CN218123410U - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及显示装置。该显示装置包括：辅助布线、连接图案、发光层、上公共层以及上电极。该显示装置还包括子像素区域和接触区域。辅助布线布置在显示装置的基板上、接触区域中。连接图案布置在辅助布线上。发光层布置在基板上、子像素区域中。上公共层布置在发光层和连接图案上，并且包括暴露连接图案的开口。上电极布置在上公共层上，并且通过穿过开口来接触连接图案。

Description

显示装置
技术领域
实施例总体上涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。更具体地，本公开的实施例涉及一种包括辅助布线的显示装置和一种制造包括辅助布线的显示装置的方法。
背景技术
平板显示装置由于其轻重量和薄的特性而被用作用于取代阴极射线管显示装置的显示装置。作为这类平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置、有机发光二极管显示装置和量子点显示装置等。
近来，已经开发了具有大尺寸和高分辨率的显示装置。显示装置可以包括显示区域和焊盘区域等。在这种情况下，像素可以布置在显示区域中，并且图像可以通过像素显示。另外，电连接到像素的信号布线和电源布线可以布置在显示区域的最外围处。此外，焊盘电极可以布置在焊盘区域中。外部装置可以生成信号和电源电压等，并且通过焊盘电极和布线将信号和电源电压提供到像素。
随着显示区域的尺寸由于显示装置的扩大而增加，可能引起电压降。
将理解，在某种程度上，本背景技术部分旨在为理解技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分还可以包括在本文所公开的主题的对应有效提交日期之前，不属于相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。
实用新型内容
实施例提供了一种能够防止电压降的显示装置。
实施例提供了一种制造具有降低的制造成本的显示装置的方法。
根据本公开的实施例，一种显示装置，包括：辅助布线、连接图案、发光层、上公共层以及上电极。该显示装置还包括子像素区域和接触区域。辅助布线布置在显示装置的基板上、接触区域中。连接图案布置在辅助布线上。发光层布置在基板上、子像素区域中。上公共层布置在发光层和连接图案上，并且包括暴露连接图案的开口。上电极布置在上公共层上，并且通过穿过开口来接触连接图案。
在实施例中，上公共层的开口可以与连接图案和上电极在平面图中彼此重叠的部分邻近。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：像素限定层，布置在基板与上电极之间，并且可以具有形成在子像素区域中的第一开口以及形成在接触区域中的第二开口。
在实施例中，发光层可以仅布置在第一开口中，并且上公共层可以布置在第一开口和第二开口两者中。
在实施例中，像素限定层可以在平面图中与连接图案的侧部重叠。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：下电极，布置在子像素区域中、基板与发光层之间。
在实施例中，下电极和连接图案可以位于同一层上。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：下公共层，布置在子像素区域中、下电极与发光层之间。
在实施例中，上公共层和下公共层中的每一个可以包括有机材料。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：平坦化层，布置在基板与发光层之间；以及像素限定层，布置在平坦化层上。像素限定层可以在平面图中与连接图案的第一侧部重叠，并且暴露连接图案的第二侧部。
在实施例中，上公共层可以在接触区域中接触平坦化层。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：层间绝缘层，布置在基板上；平坦化层，布置在层间绝缘层上并且具有在接触区域中暴露层间绝缘层的第一开口；以及像素限定层，布置在平坦化层上。像素限定层可以在平面图中与连接图案的第一侧部重叠，并且具有暴露连接图案的第二侧部的第二开口。
在实施例中，上公共层可以在接触区域中接触层间绝缘层。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：接触图案，布置在接触区域中、层间绝缘层上。
在实施例中，接触图案的一部分可以接触连接图案，并且接触图案的另一部分可以接触上公共层。
在实施例中，接触图案和辅助布线可以布置在同一层上。
根据本公开的实施例，一种制造显示装置的方法，包括：在基板上、显示装置的接触区域中形成辅助布线；在辅助布线上形成连接图案；在基板上、显示装置的子像素区域中形成发光层；在发光层和连接图案上形成上公共层；在上公共层上形成上电极；将电压施加到辅助布线和上电极以引起位于上电极与连接图案之间的上公共层的介电击穿，使得开口形成在上公共层中；以及通过允许上电极穿过开口来允许上电极接触连接图案。
在实施例中，通过允许上电极穿过开口来允许上电极接触连接图案可以包括：通过上电极与连接图案之间生成的热量来熔化上电极的位于接触区域中的一部分；用熔化后的上电极填充开口；以及允许熔化后的上电极穿过开口以接触连接图案。
在实施例中，该方法可以进一步包括：与在辅助布线上形成连接图案的同时，在子像素区域中、基板上形成下电极。
在实施例中，该方法可以进一步包括：在子像素区域中、基板上形成发光层之前，在下电极上形成下公共层。
在实施例中，下公共层和上公共层中的每一个可以包括有机材料，下公共层和发光层通过喷墨印刷方法来形成，并且上公共层通过真空沉积方法来形成。
在实施例中，该方法可以进一步包括：在形成下电极和连接图案之后，形成在平面图中与子像素区域中的下电极的侧部和接触区域中的连接图案的侧部重叠的像素限定层。
由于根据本公开的实施例的显示装置包括包含开口的上公共层，因此上电极和连接图案可以彼此容易地连接并且电连接。相应地，可以不在显示装置中引起电压降。开口可以防止显示装置中的电压降。
根据本公开的实施例的制造显示装置的方法，开口可以通过诸如将电压(例如，电压差)施加到辅助布线和上电极的工艺的简单工艺形成在上公共层中，并且上电极和连接图案可以彼此容易地连接并且电连接。相应地，可以不在显示装置中引起电压降。开口可以防止显示装置中的电压降。
另外，上电极和连接图案可以彼此电连接而不需要诸如激光钻孔工艺的附加工艺。因此，可以降低显示装置的制造成本。
附图说明
通过参照附图详细地描述其实施例，根据本公开的实施例的附加理解将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是示意性地示出图1的区域A的局部放大平面图；
图3是用于描述电连接到图1的显示装置的外部装置的示意性框图；
图4是示出布置在图2的子像素区域中的子像素电路和有机发光二极管的等效电路的示意图；
图5是沿着图2的线I-I’截取的示意性截面图；
图6是用于描述形成在图5的上公共层中的开口的示意性平面图；
图7是用于描述图5的发光层的示意性截面图；
图8至图19是示出制造根据本公开的实施例的显示装置的方法的示意图；
图20是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图；
图21是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图；并且
图22是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述根据本公开的实施例的显示装置和制造显示装置的方法。尽管实施例可以以各种方式修改并且具有附加实施例，但是实施例在附图中被图示并且将主要在说明书中进行描述。然而，本公开的范围不限于附图和说明书中的实施例，而应被解释为包括包含在本公开的精神和范围中的所有变化、等同物和替换。
为了描述本公开的实施例，可以不提供与描述不相关联的部分中的一些部分，并且相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。
在附图中，为了清楚和易于其描述，可以放大元件的尺寸和厚度。然而，本公开不限于所图示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层、膜、面板、区和其他元件的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可能夸大了一些层和区域的厚度。
进一步，在本说明书中，短语“在平面图中”是指当从上面观察对象部分时，并且短语“在截面图中”是指当从侧面观察通过垂直切割对象部分截取的截面时。
当层、膜、区、基板或区域被称为“在”另一层、膜、区、基板或区域“上”时，它可以直接在另一层、膜、区、基板或区域上，或者居间层、膜、区、基板或区域可以存在于它们之间。相反，当层、膜、区、基板或区域被称为“直接在”另一层、膜、区、基板或区域“上”时，居间层、膜、区、基板或区域可以不存在于它们之间。进一步，当层、膜、区、基板或区域被称为“在”另一层、膜、区、基板或区域“下面”时，它可以直接在另一层、膜、区、基板或区域下面，或者居间层、膜、区、基板或区域可以存在于它们之间。相反，当层、膜、区、基板或区域被称为“直接在”另一层、膜、区、基板或区域“下面”时，居间层、膜、区、基板或区域可以不存在于它们之间。进一步，“之上”或“上”可以包括定位在对象上或下面，并且不一定暗示基于重力的方向。
