CN218333797U - 一种新型功率mosfet器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种新型功率MOSFET器件，包括芯片和外保护壳体，芯片的前侧设置有针脚，芯片安装在外保护壳体的内部，针脚从外保护壳体内部贯穿至外侧，外保护壳体内部两侧均安装有两个防静电组件，两个防静电组件包括有塑料壳体和金属轴杆，塑料壳体与外保护壳体的侧壁固定连接，金属轴杆从外保护壳体外侧贯穿塑料壳体至外保护壳体内部，金属轴杆靠内侧一端安装有静电板，塑料壳体内部安装有压缩弹簧，压缩弹簧靠近静电板一侧的金属轴杆上安装有限位盘，静电板与芯片的侧面相接触，通过防静电组件和防静电涂层可对外保护壳体内部的芯片进行有效防静电保护，从而防止静电损坏芯片的集成电路，提升MOSFET芯片的使用寿命。

Description

一种新型功率MOSFET器件

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型功率MOSFET器件。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的；而功率MOSFET器件为一种新型半导体；

而静电在自然界时刻都存在，当芯片的外部环境或者芯片内部累积的静电荷，通过芯片的管脚流入或流出芯片内部时，瞬间产生的电流或电压，就会损坏集成电路，使MOSFET芯片功能失效。

因此，发明一种新型功率MOSFET器件来解决上述问题很有必要。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种新型功率MOSFET器件，以解决技术中的上述不足之处。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种新型功率MOSFET器件，包括芯片和外保护壳体，所述芯片的前侧设置有针脚，所述芯片安装在外保护壳体的内部，所述针脚从外保护壳体内部贯穿至外侧，所述外保护壳体内部两侧均安装有两个防静电组件，两个所述防静电组件包括有塑料壳体和金属轴杆，所述塑料壳体与外保护壳体的侧壁固定连接，所述金属轴杆从外保护壳体外侧贯穿塑料壳体至外保护壳体内部，所述金属轴杆靠内侧一端安装有静电板，所述塑料壳体内部安装有压缩弹簧，所述压缩弹簧靠近静电板一侧的金属轴杆上安装有限位盘，所述静电板与芯片的侧面相接触。

优选的，所述外保护壳体的内底部安装有四个L型定位块，四个所述L型定位块均对称设置，且四个所述L型定位块之间面积的长宽均与芯片的长宽相同，且所述芯片通过四个螺栓分别与四个L型定位块相连接。

优选的，所述外保护壳体的内壁和四个L型定位块的内壁均设置有耐热涂层和防静电涂层，所述防静电涂层位于耐热涂层的外侧。

优选的，所述外保护壳体的顶部设置有开口，且所述外保护壳体的顶部安装有开启盖，所述开启盖通过四个螺栓与外保护壳体相连接。

优选的，所述开启盖的中心位置镶嵌有导热硅板，所述导热硅板的顶部安装有散热翅片，所述导热硅板的底部与芯片的顶部相接触。

优选的，所述外保护壳体的前侧被针脚贯穿的槽孔处内部安装有绝缘胶环。

优选的，所述压缩弹簧的内部直径大于金属轴杆的内部直径，所述压缩弹簧与金属轴杆不接触，所述限位盘为塑料板。

在上述技术方案中，本实用新型提供的技术效果和优点：

1、通过防静电组件可对外保护壳体内部的芯片进行有效防静电保护，将芯片在外保护壳体内部安装后，通过压缩弹簧作用力挤压限位盘，会使静电板接触在芯片的侧面，当芯片产生静电时，静电板通过金属轴杆将静电导出，从而防止静电损坏芯片的集成电路，提升MOSFET芯片的使用寿命；

2、通过外保护壳体和L型定位块内壁的防静电涂层可有效抑制静电的产生，从而进一步提高该装置的防静电能力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的整体结构立体图；

图2为本实用新型的外保护壳体结构立体图；

图3为本实用新型的开启盖结构立体图；

图4为本实用新型的防静电组件结构剖视立体图；

图5为本实用新型的外保护壳体结构层次图。

附图标记说明：

1、芯片；2、外保护壳体；3、开启盖；4、针脚；5、防静电组件；6、散热翅片；7、导热硅板；8、耐热涂层；9、防静电涂层；11、L型定位块；12、绝缘胶环；51、金属轴杆；52、静电板；53、塑料壳体；54、限位盘；55、压缩弹簧。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细介绍。

本实用新型提供了如图1-5所示的一种新型功率MOSFET器件，包括芯片1和外保护壳体2，芯片1的前侧设置有针脚4，芯片1安装在外保护壳体2的内部，针脚4从外保护壳体2内部贯穿至外侧，外保护壳体2内部两侧均安装有两个防静电组件5，两个防静电组件5包括有塑料壳体53和金属轴杆51，塑料壳体53与外保护壳体2的侧壁固定连接，金属轴杆51从外保护壳体2外侧贯穿塑料壳体53至外保护壳体2内部，金属轴杆51靠内侧一端安装有静电板52，塑料壳体53内部安装有压缩弹簧55，压缩弹簧55靠近静电板52一侧的金属轴杆51上安装有限位盘54，静电板52与芯片1的侧面相接触，通过防静电组件5和防静电涂层9可对外保护壳体2内部的芯片1进行有效防静电保护，从而防止静电损坏芯片1的集成电路，提升MOSFET芯片的使用寿命。

