CN218321628U - 一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置 - Google Patents

一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置 Download PDF

Info

Publication number
CN218321628U
CN218321628U CN202222279873.3U CN202222279873U CN218321628U CN 218321628 U CN218321628 U CN 218321628U CN 202222279873 U CN202222279873 U CN 202222279873U CN 218321628 U CN218321628 U CN 218321628U
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantitative
atomic layer
layer deposition
valve
air inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222279873.3U
Other languages
English (en)
Inventor
赵茂生
雷志佳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Weimao Technology Co ltd
Original Assignee
Xiamen Weimao Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Weimao Technology Co ltd filed Critical Xiamen Weimao Technology Co ltd
Priority to CN202222279873.3U priority Critical patent/CN218321628U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN218321628U publication Critical patent/CN218321628U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置,涉及原子层沉积技术领域。其中,这种定量输气装置,包含用以连通原子层沉积设备的工艺腔室的出气管、分别出气管的至少两个定量进气组件,以及接合于出气管的不定量进气组件。定量进气组件包括定量腔室、用以连通源瓶的第一进气管、用以连通定量腔室和第一出气管的第一阀门,以及用以连通出气管和第一进气管的第二阀门。不定量进气组件包括用以连接气源的第二进气管,以及用以连通出气管和第二进气管的第三阀门。通过定量输气装置,能够有效的控制每次向反应腔室输送的气体的体积,提升工艺的稳定性和沉积层的一致性,减少对阀门反映速度、稳定性的依赖,大大优化了工艺。