为了易于描述，空间相对术语“下面”、“下方”、“下部”、“上面”或“上部”等可以在本文用于描述如附图中所图示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所图示的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“下方”的装置可以被放置在另一装置“上面”。相应地，说明性术语“下面”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其他方向上定向，并且因此，空间相对术语可以取决于定向而不同地解释。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到另一元件，或者“电连接”到另一元件，而一个或多个居间元件介于它们之间。将进一步理解，当术语“包括”和/或“包含”及其变体在本说明书中使用时，它们或它可以指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其任何组合的存在或添加。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”或“第三”等可以在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开或为了便于其描述和解释。例如，当在描述中讨论“第一元件”时，它可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且可以以类似的方式来称呼“第二元件”和“第三元件”而不脱离本文的教导。例如，第一滤色器可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一种。第二滤色器可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一种。第三滤色器可以是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的任何一种。关于遮光构件的第一和第二在说明书中可以互换使用。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文所使用的“约”或“大约”包括所陈述的值并且是指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以是指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、20％、10％、5％内。
在说明书和权利要求书中，短语“…中的至少一个”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自…的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以被理解为是指“A、B或者A和B”。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为是指“A、B或者A和B”。术语“和”以及“或”可以以结合或分离的方式使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
除非本文另有限定或暗示，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中限定的那些术语，应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在说明书中清楚地限定。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性平面图，并且图2是示意性地示出图1的区域A的局部放大平面图。图3是用于描述电连接到图1的显示装置的外部装置的示意性框图。
参照图1至图3，显示装置100可以包括辅助布线650和焊盘电极470。
显示装置100可以包括显示区域10和焊盘区域60。显示装置100可以被划分成显示区域10和焊盘区域60。显示区域10可以包括第一子像素区域11、第二子像素区域12、第三子像素区域13和接触区域20。例如，第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13以及接触区域20可以限定像素区域，并且多个像素区域可以在第一方向D1和第二方向D2上重复排列。第一方向D1可以基本平行于显示装置100的顶表面，并且第二方向D2可以基本垂直于第一方向D1。像素区域可以遍及整个显示区域10以格子形状排列。焊盘区域60可以位于显示区域10的一侧。
子像素SP(例如，参照图4)可以布置在第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13中的每一个中，并且子像素SP可以包括晶体管和有机发光二极管等。图像可以通过子像素SP显示在显示区域10中。
例如，子像素SP可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素可以包括用于发射红光的第一有机发光二极管。第二子像素可以包括用于发射绿光的第二有机发光二极管。第三子像素可以包括用于发射蓝光的第三有机发光二极管。
根据实施例，第一有机发光二极管可以在平面图中与包括在第一子像素中的晶体管重叠。第二有机发光二极管可以在平面图中与包括在第二子像素中的晶体管重叠。第三有机发光二极管可以在平面图中与包括在第三子像素中的晶体管重叠。在其他实施例中，第一有机发光二极管可以在平面图中与包括在第一子像素中的晶体管中的一些晶体管和包括在与第一子像素不同的子像素中的晶体管中的一些晶体管重叠。第二有机发光二极管可以在平面图中与包括在第二子像素中的晶体管中的一些晶体管和包括在与第二子像素不同的子像素中的晶体管中的一些晶体管重叠。第三有机发光二极管可以在平面图中与包括在第三子像素中的晶体管中的一些晶体管和包括在与第三子像素不同的子像素中的晶体管中的一些晶体管重叠。第一有机发光二极管至第三有机发光二极管可以通过使用各种方法(或排列方式)来排列。例如，第一有机发光二极管至第三有机发光二极管可以通过使用顺序排列具有相同尺寸的矩形(例如，第一有机发光二极管至第三有机发光二极管具有相同的矩形形状)的方法(或排列方式)、包括具有大面积的蓝色有机发光二极管(例如，蓝色有机发光二极管具有比其他有机发光二极管大的尺寸)的方法(或排列方式)、进一步包括白色有机发光二极管(例如，包括第一有机发光二极管至第三有机发光二极管和白色有机发光二极管)的方法(或排列方式)或重复排列RG-GB图案(例如，两个绿色有机发光二极管彼此邻近)的方法(或排列方式)等来排列。
子像素SP可以包括至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管和至少一个电容器等。根据实施例，子像素SP可以包括驱动晶体管(例如，图4的第一晶体管TR1)、六个开关晶体管(例如，图4的第二晶体管至第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7)以及存储电容器(例如，图4的存储电容器CST)等。
尽管根据本公开的显示装置100、显示区域10、第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13、接触区域20以及焊盘区域60中的每一个在平面图中已经被描述为具有矩形形状，但是显示装置100、显示区域10、第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13、接触区域20以及焊盘区域60中的每一个的形状不限于此。例如，显示装置100、显示区域10、第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13、接触区域20以及焊盘区域60中的每一个可以在平面图中具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或轨道形状。
尽管根据本公开的像素区域已经被描述为包括接触区域20，但是本公开的配置不限于此。例如，像素区域可以包括至少一个接触区域20，并且两个邻近的像素区域可以包括接触区域20。
布线可以布置在显示区域10中。例如，布线可以包括数据信号布线、栅信号布线、发射控制信号布线、栅初始化信号布线、初始化电压布线、第一电源布线以及辅助布线650等。布线可以电连接到子像素SP。第二电源布线、栅驱动器和数据驱动器等可以布置在显示区域10的最外围处。
根据实施例，辅助布线650可以在第二方向D2上延伸，并且辅助布线650和子像素SP可以在接触区域20中彼此电连接。例如，在显示区域10中在第二方向D2上排列的像素区域可以(例如，在平面图中)与辅助布线650重叠，并且辅助布线650可以在第一方向D1上重复排列并且彼此间隔开。
尽管根据本公开的辅助布线650已经被描述为在第二方向D2上延伸，但是本公开的配置不限于此。例如，辅助布线650可以在第一方向D1上延伸，并且辅助布线650可以在第二方向D2上重复排列并且彼此间隔开。
焊盘电极470可以布置在焊盘区域60中。焊盘电极470可以在第一方向D1上排列并且彼此间隔开。焊盘电极470中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等中的至少一种。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，焊盘电极470中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，焊盘电极470中的每一个的金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