进一步的，在上述技术方案中，外保护壳体2的内底部安装有四个L型定位块11，四个L型定位块11均对称设置，且四个L型定位块11之间面积的长宽均与芯片1的长宽相同，且芯片1通过四个螺栓分别与四个L型定位块11相连接；

具体的，通过四个L型定位块11可实现芯片1在外保护壳体2内部的精准固定，从而防止芯片1晃动，导致芯片1损坏。

进一步的，在上述技术方案中，外保护壳体2的内壁和四个L型定位块11的内壁均设置有耐热涂层8和防静电涂层9，防静电涂层9位于耐热涂层8的外侧；

具体的，通过防静电涂层9可有效抑制静电的产生，而耐热涂层8可防止芯片1产生的热量导致外保护壳体2鼓包，影响芯片1的使用寿命。

进一步的，在上述技术方案中，外保护壳体2的顶部设置有开口，且外保护壳体2的顶部安装有开启盖3，开启盖3通过四个螺栓与外保护壳体2相连接；

具体的，通过拧开螺栓，即可快速打开开启盖3，从而对内部的芯片1进行维修、更换等操作。

进一步的，在上述技术方案中，开启盖3的中心位置镶嵌有导热硅板7，导热硅板7的顶部安装有散热翅片6，导热硅板7的底部与芯片1的顶部相接触；

具体的，芯片1运作会产生热量，通过导热硅板7可很好的将热量传导至散热翅片6上，从而快速散热，防止高温对芯片1造成影响，且导热硅板7为不导电材质，不会影响防静电组件5的静电传导。

进一步的，在上述技术方案中，外保护壳体2的前侧被针脚4贯穿的槽孔处内部安装有绝缘胶环12；

具体点，通过绝缘胶环12可稳固针脚4的位置，且防止灰尘或水渍从针脚4处进入外保护壳体2内部，对芯片1造成影响。

进一步的，在上述技术方案中，压缩弹簧55的内部直径大于金属轴杆51的内部直径，压缩弹簧55与金属轴杆51不接触，限位盘54为塑料板；

具体点，压缩弹簧55与金属轴杆51不接触可防止静电传导至压缩弹簧55上，影响静电的导出，而限位盘54为耐热塑料制成，一方面不导电，另一方面可防止高温变形。

本实用工作原理：

将芯片1在外保护壳体2内部的四个L型定位块11安装后，通过压缩弹簧55作用力挤压限位盘54，会使静电板52良好的接触在芯片1的侧面，当芯片1产生静电时，静电板52通过金属轴杆51将静电导出，从而防止静电损坏芯片1的集成电路。

以上只通过说明的方式描述了本实用新型的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本实用新型权利要求保护范围的限制。

Claims (7)

1.一种新型功率MOSFET器件，包括芯片(1)和外保护壳体(2)，其特征在于：所述芯片(1)的前侧设置有针脚(4)，所述芯片(1)安装在外保护壳体(2)的内部，所述针脚(4)从外保护壳体(2)内部贯穿至外侧，所述外保护壳体(2)内部两侧均安装有两个防静电组件(5)，两个所述防静电组件(5)包括有塑料壳体(53)和金属轴杆(51)，所述塑料壳体(53)与外保护壳体(2)的侧壁固定连接，所述金属轴杆(51)从外保护壳体(2)外侧贯穿塑料壳体(53)至外保护壳体(2)内部，所述金属轴杆(51)靠内侧一端安装有静电板(52)，所述塑料壳体(53)内部安装有压缩弹簧(55)，所述压缩弹簧(55)靠近静电板(52)一侧的金属轴杆(51)上安装有限位盘(54)，所述静电板(52)与芯片(1)的侧面相接触。

2.根据权利要求1所述的一种新型功率MOSFET器件，其特征在于：所述外保护壳体(2)的内底部安装有四个L型定位块(11)，四个所述L型定位块(11)均对称设置，且四个所述L型定位块(11)之间面积的长宽均与芯片(1)的长宽相同，且所述芯片(1)通过四个螺栓分别与四个L型定位块(11)相连接。

3.根据权利要求2所述的一种新型功率MOSFET器件，其特征在于：所述外保护壳体(2)的内壁和四个L型定位块(11)的内壁均设置有耐热涂层(8)和防静电涂层(9)，所述防静电涂层(9)位于耐热涂层(8)的外侧。

4.根据权利要求1所述的一种新型功率MOSFET器件，其特征在于：所述外保护壳体(2)的顶部设置有开口，且所述外保护壳体(2)的顶部安装有开启盖(3)，所述开启盖(3)通过四个螺栓与外保护壳体(2)相连接。

5.根据权利要求4所述的一种新型功率MOSFET器件，其特征在于：所述开启盖(3)的中心位置镶嵌有导热硅板(7)，所述导热硅板(7)的顶部安装有散热翅片(6)，所述导热硅板(7)的底部与芯片(1)的顶部相接触。

6.根据权利要求1所述的一种新型功率MOSFET器件，其特征在于：所述外保护壳体(2)的前侧被针脚(4)贯穿的槽孔处内部安装有绝缘胶环(12)。

7.根据权利要求1所述的一种新型功率MOSFET器件，其特征在于：所述压缩弹簧(55)的内部直径大于金属轴杆(51)的内部直径，所述压缩弹簧(55)与金属轴杆(51)不接触，所述限位盘(54)为塑料板。

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