用新型涉及电声转换领域，尤其涉及一种运用于便携式电子产品的发声器件。

【背景技术】

发声器件作为手机等移动终端的主要元器件之一，其主要用于将电信号传换成声音信号。

相关技术的发声器件包括盆架、固定于所述盆架的振动系统和具有磁间隙的磁路系统，所述振动系统包括固定于所述盆架用于振动发声的振膜，插设于所述磁间隙以驱动所述振膜振动的音圈。

然而，相关技术的发声器件中，用于振动发声的振膜为一个，针对单一振膜使用单音圈结构。在小腔体应用环境中，传统单音圈结构提升低频需要大功率驱动，受限于高电压PA以及音圈温度超高风险很难实现，使得音圈驱动将功率集中，导致PA电压输出限制以及音圈温度过高等风险，不能提升低频性能，用户体验效果欠佳。

因此，实有必要提供一种新的发声器件解决上述技术问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种音圈工作安全性好、便于提升低频性能且用户体验效果好的发声器件。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种发声器件，所述发声器件包括：

盆架；

第一振动系统，所述第一振动系统包括固定于所述盆架的第一振膜以及驱动所述第一振膜振动发声的第一音圈；

磁路系统，所述磁路系统固定于所述盆架，所述磁路系统靠近所述第一振动系统的一侧间隔设置有第一磁间隙和第二磁间隙，所述第一磁间隙环绕所述第二磁间隙设置；所述第一音圈插设于所述第一磁间隙内；

盖体，所述盖体固定于所述第一振膜上，所述盆架、所述第一振动系统、所述磁路系统和所述盖体共同围成发声内腔；

第二振动系统，所述第二振动系统位于所述发声内腔内，其包括固定支撑于所述磁路系统靠近所述第一振膜一侧的第二振膜以及驱动所述第二振膜振动发声的第二音圈，所述第二音圈插设于所述第二磁间隙内；

支撑环，所述支撑环位于所述发声内腔内，且分别固定于所述第一振膜、所述第二振膜和所述磁路系统，所述支撑环包括支撑环本体和贯穿所述支撑环本体的连通孔，所述连通孔与所述发声内腔连通，所述第二振膜的外周侧固定于所述连通孔内，所述第一振膜振动产生的气流穿过所述支撑环的连通孔推动所述第二振膜；以及，

嵌件，所述嵌件位于所述第二振膜下方，所述嵌件设有贯穿其上的泄压孔，所述第二振膜振动产生的气流自所述泄压孔传输至外界。

优选的，所述连通孔包括相对贯穿形成于所述支撑环本体一侧的第一连通孔和相对贯穿形成于所述支撑环本体另一侧的第二连通孔。

优选的，所述磁路系统包括固定于所述盆架的磁轭、由所述磁轭向所述第二振动系统方向凸出延伸的延伸部、固定于所述磁轭且环绕所述延伸部间隔形成所述第二磁间隙的第一副磁钢、以及固定于所述磁轭且环绕所述第一副磁钢并与所述第一副磁钢间隔形成所述第一磁间隙的第二副磁钢；所述第二振膜的外周缘支撑固定于所述支撑环。

优选的，所述第一振膜包括呈环状的第一折环、间隔设置于所述第一折环内侧且呈环状的第二折环、连接所述第一折环和所述第二折环的呈环状的骨架、以及固定于所述骨架的呈环状的第一球顶；所述第一折环的外周侧固定于所述盆架，所述第二折环的内周侧固定于所述支撑环的顶面，所述第一音圈固定于所述骨架靠近所述磁路系统的一侧；所述盖体将所述第二折环的内周侧压设于所述支撑环，且所述盖体与所述第二振膜沿所述第二振膜的振动方向正对间隔；所述骨架的另一端与所述第一音圈连接以将所述第一音圈悬置于所述第一磁间隙内。

优选的，所述第一振动系统还包括固定于所述盆架的辅助振膜，所述辅助振膜连接至所述骨架。

优选的，所述第二振膜包括沿其振动方向与所述延伸部间隔的第二振动部、由所述第二振动部的周缘向外延伸的呈环状的第三折环、以及由所述第三折环的外周侧延伸并固定于所述支撑环的固定部；所述第二音圈固定于所述第二振动部靠近所述磁路系统的一侧。