外部装置101可以通过柔性印刷电路板(FPCB)电连接到显示装置100。例如，柔性印刷电路板(FPCB)的一侧可以接触(例如，直接接触)焊盘电极470，并且柔性印刷电路板(FPCB)的相对侧可以接触(例如，直接接触)外部装置101。外部装置101可以生成数据信号DATA(例如，参照图4)、栅信号GW(例如，参照图4)、发射控制信号EM(例如，参照图4)、栅初始化信号GI(例如，参照图4)、初始化电压VINT(例如，参照图4)以及电源电压ELVDD和ELVSS(例如，参照图4)等。数据信号DATA(例如，参照图4)、栅信号GW(例如，参照图4)、发射控制信号EM(例如，参照图4)、栅初始化信号GI(例如，参照图4)、初始化电压VINT(例如，参照图4)以及电源电压ELVDD和ELVSS(例如，参照图4)等可以通过柔性印刷电路板(FPCB)被提供到子像素SP。驱动集成电路可以安装在柔性印刷电路板(FPCB)上。在其他实施例中，驱动集成电路可以安装在显示装置100上并且与焊盘电极470邻近。在其他实施例中，显示装置100和外部装置101可以通过使用印刷电路板(PCB)或柔性扁平电缆(FFC)而不是柔性印刷电路板(FPCB)来彼此连接。
图4是示出布置在图2的子像素区域中的子像素电路和有机发光二极管的等效电路的示意图。
参照图4，显示装置100可以包括布置在第一子像素区域至第三子像素区域11、12和13(例如，参照图2)中的每一个中的子像素SP。子像素SP可以包括子像素电路SPC和有机发光二极管OLED(例如，图5的子像素结构200)。子像素电路SPC可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7(例如，图5的半导体元件250)以及存储电容器CST等。子像素电路SPC或有机发光二极管OLED可以电连接到各种布线，诸如施加有第一电源电压ELVDD的布线、施加有第二电源电压ELVSS的布线、施加有第二电源电压ELVSS的辅助布线、施加有初始化电压VINT的布线、施加有数据信号DATA的布线、施加有栅信号GW的布线、施加有栅初始化信号GI的布线、施加有发射控制信号EM的布线和施加有二极管初始化信号GB的布线等。如上所述，第一晶体管TR1可以与驱动晶体管相对应，并且第二晶体管至第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7可以与开关晶体管相对应。第一晶体管至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7中的每一个可以包括第一端子、第二端子、沟道和栅端子。根据实施例，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在其他实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。
有机发光二极管OLED可以基于驱动电流ID来输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。根据实施例，有机发光二极管OLED的第二端子可以接收第二电源电压ELVSS，并且有机发光二极管OLED的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。在其他实施例中，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。根据实施例，有机发光二极管OLED的阳极端子可以与下电极290(例如，参照图5)相对应，并且有机发光二极管OLED的阴极端子可以与上电极340(例如，参照图5)相对应。根据实施例，辅助布线650可以电连接到上电极340。
第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。根据实施例，第一晶体管TR1可以在饱和区中操作。第一晶体管TR1可以基于第一晶体管TR1的栅端子与源端子之间的电压差来生成驱动电流ID。灰度级可以基于供给到有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小来表示。在其他实施例中，第一晶体管TR1可以在线性区中操作。灰度级可以基于一帧内在驱动电流被供给到有机发光二极管OLED期间的时间的总和来表示。
第二晶体管TR2的栅端子可以接收栅信号GW。第二晶体管TR2的第一端子可以接收数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以电连接到第一晶体管TR1的第一端子。第二晶体管TR2可以在栅信号GW的激活时段期间将数据信号DATA供给到第一晶体管TR1的第一端子。第二晶体管TR2可以在线性区中操作。
第三晶体管TR3的栅端子可以接收栅信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以电连接到第一晶体管TR1的栅端子。第三晶体管TR3的第二端子可以电连接到第一晶体管TR1的第二端子。第三晶体管TR3可以在栅信号GW的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅端子电连接到第一晶体管TR1的第二端子。
第四晶体管TR4的栅端子可以接收栅初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以接收初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以电连接到第一晶体管TR1的栅端子。第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的激活时段期间将初始化电压VINT供给到第一晶体管TR1的栅端子。第四晶体管TR4可以在线性区中操作。第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的激活时段期间将第一晶体管TR1的栅端子初始化为初始化电压VINT。根据实施例，初始化电压VINT可以具有比在先前帧中由存储电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平低(例如，充分低)的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供给到第一晶体管TR1的栅端子。在其他实施例中，初始化电压可以具有比在先前帧中由存储电容器维持的数据信号的电压电平高(例如，充分高)的电压电平，并且初始化电压可以被施加到第一晶体管的栅端子。根据实施例，栅初始化信号GI可以与水平时间之前的栅信号GW基本相同。
第五晶体管TR5的栅端子可以接收发射控制信号EM。第五晶体管TR5的第一端子可以接收第一电源电压ELVDD。第五晶体管TR5的第二端子可以电连接到第一晶体管TR1的第一端子。第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的激活时段期间将第一电源电压ELVDD供给到第一晶体管TR1的第一端子。相反，第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的去激活时段期间切断第一电源电压ELVDD的供给。第五晶体管TR5可以在线性区中操作。由于第五晶体管TR5在发射控制信号EM的激活时段期间将第一电源电压ELVDD供给到第一晶体管TR1的第一端子，因此第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。由于第五晶体管TR5在发射控制信号EM的去激活时段期间切断第一电源电压ELVDD的供给，因此供给到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA可以被供给到第一晶体管TR1的栅端子。
第六晶体管TR6(例如，图5的半导体元件250)的栅端子可以接收发射控制信号EM。第六晶体管TR6的第一端子可以电连接到第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以电连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发射控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供给到有机发光二极管OLED。第六晶体管TR6可以在线性区中操作。由于第六晶体管TR6在发射控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供给到有机发光二极管OLED，因此有机发光二极管OLED可以输出光。由于第六晶体管TR6在发射控制信号EM的去激活时段期间将第一晶体管TR1与有机发光二极管OLED彼此电分离(或绝缘)，因此供给到第一晶体管TR1的第二端子的数据信号DATA(例如，已经经历阈值电压补偿的数据信号)可以被供给到第一晶体管TR1的栅端子。
第七晶体管TR7的栅端子可以接收二极管初始化信号GB。第七晶体管TR7的第一端子可以接收初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以电连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供给到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在线性区中操作。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。在其他实施例中，栅初始化信号GI和二极管初始化信号GB可以是基本相同的信号。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以电连接在第一电源电压(例如，图4中的ELVDD)布线与第一晶体管TR1的栅端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以电连接到第一晶体管TR1的栅端子，并且存储电容器CST的第二端子可以接收第一电源电压ELVDD。存储电容器CST可以在栅信号GW的去激活时段期间维持第一晶体管TR1的栅端子的电压电平。栅信号GW的去激活时段可以包括发射控制信号EM的激活时段。由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以在发射控制信号EM的激活时段期间被供给到有机发光二极管OLED。因此，由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以基于由存储电容器CST维持的电压电平被供给到有机发光二极管OLED。
尽管根据本公开的子像素电路SPC已经被描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本公开的配置不限于此。例如，子像素电路SPC可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的配置。
图5是沿着图2的线I-I’截取的示意性截面图，并且图6是用于描述形成在图5的上公共层中的开口的示意性平面图。图7是用于描述图5的发光层的示意性截面图。
参照图5至图7，显示装置100可以包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、辅助布线650、平坦化层270、连接图案295、子像素结构200和像素限定层310等。半导体元件250可以包括有源层130、栅绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构200可以包括下电极290、发光结构330和上电极340。发光结构330可以包括下公共层320、发光层335和上公共层325。下公共层320可以包括空穴注入层321和空穴传输层322。上公共层325可以包括电子传输层327和电子注入层328。根据实施例，位于接触区域20中的上公共层325可以包括开口(例如，精细开口)326。例如，精细开口326可以通过上公共层325的位于接触区域20中的一部分来形成。
基板110可以包括透明材料。例如，基板110可以被配置为具有柔性的透明树脂基板或者采用具有柔性的透明树脂基板实现。例如，基板110可以具有顺序地堆叠第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层的配置。基板110的第一阻挡层和第二阻挡层中的每一个可以包括诸如硅氧化物的无机材料，并且可以阻挡水和/或湿气穿透第一有机层和第二有机层。基板110的第一有机层和第二有机层中的每一个可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的具有柔性的有机绝缘材料。
在其他实施例中，基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板(掺F石英基板)、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等。
由于显示装置100包括第一子像素区域至第三子像素区域11(例如，参照图2)、12和13(例如，参照图2)以及接触区域20，因此基板110也可以被划分成第一子像素区域至第三子像素区域11(例如，参照图2)、12和13(例如，参照图2)以及接触区域20。
尽管基板110已经被描述为具有四个层(例如，第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层)，但是基板110的配置不限于此。例如，在其他实施例中，基板110可以包括单层或多层。
缓冲层115可以布置在显示区域10中、基板110上。例如，缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到半导体元件250。在基板110的表面不均匀的情况下，缓冲层115可以改善基板110的表面的平坦度(或平坦化基板110的表面)。取决于基板110的类型，可以在基板110上提供至少两个缓冲层115，或者可以不提供缓冲层115。例如，缓冲层115可以包括硅化合物、金属氧化物及其组合等。缓冲层115可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化钛(TiOx)等中的至少一种。
有源层130可以布置在第二子像素区域12中、缓冲层115上。有源层130可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)、有机半导体或其组合等。有源层130可以包括源区、漏区和沟道区。有源层130的沟道区可以位于源区与漏区之间。
栅绝缘层150可以布置在显示区域10中、有源层130上。例如，栅绝缘层150可以充分覆盖缓冲层115上的有源层130(或与缓冲层115上的有源层130重叠)，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在有源层130周围产生台阶(或者厚度或高度差)。在其他实施例中，栅绝缘层150可以沿着有源层130的轮廓以均匀的厚度布置，以覆盖缓冲层115上的有源层130。栅绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物及其组合等。在其他实施例中，栅绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。栅绝缘层150的绝缘层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
栅电极170可以布置在第二子像素区域12中、栅绝缘层150上。栅电极170可以布置在栅绝缘层150的有源层130位于其之下的一部分上。例如，栅电极170可以(例如，在平面图中)与有源层130的沟道区重叠。栅电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，栅电极170可以具有包括多个金属层的多层结构。金属层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
层间绝缘层190可以布置在显示区域10中、栅电极170上。例如，层间绝缘层190可以覆盖(例如，充分覆盖)栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在栅电极170周围产生台阶。在其他实施例中，层间绝缘层190可以沿着栅电极170的轮廓以均匀的厚度布置，以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170。层间绝缘层190可以包括硅化合物、金属氧化物及其组合等。在其他实施例中，层间绝缘层190可以具有包括多个绝缘层的多层结构。绝缘层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
源电极210和漏电极230可以布置在第二子像素区域12中、层间绝缘层190上。源电极210可以通过接触孔电连接到有源层130的源区，该接触孔通过去除栅绝缘层150的第一部分和层间绝缘层190的第一部分来形成。漏电极230可以通过接触孔电连接到有源层130的漏区，该接触孔通过去除栅绝缘层150的第二部分和层间绝缘层190的第二部分来形成。源电极210和漏电极230中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。金属层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
相应地，可以提供(例如，在缓冲层115或基板110上提供)包括有源层130、栅绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
尽管半导体元件250已经被描述为具有顶栅结构，但是本公开的配置不限于此。例如，半导体元件250可以具有底栅结构或双栅结构等。
尽管显示装置100已经被描述为包括一个半导体元件，但是本公开的配置不限于此。例如，显示装置100可以包括至少一个半导体元件和至少一个存储电容器。
辅助布线650可以布置在接触区域20中、层间绝缘层190上。例如，辅助布线650可以在第一方向D1上具有宽度，并且可以在第二方向D2上延伸。辅助布线650可以用作在层间绝缘层190上在第二方向D2上延伸的布线。如上所述，第二电源电压ELVSS(例如，参照图4)可以被提供到辅助布线650，并且辅助布线650可以通过连接图案295和上公共层325的精细开口326电连接到上电极340。例如，随着显示装置100的尺寸增加，显示区域10的尺寸也可以增加。在显示区域10的尺寸增加的情况下，可能在上电极340中引起电压降(IR降)。为了去除电压降(IR降)，提供有第二电源电压ELVSS的辅助布线650可以布置在显示区域10中，并且辅助布线650可以电连接到接触区域20中的上电极340。因此，辅助布线650可以将第二电源电压ELVSS附加地提供到上电极340。相应地，由于第二电源电压ELVSS被附加地提供到上电极340，因此可以不在显示装置100中引起电压降。
辅助布线650可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料及其组合等。例如，辅助布线650可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)和氧化铟锌(IZO)等中的至少一种。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。根据实施例，辅助布线650可以与源电极210和漏电极230位于同一层上。在其他实施例中，辅助布线650可以具有包括多个金属层的多层结构。金属层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
尽管根据本公开的辅助布线650已经被描述为与源电极210和漏电极230位于同一层上，但是本公开的配置不限于此。例如，辅助布线650可以与栅电极170位于同一层上，或者与有源层130位于同一层上。在其他实施例中，辅助布线650可以布置在缓冲层115与基板110之间，或者可以嵌入在基板110中。