Description

一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置
技术领域
本实用新型涉及原子层沉积技术领域,具体而言,涉及一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置。
背景技术
原子层沉积是一种依次往反应腔室内注入不同的反应气体,使其在目的物表面反应,从而生成一层一层的单原子膜的方法。
为了保证目标物表面的沉积层的一致性,需要保证每次进入反应腔的气体量。但是,通常情况下,提供反应气体的气源具有较高的气压,通过阀门无法精准的控制进入反应腔的气体量,导致工艺的稳定性较差。
有鉴于此,申请人在研究了现有的技术后特提出本申请。
实用新型内容
本实用新型提供了一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置,旨在改善上述技术问题中的至少一个。
第一方面、
本实用新型提供了一种原子层沉积设备的定量输气装置,其包含用以连通原子层沉积设备的工艺腔室的出气管、分别出气管的至少两个定量进气组件,以及接合于出气管的不定量进气组件。
定量进气组件包括定量腔室、用以连通源瓶的第一进气管、用以连通定量腔室和第一出气管的第一阀门,以及用以连通出气管和第一进气管的第二阀门。
不定量进气组件包括用以连接气源的第二进气管,以及用以连通出气管和第二进气管的第三阀门。
在一些实施例中,定量输气装置还包括第一固定板和第二固定板。第二固定板构造为能够接合于第一固定板,用以将至少两个定量进气组件和不定量进气组件固定于第一固定板。
在一些实施例中,第二固定板设置有供第一阀门、第二阀门和第三阀门的阀体穿过的第一避让孔。
在一些实施例中,至少两个定量进气组件之间的定量腔室平行设置。
在一些实施例中,定量进气组件的第一进气管设置有第一进气口。第一进气口的轴线方向和定量腔室的轴线方向垂直。
在一些实施例中,第一阀门、第二阀门和第三阀门都是气动阀。
在一些实施例中,定量进气组件的数量为四个。
在一些实施例中,出气管包括第一连接部和第二连接部。第一连接部的轴线和第二连接部的轴线垂直。第一连接部用以连通原子层沉积设备的工艺腔室。第二连接部用以连通至少两个定量进气组件和出气管的不定量进气组件。
在一些实施例中,第一连接部的轴线和定量腔室的轴线平行。
第二方面、
本实用新型提供了一种原子层沉积设备,其包含第一方面任意一项所说的一种原子层沉积设备的定量输气装置。
通过采用上述技术方案,本实用新型可以取得以下技术效果:
本实用新型实施例通过定量进气组件,先让气体进入体积固定的定量腔室中,然后再让定量腔室中的气体进入到反应腔中,能够有效的控制每次向反应腔室输送的气体的体积,从而保证工艺的稳定性和沉积层的一致性,具有很好的实际意义
通过本实用新型实施例的硬件方案,能够提升工艺的稳定性和沉积层的一致性,减少对阀门反映速度、稳定性的依赖。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是定量输气装置的轴测图。
图2是定量输气装置的爆炸图。
图3是定量输气装置的轴测图(隐藏第一固定板和第二固定板)
图中标记:1-定量输送装置、2-第一固定板、3-出气管、4-第二固定板、5-第一避让孔、6-定量进气组件、7-第一连接部、8-第二连接部、9-第一阀门、10-定量腔室、11-第二阀门、12-第一进气管、13-第一进气口。
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施方式中的附图,对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一、
由图1至图3所示,本实用新型实施例提供了原子层沉积设备的定量输气装置1,其包含用以连通原子层沉积设备的工艺腔室的出气管3、分别出气管3的至少两个定量进气组件6,以及接合于出气管3的不定量进气组件6。
定量进气组件6包括定量腔室10、用以连通源瓶的第一进气管12、用以连通定量腔室10和第一出气管3的第一阀门9,以及用以连通出气管3和第一进气管12的第二阀门11。具体的,在本实施例中,定量进气组件6的数量为四个。在其它实施例中,定量进气组件6的数量可以根据实际需求设置为其它数量,本实用新型对此不做具体限定。
不定量进气组件6包括用以连接气源的第二进气管,以及用以连通出气管3和第二进气管的第三阀门。具体的,在本实施例中,第一阀门9、第二阀门11和第三阀门都是气动阀。在其它实施例中,阀门可以采用电磁阀等现有的阀门,本实用新型对此不做具体限定。
具体的,本实用新型实施例的定量输气装置1,在使用时先打开第二阀门11让气源的反应气体进入到定量腔室10中,然后关闭第二阀门11。最后打开第一阀门9,让定量腔室10中的反应气体进入到反应腔室中。需要说明的是,在定量腔室10的反应气体进入反应腔室的同时,反应腔室同时进行抽真空,因此,定量腔室10中的反应气体最终会全部进入到反应腔室中。不定量进气组件6用以输送承载反应气体的载气,或者清洗反应腔室的清洗气体。
通过本实用新型的定量进气组件6能够有效的控制每次向反应腔室输送的气体的体积,提升工艺的稳定性和沉积层的一致性,减少对阀门反映速度、稳定性的依赖,大大优化了工艺,具有很好的实际意义。
如图1和图2所示,在上述实施例的基础上,本实用新型对一个可选的实施例中,定量输气装置1还包括第一固定板2和第二固定板4。第二固定板4构造为能够接合于第一固定板2,用以将至少两个定量进气组件6和不定量进气组件6固定于第一固定板2。优选地,第二固定板4设置有供第一阀门9、第二阀门11和第三阀门的阀体穿过的第一避让孔5。
具体的,通过第二固定板4将不定量进气组件6和多个定量进气组件6固定在第一固定板2上,使其形成一个整体,大大的方便了定量输气装置1的安装。第一避让孔5能够让阀门外露于固定板外部,便于对阀门进行连接控制。
如图2至图3所示,在上述实施例的基础上,本实用新型的一个可选的实施例中,至少两个定量进气组件6之间的定量腔室10平行设置。优选地,定量进气组件6的第一进气管12设置有第一进气口13。第一进气口13的轴线方向和定量腔室10的轴线方向垂直。
具体的,定量腔室10平行设置,能够缩小定量腔室10之间的距离,使结构更加的紧凑,减小定量输气装置1的体积。第一进气口13和定量腔室10设置成垂直,在安装气源时能够形成直角结构,有效的缩短了定量输气装置1加源瓶的长度,从而进一步的缩小原子层沉积设备的体积。
如图2至图3所示,在上述实施例的基础上,本实用新型的一个可选的实施例中,出气管3包括第一连接部7和第二连接部8。第一连接部7的轴线和第二连接部8的轴线垂直。第一连接部7用以连通原子层沉积设备的工艺腔室。第二连接部8用以连通至少两个定量进气组件6和出气管3的不定量进气组件6。优选地,第一连接部7的轴线和定量腔室10的轴线平行。
具体的,第一连接部7和第二连接部8垂直设置,并且第一连接部7和定量腔室10平行设置,能够让出气管3沿着定量腔室10的方向输送反应气体,使得反应腔室和定量输气装置1一前一后的设置,从而减少出气管3的弯折次数,以及减小原子层沉积设备的厚度,不仅气体输送更加顺畅,而且原子层沉积设备的体积更加小巧。
实施例二、
本实用新型提供了一种原子层沉积设备,其包含实施例一任意一项所说的一种原子层沉积设备的定量输气装置。
本实用新型实施例通过定量进气组件,先让气体进入体积固定的定量腔室中,然后再让定量腔室中的气体进入到反应腔中,能够有效的控制每次向反应腔室输送的气体的体积,从而保证工艺的稳定性和沉积层的一致性,具有很好的实际意义。
以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,包含用以连通原子层沉积设备的工艺腔室的出气管(3)、分别所述出气管(3)的至少两个定量进气组件(6),以及接合于所述出气管(3)的不定量进气组件(6);
所述定量进气组件(6)包括定量腔室(10)、用以连通源瓶的第一进气管(12)、用以连通所述定量腔室(10)和所述出气管(3)的第一阀门(9),以及用以连通所述出气管(3)和所述第一进气管(12)的第二阀门(11);
所述不定量进气组件(6)包括用以连接气源的第二进气管,以及用以连通所述出气管(3)和所述第二进气管的第三阀门。
2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述定量输气装置(1)还包括第一固定板(2)和第二固定板(4);所述第二固定板(4)构造为能够接合于所述第一固定板(2),用以将所述至少两个定量进气组件(6)和所述不定量进气组件(6)固定于所述第一固定板(2)。
3.根据权利要求2所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述第二固定板(4)设置有供所述第一阀门(9)、所述第二阀门(11)和所述第三阀门的阀体穿过的第一避让孔(5)。
4.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述至少两个定量进气组件(6)之间的定量腔室(10)平行设置。
5.根据权利要求1所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述定量进气组件(6)的第一进气管(12)设置有第一进气口(13);所述第一进气口(13)的轴线方向和所述定量腔室(10)的轴线方向垂直。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述第一阀门(9)、所述第二阀门(11)和所述第三阀门都是气动阀。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述定量进气组件(6)的数量为四个。
8.根据权利要求1至5任意一项所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述出气管(3)包括第一连接部(7)和第二连接部(8);所述第一连接部(7)的轴线和所述第二连接部(8)的轴线垂直;所述第一连接部(7)用以连通原子层沉积设备的工艺腔室;所述第二连接部(8)用以连通所述至少两个定量进气组件(6)和所述出气管(3)的不定量进气组件(6)。
9.根据权利要求8所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置,其特征在于,所述第一连接部(7)的轴线和所述定量腔室(10)的轴线平行。
10.一种原子层沉积设备,其特征在于,包含权利要求1至9任意一项所述的一种原子层沉积设备的定量输气装置。
CN202222279873.3U 2022-08-29 2022-08-29 一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置 Active CN218321628U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222279873.3U CN218321628U (zh) 2022-08-29 2022-08-29 一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202222279873.3U CN218321628U (zh) 2022-08-29 2022-08-29 一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218321628U true CN218321628U (zh) 2023-01-17