优选的，所述磁路系统还包括固定于所述第一副磁钢靠近第一振动系统一侧的第一极芯和固定于所述第二副磁钢靠近所述第一振动系统一侧的第二极芯。

优选的，所述磁路系统还包括沿所述第二振膜的振动方向贯穿所述延伸部和所述磁轭的安装孔。

优选的，所述嵌件包括收容于所述安装孔内的嵌件本体、由所述嵌件本体的顶端向外弯折延伸的嵌件支撑壁以及由所述嵌件本体的底端延伸至所述发声内腔外部的导电端子；所述嵌件支撑壁支撑固定于所述延伸部的顶部，所述第一音圈及所述第二音圈分别与所述嵌件本体电连接。

优选的，所述盆架与所述磁轭之间形成泄漏孔，所述发声器件还包括固定于所述磁轭的外周侧的壳体，所述壳体延伸至固定于所述盆架。

与相关技术相比，本实用新型的发声器件中，通过一磁路系统实现外侧和内侧双振动系统同向振动的推挽式结构设置，用以提升低频频响；通过将磁路系统固定于盆架，磁路系统靠近第一振动系统的一侧间隔设置有第一磁间隙和第二磁间隙，第一磁间隙环绕第二磁间隙设置；第一音圈插设于第一磁间隙内；盆架、第一振动系统、磁路系统和盖体共同围成发声内腔；通过将第二振动系统位于发声内腔内，其包括固定支撑于磁路系统靠近第一振膜一侧的第二振膜以及驱动第二振膜振动发声的第二音圈，第二音圈插设于第二磁间隙内；将支撑环设置于第一振动系统和第二振动系统之间，支撑环包括支撑环本体和贯穿支撑环本体的连通孔，连通孔与发声内腔连通，第二振膜的外周侧固定于连通孔内；第一振膜振动产生的气流穿过支撑环的连通孔推动第二振膜；嵌件位于第二振膜下方，嵌件设有贯穿其上的泄压孔，第二振膜振动产生的气流自泄压孔传输至外界；这样利用推挽式结构双音圈驱动可以将功率分散，解决PA电压输出限制以及音圈温度过高风险，实现低频性能提升，用户体验效果良好。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为本实用新型发声器件的立体结构示意图；

图2为本实用新型发声器件的立体结构分解图；

图3为沿图1中A-A线的剖示图；

图4为本实用新型支撑环的结构示意图。

【具体实施方式】

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请同时参阅图1-4，本实用新型提供了一种发声器件100，所述发声器件100包括盆架1、第一振动系统2、磁路系统3、第二振动系统4、嵌件5以及盖体38。

盆架1用于支撑固定第一振动系统2、第二振动系统4、磁路系统3和嵌件5。

所述第一振动系统2包括固定于所述盆架1的第一振膜21以及驱动所述第一振膜21振动发声的第一音圈22。

所述磁路系统3固定于所述盆架1，所述磁路系统3靠近所述第一振动系统2的一侧间隔设置有第一磁间隙6和第二磁间隙7，所述第一磁间隙6环绕所述第二磁间隙7设置；所述第一音圈22插设于所述第一磁间隙6内。

盖体38固定于第一振膜21上，所述盆架1、所述第一振动系统2、所述磁路系统3和盖体38共同围成发声内腔10。可选的，盖体38盖设于第一振膜21的内周侧上。

所述第二振动系统4位于所述发声内腔10内，所述第二振动系统4包括支撑于所述磁路系统3靠近所述第一振膜21一侧的第二振膜41以及驱动所述第二振膜41振动发声的第二音圈42，所述第二音圈42插设于所述第二磁间隙7内。第一振动系统2和第二振动系统4的振动方向相同，第一振动系统2的第一振膜21的振动幅度大于第二振动系统4的第二振膜41的振动幅度。第一音圈22的横截面积大于第二音圈42的横截面积。从而使得第一音圈22的驱动力大于第二音圈42的驱动力，形成了双音圈同向驱动结构，实现推挽式结构双音圈驱动可以将功率分散。

