CN218387982U - 自调节igbt驱动电路及电磁加热设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电磁加热技术领域，公开一种自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备。该电路包括控制电路、自调节驱动电路、采样电路和IGBT管；采样电路采样IGBT管的集电极电压；控制电路向自调节驱动电路输出控制信号，接收控制信号的自调节驱动电路在集电极电压大于或等于临界电压时向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，在集电极电压小于临界电压时向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动。本公开通过监测集电极电压的电压水平和根据集电极电压的大小自动控制驱动电压大小，以适应不同启动情景，避免IGBT管的集电极电压过高而导致危险。

Description

自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备

技术领域

本实用新型涉及电磁加热技术领域，尤其是一种自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备。

背景技术

现有技术中，IH加热产品如电磁炉、IH电饭煲、压力锅等，因成本原因，大部分都是采用单管IGBT管方案。此方案在高压等状态下，谐振时因输入能量不足，导致IGBT管非零电压开通，导通电压高，瞬间导通电流大，IGBT会过热、炸机损坏。在检锅、功率启动时，IGBT管的集电极直接是1.4倍市电高压，导通电压更高，瞬间导通电流更大，在高压工作状态时，瞬间导通电流可达150A以上，超出IGBT规格范围，存在很大的炸机风险。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。

第一方面，提供一种自调节IGBT驱动电路，包括控制电路、自调节驱动电路、采样电路和IGBT管；

控制电路、自调节驱动电路以及IGBT管的栅极顺次连接，采样电路的一端连接IGBT管的集电极，采样电路的另一端连接自调节驱动电路；

采样电路采样IGBT管的集电极电压；

控制电路向自调节驱动电路输出控制信号，接收控制信号的自调节驱动电路在集电极电压大于或等于临界电压时向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，在集电极电压小于临界电压时向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动；

其中，临界电压大于或等于临界电压，弱能力IGBT驱动电压小于强能力IGBT驱动电压或者是弱能力IGBT驱动电压的电压上升速率小于强能力IGBT驱动电压的电压上升速率。

进一步，自调节驱动电路包括自调节模块、电平生成模块和输出模块；

自调节模块连接采样电路，输出模块连接IGBT管的栅极，电平生成模块的输入端连接控制电路和自调节模块；

控制电路向电平生成模块的输入端输出控制信号，通过电平生成模块控制输出模块对IGBT管进行驱动；

在集电极电压大于或等于临界电压时，自调节模块触发电平生成模块处于弱电平转换状态，以使输出模块向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压；

在集电极电压小于临界电压时，自调节模块触发电平生成模块处于强电平转换状态，以使输出模块向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压。

进一步，自调节模块包括第一开关子电路；

第一开关子电路的触发端连接采样电路，第一开关子电路的第一端连接电平生成模块的输入端，第一开关子电路的第二端接地；

第一开关子电路的触发端接收采样电路的采样信号，第一开关子电路在集电极电压大于或等于临界电压时导通，第一开关子电路在集电极电压小于临界电压时截止。

进一步，电平生成模块包括第二开关子电路和第三开关子电路；

第二开关子电路的触发端连接控制电路，第二开关子电路的第一端连接输出模块，第二开关子电路的第二端接地；

第三开关子电路的触发端连接自调节模块，第三开关子电路的第一端连接直流电压，第二开关子电路的第二端连接输出模块；

输出模块的输入端连接直流电压；

第三开关子电路截止时，输出模块接入直流电压并输出弱能力IGBT驱动电压，第三开关子电路导通时，第三开关子电路作为输出模块的旁路，使输出模块接入直流电压并输出强能力IGBT驱动电压。

