CN218353025U - 显示装置 - Google Patents

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李亨燮
李惠珉
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Abstract

一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，在所述基底上，并且包括暴露所述第一电极的开口；间隔件，在所述堤层上；以及突起，在所述堤层上，并且与所述间隔件间隔开，其中，所述突起包括多个突起图案，所述多个突起图案包括第一突起图案和第二突起图案，所述第二突起图案与所述第一突起图案间隔开，且谷孔在所述第一突起图案与所述第二突起图案之间。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年7月6日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0088173号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含在本文中。
技术领域
本公开的一些实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
向用户显示图像的电子装置(诸如智能电话、平板个人计算机(PC)、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视机(TV))包括用于显示图像的显示装置。这些显示装置通常包括用于生成和显示图像的显示面板以及各种输入工具。
近来，识别来自用户的触摸输入的触摸面板已经被用于智能电话和平板PC的显示装置。触摸面板确定(识别)是否进行了触摸输入，并且，如果进行了触摸输入，则找出触摸输入的位置坐标。触摸面板可以包括多个感测电极。触摸灵敏度可以依据感测电极周围的电容而变化。
在本背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此背景技术部分中所讨论的信息不一定构成现有技术。
实用新型内容
本公开的一些实施例的方面涉及一种显示装置，并且例如，涉及一种包括触摸构件的显示装置。
本公开的方面提供一种显示装置，在该显示装置中，触摸面板的封装层的有机膜可以更均匀地铺展。
本公开的一些方面还提供一种制造显示装置的方法，在该显示装置中，触摸面板的封装层的有机膜可以更均匀地铺展。
根据一些实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，在所述基底上，并且包括暴露所述第一电极的开口；间隔件，在所述堤层上；以及突起，在所述堤层上，并且与所述间隔件间隔开，其中，所述突起包括多个突起图案，所述多个突起图案包括第一突起图案和第二突起图案，所述第二突起图案与所述第一突起图案间隔开，且谷孔在所述第一突起图案与所述第二突起图案之间。
所述间隔件具有第一厚度，并且所述突起具有小于所述第一厚度的第二厚度；或者，其中，所述第二厚度等于或小于1.2μm。
所述间隔件直接在所述堤层的上表面上，并且其中，所述突起直接在所述堤层的所述上表面上，并且所述谷孔暴露所述堤层的所述上表面；或者，其中，所述间隔件直接在所述堤层的上表面上，并且其中，所述突起直接在所述堤层的侧表面上，并且所述谷孔暴露所述堤层的所述侧表面。
所述显示装置还包括：发射层，在由所述堤层暴露的所述第一电极上；以及第二电极，在所述发射层上，其中，所述第一突起图案包括第一上表面和面向所述第二突起图案的第一侧表面，其中，所述第二突起图案包括第二上表面和面向所述第一突起图案的第二侧表面，并且其中，所述第二电极完全地覆盖所述第一上表面、所述第一侧表面、所述第二上表面和所述第二侧表面；或者，所述第二电极完全地覆盖所述第一上表面和所述第二上表面，并且部分地覆盖所述第一侧表面和所述第二侧表面。
所述第二电极共形地形成以反映由所述第一突起图案和所述第二突起图案产生的高度差。
所述显示装置还包括：封装层，在所述第二电极上，其中，所述封装层包括在所述第二电极上的第一无机膜、在所述第一无机膜上的有机膜以及在所述有机膜上的第二无机膜，并且其中，所述第一无机膜完全地覆盖所述第一上表面、所述第一侧表面、所述第二上表面和所述第二侧表面。
所述第一无机膜共形地形成以反映由所述第一突起图案和所述第二突起图案产生的高度差，其中，所述谷孔填充有所述有机膜。
所述显示装置还包括：触摸导电层，直接在所述封装层上，其中，所述触摸导电层包括第一触摸导电层和第二触摸导电层，并且还包括在所述第一触摸导电层与所述第二触摸导电层之间的第一触摸绝缘层，并且其中，所述第一触摸导电层在所述第二无机膜与所述第一触摸绝缘层之间。
所述第一突起图案具有第一宽度，所述第二突起图案具有第二宽度，并且所述谷孔具有第三宽度，并且其中，所述第一宽度和所述第二宽度大于所述第三宽度。
在平面图中，所述突起具有圆形形状、方形形状、矩形形状、三角形形状或六边形形状。
所述谷孔在第一方向上延伸，并且其中，所述第一突起图案和所述第二突起图案相对于所述谷孔对称。
所述多个突起图案之中的任意两个相邻突起图案之间提供有所述谷孔。
根据一些实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，在所述基底上，并且包括暴露所述第一电极的开口；间隔件，在所述堤层上，并且具有第一厚度；突起，在所述堤层上，与所述间隔件间隔开，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度；以及发射层，在由所述堤层暴露的所述第一电极上，其中，所述突起包括第一突起图案和第二突起图案，所述第二突起图案与所述第一突起图案间隔开，且谷孔(valley hole)在所述第一突起图案与所述第二突起图案之间。
根据一些实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，在所述基底上，并且包括暴露所述第一电极的开口；间隔件，在所述堤层上；突起，在所述堤层上，并且与所述间隔件间隔开；发射层，在由所述堤层暴露的所述第一电极上；第二电极，在所述发射层上；以及封装层，在所述第二电极上，其中，所述突起包括第一突起图案和第二突起图案，所述第一突起图案具有第一宽度，所述第二突起图案具有第二宽度并且与所述第一突起图案间隔开，且谷孔在所述第一突起图案与所述第二突起图案之间，其中，所述封装层包括在所述第二电极上的第一无机膜、在所述第一无机膜上的有机膜以及在所述有机膜上的第二无机膜，其中，所述第一突起图案包括第一上表面和面向所述第二突起图案的第一侧表面，其中，所述第二突起图案包括第二上表面和面向所述第一突起图案的第二侧表面，其中，所述第二电极和所述第一无机膜中的每一者覆盖所述第一上表面、所述第一侧表面、所述第二上表面和所述第二侧表面，其中，所述谷孔填充有所述有机膜，其中，所述谷孔具有第三宽度，并且其中，所述第一宽度和所述第二宽度大于所述第三宽度。
根据一些实施例，一种显示装置包括：基底；第一电极，在所述基底上；堤层，在所述基底上，并且包括暴露所述第一电极的开口；突起，在所述堤层上，并且具有第一厚度；以及发射层，在由所述堤层暴露的所述第一电极上，其中，所述突起包括第一突起图案和第二突起图案，所述第二突起图案与所述第一突起图案间隔开，且谷孔在所述第一突起图案与所述第二突起图案之间，其中，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，所述第一突起图案和所述第二突起图案各自具有第一宽度，并且当从所述顶部观察时(例如，在所述平面图中)，所述谷孔具有第二宽度，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度，并且其中，所述第一厚度等于或小于1.2μm。
应当注意到本公开的目的不限于上述提及的目的；并且本公开的其他目的在以下描述中对于本领域技术人员将是显而易见的。
根据本公开的一些实施例，触摸面板的封装层的有机膜可以在显示装置中更均匀地铺展。
应当注意，本公开的效果不限于以上描述的效果，并且本公开的其他效果从以下描述中对于本领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
通过参照附图更详细地描述本公开的一些实施例的方面，本公开的以上以及其它方面和特征将变得更显而易见。
图1是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的布局的平面图。
图2是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的一部分的截面图。
图3是示出根据本公开的一些实施例的显示面板的堆叠结构的示例的截面图。
图4是根据本公开的一些实施例的触摸构件的示意性平面图。
图5是图4的触摸区的一部分的放大图。
图6是图5的包括在第一触摸导电层与第二触摸导电层之间的接触孔的区的截面图。
图7是示出根据本公开的一些实施例的在显示区域中像素与呈网状图案的触摸构件之间的相对布置关系的图。
图8是图7的区域A的放大平面图。
图9是沿着图8的第一颜色像素的发射区域、间隔件和突起截取的截面图。
图10是图9的区域B的放大截面图。
图11是示意性地示出根据本公开的一些实施例的显示装置的寄生电容的图。
图12是示出根据本公开的一些实施例的谷孔中的有机材料的铺展性的图。
图13是图12的突起的平面图。
图14是示出依据突起图案的厚度和谷孔的宽度的曲率值的图。
图15是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的处理步骤的截面图。