支撑环37，所述支撑环37位于所述发声内腔10内，且分别固定于所述第一振膜21、所述第二振膜41和所述磁路系统2，所述支撑环37包括支撑环本体371和贯穿支撑环本体371的连通孔373，所述连通孔373与所述发声内腔10连通，所述第二振膜41的外周侧固定于所述连通孔373内，所述第一振膜21振动产生的气流穿过所述支撑环37的连通孔373推动所述第二振膜41。所述嵌件5位于所述第二振膜21下方，所述嵌件5设有贯穿其上的泄压孔52，所述第二振膜41振动产生的气流自所述泄压孔52传输至外界。便于发声内腔10空气依次从第一磁间隙6、连通孔373传输到盖体38和第一振膜21之间的腔体内，通过盖上于第一振膜21的盖体38阻挡沿其振动方向的反方向推动第二振膜41，从而使第二振膜41振动产生的气流自所述泄压孔52传输至外界，这样利用推挽式结构双音圈驱动可以将功率分散，解决PA电压输出限制以及音圈温度过高风险，实现低频性能提升，用户体验效果良好。

本实施方式中，支撑环37还包括由所述支撑环本体371向靠近所述第二振膜41方向凸出延伸的凸台372，所述第二振膜41的外周侧支撑固定于所述凸台272上。通过将第二振膜41的外周侧放置于所述凸台272上并与所述连通孔37固定，第二振膜41的固定效果良好。

在本实施方式中，所述连通孔373包括相对贯穿形成于所述支撑环本体371一侧的第一连通孔3731和相对贯穿形成于所述支撑环本体371另一侧的第二连通孔3732。具体的，第一连通孔3731包括两个，第二连通孔3732包括两个。支撑环本体371呈矩形结构，其相对的短边分别间隔设置两个第一连通孔3731，其相对的长边分别间隔设置两个第二连通孔3732。将两个第一连通孔3731、两个第二连通孔3732与发声内腔100连通，用以将发声内腔的空气流经第一连通孔3731、第二连通孔3732至盖体38和第二振膜41之间，从而实现双振动同向的推挽式结构。可以将功率分散，解决PA电压输出限制以及音圈温度过高风险，同时实现低频性能提升，用户体验效果良好。

本实施方式中，所述磁路系统3包括磁轭31、由所述磁轭31向所述第二振动系统4反向凸出延伸的延伸部32、固定于所述磁轭31且环绕所述延伸部32间隔形成所述第二磁间隙7的第一副磁钢33、以及固定于所述磁轭31且环绕所述第一副磁钢33并与所述第一副磁钢33间隔形成所述第一磁间隙6的第二副磁钢34；所述第二振膜41的外周缘支撑固定于所述支撑环37。通过延伸部32和第一副磁钢33、第二副磁钢34之间产生的磁场分别作用与第二音圈42和第一音圈22上，从而增加音圈的发声性能。

本实施方式中，所述第一振膜21包括固定于所述盆架1且呈环状的第一折环211、间隔设置于所述第一折环211内侧且呈环状的第二折环212、连接所述第一折环211和所述第二折环212的骨架213、以及固定于所述骨架213呈环状的第一球顶214；第一折环211的外周侧固定于所述盆架1，所述第二折环212的内周侧固定于所述支撑环37的顶面，所述第一音圈22固定于所述骨架213靠近所述磁路系统3的一侧；所述盖体38将所述第二折环212的内周侧压设于所述支撑环37，且所述盖体38与所述第二振膜41沿所述第二振膜41的振动方向正对间隔。通过将第一折环211固定在盆架1上，将第二折环212、骨架213和第一折环211固定连接，从而提高第一振膜21的振动性能。所述骨架213的另一端与所述第一音圈22连接以将所述第一音圈22悬置于所述第一磁间隙6内。通过骨架213增加骨架213和第一音圈22的固定效果，使振动过程中稳定，避免第一音圈22脱落。

