CN218388399U - 一种pcb与冷却装置集成的mosfet/igbt散热结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于开关功率器件MOSFET/IGBT散热结构技术领域，公开了一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，其技术要点是：包括模组，所述模组包括有压片与第二散热模块，所述第二散热模块包括有第一散热模块与PCB组件，所述PCB组件包括有MOSFET/IGBT部件与PCB板，两组所述MOSFET/IGBT部件位于PCB板表面相对分布，所述MOSFET/IGBT部件与PCB板电性连接，所述第一散热模块包括有散热器与绝缘导热绝缘胶带，所述绝缘导热绝缘胶带分别设置有散热器两侧壁，所述所述散热器与PCB板相连接，所述散热器位于两组MOSFET/IGBT部件之间，所述压片的两端分别与两组MOSFET/IGBT部件相背的两侧壁相连接。
Description
技术领域
本实用新型涉及开关功率器件MOSFET/IGBT散热结构技术领域，具体是一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构。
背景技术
新能源汽车产业目前是国家发展主要战略之一，为了有效解决环境污染、石油资源匮乏、汽车市场竞争等因素，出台多项政策鼓励新能源汽车的大力发展。
现有的MOSFET/IGBT类型：1、贴片式MOSFET/IGBT，该器件主要为匹配铝基板使用，铝基板特性只能在其表面进行单层电路布局，需要较大的制版面积，且铝基板成本较高；2、集成式IGBT模块，其集成成本较高，价格优势低。
现有的MOSFET/IGBT散热结构：市场多出现于壳体设计水道来满足散热需求，不利于内部布局以及整机功率密度，且装配繁琐，工艺要求搞可维护性低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，包括模组，所述模组包括有压片与第二散热模块，所述第二散热模块包括有第一散热模块与PCB组件，所述PCB组件包括有MOSFET/IGBT部件与PCB板，两组所述MOSFET/IGBT部件位于PCB板表面相对分布，所述MOSFET/IGBT部件与PCB板连接，所述第一散热模块包括有散热器与导热绝缘胶带，所述导热绝缘胶带分别设置有散热器两侧壁，所述所述散热器与PCB板相连接，所述散热器位于两组MOSFET/IGBT部件之间，所述压片的两端分别与两组MOSFET/IGBT部件相背的两侧壁相连接。
作为本实用新型进一步的方案：所述MOSFET/IGBT部件垂直于PCB板，所述PCB板采用FR-4环氧板进行多层布板。
作为本实用新型进一步的方案：所述散热器内设置有散热水道，所述散热水道与MOSFET/IGBT部件相连接，所述散热水道内设置有散热翅。
作为本实用新型进一步的方案：所述MOSFET/IGBT部件与PCB板焊接连接。
作为本实用新型再进一步的方案：所述第一散热模板与PCB板焊接连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过设置压片、MOSFET/IGBT部件、散热器、PCB板、导热绝缘胶带相互配合，可以便捷的对模组进行模块化组装，模组体积小，可在一道工序完成预装，降低组装产线的工序步骤及设备的投入，可维护性高。传统产品拆除时需要逐个零件进行拆装，由于散热硅脂等问题拆装清理壳体复杂且可二次组装可行性及性能无法有效保证，本产品结构可将模组整体拆下且维修后不影响二次组装，也无需清理主壳体；通过散热水道内的散热翅可以有效增大散热面积，有效的降低进出水口的压降，避免大面积散热水道内部会产生的涡流，从而增加换热能力，提升功率器件的性能。
附图说明
图1为一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构的结构示意图。
图2为一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构中第二散热模块的结构示意图。
图3为一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构中第一散热模块的结构示意图。
图4为一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构中PCB组件的结构示意图。
其中：散热器1、MOSFET/IGBT部件2、PCB板3、导热绝缘胶带4、压片5、PCB组件6、第一散热模块7、第二散热模块8、模组9。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以下结合具体实施例对本实用新型的具体实现进行详细描述。
如图1、图2、图3、图4所示，为本实用新型的一个实施例提供的一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构的结构图，模组9，所述模组9包括有压片5与第二散热模块8，所述第二散热模块8包括有第一散热模块7与PCB组件6，所述PCB组件6包括有MOSFET/IGBT部件2与PCB板3，两组所述MOSFET/IGBT部件2位于PCB板3表面相对分布，所述MOSFET/IGBT部件2与PCB板3连接，所述第一散热模块7包括有散热器1与导热绝缘胶带4，所述导热绝缘胶带4分别设置有散热器1两侧壁，所述所述散热器1与PCB板3相连接，所述散热器1位于两组MOSFET/IGBT部件2之间，所述压片5的两端分别与两组MOSFET/IGBT部件2相背的两侧壁相连接，在使用时，散热器1作为标准零件可以应用于不同产品内，有效的进行成本分摊，将散热器1焊接固定于PCB板3表面，将压片5的两端分别对MOSFET/IGBT部件2侧壁挤压，使得MOSFET/IGBT部件2与绝缘导热绝缘胶带4贴合，可以便捷的对模组9进行组装，将模组9模块化组装，模组9的体积小，可以在一道工序中完成预装，有效降低组装产线的工序步骤和设备需求。
如图4所示，作为本实用新型的一种优选实施例，所述MOSFET/IGBT部件2垂直于PCB板3，所述PCB板3采用FR-4环氧板4进行多层布板，可以有效减小板面积，进一步缩小产品体积。
如图1所示，作为本实用新型的一种优选实施例，所述散热器1内设置有散热水道，所述散热水道与MOSFET/IGBT部件2相连接，所述散热水道内设置有散热翅，通过散热水道内的散热翅可以有效增大散热面积，有效的降低进出水口的压降，避免大面积散热水道内部会产生的涡流，从而增加换热能力，提升功率器件的性能。
如图1所示，作为本实用新型的一种优选实施例，所述MOSFET/IGBT部件2与PCB板3焊接连接。
如图2、图3所示，作为本实用新型的一种优选实施例，所述第一散热模板7与PCB板3焊接连接。
本实用新型的工作原理是：在使用时，散热器1作为标准零件可以应用于不同产品内，有效的进行成本分摊，将散热器1固定于PCB板3表面，将压片5的两端分别对MOSFET/IGBT部件2侧壁挤压，使得MOSFET/IGBT部件2与绝缘导热绝缘胶带4贴合，可以便捷的对模组9进行组装，将模组9模块化组装，模组9的体积小，可以在一道工序中完成预装，有效降低组装产线的工序步骤和设备需求。
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (6)
1.一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，包括模组，其特征在于，所述模组包括有压片与第二散热模块，所述第二散热模块包括有第一散热模块与PCB组件，所述PCB组件包括有MOSFET/IGBT部件与PCB板，两组所述MOSFET/IGBT部件位于PCB板表面相对分布，所述MOSFET/IGBT部件与PCB板连接，所述第一散热模块包括有散热器与导热绝缘胶带，所述导热绝缘胶带分别设置有散热器两侧壁，所述散热器与PCB板选择焊连接，所述散热器位于两组MOSFET/IGBT部件之间，所述压片的两端分别与两组MOSFET/IGBT部件相背的两侧壁相连接。
2.根据权利要求1所述的一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，其特征在于，所述MOSFET/IGBT部件垂直于PCB板，所述PCB板采用FR-4环氧板进行硬件电路布板。
3.根据权利要求1所述的一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，其特征在于，所述散热器内设置有散热水道，所述散热水道与导热绝缘胶带和MOSFET/IGBT三热面贴合，所述散热水道内设置有散热翅。
4.根据权利要求1所述的一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，其特征在于，所述MOSFET/IGBT部件与PCB焊接连接。
5.根据权利要求1所述的一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，其特征在于，所述散热器部件与PCB焊接连接。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种PCB与冷却装置集成的MOSFET/IGBT散热结构，其特征在于，所述压片与第二散热模块压接贴合。
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