图16是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的处理步骤的截面图。
图17是根据本公开的一些实施例的显示装置的截面图。
图18是图17的区域C的放大截面图。
图19是根据本公开的一些实施例的显示装置的截面图。
图20是图19的区域D的放大截面图。
图21是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
图22是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
图23是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
图24是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
图25是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
图26是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
具体实施方式
本文中公开的本实用新型的实施例的具体的结构描述和功能描述仅为了本实用新型的实施例的说明性目的。在不偏离本实用新型的精神和重要特征的情况下，本实用新型可以以许多不同形式体现。因此，本实用新型的实施例仅为了说明性目的而公开，并且不应被理解为限制本实用新型。也就是说，本实用新型仅由权利要求的范围限定。
将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“耦接”或“连接”到另一元件时，所述元件可以直接耦接或连接到所述另一元件，或者在所述元件与所述另一元件之间可以存在居间元件。相反，应当理解，当元件被称为与另一元件相关，诸如“直接耦接”或“直接连接”到另一元件时，不存在居间元件。应当以相同的方式来理解解释元件之间的关系的其它表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“与……直接相邻”。
在整个说明书中，相同的附图标记将指代相同或相似的部分(或部件)。
将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并且不旨在限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，“一”、“一个(者/种)”、“所述(该)”和“至少一个(者/种)”不表示对数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另有明确指示，否则“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个(者/种)”不被理解为限制“一”或“一个(者/种)”。“或”指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联项目的任何组合和所有组合。还将理解，术语“包括(comprises和/或comprising)”或“包含(includes和/或including)”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可以在本文中使用以描述附图中所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，除了图中描绘的方位之外，相对术语还旨在包含装置的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下”侧上的元件随后将定向在其它元件的“上”侧上。因此，术语“下”可以依据图中的特定方位而包含“下”和“上”两个方位。类似的，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将定向“在”其它元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……之下”可以包含在……上方和在……下方两个方位。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且指在如由本领域普通技术人员确定的用于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文和/或本公开中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释。
在本文中，参照作为理想化实施例的示意图的截面图来描述一些实施例的方面。因此，将预期到由于例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被理解为限于如本文中所示的区的特定形状，而是包括例如由制造引起的形状偏差。例如，示出为或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。并且，示出的尖角可以是圆形。因此，图中示出的区在本质上是示意性的，并且他们的形状不旨在示出区的精确形状并且不旨在限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的一些实施例的方面。
图1是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的布局的平面图。图2是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的一部分的截面图。
根据一些实施例，第一方向DR1和第二方向DR2是不同的方向，并且他们可以彼此相交。在图1的平面图中，为方便示出，第一方向DR1被定义为竖直方向并且第二方向DR2被定义为水平方向。在以下描述中，当从顶部观察时(例如，在平面图中，或者当在与显示表面的平面垂直或正交的方向上观察时)，第一方向DR1的第一侧表示上侧，第一方向DR1的第二侧表示下侧，第二方向DR2的第一侧表示右侧，并且第二方向DR2的第二侧表示左侧。应当理解，在示例实施例中提及的方向是相对方向，并且实施例不限于所提及的方向。
参照图1和图2，显示装置1可以指提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置1可以包括用于提供显示屏幕的便携式电子装置，诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机和数码相机，以及电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网装置等，或者包含显示屏幕的任何其他合适的便携式电子装置。
显示装置1包括有源区域AAR和非有源区域NAR。在显示装置1中，显示区域可以定义为显示图像的区域，非显示区域可以定义为不显示图像的区域(例如，边框区域、或者显示区域的占用空间的外部或周边中的区域)，并且触摸区可以定义为感测触摸输入的区。然后，显示区域和触摸区可以包括在有源区域AAR之中。显示区域和触摸区可以彼此重叠。也就是说，在有源区域AAR中，显示图像并且也感测触摸输入。
有源区域AAR的形状可以是例如矩形或者具有倒圆的角部的矩形形状。在示出的示例中，有源区域AAR的形状是具有倒圆的角部的矩形，并且该矩形的在第一方向DR1上的边长于该矩形的在第二方向DR2上的边。然而，将理解，根据本公开的实施例不限于此。有源区域AAR可以具有各种形状，诸如其在第二方向DR2上的边长于其在第一方向DR1上的边的矩形形状、方形形状、其它多边形形状、圆形形状以及椭圆形形状。
非有源区域NAR位于有源区域AAR的周围(例如，位于有源区域AAR的占用空间的外部或周边中)。非有源区域NAR可以是边框区域。非有源区域NAR可以围绕有源区域AAR的所有边(图中的四个边)。然而，将理解，根据本公开的实施例不限于此。例如，非有源区域NAR可以不位于有源区域AAR的上侧附近或者不位于有源区域AAR的左侧或右侧附近。
根据一些实施例，用于将信号施加到有源区域AAR或者驱动电路的信号线可以位于非有源区域NAR中。非有源区域NAR可以包括非显示区域。此外，非有源区域NAR可以包括非触摸区。根据一些实施例，非有源区域NAR可以包括触摸区的一部分或部分，并且诸如压力传感器的感测构件可以位于该部分中。根据一些实施例，有源区域AAR可以与显示图像的显示区域完全相同，同时非有源区域NAR可以与不显示图像的非显示区域完全相同。
显示装置1包括用于提供显示屏幕的显示面板10。显示面板10的示例可以包括有机发光显示面板、微发光二极管(LED)显示面板、纳米LED显示面板、量子点显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板等。在以下描述中，使用有机发光面板作为显示面板10的实施例，但是根据本公开的实施例不限于此。只要可以同样地应用本公开的技术理念，就可以使用任何其它显示面板。
显示面板10可以包括多个像素。多个像素可以以矩阵布置。当从顶部观察时，每一个像素的形状可以是但不限于矩形或方形。每一个像素可以具有菱形形状，该菱形形状具有相对于第一方向DR1倾斜的边。每一个像素可以包括发射区域。每一个发射区域可以具有与像素的形状相同或不同的形状。例如，当像素具有矩形形状时，每一个像素的发射区域可以具有各种形状，诸如矩形、菱形、六边形、八边形以及圆形。稍后将详细描述像素和发射区域。