Family

ID=84886942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222279873.3U Active CN218321628U (zh) 2022-08-29 2022-08-29 一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN218321628U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI550123B (zh) 在直線型大面積的電漿反應器均勻處理的氣體輸送和分配系統及其處理腔室
US20060249253A1 (en) Manifold assembly for feeding reactive precursors to substrate processing chambers
CN104611683A (zh) 为原子层沉积(ald)工艺供应前体的系统和方法
CN1993490A (zh) 引导等离子体流的内部通道涂覆装置
CN101910706A (zh) 短蚀刻配方的气体传输延迟解决方案
CN107400878A (zh) 一种原子层沉积设备的进气系统及其方法
CN218321628U (zh) 一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的定量输气装置
US20010047756A1 (en) Gas distribution system
CN109182999A (zh) 用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法
CN216864317U (zh) 沉积设备
CN116254597A (zh) 等离子掺杂碳化硅长晶炉
JP2003049273A (ja) プラズマcvd装置及びプラズマcvdによる成膜方法
EP1046728A3 (en) Process chamber with inner support
US20190233968A1 (en) Gas injector for chemical vapor deposition system
CN209292475U (zh) 用于原子层沉积工艺的进气系统
TWI771939B (zh) 前驅物循環式原子層沉積設備與方法
CN215856322U (zh) 特气管路及平板式pecvd设备
CN220724336U (zh) 一种真空离子镀膜用送气装置
CN108385088A (zh) 一种TiSiO复合光波导薄膜的制备方法
CN106048559B (zh) 一种基于空间隔离的纳米颗粒原子层沉积装置及方法
CN113646465A (zh) 基板处理设备及用于基板处理设备的气体供应设备
CN214244592U (zh) 一种蒸发源装置
CN219280009U (zh) 镀膜设备
JP5413202B2 (ja) 平坦及び3次元のpecvd被覆において局所的分圧を制御するための局所的直線マイクロ波ソースアレイポンピング
CN216891208U (zh) 喷洒装置及薄膜沉积腔体

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant