CN218181968U - 大功率片式封装电阻 - Google Patents

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郭幸世
黎焕章
周广胜
丁振逸
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Abstract

本实用新型公开了一种大功率片式封装电阻,包括封装壳体和设置于所述封装壳体内的电阻主体,所述电阻主体包括瓷管、设置于所述瓷管两端的金属帽、与所述金属帽连接的引线、设置于所述瓷管上且与所述金属帽连接的第一导电体、设置于所述瓷管上且与所述金属帽连接的第二导电体,所述第一导电体和所述第二导电体并联。本方案的电阻器可在不大幅增大其体积的前提下大幅提高其功率。

Description

大功率片式封装电阻
技术领域
本实用新型涉及电阻元件技术领域,具体的是一种大功率片式封装电阻。
背景技术
电阻器(Resistor)在日常生活和生产中一般直接被称为电阻,是一个限流元件。将电阻接在电路中后,它可限制通过它所连支路的电流大小。
通常来说,电阻器的功率也越大,其体积也相应地越大。随着电子产品的体积小型化、电源大功率化发展,传统的大体积式大功率电阻器已经很难满足行业的需求。有鉴于此,有必要寻求一种能够在不大幅度增大其体积的情况下可大幅度提高其功率的电阻器。
实用新型内容
为了克服现有技术中的缺陷,本实用新型实施例提供了一种大功率片式封装电阻,其可在不大幅增大电阻器体积的前提下大幅提高电阻器的功率。
本申请实施例公开了:一种大功率片式封装电阻,包括封装壳体和设置于所述封装壳体内的电阻主体,所述电阻主体包括瓷管、设置于所述瓷管两端的金属帽、与所述金属帽连接的引线、设置于所述瓷管上且与所述金属帽连接的第一导电体、设置于所述瓷管上且与所述金属帽连接的第二导电体,所述第一导电体和所述第二导电体并联。
具体地,所述第一导电体为设置于所述瓷管外壁上的金属膜,所述金属膜上具有切割纹路以使得所述金属膜具有第一阻值。
具体地,所述第二导电体为设置于所述金属膜背离所述瓷管一侧的绕线电阻丝,所述绕线电阻丝具有第二阻值。
具体地,所述第一阻值大于所述第二阻值。
具体地,所述第一导电体和所述第二导电体之间设有第一绝缘涂层。
具体地,所述引线包括与所述金属帽连接的铜线和连接在所述铜线背离所述金属帽一端的金属片,至少部分的所述金属片位于所述封装壳体内,至少部分的所述金属片延伸至所述封装壳体外。
具体地,所述电阻主体还包括第二绝缘涂层,所述第二绝缘涂层用于包覆所述瓷管、所述金属帽、所述第一导电体和所述第二导电体。
本实用新型至少具有如下有益效果:
1.其瓷管上并联设置有第一导电体和第二导电体,如此,可以在不增加瓷管长度的前提下提高电阻器的功率,因此,本实施例的电阻器具有体积小、功率大的优点。
2.本实施例的电阻器,其第一导电体和第二导电体之间设置第一绝缘涂层,整个电阻主体的外面涂装有不燃性的第二绝缘涂层,有利于提高电阻器的可靠性。
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例中大功率片式封装电阻第一视角下的结构示意图;
图2是本实用新型实施例中大功率片式封装电阻第二视角下的结构示意图。
以上附图的附图标记:1、封装壳体;21、金属帽;221、铜线;222、金属片;23、金属膜;231、切割纹路;24、绕线电阻丝;25、第一绝缘涂层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1和图2所示,本实施例的大功率片式封装电阻包括封装壳体1和设置于封装壳体1内的电阻主体。其中,电阻主体包括瓷管(图中未示出)、两个金属帽21、两个引线、第一导电体和第二导电体。具体来说,两个金属帽21分别设置于瓷管的两端,每个金属帽21与一个引线连接,两个引线分别延伸至封装壳体1外,第一导电体和第二导电体绕设于瓷管上并分别与瓷管两端的两个金属帽21连接,以使得电阻主体形成通路,第一导电体和第二导电体并联。
具体地,如图1和图2所示,第一导电体可以是设置于瓷管外壁上的金属膜23,该金属膜23上具有切割纹路231,以使得金属膜23具有第一阻值R1,也即是说,第一导电体是设置于陶瓷管上以形成皮膜电阻器的金属膜23。第二导电体可以是设置于金属膜23背离瓷管一侧的绕线电阻丝24,该绕线电阻丝24具有第二阻值R2。较佳地,第一阻值R1大于第二阻值R2。具体来说,在制作时,可以将皮膜电阻的阻值制作为接近电阻器整体的目标阻值,换句话说,将R1设定为接近封装电阻器整体的目标阻值,然后在金属膜23上切割出纹路,接着,通过R=(R1*R2)/(R1+R2)公式,可计算R2的值,其中R为本实施例大功率片式封装电阻的成品目标阻值。采用上述方案,皮膜电阻的阻值接近电阻器整体目标阻值,可以减少金属膜23切割的圈数,保留金属膜23本身的完整度,一方面可以提升切割效率,另一方面,可以提高皮膜电阻本身的耐冲击性能。
进一步地,继续参照图1和图2所示,本实施例的第一导电体和第二导电体之间设有第一绝缘涂层25,该第一绝缘涂层25可以有效隔绝第一导电体和第二导电体,避免二者相互影响。
如图2所示,本实施例的引线包括与金属帽21连接的铜线221和连接在铜线221背离金属帽21一端的金属片222,至少部分的金属片222位于封装壳体1内以与位于封装壳体1内的铜线221焊接,至少部分的金属片222延伸至封装壳体1外以与电路板焊接。采用金属片222与电路板焊接的方式,可以提高本实施例的大功率片式封装电阻与电路板焊接的面积,提高二者焊接的牢固性。
较佳地,本实施例的电阻主体还可以包括第二绝缘涂层(图中未示出)。该第二绝缘涂层用于包覆电阻主体的瓷管、金属帽21、第一导电体和第二导电体,当然,也包覆住第一绝缘涂层25。具体来说,当金属膜23和绕线电阻丝24分别绕设于瓷管上之后,可在金属帽21、绕线电阻丝24和第一绝缘涂层25上涂覆不燃性的绝缘材料以形成第二绝缘涂层,如此,可以使得本实施例的大功率片式封装电阻具有较佳的耐硫化性、耐湿耐温性。
综上所述,本实施例的大功率片式封装电阻具有以下优点:
1.其瓷管上并联设置有第一导电体和第二导电体,如此,可以在不增加瓷管长度的前提下提高电阻器的功率,因此,本实施例的电阻器具有体积小、功率大的优点。
2.本实施例的电阻器,其第一导电体和第二导电体之间设置第一绝缘涂层25,整个电阻主体的外面涂装有不燃性的第二绝缘涂层,有利于提高电阻器的可靠性。
本实用新型中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (7)