显示装置1还可以包括用于感测触摸输入的触摸构件。触摸构件可以实现为与显示面板10分离以附接在显示面板10上的面板或膜，或者可以以显示面板10内部的触摸层的形式实现。尽管在以下描述中触摸构件被提供在显示面板内部以包括在显示面板10中，但是将理解，根据本公开的实施例不限于此。
显示面板10可以包括柔性基底，该柔性基底包含诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料。相应地，显示面板10可以被弯曲、弯折、折叠或卷曲。
显示面板10可以包括弯折区BR。显示面板10可以被分为位于弯折区BR的一侧上的主区MR和位于弯折区BR的另一侧上的子区SR。
显示面板10的显示区域位于主区MR中。根据本公开的一些实施例，主区MR中的显示区域的边缘部分、整个弯折区BR和整个子区SR可以是非显示区域。然而，将理解，根据本公开的实施例不限于此。弯折区BR和/或子区SR也可以包括显示区域。
弯折区BR在第一方向DR1上连接到主区MR的一侧。例如，弯折区BR可以连接到主区MR的下部较短侧。在第二方向DR2上，弯折区BR的宽度可以小于主区MR的宽度(下部较短侧的宽度)。当从顶部观察时，主区MR的与弯折区BR相遇的部分可以被切割成L形。
在弯折区BR中，显示面板10可以在厚度方向上(例如，在远离显示表面的方向上)向下弯折。尽管弯折区BR可以具有恒定的曲率半径，但是根据本公开的实施例不限于此。对于不同的部分，弯折区BR可以具有不同的曲率半径。由于显示面板10在弯折区BR处弯折，因此显示面板10的表面可以翻转。例如，显示面板10的面向上的表面可以弯折成使得该表面在弯折区BR处面向外并且然后面向下。
子区SR从弯折区BR延伸。子区SR可以从弯折区BR的端部在平行于主区MR的方向上延伸。子区SR可以在显示面板10的厚度方向上与主区MR重叠。子区SR的宽度(在第二方向DR2上的宽度)可以与(但不限于与)弯折区BR的宽度相等。
驱动芯片20可以位于子区SR中。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以包括用于显示单元的集成电路和/或用于触摸单元的集成电路。用于显示单元的集成电路和用于触摸单元的集成电路可以提供为分离的芯片或者可以集成在单个芯片中。
焊盘区域可以位于显示面板10的子区SR的端部处。焊盘区域可以包括显示信号线焊盘和触摸信号线焊盘。驱动电路板30可以在显示面板10的子区SR的端部处连接到焊盘区域。驱动电路板30可以是柔性印刷电路板或者膜。
图3是示出根据本公开的一些实施例的显示面板的堆叠结构的示例的截面图。
参照图3，显示面板10可以包括位于基底SUB上的电路驱动层DRL。电路驱动层DRL可以包括用于驱动每一个像素的发射层EML的电路。电路驱动层DRL可以包括多个薄膜晶体管。
发射层EML可以位于电路驱动层DRL上。发射层EML可以包括有机发射层。发射层EML可以依据从电路驱动层DRL传输的驱动信号发射具有各种亮度的光。
封装层ENL可以位于发射层EML上。封装层ENL可以包括无机膜或者包括无机膜和有机膜的叠层。作为另一示例，玻璃或封装膜可以用作封装层ENL。
触摸层TSL(触摸面板或者触摸构件)可以位于封装层ENL上。触摸层TSL可以感测触摸输入并且可以执行触摸构件的功能。触摸层TSL可以包括多个感测区和感测电极。
阻光图案层BML可以位于触摸层TSL上。阻光图案层BML可以抑制外部光的反射，并且可以改善反射光的颜色。
滤色器层CFL可以位于阻光图案层BML上。滤色器层CFL可以减少外部光的反射。滤色器层CFL可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。多个滤色器可以分别形成或布置在像素中。位于像素中的滤色器可以改善从相应像素的发射区域发射的光的颜色纯度。尽管滤色器层CFL和阻光图案层BML在图3中示出的示例中是分离的层，但是根据本公开的实施例不限于此。在一些实施方式中，阻光图案层BML可以包括在滤色器层CFL中。例如，阻光图案层BML可以包括位于相邻滤色器之间的阻光图案，并且滤色器层CFL可以包括阻光图案。
根据本公开的一些实施例，滤色器层CFL位于阻光图案层BML上以减少显示装置1(见图1)中的外部光的反射，并且与偏振构件位于阻光图案层BML上的显示装置相比，在滤色器层CFL位于阻光图案层BML上的显示装置1中，从发射层EML发射的光在显示装置1的前面处的透射率可以被改善。
保护层WDL可以位于滤色器层CFL上。例如，保护层WDL可以包括窗构件。保护层WDL可以通过光学透明粘合剂等附接在滤色器层CFL上。
在下文中，将更详细地描述触摸构件。
图4是根据本公开的一些实施例的触摸构件的示意性平面图。图5是图4的触摸区的一部分的放大图。
参照图4，触摸构件可以包括位于有源区域AAR(见图1)中的触摸区和位于非有源区域NAR(见图1)中的非触摸区。尽管为便于示出在图4中简化了触摸构件同时放大了非触摸区，但是触摸区的形状和非触摸区的形状可以与以上描述的有源区域AAR和非有源区域NAR的形状基本上相同。
触摸构件的触摸区可以包括多个第一感测电极IE1(或第一触摸电极)和多个第二感测电极IE2(或第二触摸电极)。第一感测电极IE1和第二感测电极IE2中的一者可以是驱动电极，并且第一感测电极IE1和第二感测电极IE2中的另一者可以是感测电极。根据一些实施例，第一感测电极IE1是驱动电极，而第二感测电极IE2是感测电极。
第一感测电极IE1可以在第一方向DR1上延伸。第一感测电极IE1可以包括布置在第一方向DR1上的多个第一传感器部分SP1和电连接在多个第一传感器部分SP1中的相邻的第一传感器部分SP1之间的第一连接部分CP1(见图5)。
多个第一感测电极IE1可以布置在第二方向DR2上。
第二感测电极IE2可以在第二方向DR2上延伸。第二感测电极IE2可以包括布置在第二方向DR2上的多个第二传感器部分SP2和电连接在多个第二传感器部分SP2中的相邻的第二传感器部分SP2之间的第二连接部分CP2(见图5)。多个第二感测电极IE2可以布置在第一方向DR1上。
尽管在图中布置了四个第一感测电极IE1和六个第二感测电极IE2，但是应当理解，第一感测电极IE1和第二感测电极IE2的数量不限于上述数值，并且根据本公开的实施例可以包括其他合适数量的第一感测电极IE1和第二感测电极IE2。
第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的至少一些可以具有菱形形状。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2中的至少一些可以具有截断的菱形形状。例如，除了在第一延伸方向(即，第一感测电极IE1延伸所在的第一方向DR1)上的第一个和最后一个第一传感器部分SP1以及在第二延伸方向(即，第二感测电极IE2延伸所在的第二方向DR2)上的第一个和最后一个第二传感器部分SP2之外，所有的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有菱形形状，并且在第一延伸方向上的第一个和最后一个第一传感器部分SP1中的每一个可以具有由切割菱形形状获得的三角形形状，并且在第二延伸方向上的第一个和最后一个第二传感器部分SP2中的每一个也可以具有由切割菱形形状获得的三角形形状。菱形形状的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有基本上相同的尺寸和形状。三角形形状的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有基本上相同的尺寸和形状。然而，将理解，根据本公开的实施例不限于此。第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以具有各种形状和尺寸。
第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1和第二感测电极IE2的第二传感器部分SP2可以各自包括平面图案或网状图案。当第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2各自包括平面图案时，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以各自形成为透明导电层。如图5和图7中所示，当第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2包括沿着非发射区域布置的网状图案(例如见图7中的MSP)时，可以使用不透明的、低电阻的金属而不干涉发射的光的传播。在以下描述中，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2各自包括网状图案。然而，将理解，根据本公开的实施例不限于此。
参照图5，多个第一连接部分CP1中的每一个可以将第一传感器部分SP1的菱形形状或三角形形状的顶点与相邻的第一传感器部分SP1的菱形形状或三角形形状的顶点连接。多个第二连接部分CP2中的每一个可以将第二传感器部分SP2的菱形形状或三角形形状的顶点与相邻的第二传感器部分SP2的菱形形状或三角形形状的顶点连接。第一连接部分CP1的宽度和第二连接部分CP2的宽度可以分别小于第一传感器部分SP1的宽度和第二传感器部分SP2的宽度。