进一步，输出模块包括第四开关子电路和第五开关子电路；

第四开关子电路和第五开关子电路构成推挽电路结构；

第四开关子电路的触发端分别连接直流电压和电平生成模块，第四开关子电路的第一端连接直流电压，第四开关子电路的第二端连接IGBT管的栅极；

第五开关子电路的触发端分别连接直流电压和电平生成模块，第五开关子电路的第一端连接IGBT管的栅极，第五开关子电路的第二端接地。

进一步，第四开关子电路连接有第一偏值子电路，第一偏值子电路的一端连接第四开关子电路的第一端，第一偏值子电路的另一端连接第四开关子电路的触发端；

第五开关子电路连接有第二偏值子电路，第二偏值子电路的一端连接第五开关子电路的触发端，第二偏值子电路的另一端连接地。

进一步，采样电路包括第一采样模块和第二采样模块；

第一采样模块的一端连接IGBT管的集电极，第一采样模块的另一端分别连接第二采样模块的一端和自调节驱动电路，第二采样模块的另一端接地。

进一步，控制电路和自调节驱动电路一体化集成封装。

进一步，IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压而启动后，接收控制信号的自调节驱动电路输出的弱能力IGBT驱动电压的电压值增大，使IGBT管正常开通；或者是

IGBT管接收强能力IGBT驱动电压而启动后，接收控制信号的自调节驱动电路输出的强能力IGBT驱动电压的电压值增大，使IGBT管正常开通。

进一步，IGBT管启动后，接收控制信号的自调节驱动电路维持输出弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压，使IGBT管正常开通。

第二方面，提供一种电磁加热设备，包括根据第一方面的自调节IGBT驱动电路。

本实用新型的有益效果：通过设置采样电路监测集电极电压的电压水平以及可自调节开通电压大小的自调节驱动电路，自调节驱动电路根据集电极电压的大小自动控制启动电压的大小，以适应不同的启动情景，避免IGBT管的集电极电压过高而导致危险。

附图说明

图1是本实用新型提供的自调节IGBT驱动电路的电路结构图之一。

图2是本实用新型提供的自调节IGBT驱动电路的电路结构图之二。

图3是本实用新型提供的自调节IGBT驱动电路的电路结构图之三。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清晰，下面将结合实施例和附图，对本实用新型作进一步的描述。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，若干的含义是不定量，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。另外，全文中出现的和/或，表示三个并列方案，例如，A和/或B表示A满足的方案、B满足的方案或者A和B同时满足的方案。

在本实用新型的描述中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。

如上所述，现有技术中大部分采用单管IGBT管的电磁加热方案在高功率或低功率工作状态下，谐振时因输入能量不足，导致IGBT管非零电压开通，导通电压高，瞬间导通电流大，IGBT会过热、炸机损坏。在检锅、功率启动时，IGBT管的集电极直接是1.4倍市电高压，导通电压更高，瞬间导通电流更大，在高功率工作状态时，瞬间导通电流可达150A以上，超出IGBT规格范围，存在很大的炸机风险。

基于此，本实用新型提供自调节IGBT驱动电路及电磁加热设备，通过监测集电极电压的电压水平以及可自调节开通电压大小的驱动电路结构，根据集电极电压的电压水平自动控制启动电压的大小，以适应不同的启动情景，避免IGBT管的集电极电压过高而导致危险。

根据本实用新型的第一方面，提供一种自调节IGBT驱动电路。

如图1所示，本实用新型实施例提供的自调节IGBT驱动电路包括控制电路100、自调节驱动电路200、采样电路300和IGBT管400。

控制电路100、自调节驱动电路200以及IGBT管400的栅极顺次连接，采样电路300的一端连接IGBT管400的集电极，采样电路300的另一端连接自调节驱动电路200。

采样电路300采样IGBT管400的集电极电压，控制电路100向自调节驱动电路200输出控制信号，接收控制信号的自调节驱动电路200在集电极电压大于或等于临界电压时向IGBT管400的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，在集电极电压小于临界电压时向IGBT管400的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使IGBT管400接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动。其中，临界电压大于或等于临界电压，弱能力IGBT驱动电压小于强能力IGBT驱动电压或者是弱能力IGBT驱动电压的电压上升速率小于强能力IGBT驱动电压的电压上升速率。

控制电路100例如MCU(微处理器)在接收到启动指令时向自调节驱动电路200输出控制信号，以控制自调节驱动电路200向IGBT管400输出开通电压，以使IGBT管400启动并正常开通。实际使用时，IGBT管400的集电极还连接有谐振电路，IGBT管400正常开通后谐振电路上电，进行电磁加热。

采样电路300通过与IGBT管400的集电极连接，采样控制电路100通过自调节驱动电路200启动IGBT管400的瞬间IGBT管400的集电极产生的集电极电压，采样电路300将采样信号输送至自调节驱动电路200，接收控制信号的自调节驱动电路200根据采样信号所对应的IGBT管400的集电极电压调节其启动电压。具体地，在IGBT管400的开通阶段，当集电极电压大于或等于临界电压时，接收控制信号的自调节驱动电路200自动降低其自身的驱动能力，自调节驱动电路200向IGBT管400的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，从而限制IGBT管400启动时的开通电流，当集电极电压小于临界电压时，接收控制信号的自调节驱动电路200自动提升或恢复其自身的驱动能力，自调节驱动电路200向IGBT管400的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使IGBT管400接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动，使IGBT管400启动时的损耗降低。

需要说明的是，临界电压为预设值，可以根据实际需要进行参数调整，自调节驱动电路200向IGBT管400的栅极输出弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压并使IGBT管400启动后，IGBT管400正常开通。

在一些实施例中，IGBT管400接收弱能力IGBT驱动电压而启动后，接收控制信号的自调节驱动电路200输出的弱能力IGBT驱动电压的电压值增大，使IGBT管400正常开通；或者是IGBT管400接收强能力IGBT驱动电压而启动后，接收控制信号的自调节驱动电路200输出的强能力IGBT驱动电压的电压值增大，使IGBT管400正常开通。

在一些实施例中，IGBT管400启动后，接收控制信号的自调节驱动电路200维持输出弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压，使IGBT管400正常开通。

如图2和图3所示，下面对本实用新型提供的自调节IGBT驱动电路的具体结构进行说明。

在一实施例中，自调节驱动电路200包括自调节模块210、电平生成模块220和输出模块230。

其中，自调节模块210连接采样电路300，输出模块230连接IGBT管400的栅极，电平生成模块220的输入端连接控制电路100和自调节模块210。

自调节模块210通过电平生成模块220调节输出模块230的驱动能力。

具体地，电平生成模块220具有弱电平转换状态和强电平转换状态两种转换模式，处于弱电平转换状态的电平生成模块220控制输出模块230输出弱能力IGBT驱动电压，处于强电平转换状态的电平生成模块220控制输出模块230输出强能力IGBT驱动电压，自调节模块210接收采样电路300的采样信号，根据采样信号控制电平生成模块220进入弱电平转换状态或者是强电平转换状态。

控制电路100向电平生成模块220的输入端输出控制信号，通过电平生成模块220控制输出模块230对IGBT管400进行驱动。

具体地，控制电路100输出的控制信号为PPG信号，控制信号触发电平生成模块220启动，并在自调节模块210的调节作用下，电平生成模块220进入弱电平转换状态或者是强电平转换状态。在集电极电压大于或等于临界电压时，自调节模块210触发电平生成模块220的输入端并使电平生成模块220处于弱电平转换状态，以使输出模块230向IGBT管400的栅极输出弱能力IGBT驱动电压。在集电极电压小于临界电压时，自调节模块210触发电平生成模块220的输入端并使电平生成模块220处于强电平转换状态，以使输出模块230向IGBT管400的栅极输出强能力IGBT驱动电压。

在一实施例中，自调节模块210包括第一开关子电路211。

其中，第一开关子电路211的触发端连接采样电路300，第一开关子电路211的第一端连接电平生成模块220的输入端，第一开关子电路211的第二端接地。

具体地，第一开关子电路211包括第一三极管Q1和第一电阻R1，第一三极管Q1的基极通过第一电阻R1连接采样电路300，第一三极管Q1的集电极连接电平生成模块220的电平生成模块220的输入端，第一三极管Q1的发射极接地。第一三极管Q1选用NPN型三极管。

第一开关子电路211的触发端接收采样电路300的采样信号，第一开关子电路211在集电极电压大于或等于临界电压时导通，第一开关子电路211在集电极电压小于临界电压时截止。

第一开关子电路211导通时，电平生成模块220的电平生成模块220的输入端与地端接通，拉低电平生成模块220的输入端的电平，而第一开关子电路211截至时，电平生成模块220的输入端的电平维持原有状态。电平生成模块220上电后其电平生成模块220的输入端处于高电平状态，可以是通过连接外部的直流电压Vcc或者是电平生成模块220内部配置电平产生子电路来实现，电平生成模块220的输入端在第一开关子电路211导通时处于低电平状态，在第一开关子电路211截至时处于高电平状态，电平生成模块220在电平生成模块220的输入端处于低电平状态时切换至弱电平转换状态，电平生成模块220在电平生成模块220的输入端处于高电平状态时切换至强电平转换状态。

在一实施例中，电平生成模块220包括第二开关子电路221和第三开关子电路222。

其中，第二开关子电路221的触发端连接控制电路100，第二开关子电路221的第一端连接输出模块230，第二开关子电路221的第二端接地，第三开关子电路222的触发端连接自调节模块210，第三开关子电路222的第一端连接直流电压Vcc，第二开关子电路221的第二端连接输出模块230。

具体地，第二开关子电路221包括第二三极管Q2和第二电阻R2，第二三极管Q2的基极通过第二电阻R2连接控制电路100，第二三极管Q2的集电极连接输出模块230，第二三极管Q2的发射极接地；第三开关子电路222包括第三三极管Q3和第三电阻R3，第三三极管Q3的基极通过第三电阻R3连接自调节模块210，第三三极管Q3的集电极连接直流电压Vcc，第三三极管Q3的发射极连接输出模块230。第二开关子电路221的触发端作为电平生成模块220的电平生成模块220的输入端，第三开关子电路222的触发端作为电平生成模块220的电平生成模块220的输入端，第二三极管Q2和第三三极管Q3选用NPN型三极管。

在一些实施例中，还可以是使用二极管来替代第三电阻R3，二极管的阴极连接第三三极管Q3的基极，二极管的阳极连接自调节模块210。

输出模块230的输入端连接直流电压Vcc。第三开关子电路222截止时，输出模块230接入直流电压Vcc并输出弱能力IGBT驱动电压，第三开关子电路222导通时，第三开关子电路222作为输出模块230的旁路，使输出模块230接入直流电压Vcc并输出强能力IGBT驱动电压。

控制电路100向第二开关子电路221的触发端输出控制信号，控制第二开关子电路221导通或截止，第二开关子电路221在导通和截止的变化过程中，输出模块230的输入端的电平状态随之改变，输出模块230输出的开通电压也随之改变，从而通过第二开关子电路221控制输出模块230的输出情况。示例性地，可以是控制电路100控制第二开关子电路221导通并拉低输出模块230的输入端的电平时，输出模块230不输出开通电压，而第二开关子电路221截止并使输出模块230的输入端处于高电平时，输出模块230输出开通电压。

自调节模块210根据接收到的采样信号控制第三开关子电路222导通或截止，第三开关子电路222截止且第二开关子电路221截止时，对应弱电平转换状态，接收直流电压Vcc后输出模块230的输入端处于高电平状态，而第三开关子电路222导通且第二开关子电路221截止时，对应强电平转换状态，由于存在第三开关子电路222这一旁路，接收直流电压Vcc后输出模块230的输入端的电平进一步提高，输出模块230根据其输入端的电平状态输出不同的启动电压。示例性地，可以是输出模块230在第三开关子电路222截止时根据自身输入端的电平状态而输出弱能力IGBT驱动电压，而在第三开关子电路222导通时根据自身输入端的电平状态而输出强能力IGBT驱动电压。

在一实施例中，输出模块230包括第四开关子电路231和第五开关子电路232。

其中，第四开关子电路231和第五开关子电路232构成推挽电路结构，第四开关子电路231的触发端分别连接直流电压Vcc和电平生成模块220，第四开关子电路231的第一端连接直流电压Vcc，第四开关子电路231的第二端连接IGBT管400的栅极，第五开关子电路232的触发端分别连接直流电压Vcc和电平生成模块220，第五开关子电路232的第一端连接IGBT管400的栅极，第五开关子电路232的第二端接地。

具体地，第四开关子电路231包括第四三极管Q4，第五开关子电路232包括第五三极管Q5，第四三极管Q4为NPN型三极管，第五三极管Q5为PNP型三极管，第四三极管Q4的基极分别连接直流电压Vcc和电平生成模块220，第四三极管Q4的集电极连接直流电压Vcc，第四三极管Q4的发射极连接IGBT管400的栅极，第五三极管Q5的基极分别连接直流电压Vcc和电平生成模块220，第五三极管Q5的发射极连接IGBT管400的栅极，第五三极管Q5的集电极接地。

电平生成模块220的第一电平触发端接入控制信号后，电平生成模块220输出高电平时，第四开关子电路231导通而第五开关子电路232截止，输出模块230输出开通电压至IGBT管400的栅极，电平生成模块220输出低电平时，第四开关子电路231截止而第五开关子电路232导通，输出模块230不输出开通电压至IGBT管400的栅极。

结合上述实施例，当电平生成模块220处于弱电平转换状态时，即第三开关子电路222截止且第二开关子电路221截止，第四开关子电路231导通而第五开关子电路232截止，第四开关子电路231将直流电压Vcc转换为弱能力IGBT驱动电压并输出至IGBT管400的栅极，当电平生成模块220处于强电平转换状态时，即第三开关子电路222导通且第二开关子电路221截止，第四开关子电路231导通而第五开关子电路232截止，由于增加了旁路的第三开关子电路222，第四开关子电路231的触发端电平提高，第四开关子电路231将直流电压Vcc转换为强能力IGBT驱动电压并输出至IGBT管400的栅极。

更进一步，第四开关子电路231连接有第一偏置子电路233，第一偏置子电路233的一端连接第四开关子电路231的第一端，第一偏置子电路233的另一端连接第四开关子电路231的触发端，第五开关子电路232连接有第二偏置子电路234，第二偏置子电路234的一端连接第五开关子电路232的触发端，第二偏置子电路234的另一端连接地。

更为具体地，第一偏置子电路233包括第四电阻R4，第四电阻R4的一端连接第四三极管Q4的集电极，第四电阻R4的另一端连接第四三极管Q4的基极；第二偏置子电路234包括第五电阻R5和第一电容C1，第五电阻R5的一端连接第五三极管Q5的基极，第五电阻R5的另一端连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端接地。

在一实施例中，采样电路300包括第一采样模块310和第二采样模块320。

其中，第一采样模块310的一端连接IGBT管400的集电极，第一采样模块310的另一端分别连接第二采样模块320的一端和自调节驱动电路200，第二采样模块320的另一端接地。

具体地，第一采样模块310包括第六电阻R6，第二采样模块320包括第七电阻R7，第六电阻R6的一端连接IGBT管400的集电极，第六电阻R6的另一端分别连接第七电阻R7的一端和自调节驱动电路200，第七电阻R7的另一端接地。自调节驱动电路200通过获取第六电阻R6和第七电阻R7之间的电压作为采样电路300的采样信号，从而根据获取的采样信号输出弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压。

在一些其他实施例中，第一采样模块310和第二采样模块320还可以是由至少两个电阻串联而成。

在一些实施例中，控制电路100和自调节驱动电路200一体化集成封装，集成于一个控制芯片中。

本实用新型提供自调节IGBT驱动电路，通过设置采样电路300监测集电极电压的电压水平以及可自调节开通电压大小的自调节驱动电路200，自调节驱动电路200根据集电极电压的大小自动控制启动电压的大小，以适应不同的启动情景，避免IGBT管400的集电极电压过高而导致危险。

根据本实用新型的第二方面，提供一种电磁加热设备。

该电磁加热设备包括第一方面的自调节IGBT驱动电路，本实施例的电磁加热设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果。

其中，电磁加热设备可以是电磁炉、电磁电饭煲或者电磁压力锅等家用电磁加热产品。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种自调节IGBT驱动电路，其特征在于，包括控制电路、自调节驱动电路、采样电路和IGBT管；

所述控制电路、自调节驱动电路以及IGBT管的栅极顺次连接，所述采样电路的一端连接IGBT管的集电极，所述采样电路的另一端连接自调节驱动电路；

所述采样电路采样IGBT管的集电极电压；

所述控制电路向自调节驱动电路输出控制信号，接收控制信号的所述自调节驱动电路在集电极电压大于或等于临界电压时向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压，在集电极电压小于临界电压时向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压，使所述IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压后启动；

其中，所述弱能力IGBT驱动电压小于强能力IGBT驱动电压或者是弱能力IGBT驱动电压的电压上升速率小于强能力IGBT驱动电压的电压上升速率。

2.根据权利要求1所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述自调节驱动电路包括自调节模块、电平生成模块和输出模块；

所述自调节模块连接采样电路，所述输出模块连接IGBT管的栅极，所述电平生成模块的输入端连接控制电路和自调节模块；

所述控制电路向电平生成模块的输入端输出控制信号，通过所述电平生成模块控制输出模块对IGBT管进行驱动；

在集电极电压大于或等于临界电压时，所述自调节模块触发电平生成模块处于弱电平转换状态，以使所述输出模块向IGBT管的栅极输出弱能力IGBT驱动电压；

在集电极电压小于临界电压时，所述自调节模块触发电平生成模块处于强电平转换状态，以使所述输出模块向IGBT管的栅极输出强能力IGBT驱动电压。

3.根据权利要求2所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述自调节模块包括第一开关子电路；

所述第一开关子电路的触发端连接采样电路，所述第一开关子电路的第一端连接电平生成模块的输入端，所述第一开关子电路的第二端接地；

所述第一开关子电路的触发端接收采样电路的采样信号，所述第一开关子电路在集电极电压大于或等于临界电压时导通，所述第一开关子电路在集电极电压小于临界电压时截止。

4.根据权利要求2所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述电平生成模块包括第二开关子电路和第三开关子电路；

所述第二开关子电路的触发端连接控制电路，所述第二开关子电路的第一端连接输出模块，所述第二开关子电路的第二端接地；

所述第三开关子电路的触发端连接自调节模块，所述第三开关子电路的第一端连接直流电压，所述第二开关子电路的第二端连接输出模块；

所述输出模块的输入端连接直流电压；

所述第三开关子电路截止时，所述输出模块接入直流电压并输出弱能力IGBT驱动电压，所述第三开关子电路导通时，所述第三开关子电路作为输出模块的旁路，使所述输出模块接入直流电压并输出强能力IGBT驱动电压。

5.根据权利要求2所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述输出模块包括第四开关子电路和第五开关子电路；

所述第四开关子电路和第五开关子电路构成推挽电路结构；

所述第四开关子电路的触发端分别连接直流电压和电平生成模块，所述第四开关子电路的第一端连接直流电压，所述第四开关子电路的第二端连接IGBT管的栅极；

所述第五开关子电路的触发端分别连接直流电压和电平生成模块，所述第五开关子电路的第一端连接IGBT管的栅极，所述第五开关子电路的第二端接地。

6.根据权利要求5所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，

所述第四开关子电路连接有第一偏值子电路，所述第一偏值子电路的一端连接第四开关子电路的第一端，所述第一偏值子电路的另一端连接第四开关子电路的触发端；

所述第五开关子电路连接有第二偏值子电路，所述第二偏值子电路的一端连接第五开关子电路的触发端，所述第二偏值子电路的另一端连接地。

7.根据权利要求1所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述采样电路包括第一采样模块和第二采样模块；

所述第一采样模块的一端连接IGBT管的集电极，所述第一采样模块的另一端分别连接第二采样模块的一端和自调节驱动电路，所述第二采样模块的另一端接地。

8.根据权利要求1所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述控制电路和自调节驱动电路一体化集成封装。

9.根据权利要求1至8任一项所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述IGBT管接收弱能力IGBT驱动电压而启动后，接收控制信号的所述自调节驱动电路输出的弱能力IGBT驱动电压的电压值增大，使所述IGBT管正常开通；或者是

所述IGBT管接收强能力IGBT驱动电压而启动后，接收控制信号的所述自调节驱动电路输出的强能力IGBT驱动电压的电压值增大，使所述IGBT管正常开通。

10.根据权利要求1至8任一项所述的自调节IGBT驱动电路，其特征在于，所述IGBT管启动后，接收控制信号的所述自调节驱动电路维持输出弱能力IGBT驱动电压或强能力IGBT驱动电压，使所述IGBT管正常开通。

11.一种电磁加热设备，其特征在于，包括根据权利要求1至10任一项所述的自调节IGBT驱动电路。

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