1.一种大功率片式封装电阻,其特征在于,包括封装壳体和设置于所述封装壳体内的电阻主体,所述电阻主体包括瓷管、设置于所述瓷管两端的金属帽、与所述金属帽连接的引线、设置于所述瓷管上且与所述金属帽连接的第一导电体、设置于所述瓷管上且与所述金属帽连接的第二导电体,所述第一导电体和所述第二导电体并联。
2.根据权利要求1所述的大功率片式封装电阻,其特征在于,所述第一导电体为设置于所述瓷管外壁上的金属膜,所述金属膜上具有切割纹路以使得所述金属膜具有第一阻值。
3.根据权利要求2所述的大功率片式封装电阻,其特征在于,所述第二导电体为设置于所述金属膜背离所述瓷管一侧的绕线电阻丝,所述绕线电阻丝具有第二阻值。
4.根据权利要求3所述的大功率片式封装电阻,其特征在于,所述第一阻值大于所述第二阻值。
5.根据权利要求1所述的大功率片式封装电阻,其特征在于,所述第一导电体和所述第二导电体之间设有第一绝缘涂层。
6.根据权利要求1所述的大功率片式封装电阻,其特征在于,所述引线包括与所述金属帽连接的铜线和连接在所述铜线背离所述金属帽一端的金属片,至少部分的所述金属片位于所述封装壳体内,至少部分的所述金属片延伸至所述封装壳体外。
7.根据权利要求1所述的大功率片式封装电阻,其特征在于,所述电阻主体还包括第二绝缘涂层,所述第二绝缘涂层用于包覆所述瓷管、所述金属帽、所述第一导电体和所述第二导电体。
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