第一感测电极IE1和第二感测电极IE2可以彼此绝缘并且彼此相交。在第一感测电极IE1和第二感测电极IE2彼此相交的相交点处，第一感测电极IE1的多个第一传感器部分SP1通过导电层彼此连接并且第二感测电极IE2的多个第二传感器部分SP2通过布置在与其上布置所述导电层的层不同的层上的另一导电层彼此连接，使得第一感测电极IE1可以与第二感测电极IE2绝缘。第一感测电极IE1的多个第一传感器部分SP1可以通过第一连接部分CP1彼此连接，同时第二感测电极IE2的多个第二传感器部分SP2可以通过第二连接部分CP2彼此连接，从而第一感测电极IE1和第二感测电极IE2可以在彼此相交的同时彼此绝缘。为此，第一连接部分CP1和/或第二连接部分CP2可以与第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2位于不同的层上。
例如，第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1和第二感测电极IE2的第二传感器部分SP2可以形成为位于同一层上的导电层，并且第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以彼此既不相交也不重叠。多个第一传感器部分SP1和多个第二传感器部分SP2中的相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以在物理上彼此分离。
第二连接部分CP2可以与第二传感器部分SP2形成为相同的导电层，并且可以将多个第二传感器部分SP2中的相邻的第二传感器部分SP2连接。相对于第二连接部分CP2穿过的区域，第一感测电极IE1的第一传感器部分SP1与该第一传感器部分SP1的相邻的第一传感器部分SP1在物理上分离。将第一传感器部分SP1彼此连接的第一连接部分CP1可以与第一传感器部分SP1形成为不同的导电层，并且可以穿过第二感测电极IE2的区域。多个第一连接部分CP1中的每一个可以通过触头与相应的第一传感器部分SP1电连接。
第一连接部分CP1可以包括多于一个的第一子连接部分。例如，尽管不限于本文，但是多个第一连接部分CP1中的每一个可以包括在一侧上与相邻的第二感测电极IE2重叠的第一子连接部分CP1_1以及在另一侧上与另一个相邻的第二感测电极IE2重叠的另一个第一子连接部分CP1_2。由于多于一个的第一子连接部分连接在多个第一传感器部分SP1中的两个相邻的第一传感器部分SP1之间，因此即使多于一个的第一子连接部分中的任何一个被静电等破坏，也可以防止或减少两个相邻的第一传感器部分SP1之间的断开，并因此防止或减少第一感测电极IE1的断开。
彼此相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2可以形成单元感测区域SUT(见图5)。例如，相对于第一感测电极IE1与第二感测电极IE2之间的相交点，两个相邻的第一传感器部分SP1中的每一个的一半和两个相邻的第二传感器部分SP2中的每一个的一半可以形成方形或矩形。由两个相邻的第一传感器部分SP1中的每一个的一半和两个相邻的第二传感器部分SP2中的每一个的一半限定的区域可以是单元感测区域SUT。多个单元感测区域SUT可以布置在行方向和列方向上。
在多个单元感测区域SUT中的每一个中，相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2之间的电容被测量以确定是否进行了触摸输入，并且如果进行了触摸输入，那么进行了触摸输入的位置可以被获得作为触摸输入坐标。例如，可以例如通过测量互电容来感测触摸。在以下描述中，假定通过测量互电容来感测触摸。单元感测区域SUT中的触摸感测的触摸灵敏度可以与单元感测区域SUT中的在彼此相邻的第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2之间的测量的电容成正比，并且可以与单元感测区域SUT中的在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2与位于第二触摸导电层220(见例如图6)下面的导电层之间的电容成反比。单元感测区域SUT中的在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2与位于第二触摸导电层220(见例如图6)下面的导电层之间的电容可以是触摸灵敏度的噪音信号电平。单元感测区域SUT中的在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2与位于第二触摸导电层220(见例如图6)下面的导电层之间的电容也可以被称为基础电容(base capacitance)。为了增加单元感测区域SUT中的触摸感测的触摸灵敏度，可以考虑减小触摸灵敏度的噪音信号电平，而不是减小单元感测区域SUT中的在相邻的第一传感器部分SP1与第二传感器部分SP2之间的具有恒定值的测量的电容。稍后将对其给予更详细的描述。
每一个单元感测区域SUT可以大于像素的尺寸。例如，每一个单元感测区域SUT可以具有与被多个像素占据的面积相同的面积。单元感测区域SUT的一侧的长度可以在4mm至5mm的范围内，但不限于此。
返回参照图1和图4，多条触摸信号线位于触摸区外部的非有源区域NAR中。触摸信号线可以从位于子区SR中的触摸焊盘单元TPA1和TPA2穿过弯折区BR延伸到主区MR的非有源区域NAR。
触摸信号线包括触摸驱动线TX和触摸感测线RX。
触摸驱动线TX连接到第一感测电极IE1。根据一些实施例，多条触摸驱动线TX可以连接到单个第一感测电极IE1。例如，触摸驱动线TX可以包括与第一感测电极IE1的下端部连接的第一触摸驱动线TX1_1、TX2_1、TX3_1和TX4_1以及与第一感测电极IE1的上端部连接的第二触摸驱动线TX1_2、TX2_2、TX3_2和TX4_2。第一触摸驱动线TX1_1、TX2_1、TX3_1和TX4_1可以如由在第一方向DR1上的上箭头所指示的那样从触摸焊盘单元TPA1延伸，并且可以连接到第一感测电极IE1的下端部。第二触摸驱动线TX1_2、TX2_2、TX3_2和TX4_2可以如由在第一方向DR1上的上箭头所指示的那样从触摸焊盘单元TPA1延伸，并且可以沿着触摸区的左边缘行进以连接到第一感测电极IE1的上端部。
触摸感测线RX连接到第二感测电极IE2。根据一些实施例，单条触摸感测线RX可以连接到单个第二感测电极IE2。触摸感测线RX1、RX2、RX3、RX4、RX5和RX6可以如由在第一方向DR1上的上箭头所指示的那样从触摸焊盘单元TPA2延伸，并且可以沿着触摸区的右边缘行进以连接到第二感测电极IE2的右端部。
图6是图5的包括在第一触摸导电层与第二触摸导电层之间的接触孔的区的截面图。
参照图4至图6，触摸构件可以包括基体层205、在基体层205上的第一触摸导电层210、在第一触摸导电层210上的第一触摸绝缘层215、在第一触摸绝缘层215上的第二触摸导电层220以及覆盖第二触摸导电层220的第二触摸绝缘层230。
例如，第一触摸导电层210可以位于基体层205上。第一触摸导电层210被第一触摸绝缘层215覆盖。第一触摸绝缘层215将第一触摸导电层210与第二触摸导电层220绝缘。第二触摸导电层220位于第一触摸绝缘层215上。第二触摸绝缘层230覆盖并保护第二触摸导电层220。
基体层205可以包括无机绝缘材料。例如，基体层205可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。根据一些实施例，基体层205可以被稍后将描述的形成薄膜封装层190(见图9)的第二无机膜193(见图9)所取代，并且在这种情况下，第一触摸导电层210可以直接在薄膜封装层190上。
第一触摸导电层210和第二触摸导电层220中的每一者可以包括金属或透明导电层。金属可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铜(Cu)、钼(Mo)、银(Ag)或它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物、诸如聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。如以上所描述的，当第一触摸导电层210和第二触摸导电层220布置在非发射区域处时，即使第一触摸导电层210和第二触摸导电层220是不透明的、低电阻的金属，第一触摸导电层210和第二触摸导电层220也不干涉发射的光的传播。
第一触摸导电层210和/或第二触摸导电层220可以包括多层的导电层。例如，第一触摸导电层210和/或第二触摸导电层220可以具有钛/铝/钛的三层结构。
根据一些实施例，第一连接部分CP1可以形成为第一触摸导电层210，同时第一传感器部分SP1、第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以形成为第二触摸导电层220。然而，将理解的是，根据本公开的实施例不限于此。相反，第一连接部分CP1可以形成为第二触摸导电层220，同时第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2和第二连接部分CP2可以形成为第一触摸导电层210。触摸信号线可以形成为第一触摸导电层210或第二触摸导电层220。可替代地，他们可以通过触头形成为连接的第一触摸导电层210和第二触摸导电层220。此外，还可以以各种方式来修改形成感测电极的元件的触摸导电层和触摸信号线。
第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230可以包括无机材料或有机材料。根据一些实施例，第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230中的一者可以包括无机材料，并且第一触摸绝缘层215和第二触摸绝缘层230中的另一者可以包括有机材料。根据本公开的一些实施例，第一触摸绝缘层215可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第二触摸绝缘层230可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和酚醛树脂中的至少一种。