本实施方式中，所述第一振动系统2还包括所述盆架1的辅助振膜23，所述辅助振膜23连接至所述骨架213。通过在盆架1的两端设置辅助振膜23用于与第一振膜21配合，提升第一振膜21的振动性能。

本实施方式中，所述第二振膜41包括沿其振动方向与延伸部32间隔的第二振动部412、由所述第二振动部412的周缘向外延伸的呈环状的第三折环411、以及由所述第三折环411的外周侧延伸并固定于所述支撑环37的固定部413；所述第二音圈42固定于所述第二振动部412靠近所述磁路系统3的一侧。将所述第二振膜41与所述盖体38正对设置，实现推挽式结构双音圈驱动可以将功率分散，解决PA电压输出限制以及音圈温度过高风险，同时实现低频性能提升。

本实施方式中，所述磁路系统3还包括固定于所述第一副磁钢33靠近第一振动系统2一侧的第一极芯35和固定于所述第二副磁钢34靠近所述第一振动系统2一侧的第二极芯36。通过第一极芯35和第二极芯36用以分别增加第一副磁钢33和第二副磁钢34的磁性。所述支撑环本体371支撑于所述第一极芯35上。

本实施方式中，所述磁路系统3还包括沿所述第二振膜41的振动方向贯穿所述延伸部32和所述磁轭31的安装孔39。通过安装孔39安装嵌件5，固定效果好。可选的，嵌件5设置于第一振膜21和辅助振膜23之间。

优选的，延伸部32由磁轭31向第二振动系统4延伸形成环形凸起(未示出)，环形凸起中间贯穿形成安装孔39，安装孔39用于放置嵌件5。可选的，也不一定要用安装孔39引出导电，即延伸部32也可以为实心，磁性能力强。

本实施方式中，所述嵌件5包括收容于所述安装孔39内的嵌件本体51、由所述嵌件本体51的顶端向外弯折延伸的嵌件支撑壁53以及由所述嵌件本体51的底端延伸至所述发声内腔10外部的导电端子54。所述嵌件支撑壁53支撑固定于所述延伸部32的顶部，使得嵌件支撑壁53与延伸部32固定良好，从而使得嵌件本体51在延伸部32内安装稳定。所述第一音圈22及所述第二音圈42分别与所述嵌件本体51电连接。便于分别为第一音圈22和第二音圈42提供电能驱动。优选的，所述泄压孔52贯穿所述嵌件本体51形成，泄压效果良好。

本实施方式中，所述盆架1与所述磁轭31之间形成泄漏孔8，所述发声器件100还包括固定于所述磁轭31的外周侧的壳体9，所述壳体9延伸至固定于所述盆架1。方便发声器件进行泄压，声学性能更优。

与相关技术相比，本实用新型的发声器件中，通过一磁路系统实现外侧和内侧双振动系统同向振动的推挽式结构设置，用以提升低频频响；通过将磁路系统固定于盆架，磁路系统靠近第一振动系统的一侧间隔设置有第一磁间隙和第二磁间隙，第一磁间隙环绕第二磁间隙设置；第一音圈插设于第一磁间隙内；盆架、第一振动系统、磁路系统和盖体共同围成发声内腔；通过将第二振动系统位于发声内腔内，其包括固定支撑于磁路系统靠近第一振膜一侧的第二振膜以及驱动第二振膜振动发声的第二音圈，第二音圈插设于第二磁间隙内；将支撑环设置于第一振动系统和第二振动系统之间，支撑环包括支撑环本体和贯穿支撑环本体的连通孔，连通孔与发声内腔连通，第二振膜的外周侧固定于连通孔内；第一振膜振动产生的气流穿过支撑环的连通孔推动第二振膜；嵌件位于第二振膜下方，嵌件设有贯穿其上的泄压孔，第二振膜振动产生的气流自泄压孔传输至外界；这样利用推挽式结构双音圈驱动可以将功率分散，解决PA电压输出限制以及音圈温度过高风险，实现低频性能提升，用户体验效果良好。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种发声器件，其特征在于，所述发声器件包括：

盆架；

第一振动系统，所述第一振动系统包括固定于所述盆架的第一振膜以及驱动所述第一振膜振动发声的第一音圈；

磁路系统，所述磁路系统固定于所述盆架，所述磁路系统靠近所述第一振动系统的一侧间隔设置有第一磁间隙和第二磁间隙，所述第一磁间隙环绕所述第二磁间隙设置；所述第一音圈插设于所述第一磁间隙内；

盖体，所述盖体固定于所述第一振膜上，所述盆架、所述第一振动系统、所述磁路系统和所述盖体共同围成发声内腔；

第二振动系统，所述第二振动系统位于所述发声内腔内，其包括固定支撑于所述磁路系统靠近所述第一振膜一侧的第二振膜以及驱动所述第二振膜振动发声的第二音圈，所述第二音圈插设于所述第二磁间隙内；

支撑环，所述支撑环位于所述发声内腔内，且固定于所述第一振膜、所述第二振膜和所述磁路系统，所述支撑环包括支撑环本体和贯穿所述支撑环本体的连通孔，所述连通孔与所述发声内腔连通，所述第二振膜的外周侧固定于所述连通孔内，所述第一振膜振动产生的气流穿过所述支撑环的连通孔推动所述第二振膜；以及，

嵌件，所述嵌件位于所述第二振膜下方，所述嵌件设有贯穿其上的泄压孔，所述第二振膜振动产生的气流自所述泄压孔传输至外界。

2.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述连通孔包括相对贯穿形成于所述支撑环本体一侧的第一连通孔和相对贯穿形成于所述支撑环本体另一侧的第二连通孔。

3.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述磁路系统包括固定于所述盆架的磁轭、由所述磁轭向所述第二振动系统方向凸出延伸的延伸部、固定于所述磁轭且环绕所述延伸部间隔形成所述第二磁间隙的第一副磁钢、以及固定于所述磁轭且环绕所述第一副磁钢并与所述第一副磁钢间隔形成所述第一磁间隙的第二副磁钢，所述第二振膜的外周缘支撑固定于所述支撑环。

4.根据权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述第一振膜包括呈环状的第一折环、间隔设置于所述第一折环内侧且呈环状的第二折环、连接所述第一折环和所述第二折环的呈环状的骨架、以及固定于所述骨架的呈环状的第一球顶；所述第一折环的外周侧固定于所述盆架，所述第二折环的内周侧固定于所述支撑环的顶面，所述第一音圈固定于所述骨架靠近所述磁路系统的一侧；所述盖体将所述第二折环的内周侧压设于所述支撑环，且所述盖体与所述第二振膜沿所述第二振膜的振动方向正对间隔；所述骨架的另一端与所述第一音圈连接以将所述第一音圈悬置于所述第一磁间隙内。

5.根据权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述第一振动系统还包括固定于所述盆架的辅助振膜，所述辅助振膜连接至所述骨架。

6.根据权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述第二振膜包括沿其振动方向与所述延伸部间隔的第二振动部、由所述第二振动部的周缘向外延伸的呈环状的第三折环、以及由所述第三折环的外周侧延伸并固定于所述支撑环的固定部；所述第二音圈固定于所述第二振动部靠近所述磁路系统的一侧。

7.根据权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述磁路系统还包括固定于所述第一副磁钢靠近第一振动系统一侧的第一极芯和固定于所述第二副磁钢靠近所述第一振动系统一侧的第二极芯。

8.根据权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述磁路系统还包括沿所述第二振膜的振动方向贯穿所述延伸部和所述磁轭的安装孔。

9.根据权利要求8所述的发声器件，其特征在于，所述嵌件包括收容于所述安装孔内的嵌件本体、由所述嵌件本体的顶端向外弯折延伸的嵌件支撑壁以及由所述嵌件本体的底端延伸至所述发声内腔外部的导电端子；所述嵌件支撑壁支撑固定于所述延伸部的顶部，所述第一音圈及所述第二音圈分别与所述嵌件本体电连接。

10.根据权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述盆架与所述磁轭之间形成泄漏孔，所述发声器件还包括固定于所述磁轭的外周侧的壳体，所述壳体延伸至固定于所述盆架。

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