平坦化层270可以布置在层间绝缘层190、半导体元件250和辅助布线650上。平坦化层270可以布置在基板110与发光层335之间。平坦化层270可以具有厚的厚度(例如，比其他绝缘层厚)。平坦化层270可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。根据实施例，平坦化层270可以包括有机绝缘材料。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂和环氧类树脂等中的至少一种。
下电极290可以布置在第二子像素区域12中、平坦化层270上。下电极290可以布置在第二子像素区域12中、基板110与发光层335之间。例如，下电极290可以具有岛状，并且可以基本仅布置在第二子像素区域12中。下电极290可以通过形成在平坦化层270的第一部分中的接触孔电连接到漏电极230。下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。在其他实施例中，下电极290可以具有包括多个金属层的多层结构。下电极290的金属层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。例如，下电极290可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
连接图案295可以布置在接触区域20中、平坦化层270上。例如，连接图案295可以具有岛状，并且可以仅布置在接触区域20中。连接图案295可以通过形成在平坦化层270的第二部分中的接触孔电连接到辅助布线650，并且形成在第二部分中的接触孔可以位于接触区域20中。连接图案295可以电连接到辅助布线650。连接图案295可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。根据实施例，连接图案295和下电极290可以位于同一层上。在其他实施例中，连接图案295可以具有包括多个金属层的多层结构。连接图案295的金属层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
像素限定层310可以布置在平坦化层270上。像素限定层310可以布置在基板110与上电极340之间。像素限定层310可以包括形成在第二子像素区域12中的第一开口311和形成在接触区域20中的第二开口312。根据实施例，在显示装置100的截面图中，像素限定层310可以覆盖下电极290的侧部(例如，两个侧部)(或与下电极290的侧部(例如，两个侧部)重叠)，并且暴露下电极290的顶表面的一部分(例如，中心部分)。在显示装置100的平面图中，像素限定层310可以在平面图中与下电极290的最外围重叠。在显示装置100的截面图中，像素限定层310可以覆盖连接图案295的侧部(例如，两个侧部)，并且暴露连接图案295的顶表面的一部分(例如，中心部分)。在显示装置100的平面图中，像素限定层310可以在平面图中与连接图案295的最外围重叠。像素限定层310可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。根据实施例，像素限定层310可以包括有机绝缘材料。
下公共层320可以布置在下电极290上。下公共层320可以位于像素限定层310的第一开口311中。下公共层320可以布置在第二子像素区域12中、下电极290与发光层335之间。根据实施例，下公共层320可以仅布置在第二子像素区域12中，并且可以不布置在接触区域20中。如图7中所示，下公共层320可以包括空穴注入层(HIL)321和空穴传输层(HTL)322。空穴注入层321可以布置在下电极290上。空穴传输层322可以布置在空穴注入层321上。在其他实施例中，空穴注入层321和空穴传输层322中的仅一个可以布置在下电极290上。
例如，空穴注入层321可以包括诸如(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)或4,4',4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)的空穴注入材料，并且空穴传输层322可以包括诸如4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、4,4'-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、N,N'-二-1-萘基-N,N'-二苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPD)、N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑的空穴传输材料。包括空穴注入层321和空穴传输层322的下公共层320可以包括有机材料。
再次参照图5，发光层335可以布置在下公共层320上。发光层335可以位于像素限定层310的第一开口311中。发光层335可以布置在第二子像素区域12中、基板110上。根据实施例，发光层335可以仅布置在第二子像素区域12中，并且可以不布置在接触区域20中。发光层335可以根据子像素通过使用用于发射不同颜色的光(即，红光、绿光或蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。例如，布置在第一子像素区域11中的发光层335可以包括红色发光材料。布置在第二子像素区域12中的发光层335可以包括绿色发光材料。布置在第三子像素区域13中的发光层335可以包括蓝色发光材料。根据实施例，发光层335可以是包括有机发光材料的有机发光层。在其他实施例中，发光层335可以通过堆叠用于生成诸如红光、绿光或蓝光等的不同颜色的光的发光材料来形成，以整体发射白光。滤色器(未图示)可以布置在被配置成发射白光的发光层335上。滤色器(未图示)可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在一些实施例中，滤色器(未图示)可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器(未图示)可以包括光敏树脂或彩色光致抗蚀剂。
上公共层325可以布置在发光层335、像素限定层310和连接图案295上。上公共层325可以位于像素限定层310的第一开口311和第二开口312两者中。上公共层325可以遍及整个显示区域10布置在基板110上。
根据实施例，如图5和图6中所示，布置在接触区域20中的上公共层325可以包括暴露连接图案295的顶表面的精细开口326。例如，精细开口326可以与连接图案295和上电极340在平面图中彼此重叠的部分(例如，重叠部分)邻近。例如，根据制造显示装置100的方法，在形成上电极340之后，预设电压(例如，电压差)可以被施加到上电极340和辅助布线650。由于上公共层325具有薄的厚度(例如，大约200埃或更小)，因此在位于上电极340与连接图案295之间的上公共层325中，可能由通过施加在上电极340与连接图案295之间的电压生成的热量引起介电击穿。如图6中所示，布置在接触区域20中的上公共层325中可以生成裂缝，并且裂缝可以被限定为精细开口326。精细开口326可以暴露连接图案295的顶表面。在上述工艺中，上电极340的具有薄的厚度的一部分可以被熔化以填充精细开口326，并且上电极340可以接触(例如，直接接触)连接图案295。在一些实施例中，是具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构的连接图案295的最上层的ITO也可以被热量熔化以填充精细开口326。
如图7中所示，上公共层325可以包括电子传输层(ETL)327和电子注入层(EIL)328。电子传输层327可以布置在发光层335上，并且电子注入层328可以布置在电子传输层327上。在一些实施例中，电子传输层327和电子注入层328中的仅一个可以布置在发光层335上。
例如，电子传输层327可以包括诸如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(BAlq)、浴铜灵(BCP)、三唑(TAZ)或苯基喹喔啉的至少一种电子传输材料，并且电子注入层328可以包括诸如(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4,4',4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、氟化锂(LiF)和氟化铯(CsF)的电子注入材料中的至少一种。包括电子传输层327和电子注入层328的上公共层325可以包括有机材料。
相应地，发光结构330可以包括下公共层320、发光层335和上公共层325。
尽管根据本公开的上公共层325已经被描述为包括三个精细开口326，但是本公开的配置不限于此。例如，上公共层325可以包括至少一个精细开口326。
尽管精细开口326已经在图6中被示出为在平面图中具有多边形形状，但是精细开口326的形状不限于此。例如，精细开口326可以具有连接图案295的顶表面通过其暴露的各种开口形状。
尽管精细开口326已经被描述为仅位于接触区域20中，但是本公开的配置不限于此。例如，精细开口326也可以形成在布置在与接触区域20邻近的显示区域10中的上公共层325中。
再次参照图5，上电极340可以布置在上公共层325上。上电极340可以通过穿过精细开口326来接触(例如，直接接触)连接图案295。上电极340可以沿着上公共层325的轮廓布置。如上所述，第二电源电压ELVSS可以被施加到上电极340，并且上电极340可以附加地接收通过连接图案295施加到辅助布线650的第二电源电压ELVSS。上电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。根据实施例，上电极340可以包括诸如ITO的导电金属氧化物。在其他实施例中，上电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。上电极340的金属层可以包括相互不同的材料，并且可以具有相互不同的厚度。
