CN218203030U - 一种适用于物理气相沉积的载具装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及的一种适用于物理气相沉积的载具装置，它包括载具本体，所述载具本体内设有多个槽位，槽位均布在载具本体的内壁，所述槽位包括外部的载具槽位外边缘和内侧的载具槽位下档板，硅片摆放在槽位中，通过载具槽位下档板支撑，所述载具本体上还设有多个档条；所述档条设置在载具槽位下档板朝向载具槽位的内侧面，至少一组相对应的载具槽位下档板的内侧面上设有档条，且相对应的载具槽位下档板的内侧面上的档条对称布置，且每个载具槽位下档板的内侧面上至少设有两个档条。本实用新型减少载具对硅片下表面的遮挡，使得硅片下表面最大程度暴露在工艺腔内，增加TCO薄膜的沉积面积，且确保硅片边缘有一定面积的未镀膜区域。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种适用于物理气相沉积的载具装置。
背景技术
硅基异质结太阳电池基于较高的光电转换效率，被光伏行业公认为下一代可规模化量产的光伏电池技术。硅基异质结太阳电池结构包括n型或p型单晶硅基片、非晶硅/晶硅膜、透明导电膜、金属电极等。其中，透明导电膜(TCO薄膜)的制备，都需要通过水平载具装载硅片，再将装有硅片的水平载具传输至物理气相沉积设备（PVD设备）的工艺腔室进行TCO薄膜沉积。PVD下沉积设备，目前所用载具都会对硅片下表面四周形成较大的遮挡区域。（这里的“下沉积”，是指通过PVD工艺在硅片下表面完成TCO薄膜沉积）。
现有技术中，参见中国专利CN211445889U，公开了一种可实现基板双面镀膜的载板，载具槽位支撑硅片的设计都有局限性，不能在最大程度减少硅片下表面遮挡区域的面积同时，保证一定的边缘遮挡。现有技术中的载具对硅片下表面四周的遮挡面积较大，遮挡区域无法沉积TCO薄膜，因而对最终电池性能造成损失。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种适用于物理气相沉积的载具装置，使减少载具对硅片下表面的遮挡，使得硅片下表面最大程度暴露在工艺腔内，增加TCO薄膜的沉积面积，且确保硅片边缘有一定面积的未镀膜区域。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种适用于物理气相沉积的载具装置，它包括载具本体，所述载具本体内设有至少20个的槽位，槽位均布在载具本体的内壁，每个槽位可装载一片对应尺寸的硅片；所述槽位包括外部的载具槽位外边缘和内侧的载具槽位下档板，硅片摆放在槽位中，通过载具槽位下档板支撑，所述载具本体上还设有多个档条；所述档条设置在载具槽位下档板朝向载具槽位的内侧面，至少一组相对应的载具槽位下档板的内侧面上设有档条，且相对应的载具槽位下档板的内侧面上的档条对称布置，且每个载具槽位下档板的内侧面上至少设有两个档条。
一种适用于物理气相沉积的载具装置，所述载具槽位下档板的宽度为0.3~0.7mm。
一种适用于物理气相沉积的载具装置，所述档条的截面的横向长度≤1.5mm，竖向宽度≤1.5mm。
一种适用于物理气相沉积的载具装置，同一个载具槽位下档板上相邻两个档条4之间的距离≥80mm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
本实用新型降低载具槽位下档板的宽度，现有的载具槽位下档板的宽度一般在0.8~1.5mm，本实用新型的载具槽位下档板的宽度为0.3~0.7mm，并增设多个档条，通过档条的形状尺寸以及位置的设计，达到减少载具对硅片下表面的遮挡，使得硅片下表面最大程度暴露在工艺腔内，增加TCO薄膜的沉积面积，且确保硅片边缘有一定面积的未镀膜区域。
附图说明
图1为硅片TCO镀膜后的效果示意图。
图2为本实用新型的载具装置的结构示意图。
其中：
载具本体1、载具槽位外边缘2、载具槽位下档板3、档条4。
具体实施方式
为更好地理解本实用新型的技术方案，以下将结合相关图示作详细说明。应理解，以下具体实施例并非用以限制本实用新型的技术方案的具体实施态样，其仅为本实用新型技术方案可采用的实施态样。需先说明，本文关于各组件位置关系的表述，如A部件位于B部件上方，其系基于图示中各组件相对位置的表述，并非用以限制各组件的实际位置关系。
实施例1：
参见图1和图2，图2绘制的是一种适用于物理气相沉积的载具装置，如图所示，本实用新型涉及的一种适用于物理气相沉积的载具装置，它包括载具本体1，所述载具本体1内设有至少20个的槽位，槽位均布在载具本体1的内壁，每个槽位可装载一片对应尺寸的硅片。
参见图1，硅片做完TCO镀膜后，其中一个边的效果图，左侧最边沿未沉积TCO薄膜，宽度一般在0.8mm以上，右侧（即硅片表面靠中心一侧）已完全沉积TCO薄膜。
所述槽位包括外部的载具槽位外边缘2和内侧的载具槽位下档板3，硅片摆放在槽位中，通过载具槽位下档板3支撑，防止掉落，载具进入工艺腔体，在载具本体1四周内壁的载具槽位下档板3范围内沉积TCO薄膜，在未遮挡的硅片表面区域形成如图1所示右侧的“已沉积TCO薄膜”区，在22遮挡的硅片表面区域形成如图1所示左侧的“未沉积TCO薄膜”区。
所述载具本体1上还设有多个档条4。
所述档条4设置在载具槽位下档板3朝向载具槽位的内侧面，至少一组相对应的载具槽位下档板3的内侧面上设有档条4，且相对应的载具槽位下档板3的内侧面上的档条4对称布置，且每个载具槽位下档板3的内侧面上至少设有两个档条4。
所述载具槽位下档板3的宽度为0.3~0.7mm。
所述档条4的截面的横向长度≤1.5mm，竖向宽度≤1.5mm，因此档条4的截面可以是直径≤1.5mm的半圆，或宽度≤1.5mm、长度≤1.5mm的方形，或其他宽度≤1.5mm、长度≤1.5mm的形状。
同一个载具槽位下档板3上相邻两个档条4之间的距离≥80mm。
以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。
Claims (4)
1.一种适用于物理气相沉积的载具装置，其特征在于：它包括载具本体（1），所述载具本体（1）内设有多个槽位，槽位均布在载具本体（1）的内壁，每个槽位可装载一片对应尺寸的硅片；所述槽位包括外部的载具槽位外边缘（2）和内侧的载具槽位下档板（3），硅片摆放在槽位中，通过载具槽位下档板（3）支撑，所述载具本体（1）上还设有多个档条（4）；所述档条（4）设置在载具槽位下档板（3）朝向载具槽位的内侧面，至少一组相对应的载具槽位下档板（3）的内侧面上设有档条（4），且相对应的载具槽位下档板（3）的内侧面上的档条（4）对称布置，且每个载具槽位下档板（3）的内侧面上至少设有两个档条（4）。
2.根据权利要求1所述的一种适用于物理气相沉积的载具装置，其特征在于：所述载具槽位下档板（3）的宽度为0.3~0.7mm。
3.根据权利要求1所述的一种适用于物理气相沉积的载具装置，其特征在于：所述档条（4）的截面的横向长度≤1.5mm，竖向宽度≤1.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种适用于物理气相沉积的载具装置，其特征在于：同一个载具槽位下档板（3）上相邻两个档条（4）之间的距离≥80mm。
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