第一触摸绝缘层215可以包括接触孔CNT_T。第一触摸导电层210(例如，第一连接部分CP1)和第二触摸导电层220的一部分(例如，第一传感器部分SP1)可以通过接触孔CNT_T彼此电连接。
图7是示出根据本公开的一些实施例的在显示区域中像素与呈网状图案的触摸构件之间的相对布置关系的图。图8是图7的区域A的放大平面图。
参照图7和图8，有源区域AAR(见图1)的显示区域包括多个像素。像素包括发射区域EMA_R、EMA_B和EMA_G。如图7和图8中所示，阳极电极170(包括阳极电极170_R、170_B、170_G1和170_G2)位于像素中，并且发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B可以与堤层126(见图9)的暴露阳极电极170的开口重叠，并且可以被所述开口限定。非发射区域NEM位于像素的发射区域EMA_R、EMA_B和EMA_G之间。非发射区域NEM可以与堤层126重叠，并且可以被堤层126限定。非发射区域NEM可以围绕发射区域EMA_R、EMA_B和EMA_G。当从顶部观察时，非发射区域NEM具有沿着与第一方向DR1和第二方向DR2相交的对角线方向/斜线方向(diagonaldirection)布置的格子形状或者网状形状。网状图案MSP位于非发射区域NEM中。
像素可以包括第一颜色像素(例如，红色像素)R、第二颜色像素(例如，蓝色像素)B以及第三颜色像素(例如，绿色像素)G。颜色像素的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B的形状可以通常为具有倒圆的角部的八边形、方形或菱形。然而，将理解的是，根据本公开的实施例不限于此。发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B的形状可以是圆形、或者具有倒圆的角部或不具有倒圆的角部的其它多边形。
根据一些实施例，第一颜色像素R的发射区域EMA_R和第二颜色像素B的发射区域EMA_B可以具有类似的形状，诸如具有倒圆的角部的菱形形状。第二颜色像素B的发射区域EMA_B可以大于第一颜色像素R的发射区域EMA_R。
第三颜色像素G的发射区域EMA_G可以小于第一颜色像素R的发射区域EMA_R。第三颜色像素G的发射区域EMA_G可以具有八边形形状，该八边形形状在对角线方向上倾斜并且具有在该对角线方向上的最大宽度。发射区域EMA_G1可以在第一对角线方向上倾斜，并且发射区域EMA_G2可以在第二对角线方向上倾斜。
颜色像素的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B可以以各种方式布置。根据一些实施例，第一颜色像素R的发射区域EMA_R和第二颜色像素B的发射区域EMA_B可以在第二方向DR2上交替地布置以形成第一行，同时第三颜色像素G的发射区域EMA_G(包括发射区域EMA_G1和EMA_G2)可以布置在第二方向DR2上以形成紧挨第一行的第二行。相对于属于第一行的像素的发射区域EMA_R和EMA_B，属于第二行的第三颜色像素G的发射区域EMA_G(包括发射区域EMA_G1和EMA_G2)可以在第二方向DR2上以交错的方式布置。在第二行中，第三颜色像素G的在第一对角线方向上倾斜的发射区域EMA_G1和第三颜色像素G的在第二对角线方向上倾斜的发射区域EMA_G2可以在第二方向DR2上交替地布置。
在第三行中，发射区域EMA_R和EMA_B可以以与第一行的方式相同的方式布置，但可以以交替的顺序布置。
第一行至第四行的布置可以在第一方向DR1上重复。应当理解，发射区域EMA_R、EMA_B和EMA_G的布置不限于以上示例。
网状图案MSP可以沿着非发射区域NEM中的像素的边界布置。网状图案MSP可以不与发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B重叠。当从顶部观察时，网状图案MSP可以位于非发射区域NEM中。根据一些实施例，由网状图案MSP暴露的网状孔MHL可以具有基本上菱形的形状。网状孔MHL可以具有相同的尺寸。可替代地，网状孔MHL可以依据经由网状孔MHL暴露的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B的尺寸而具有不同的尺寸，或者无论经由网状孔MHL暴露的发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B的尺寸如何网状孔MHL都可以具有不同的尺寸。尽管在图中单个网状孔MHL形成在发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B中的每一个中，但是这仅是说明性的。在一些实施例中，单个网状孔MHL可以跨两个或更多个发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B形成。
附带地，间隔件127和与间隔件127间隔开的突起128可以位于非发射区域NEM中。间隔件127和突起128分别位于非发射区域NEM(或图9中所示的堤层126)的在第一对角线方向上延伸的部分与在第二对角线方向上延伸的部分的相交点处，并且间隔件127和突起128可以位于不同的相交点处。也就是说，间隔件127和突起128位于呈网状图案的非发射区域NEM的相交点处，但是也可以分别位于不同的相交点处。
当从顶部观察时，间隔件127可以形成为岛状。与图中所示的不同，间隔件127和突起128可以位于呈网状图案的非发射区域NEM的相交点的各个位置处。
图9是沿着图8的第一颜色像素的发射区域、间隔件和突起截取的截面图。图10是图9的区域B的放大截面图。图11是示意性地示出根据本公开的一些实施例的显示装置的寄生电容的图。
参照图9至图11，显示装置1(见图1)的基底101可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)或它们的组合。基底101可以是可以被弯折、折叠或卷曲的柔性基底。柔性基底的材料的示例可以是但不限于聚酰亚胺(PI)。
缓冲层102可以布置在基底101上。缓冲层102可以防止或减少杂质离子扩散，并且可以防止或减少湿气或外部空气的渗透。缓冲层102可以包含氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
半导体层ACT可以位于缓冲层102上。半导体层ACT形成薄膜晶体管TFT的沟道。半导体层ACT可以包括源极区/漏极区和有源区。半导体层ACT可以包括多晶硅。可以通过使非晶硅结晶来形成多晶硅。结晶技术的示例包括但不限于快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、顺序横向凝固(SLS)等。半导体层ACT的连接到薄膜晶体管TFT的源极电极/漏极电极的区(例如，源极区/漏极区)可以被掺杂有杂质离子(在PMOS晶体管的情况下为p-型杂质离子)。诸如硼(B)的三价掺杂剂可以用作p-型杂质离子。根据一些实施例，半导体层ACT可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括例如包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)和四元化合物(ABxCyDz)。根据本公开的一些实施例，半导体层ACT可以包括：包含铟、锡和锌的氧化物(ITZO)或包含铟、镓和锌的氧化物(IGZO)。
栅极绝缘层103可以位于半导体层ACT上。栅极绝缘层103可以大体上布置在包括图1中所示的显示区域DA和非显示区域NDA的基底101的整个表面上方。栅极绝缘层103可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。栅极绝缘层103可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层103可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。尽管在图中栅极绝缘层103由单层组成，但是在一些实施中，栅极绝缘层103可以由不同材料的多层膜的叠层组成。
栅极电极GE布置在栅极绝缘层103上。根据本公开的一些实施例，栅极电极GE可以包括从由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的至少一种金属。
层间介电层104可以位于栅极电极GE上。层间介电层104可以将包括栅极电极GE的导电层与包括源极电极SE和漏极电极DE的导电层绝缘。层间介电层104可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽和/或氧化锌(ZnOx，可以是ZnO或ZnO2)的无机绝缘材料，或者诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。尽管在图中层间介电层104由单层膜组成，但是本公开不限于此。层间介电层104可以由包括不同材料的多层膜的叠层组成。
源极电极SE和漏极电极DE可以位于层间介电层104上。薄膜晶体管TFT的源极电极SE和漏极电极DE可以通过穿过层间介电层104和栅极绝缘层103形成的接触孔分别电连接到半导体层ACT的源极区和漏极区。
源极电极SE和漏极电极DE可以包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)和钼(Mo)组成的组中选择的至少一种金属。
通孔层105可以位于源极电极SE和漏极电极DE上。通孔层105可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。通孔层105可以包括暴露漏极电极DE的上表面的通孔VH。
阳极电极170(见图7)布置在通孔层105上。因为图9包括第一颜色像素R(见图7)的发射区域EMA_R的截面图，所以仅描述了阳极电极170之中的第一颜色像素R的阳极电极170_R。在下文中，除非另外特别说明，否则尽管将仅描述第一颜色像素R的阳极电极170_R，但是对第一颜色像素R的阳极电极170_R的描述可以同样地应用于图7中所示的其它阳极电极170_B、170_G1和170_G2。阳极电极170_R可以通过通孔VH电连接到漏极电极DE。
阳极电极170_R可以具有：包含诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)的材料的具有高功函数的材料层和包含诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的混合物的材料的反射材料层的堆叠结构。具有高功函数的材料层可以布置在反射材料层上方，从而它被定位成较靠近有机层175。阳极电极170_R可以具有但不限于ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag或ITO/Ag/ITO的多层结构。
堤层126可以位于通孔层105上。堤层126可以位于阳极电极170_R上方，并且可以包括暴露阳极电极170_R的开口OP。发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B(见图7)以及非发射区域NEM可以被堤层126和堤层126的开口OP分离。堤层126可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。堤层126可以包括无机材料。
间隔件127和与间隔件127间隔开的突起128可以位于堤层126上。间隔件127可以具有第一厚度T1，并且突起128可以具有小于第一厚度T1的第二厚度T2。突起128可以包括第一突起图案128_P1和与第一突起图案128_P1间隔开的第二突起图案128_P2。第一突起图案128_P1和第二突起图案128_P2之间的空间可以包括谷孔VAH。换句话说，第一突起图案128_P1和第二突起图案128_P2可以彼此间隔开，且谷孔VAH在第一突起图案128_P1与第二突起图案128_P2之间。间隔件127可以直接位于堤层126的上表面126a上，突起128可以直接位于堤层126的上表面126a上，并且谷孔VAH可以暴露堤层126的上表面126a。
发射层位于经由堤层126暴露的阳极电极170_R上。发射层可以包括有机层175。有机层175可以包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。
阴极电极180可以位于有机层175上。阴极电极180可以是跨像素的公共电极。阳极电极170_R、有机层175和阴极电极180可以形成第一颜色像素R(见图8)的有机发光二极管ED。
阴极电极180可以与有机层175以及堤层126的上表面126a接触。阴极电极180可以共形地(conformally)形成在下层结构(underlying feature)上以反映下层结构的高度差(level difference)。如本文中所使用的，句子“材料共形地沉积在一结构上以形成膜”指该膜具有均匀的厚度并因此反映该结构的高度差。
阴极电极180可以包括：包含诸如Li、Ca、LiF、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF2、Ba或它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)的材料或者包含诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构材料的具有小功函数的材料层。阴极电极180还可以包括位于具有小功函数的材料层上的透明金属氧化物层。
包括第一无机膜191、有机膜192和第二无机膜193的薄膜封装层190位于阴极电极180上。薄膜封装层190可以位于阴极电极180与基体层205之间。
第一无机膜191和第二无机膜193中的每一者可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
如以上参考图5所描述的，为了增加单元感测区域SUT中的触摸感测的触摸灵敏度，可以考虑减小单元感测区域SUT中的在第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2与位于第二触摸导电层220(见图6)下面的导电层之间的电容。特别地，第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2以及位于第二触摸导电层220下面的最接近第二触摸导电层220的导电层之中的阴极电极180可以对触摸灵敏度的噪音信号电平具有最大的影响。
单元感测区域SUT中的在阴极电极180与第二触摸导电层220之间的电容Cb可以与第二触摸导电层220(第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2)与阴极电极180之间的距离d成反比，并且可以与有机膜192的介电常数成正比。因此，为了减小单元感测区域SUT中的在阴极电极180与第二触摸导电层220(第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2)之间的电容Cb，可以考虑增加第二触摸导电层220与阴极电极180之间的距离d并降低有机膜192的介电常数。
如以上参照图3所描述的，根据本公开的一些实施例，通过在显示装置1(见图1)中的阻光图案层BML上布置滤色器层CFL可以使从发射层EML发射的光在前面处的透射率被改善。然而，当第二触摸导电层220与阴极电极180之间的距离d增加时，从发射层EML发射的光在前面处的透射率降低。
另外，如图9和图11中所示，无机膜191和193、有机膜192、基体层205和第一触摸绝缘层215位于第二触摸导电层220与阴极电极180之间。在无机膜191和193、有机膜192、基体层205和第一触摸绝缘层215之中，有机膜192的厚度可能是最大的。
因此，为了减小阴极电极180与单元感测区域SUT中的第二触摸导电层220(第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2)之间的电容Cb，而不损害从发射层EML发射的光在前面处的透射率，期望降低有机膜192的介电常数以及有机膜192的厚度。
根据本公开的一些实施例，为了减小单元感测区域SUT(中的在阴极电极180与第二触摸导电层220第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2)之间的电容Cb，有机膜192可以具有近似从2.0至3.0的介电常数。有机膜192包含有机分子。由于有机膜192包含有机分子的特点，有机膜192的介电常数可以等于或大于近似2.0。当有机膜192的介电常数等于或小于近似3.0时，可以降低单元感测区域SUT中的在阴极电极180与第二触摸导电层220(第一传感器部分SP1和第二传感器部分SP2)之间的电容Cb。
为了调整有机膜192的厚度以改善从发射层EML发射的光在前面处的透射率，可以考虑调整用于施加有机膜192的有机材料192'(见图12)的喷嘴之间的距离。换句话说，为了减小有机膜192的厚度，可以加宽用于施加有机材料192'的喷嘴之间的距离。然而，在这样做时，有机材料192'可能铺展不均匀。如果有机材料192'铺展不均匀，则有机膜192的均匀性可能劣化，从而可能导致显示装置1(见图1)的亮度不均匀(mura)。
根据本公开的一些实施例，通过进一步在堤层126上形成与间隔件127间隔开的突起128并且形成谷孔VAH，有机材料192'(见图12)可以更均匀地铺展。
间隔件127可以用于维持与位于间隔件127上方的元件的间隙。例如，在通过使用精细金属掩模(FMM)沉积有机层的工艺期间，间隔件127可以阻止或减少精细金属掩模的下陷(sagging)。在使用精细金属掩模(FMM)沉积有机层并且然后去除精细金属掩模(FMM)之后，在间隔件127的与精细金属掩模(FMM)直接接触的上表面上的一些材料可能附接到精细金属掩模(FMM)并且可能被一起去除。如果间隔件127的厚度等于突起128的厚度，则突起128的上表面的一些材料可能附接到精细金属掩模(FMM)并且被一起去除。相反，根据本公开的一些实施例，突起128的第二厚度T2小于间隔件127的第一厚度T1，并且因此可以阻止或减少突起128的上表面的一些材料附接到精细金属掩模(FMM)并且阻止或减少突起128的上表面的所述一些材料与精细金属掩模(FMM)被一起去除。
第一突起图案128_P1可以包括第一上表面128_P1S1和面向第二突起图案128_P2的第一侧表面128_P1S2。第二突起图案128_P2可以包括第二上表面128_P2S1和面向第一突起图案128_P1的第二侧表面128_P2S2。如以上所描述的，因为阴极电极180共形地布置以反映其下的高度差，所以其可以完全地覆盖第一上表面128_P1S1、第一侧表面128_P1S2、第二上表面128_P2S1和第二侧表面128_P2S2，并且可以共形地反映由第一突起图案128_P1和第二突起图案128_P2产生的高度差。
同样，薄膜封装层190的第一无机膜191可以完全地覆盖第一上表面128_P1S1、第一侧表面128_P1S2、第二上表面128_P2S1和第二侧表面128_P2S2，并且可以共形地反映由第一突起图案128_P1和第二突起图案128_P2产生的高度差。谷孔VAH可以填充有有机膜192。
基体层205、第一触摸绝缘层215、第二触摸导电层220和第二触摸绝缘层230可以顺序地位于薄膜封装层190上。以上已经描述了层，并且因此可以省略对层的一些多余描述。图9和图11是示出传感器部分的一部分的截面图，并且因此，第一触摸导电层210(见图6)没有在截面图中示出。
第二触摸导电层220可以与堤层126重叠并且可以位于非发射区域NEM中。第二触摸导电层220形成传感器部分的网状图案MSP(见图7)，并且因为第二触摸导电层220不与发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B(见图7)重叠，所以第二触摸导电层220不干涉光的发射并且不被观察者看到。
阻光图案240位于第二触摸绝缘层230上。阻光图案240可以抑制外部光的反射，并且可以改善反射光的颜色。阻光图案240位于非发射区域NEM中。当从顶部观察时，阻光图案240可以具有格子形状或者网状形状。阻光图案240、触摸导电层210(见图6)和220以及堤层126全部位于非发射区域NEM中，并且在厚度方向上彼此重叠。阻光图案240的宽度可以等于或小于堤层126的宽度，并且可以大于触摸导电层210和220的宽度。阻光图案240可以不与发射区域EMA_R、EMA_G和EMA_B(见图7)重叠。
外涂层251位于阻光图案240上。外涂层251可以直接布置在阻光图案240上方。外涂层251覆盖并保护阻光图案240。根据一些实施例，外涂层251还可以提供平坦表面。
图12是示出根据本公开的一些实施例的谷孔中的有机材料的铺展性的图。图13是图12的突起的平面图。图14是示出依据突起图案的厚度和谷孔的宽度的曲率值的图。
参照图12和图13，突起128可以包括第一突起图案128_P1、第二突起图案128_P2、第三突起图案128_P3和第四突起图案128_P4。当从顶部观察时，突起128可以具有大体上的四边形形状。如本文中所使用的，当从顶部观察时，突起128的形状指的是通过连接突起128的所有突起图案的外部边缘的轮廓所形成的形状。当从顶部观察时，图13的突起128的形状可以是方形形状或矩形形状。
在图12和图13中，突起图案128_P1至128_P4的两个谷孔VAH被限定。一个谷孔VAH可以沿着在第一方向DR1上延伸的第二延伸线CL2延伸，并且另一个谷孔VAH可以沿着在第二方向DR2上延伸的第一延伸线CL1延伸。突起图案128_P1至128_P4中的每一个的形状可以是方形或矩形。
相对于第二延伸线CL2，第一突起图案128_P1和第二突起图案128_P2可以对称，并且第三突起图案128_P3和第四突起图案128_P4可以对称。相对于第一延伸线CL1，第一突起图案128_P1和第三突起图案128_P3可以对称，并且第二突起图案128_P2和第四突起图案128_P4可以对称。突起图案128_P1至128_P4中的每一个可以具有第一宽度W1，多个谷孔VAH中的一个可以具有第二宽度W2，并且多个谷孔VAH中的另一个可以具有第三宽度W3。根据本公开的一些实施例，第一宽度W1可以大于第二宽度W2和第三宽度W3，并且第二宽度W2可以等于第三宽度W3。
随着谷孔VAH的宽度W2和W3越小并且第二厚度T2越小，有机膜192(例如，见图11)的有机材料192'可以在第一无机膜191(见图11)上越均匀地铺展。在第一无机膜191上，通过由与多个谷孔VAH之间的相邻的突起图案128_P1至128_P4的表面张力产生的毛细管压力，有机膜192的有机材料192'可以铺展。如以上所描述的，当谷孔VAH的宽度W2和W3小于第一宽度W1，并且第二厚度T2等于或少于1.2μm时，毛细管压力变大并且因此有机材料192'可以更均匀地铺展。
参照图14，水平轴代表以μm为单位测量的谷孔的宽度W2和W3(见图13)，并且竖直轴代表与有机膜192(例如，见图11)的铺展性相关的表面测量参数，该测量参数是以Kc为单位用来自Rhopoint Instruments的OptimapTM PSD测量的。表面测量参数Optimap(Kc)越大，有机膜192的表面的曲率的标准偏差越大。有机膜192的表面的曲率的标准偏差越小，有机膜192的表面的铺展性越好。
如图14中所示，可以看到当突起图案的厚度是0.7μm、1.0μm和1.5μm时，表面测量参数Optimap(Kc)随着谷孔的宽度从2.5μm减小到1.5μm而减小。另外，可以看到表面测量参数Optimap(Kc)随着谷孔的宽度从1.5μm减小到0μm而增加。此外，可以看到当突起图案的厚度是0.7μm和1.0μm时的表面测量参数Optimap(Kc)大体上小于当厚度是1.5μm时的表面测量参数Optimap(Kc)，并且当突起图案的厚度是0.7μm时的表面测量参数Optimap(Kc)大体上小于当厚度是1.0μm时的表面测量参数Optimap(Kc)。
在下文中，将描述根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法。
图15是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的处理步骤的截面图。制造图9的显示装置的在阳极电极170_R与基底101之间的元件的方法、形成触摸构件的方法以及形成滤色器层的方法是本领域的已知方法；并且因此，它们的多余描述可以被省略。
参照图9、图11和图15，根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法可以包括：在基底101上布置阳极电极170_R；在基底101上形成包括暴露阳极电极170_R的开口OP的堤层126并且在堤层126上形成具有第一厚度T1的间隔件127；在堤层126上形成突起128，突起128与间隔件127间隔开并且具有小于第一厚度T1的第二厚度T2；在由堤层126暴露的阳极电极170_R上形成或布置发射层；在发射层上形成或布置阴极电极180；以及在阴极电极180上形成或布置薄膜封装层190。
在根据一些实施例的制造显示装置的方法中，间隔件127和突起128可以一起形成。例如，可以使用半色调掩模同时(或并发地)形成堤层126、间隔件127和突起128。在这种情况下，堤层126、间隔件127和突起128可以包括相同的材料。
图16是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的处理步骤的截面图。
如图16中所示，间隔件127和堤层126一起形成，同时突起128(见图9或图17)可以在间隔件127和堤层126已经形成后经由单独的工艺形成。在这种情况下，堤层126、间隔件127和突起128可以包括相同的材料，但是本公开不限于此。堤层126和间隔件127可以包括相同的材料，同时突起128和间隔件127可以包括不同的材料。
在下文中，将更详细地描述根据本公开的一些实施例的显示装置。
图17是根据本公开的一些实施例的显示装置的截面图。图18是图17的区域C的放大截面图。
参考图17和图18描述的根据实施例的显示装置与参考图9描述的根据实施例的显示装置的不同之处在于，阴极电极180_1的主图案180_P2完全地覆盖第一上表面128_P1S1和第二上表面128_P2S1，同时子图案180_P1部分地覆盖第一侧表面128_P1S2和第二侧表面128_P2S2。
例如，阴极电极180_1的主图案180_P2和子图案180_P1可以分离。主图案180_P2可以暴露第一侧表面128_P1S2和第二侧表面128_P2S2的下部部分。阳极电极170_R、有机层175和阴极电极180_1可以形成第一颜色像素R(见图8)的有机发光二极管ED_1。
图19是根据本公开的一些实施例的显示装置的截面图。图20是图19的区域D的放大截面图。
参考图19和图20描述的根据实施例的显示装置与参考图9描述的根据实施例的显示装置的不同之处在于，突起128'直接布置在堤层126的侧表面126b上，并且谷孔VAH暴露堤层126的侧表面126b。
根据一些实施例，突起128'可以形成在堤层126的侧表面126b上。根据一些实施例，与示出的那些不同，突起128'可以在厚度方向上不与发射层重叠。突起128'可以包括第一突起图案128'_P1和与第一突起图案128'_P1间隔开的第二突起图案128'_P2。第一突起图案128'_P1可以包括第一上表面128'_P1S1和面向第二突起图案128'_P2的第一侧表面128'_P1S2。第二突起图案128'_P2可以包括第二上表面128'_P2S1和面向第一突起图案128'_P1的第二侧表面128'_P2S2。
如以上参考图12和图13所描述的，根据一些实施例，随着谷孔VAH的宽度W2和W3越小并且第二厚度T2越小，有机膜192的有机材料192'可以在第一无机膜191上越均匀地铺展。在第一无机膜191上，通过由与多个谷孔VAH之间的相邻的突起图案128_P1至128_P4的表面张力产生的毛细管压力，有机膜192的有机材料192'可以铺展。如以上所描述的，当谷孔VAH的宽度W2和W3小于第一宽度W1并且第二厚度T2等于或小于1.2μm时，毛细管压力变大并且因此有机材料192'可以更均匀地铺展。
图21是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
参考图21描述的根据实施例的突起128a与参考图13描述的根据实施例的突起128的不同之处在于，当从顶部观察时前者具有大体上的圆形形状。
与当从顶部观察时具有四边形形状的有机膜192(见图9)的有机材料192'(见图12)的铺展性相比，当根据一些实施例的突起128a具有大体上的圆形形状时，有机材料192'的铺展性可以进一步被改善。因为突起128a的突起图案128a_P1、128a_P2、128a_P3和128a_P4之间的位置关系与图13中所示的突起128的突起图案128_P1至128_P4之间的位置关系相同；并且因此，其一些多余描述可以被省略。
图22是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
图22的突起128b与图13的突起128的不同之处在于，去除了图13中的第一延伸线CL1并且进一步限定了第三延伸线CL3和第四延伸线CL4。
也就是说，在突起128b中可以限定三个谷孔VAH。一个谷孔VAH可以沿着第二延伸线CL2延伸，另一个谷孔VAH可以沿着第四方向DR4延伸，并且又一个谷孔VAH可以沿着第五方向DR5延伸。第一方向DR1与第四方向DR4之间的角度可以是60度，并且第四方向DR4与第五方向DR5之间的角度可以是60度。根据本公开的一些实施例，当从顶部观察时，突起128b可以是大体上的三角形形状或等边三角形形状。
相对于第二延伸线CL2，第一突起图案128b_P1和第二突起图案128b_P2可以对称，第三突起图案128b_P3和第四突起图案128b_P4可以对称，并且第五突起图案128b_P5和第六突起图案128b_P6可以对称；相对于第三延伸线CL3，第一突起图案128b_P1和第三突起图案128b_P3可以对称，第二突起图案128b_P2和第五突起图案128b_P5可以对称，并且第四突起图案128b_P4和第六突起图案128b_P6可以对称；并且相对于第四延伸线CL4，第二突起图案128b_P2和第四突起图案128b_P4可以对称，第一突起图案128b_P1和第六突起图案128b_P6可以对称，并且第三突起图案128b_P3和第五突起图案128b_P5可以对称。
图23是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
参考图23描述的根据实施例的突起128c与参考图22描述的根据实施例的突起128b的不同之处在于，当从顶部观察时前者具有大体上的六边形形状。
相对于第二延伸线CL2，第一突起图案128c_P1和第二突起图案128c_P2可以对称，第三突起图案128c_P3和第四突起图案128c_P4可以对称，并且第五突起图案128c_P5和第六突起图案128c_P6可以对称；相对于第三延伸线CL3，第一突起图案128c_P1和第三突起图案128c_P3可以对称，第二突起图案128c_P2和第五突起图案128c_P5可以对称，并且第四突起图案128c_P4和第六突起图案128c_P6可以对称；并且相对于第四延伸线CL4，第二突起图案128c_P2和第四突起图案128c_P4可以对称，第一突起图案128c_P1和第六突起图案128c_P6可以对称，并且第三突起图案128c_P3和第五突起图案128c_P5可以对称。
图24是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
参考图24描述的根据实施例的突起128d与参考图21描述的根据实施例的突起128a的不同之处在于，存在一个谷孔VAH。
谷孔VAH可以沿着第一延伸线CL1延伸。
突起128d的第一突起图案128d_P1和第二突起图案128d_P2可以相对于谷孔VAH对称。
图25是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
参考图25描述的根据实施例的突起128e与参考图21描述的根据实施例的突起128a的不同之处在于，存在两个谷孔VAH，并且该两个谷孔VAH在相同的方向上延伸。
两个谷孔VAH中的每一个可以在第二方向DR2上延伸。
突起128e可以包括第一突起图案128e_P1、第二突起图案128e_P2和第三突起图案128e_P3。两个谷孔VAH可以分别在第一突起图案128e_P1与第二突起图案128e_P2之间以及第二突起图案128e_P2与第三突起图案128e_P3之间。第一突起图案128e_P1和第三突起图案128e_P3可以相对于第一延伸线CL1对称。
图26是根据本公开的一些实施例的突起的平面图。
参考图26描述的根据实施例的突起128f与参考图25描述的根据实施例的突起128e的不同之处在于，存在两个谷孔VAH并且该两个谷孔VAH在第一方向DR1上延伸。
两个谷孔VAH中的每一个可以在第一方向DR1上延伸。
突起128f可以包括第一突起图案128f_P1、第二突起图案128f_P2和第三突起图案128f_P3。两个谷孔VAH可以分别在第一突起图案128f_P1与第二突起图案128f_P2之间以及第二突起图案128f_P2与第三突起图案128f_P3之间。第一突起图案128f_P1和第三突起图案128f_P3可以相对于第二延伸线CL2对称。
尽管为了说明性的目的已经描述了本实用新型的一些实施例的方面，但是本领域技术人员将领会的是，在不脱离在所附权利要求以及它们的等同物中公开的本实用新型的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、增加和替换。

Claims (12)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底；
第一电极，在所述基底上；
堤层，在所述基底上，并且包括暴露所述第一电极的开口；
间隔件，在所述堤层上；以及
突起，在所述堤层上，并且与所述间隔件间隔开，
其中，所述突起包括多个突起图案，所述多个突起图案包括第一突起图案和第二突起图案，所述第二突起图案与所述第一突起图案间隔开，且谷孔在所述第一突起图案与所述第二突起图案之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述间隔件具有第一厚度，并且所述突起具有小于所述第一厚度的第二厚度；或者，
其中，所述第二厚度等于或小于1.2μm。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述间隔件直接在所述堤层的上表面上，并且其中，所述突起直接在所述堤层的所述上表面上，并且所述谷孔暴露所述堤层的所述上表面；或者，
其中，所述间隔件直接在所述堤层的上表面上，并且其中，所述突起直接在所述堤层的侧表面上，并且所述谷孔暴露所述堤层的所述侧表面。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
发射层，在由所述堤层暴露的所述第一电极上；以及
第二电极，在所述发射层上，
其中，所述第一突起图案包括第一上表面和面向所述第二突起图案的第一侧表面，
其中，所述第二突起图案包括第二上表面和面向所述第一突起图案的第二侧表面，并且
其中，所述第二电极完全地覆盖所述第一上表面、所述第一侧表面、所述第二上表面和所述第二侧表面；或者，所述第二电极完全地覆盖所述第一上表面和所述第二上表面，并且部分地覆盖所述第一侧表面和所述第二侧表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第二电极共形地形成以反映由所述第一突起图案和所述第二突起图案产生的高度差。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
封装层，在所述第二电极上，
其中，所述封装层包括在所述第二电极上的第一无机膜、在所述第一无机膜上的有机膜以及在所述有机膜上的第二无机膜，并且
其中，所述第一无机膜完全地覆盖所述第一上表面、所述第一侧表面、所述第二上表面和所述第二侧表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一无机膜共形地形成以反映由所述第一突起图案和所述第二突起图案产生的高度差，
其中，所述谷孔填充有所述有机膜。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：
触摸导电层，直接在所述封装层上，
其中，所述触摸导电层包括第一触摸导电层和第二触摸导电层，并且还包括在所述第一触摸导电层与所述第二触摸导电层之间的第一触摸绝缘层，并且其中，所述第一触摸导电层在所述第二无机膜与所述第一触摸绝缘层之间。
9.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述第一突起图案具有第一宽度，所述第二突起图案具有第二宽度，并且所述谷孔具有第三宽度，并且
其中，所述第一宽度和所述第二宽度大于所述第三宽度。
10.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，在平面图中，所述突起具有圆形形状、方形形状、矩形形状、三角形形状或六边形形状。
11.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述谷孔在第一方向上延伸，并且其中，所述第一突起图案和所述第二突起图案相对于所述谷孔对称。
12.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述多个突起图案之中的任意两个相邻突起图案之间提供有所述谷孔。
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