相应地，子像素结构200可以包括下电极290、发光结构330和上电极340。
薄膜封装结构(未图示)可以布置在上电极340上。薄膜封装结构(未图示)可以具有至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层交替地堆叠的结构，以改善显示装置100的柔性。例如，薄膜封装结构(未图示)的堆叠结构可以包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层。在其他实施例中，封装基板(未图示)可以布置在上电极340上。封装基板(未图示)可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板(掺F石英基板)、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等。
由于根据本公开的实施例的显示装置100包括包含精细开口326的上公共层325，因此上电极340和连接图案295可以彼此容易地连接并且电连接。相应地，不在显示装置100中引起电压降。
尽管根据本公开的显示装置100已经被具体描述为有机发光二极管显示装置，但是本公开的配置不限于此。在其他实施例中，显示装置100可以包括量子点显示装置(QDD)、液晶显示装置(LCD)、场发射显示装置(FED)、等离子体显示装置(PDP)或电泳显示装置(EPD)等。
图8至图19是示出制造根据本公开的实施例的显示装置的方法的示意图。
参照图8，可以提供刚性玻璃基板105。包括透明材料的基板110可以形成在玻璃基板105上。基板110可以通过使用具有柔性的透明树脂基板来形成。例如，基板110可以具有顺序地堆叠第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层的配置。基板110的第一阻挡层和第二阻挡层可以通过使用诸如氧化硅的无机材料来形成。基板110的第一有机层和第二有机层可以通过使用诸如聚酰亚胺类树脂的具有柔性的有机绝缘材料来形成。基板110可以包括第二子像素区域12和接触区域20。
由于基板110是薄的且柔性的，因此基板110可以形成在刚性玻璃基板105上。例如，在执行后续工艺之后，可以从基板110去除玻璃基板105。由于基板110的柔性物理特性，因此可能难以在基板110上直接执行后续工艺(例如，后续工艺可能不容易在基板110上执行)。然而，可以通过使用刚性玻璃基板105执行实施例的后续工艺，并且可以从基板110去除玻璃基板105。因此，第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层可以被用作基板110。在其他实施例中，硅层可以介于第一阻挡层与第二有机层之间，使得在玻璃基板105从基板110剥离的情况下，第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层可以不彼此分离(例如，电分离或绝缘)。
在其他实施例中，基板110可以通过使用石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等来形成。
缓冲层115可以形成在显示区域10中、基板110上。例如，缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基板110扩散。在基板110的表面不均匀的情况下，缓冲层115可以改善基板110的表面的平坦度(或平坦化基板110的表面)。缓冲层115可以通过使用硅化合物、金属氧化物或其组合等来形成。例如，缓冲层115可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx和TiOx等中的至少一种。
有源层130可以形成在第二子像素区域12中、缓冲层115上。有源层130可以通过使用金属氧化物半导体、无机半导体、有机半导体或其组合等来形成。有源层130可以包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。
参照图9，栅绝缘层150可以形成在显示区域10中、有源层130上。例如，栅绝缘层150可以充分覆盖缓冲层115上的有源层130(或与缓冲层115上的有源层130重叠)，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在有源层130周围产生台阶。在其他实施例中，栅绝缘层150可以沿着有源层130的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖缓冲层115上的有源层130。栅绝缘层150可以通过使用硅化合物、金属氧化物或其组合等来形成。
栅电极170可以形成在第二子像素区域12中、栅绝缘层150上。栅电极170可以形成在栅绝缘层150的有源层130位于其之下的一部分上。栅电极170可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等来形成。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。
层间绝缘层190可以形成在显示区域10中、栅电极170上。例如，层间绝缘层190可以充分覆盖栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在栅电极170周围产生台阶。在其他实施例中，层间绝缘层190可以沿着栅电极170的轮廓以均匀的厚度形成，以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170。层间绝缘层190可以通过使用硅化合物、金属氧化物或其组合等来形成。
参照图10，源电极210和漏电极230可以形成在第二子像素区域12中、层间绝缘层190上。源电极210可以通过接触孔电连接到有源层130的源区，该接触孔通过去除栅绝缘层150的第一部分和层间绝缘层190的第一部分来形成，并且漏电极230可以通过接触孔电连接到有源层130的漏区，该接触孔通过去除栅绝缘层150的第二部分和层间绝缘层190的第二部分来形成。
相应地，可以形成包括有源层130、栅绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
辅助布线650可以形成在接触区域20中、层间绝缘层190上。辅助布线650可以形成在接触区域20中、基板110上。例如，辅助布线650可以在第一方向D1上具有宽度，并且可以在第二方向D2上延伸。
根据实施例，辅助布线650可以通过使用与源电极210和漏电极230相同的材料而与源电极210和漏电极230在同一层上、与源电极210和漏电极230同时形成。例如，在初步第一电极层遍及整个层间绝缘层190形成之后，可以选择性地蚀刻初步第一电极层，并且辅助布线650、源电极210和漏电极230可以同时形成。辅助布线650、源电极210和漏电极230中的每一个可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料或其组合等来形成。例如，辅助布线650、源电极210和漏电极230中的每一个可以包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、含铝合金、AlNx、含银合金、WNx、含铜合金、含钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SrRuxOy、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx和IZO等中的至少一种。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。
参照图11，平坦化层270可以形成在层间绝缘层190、半导体元件250和辅助布线650上。平坦化层270可以具有厚的厚度，并且平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的平坦的顶表面，可以对平坦化层270附加地执行平坦化工艺。平坦化层270可以通过使用有机绝缘材料来形成。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂和环氧类树脂等中的至少一种。
参照图12，下电极290可以形成在第二子像素区域12中、平坦化层270上。例如，下电极290可以具有岛状，并且可以基本仅形成在第二子像素区域12中。下电极290可以通过形成在平坦化层270的第一部分中的第一接触孔电连接到漏电极230。
连接图案295可以形成在接触区域20中、平坦化层270上。连接图案295可以形成在辅助布线650上。例如，连接图案295可以具有岛状，并且可以仅形成在接触区域20中。连接图案295可以通过形成在平坦化层270的第二部分中的第二接触孔电连接到辅助布线650，并且第二接触孔可以位于接触区域20中。
根据实施例，下电极290和连接图案295可以通过使用相同的材料同时形成在同一层上。例如，在第一接触孔和第二接触孔形成在平坦化层270中之后，初步第二电极层可以遍及整个平坦化层270形成。在形成初步第二电极层之后，可以选择性地蚀刻初步第二电极层，并且可以同时形成下电极290和连接图案295。下电极290和连接图案295中的每一个可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料或其组合等来形成。根据实施例，下电极290和连接图案295中的每一个可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构(例如，三层)。
参照图13，像素限定层310可以形成在平坦化层270上。位于第二子像素区域12中的第一开口311和位于接触区域20中的第二开口312可以形成在像素限定层310中。像素限定层310可以覆盖下电极290的侧部(例如，两个侧部)，并且下电极290的顶表面的一部分(例如，中心部分)可以被第一开口311暴露。像素限定层310可以覆盖连接图案295的侧部(例如，两个侧部)，并且连接图案295的顶表面的一部分(例如，中心部分)可以被第二开口312暴露。像素限定层310可以通过使用有机绝缘材料来形成。
参照图7和图14，下公共层320可以形成在下电极290上，并且下公共层320可以位于像素限定层310的第一开口311中。根据实施例，下公共层320可以通过使用喷墨印刷方法仅形成在第二子像素区域12中，并且可以不形成在接触区域20中。下公共层320可以包括空穴注入层321和空穴传输层322。空穴注入层321可以形成在下电极290上，并且空穴传输层322可以形成在空穴注入层321上。在其他实施例中，空穴注入层321和空穴传输层322中的仅一个可以形成在下电极290上。
例如，空穴注入层321可以通过使用诸如TCTA、m-MTDATA或其组合的空穴注入材料来形成，并且空穴传输层322可以通过使用诸如NPB、TPD、NPD、N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑或其组合的空穴传输材料来形成。包括空穴注入层321和空穴传输层322的下公共层320可以通过使用有机材料来形成。
发光层335可以形成在下公共层320上，并且发光层335可以位于像素限定层310的第一开口311中。发光层335可以形成在第二子像素区域12中、基板110上。根据实施例，发光层335可以通过使用喷墨印刷方法仅形成在第二子像素区域12中，并且可以不形成在接触区域20中。发光层335可以根据子像素通过使用用于发射不同颜色的光(即，红光、绿光或蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。根据实施例，发光层335可以是包括有机发光材料的有机发光层。在其他实施例中，发光层335可以通过堆叠用于生成诸如红光、绿光或蓝光等的不同颜色的光的发光材料来形成，以整体发射白光。滤色器可以形成在被配置成发射白光的发光层335上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在其他实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以通过使用光敏树脂或彩色光致抗蚀剂来形成。
参照图7和图15，上公共层325可以形成在发光层335、像素限定层310和连接图案295上。上公共层325可以位于像素限定层310的第一开口311和第二开口312两者中。上公共层325可以通过使用真空沉积方法遍及整个显示区域10形成在基板110上。上公共层325可以包括电子传输层327和电子注入层328。电子传输层327可以形成在发光层335上，并且电子注入层328可以形成在电子传输层327上。在其他实施例中，电子传输层327和电子注入层328中的仅一个可以形成在发光层335上。
例如，电子传输层327可以通过使用诸如Alq3、PBD、BAlq、BCP、TAZ、苯基喹喔啉或其组合的电子传输材料来形成，并且电子注入层328可以通过使用诸如TCTA、m-MTDATA、LiF、CsF或其组合的电子注入材料来形成。包括电子传输层327和电子注入层328的上公共层325可以包括有机材料。
相应地，可以形成包括下公共层320、发光层335和上公共层325的发光结构330。
参照图16和图17，上电极340可以形成在上公共层325上。上电极340可以沿着上公共层325的轮廓形成。上电极340可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等来形成。上述材料可以单独使用或彼此组合使用。根据实施例，上电极340可以包括诸如ITO的导电金属氧化物。
如图17中所示，在形成上电极340的同时，可以不改变形成在接触区域20中的上公共层325的状态。
参照图18，在形成上电极340之后，预设电压(例如，电压差)可以被施加到上电极340和辅助布线650。热量可能由施加在上电极340与连接图案295之间的电压生成。例如，上电极340与连接图案295之间的距离可以在接触区域20中是最短的，并且热量的温度可以在接触区域20中是最高的。
参照图6和图19，由于上公共层325具有薄的厚度(例如，大约200埃或更小)，因此可能由位于上电极340与连接图案295之间的上公共层325中的热量引起介电击穿。例如，位于上电极340与连接图案295之间的绝缘层(例如，像素限定层310)的厚度或位于上电极340与辅助布线650之间的绝缘层(例如，平坦化层270)的厚度在除了接触区域20之外的区域中可以是大约几微米或更多，并且可以仅在接触区域20中和接触区域20的外围引起(或形成)介电击穿。
如图6中所示，形成在接触区域20中的上公共层325中可以生成裂缝，并且裂缝可以被限定为精细开口326。暴露连接图案295的顶表面的精细开口326可以通过形成在接触区域20中的上公共层325中的介电击穿形成。
在形成精细开口326的工艺中，上电极340的位于接触区域20中并且具有薄的厚度的一部分可以被热量熔化，并且熔化后的上电极340可以填充精细开口326。上电极340可以接触(例如，直接接触)连接图案295。在其他实施例中，是具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构的连接图案295的最上层的ITO也可以被热量熔化以填充精细开口326。
根据实施例，预设电压(例如，电压差)可以与可能由上公共层325中的热量引起介电击穿的电压相对应。
相应地，可以形成包括下电极290、发光结构330和上电极340的子像素结构200。
薄膜封装结构可以形成在上电极340上。薄膜封装结构可以具有至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层交替地堆叠的结构。例如，薄膜封装结构的堆叠结构可以包括第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层。在其他实施例中，封装基板可以形成在上电极340上。封装基板可以通过使用石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板等来形成。
参照图5，在形成薄膜封装结构之后，可以从基板110去除玻璃基板105。
相应地，可以制造图1至图7中所示的显示装置100。
例如，根据制造显示装置的方法，可以执行激光钻孔工艺以允许上电极接触连接图案。必须附加地提供激光钻孔设施。在激光钻孔工艺之后可能残留异物，并且可能引起上电极与连接图案之间的接触不良。
根据制造显示装置的方法，为了允许上电极接触连接图案，在通过喷墨工艺仅在第二子像素区域中形成上公共层(例如，电子传输层和电子注入层)之后，上电极和连接图案可以在接触区域中彼此电连接。然而，在通过使用喷墨印刷方法形成电子传输层和电子注入层的情况下，可能由电子传输层和电子注入层的材料的特性引起涂覆缺陷。
根据制造显示装置的方法，为了允许上电极接触连接图案，连接图案可以不被像素限定层覆盖，并且上公共层可以被连接图案的台阶短路。为了使上公共层短路，连接图案可以具有陡峭的锥角或厚的厚度。用于将上电极与连接图案连接的工艺难度可能增加。可能减小上电极与连接图案之间的接触面积，并且可能增加接触电阻。
然而，根据制造本公开的实施例的显示装置的方法，精细开口326可以通过诸如将电压施加到辅助布线650和上电极340的简单工艺形成在上公共层325中，并且上电极340和连接图案295可以彼此容易地连接并且电连接。相应地，可以不在显示装置100中引起电压降。
上电极340和连接图案295可以在没有诸如激光钻孔工艺的附加工艺的情况下彼此电连接，并且可以降低显示装置100的制造成本。
图20是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图。图20中所图示的显示装置500与参照图1至图7描述的显示装置100的不同之处至少在于辅助布线650的位置。在图20中，将省略与参照图1至图7描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图20，显示装置500可以包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、辅助布线650、平坦化层270、连接图案295、子像素结构200和像素限定层310等。
辅助布线650可以布置在第二子像素区域12与接触区域20之间、层间绝缘层190上。例如，辅助布线650可以在第一方向D1上具有宽度，并且可以在第二方向D2上延伸。辅助布线650可以用作在层间绝缘层190上在第二方向D2上延伸的布线。
连接图案295可以布置在接触区域20和显示区域10的与接触区域20邻近的一部分中、平坦化层270上。例如，连接图案295可以具有岛状。连接图案295可以通过形成在平坦化层270中的接触孔电连接到辅助布线650，并且接触孔可以位于第二子像素区域12与接触区域20之间。接触孔可以(例如，在平面图中)与辅助布线650重叠，并且连接图案295可以例如通过接触孔电连接到辅助布线650。
图21是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图。图21中所图示的显示装置600与参照图20描述的显示装置500的不同之处至少在于连接图案295的形状。在图21中，省略了参照图20描述的相同构成部件的冗余描述。
参照图21，显示装置600可以包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、辅助布线650、平坦化层270、连接图案295、子像素结构200和像素限定层310等。子像素结构200可以包括下电极290、发光结构330和上电极340。发光结构330可以包括下公共层320、发光层335和上公共层325。
连接图案295可以布置在接触区域20的一部分和显示区域10的与接触区域20邻近的一部分中、平坦化层270上。例如，连接图案295可以具有岛状。连接图案295的第一侧部可以被像素限定层310覆盖，并且连接图案295的第二侧部297可以在接触区域20中从像素限定层310的侧壁突出。
像素限定层310可以布置在平坦化层270上。像素限定层310可以包括形成在第二子像素区域12中的第一开口311和形成在接触区域20中的第二开口312。根据实施例，像素限定层310可以覆盖下电极290的侧部(例如，两个侧部)，并且暴露下电极290的顶表面的一部分(例如，中心部分)。像素限定层310可以覆盖连接图案295的第一侧部，并且暴露连接图案295的第二侧部297。平坦化层270的顶表面可以被接触区域20中的第二开口312暴露。
上公共层325可以布置在发光层335、像素限定层310、连接图案295和平坦化层270的被第二开口312暴露的顶表面上，并且上公共层325可以位于像素限定层310的第一开口311和第二开口312两者中。上公共层325可以遍及整个显示区域10布置在基板110上。根据实施例，上公共层325可以在接触区域20中接触(例如，直接接触)平坦化层270。
布置在接触区域20中的上公共层325可以包括暴露连接图案295的顶表面(例如，顶表面的部分)的精细开口326。例如，精细开口326可以与连接图案295和上电极340在平面图中彼此重叠的部分邻近。
例如，根据制造显示装置600的方法，在形成上电极340之后，预设电压(例如，电压差)可以被施加到上电极340和辅助布线650。由于上公共层325具有薄的厚度(例如，大约200埃或更小)，因此在位于上电极340与连接图案295之间的上公共层325中，可能由通过施加在上电极340与连接图案295之间的电压生成的热量引起介电击穿。布置在接触区域20中的上公共层325中可以生成裂缝，裂缝可以被限定为精细开口326，并且精细开口326可以暴露连接图案295的顶表面(例如，顶表面的部分)。在该工艺中，上电极340的具有薄的厚度的一部分可以被熔化以填充精细开口326，并且上电极340可以接触(例如，直接接触)连接图案295。在其他实施例中，是具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构的连接图案295的最上层的ITO也可以被热量熔化以填充精细开口326。
根据实施例，在预设电压(例如，电压差)被施加到上电极340和辅助布线650的情况下，连接图案295的第二侧部297可以用作边缘场。可以由于连接图案295的第二侧部297而降低用于引起介电击穿的预设电压。
图22是示出根据本公开的实施例的显示装置的示意性截面图。图22中所图示的显示装置700与参照图21描述的显示装置600的不同之处至少在于连接图案295的形状、平坦化层270的形状和接触图案655。在图22中，将省略与参照图21描述的部件基本相同或相似的部件的冗余描述。
参照图22，显示装置700可以包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、辅助布线650、接触图案655、平坦化层270、连接图案295、子像素结构200和像素限定层310等。半导体元件250可以包括有源层130、栅绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230。子像素结构200可以包括下电极290、发光结构330和上电极340。发光结构330可以包括下公共层320、发光层335和上公共层325。
辅助布线650可以布置在第二子像素区域12与接触区域20之间、层间绝缘层190上。例如，辅助布线650可以在第一方向D1上具有宽度，并且可以在第二方向D2上延伸。辅助布线650可以用作在层间绝缘层190上在第二方向D2上延伸的布线。
接触图案655可以布置在接触区域20中、层间绝缘层190上。例如，多个接触图案655可以与辅助布线650布置在同一层上并且彼此间隔开。接触图案655可以具有岛状。根据实施例，接触图案655的一部分可以接触(例如，直接接触)连接图案295，并且接触图案655的其余部分可以接触(例如，直接接触)上公共层325。
平坦化层270可以布置在层间绝缘层190、半导体元件250和辅助布线650上。根据实施例，平坦化层270可以具有在接触区域20中暴露层间绝缘层190的顶表面(例如，顶表面的部分)的第一开口271。第一开口271可以暴露接触图案655。
连接图案295可以布置在接触区域20的一部分和显示区域10的与接触区域20邻近的一部分中、平坦化层270上。例如，连接图案295可以具有岛状。连接图案295的第一侧部可以被像素限定层310覆盖，并且连接图案295的第二侧部297可以在接触区域20中从像素限定层310的侧壁突出。连接图案295可以在像素限定层310与平坦化层270之间在第一方向D1上延伸。平坦化层270可以沿着第一开口271的侧壁布置。第二侧部297可以布置在接触图案655上。连接图案295的台阶可以由接触图案655生成。
像素限定层310可以布置在平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖连接图案295的第一侧部，并且可以具有暴露连接图案295的第二侧部297的第二开口312。第一开口271和第二开口312可以在平面图中彼此重叠，并且层间绝缘层190的顶表面(例如，顶表面的部分)可以被接触区域20中的第一开口271和第二开口312暴露。
上公共层325可以布置在发光层335、像素限定层310、连接图案295、接触图案655和层间绝缘层190的被第二开口312和第一开口271暴露的顶表面(例如，顶表面的部分)上。根据实施例，上公共层325可以在接触区域20中接触(例如，直接接触)层间绝缘层190。
根据实施例，在预设电压被施加到上电极340和辅助布线650的情况下，连接图案295的第二侧部297可以用作边缘场。连接图案295的台阶可以由接触图案655生成，并且可以增加边缘场。可以降低用于引起介电击穿的预设电压。
本公开可以被应用于包括显示装置的各种电子装置。例如，本公开可以被应用于诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、展览显示装置、信息传输显示装置或医疗显示装置等的多种电子装置。
前述是对实施例的说明并且不应被解释为对其的限制。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易地理解，在实质上不脱离本公开的新颖的教导和优点的情况下，在实施例中可以进行许多修改。相应地，所有这类修改旨在包括在如权利要求中所限定的本公开的范围内。因此，将理解，前述是各种实施例的说明，并且不应解释为限于所公开的具体实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
子像素区域和接触区域；
辅助布线，布置在所述显示装置的基板上、所述接触区域中；
连接图案，布置在所述辅助布线上；
发光层，布置在所述基板上、所述子像素区域中；
上公共层，布置在所述发光层和所述连接图案上，并且包括暴露所述连接图案的开口；以及
上电极，布置在所述上公共层上，其中，
所述上电极通过穿过所述开口来接触所述连接图案。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上公共层的所述开口与所述连接图案和所述上电极在平面图中彼此重叠的部分邻近。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
像素限定层，布置在所述基板与所述上电极之间，
其中，所述像素限定层具有：
形成在所述子像素区域中的第一开口；以及
形成在所述接触区域中的第二开口。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述发光层仅布置在所述第一开口中，
所述上公共层布置在所述第一开口和所述第二开口中，并且
其中，所述像素限定层在平面图中与所述连接图案的侧部重叠。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，进一步包括：
下电极，布置在所述子像素区域中、所述基板与所述发光层之间；以及
下公共层，布置在所述子像素区域中、所述下电极与所述发光层之间，
其中，所述下电极和所述连接图案位于同一层上。
6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
平坦化层，布置在所述基板与所述发光层之间；以及
像素限定层，布置在所述平坦化层上，其中，
所述像素限定层在平面图中覆盖所述连接图案的第一侧部，并且暴露所述连接图案的第二侧部。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述上公共层在所述接触区域中接触所述平坦化层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
层间绝缘层，布置在所述基板上；
平坦化层，布置在所述层间绝缘层上并且具有在所述接触区域中暴露所述层间绝缘层的第一开口；以及
像素限定层，布置在所述平坦化层上，
其中，所述像素限定层在平面图中覆盖所述连接图案的第一侧部，并且具有暴露所述连接图案的第二侧部的第二开口。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述上公共层在所述接触区域中接触所述层间绝缘层。
10.根据权利要求8所述的显示装置，进一步包括：
接触图案，布置在所述接触区域中、所述层间绝缘层上，
其中，所述接触图案的一部分接触所述连接图案，
其中，所述接触图案的另一部分接触所述上公共层，并且
其中，所述接触图案和所述辅助布线布置在同一层上。
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