CN218123154U - 平面电感器 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种平面电感器。平面电感器包括EE型磁芯和单层绕组。EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度。单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。如此缩小平面电感器的体积，及提高平面电感器的扁平化程度。

Description

平面电感器

技术领域

本申请涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种平面电感器。

背景技术

随着开关电源的应用场景的不断增加，对开关电源的扁平化要求更高。传统的电感器由于体积较大，无法满足扁平化要求。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种体积较小、能满足电感器的扁平化要求的平面电感器。

本申请实施例提供一种平面电感器，包括：

EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度；

单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。

可选的，所述靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，垂直伸出所述单层绕组所在平面，并沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸。

可选的，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度等于所述磁芯边柱的长度。

可选的，在垂直于所述单层绕组所在平面的方向上，所述绕组槽的高度大于所述导线的直径，且小于所述导线的直径的2倍。

可选的，所述导线包括利兹线、单股铜线及多股铜线中的一者。

可选的，所述导线包括利兹线，所述利兹线的绝缘方式包括漆包线、膜包线、铁氟龙线及三层绝缘线中的一者。

可选的，所述EE型磁芯的制造工艺包括粉末冶金，所述EE型磁芯的材料包括Mn-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体及Ni-Zn铁氧体中的一者。

可选的，所述EE型磁芯还包括连接盖，所述连接盖沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸，所述连接盖连接所述磁芯边柱与所述磁芯中柱的端部。

可选的，所述单层绕组的两个端部从所述EE型磁芯的相对两侧伸出。

可选的，所述单层绕组的两个端部从所述EE型磁芯的同侧伸出。

本申请实施例提供的平面电感器，采用EE型磁芯，单层绕组围绕磁芯中柱绕制而成，单层绕组的部分位于绕组槽内，又磁芯中柱的长度不小于磁芯边柱的长度，使靠近磁芯中柱的单层绕组的端部位于绕组槽的外部，且弯折伸出单层绕组所在的平面，如此可以在EE型磁芯内部设置单层绕组，不需要在磁芯内部留有高度以引出绕组的端部，进而缩小平面电感器的体积，及提高平面电感器的扁平化程度。

附图说明

图1所示为本申请平面电感器的一个实施例的结构示意图；

图2所示为本申请平面电感器的一个实施例的分解示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

本申请实施例的平面电感器包括EE型磁芯和单层绕组。EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度。单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。

本申请实施例平面电感器，采用EE型磁芯，单层绕组围绕磁芯中柱绕制而成，单层绕组的部分位于绕组槽内，又磁芯中柱的长度不小于磁芯边柱的长度，使靠近磁芯中柱的单层绕组的端部位于绕组槽的外部，且弯折伸出单层绕组所在的平面，如此可以在EE型磁芯内部设置单层绕组，不需要在磁芯内部留有高度以引出绕组的端部，进而缩小平面电感器的体积，及提高平面电感器的扁平化程度。

本申请实施例提供一种平面电感器。下面结合附图，对本申请进行详细说明。

图1所示是本申请一实施例的平面电感器100的结构示意图。平面电感器100包括EE型磁芯110和单层绕组120。

EE型磁芯110包括磁芯中柱111、磁芯边柱112、及形成于磁芯中柱111与磁芯边柱112的绕组槽113，在绕组槽113贯通EE型磁芯的方向上，磁芯中柱111的长度不小于磁芯边柱112的长度。在本实施例中，EE型磁芯包括两个磁芯边柱112，磁芯中柱111位于两磁芯边柱112之间，在磁芯中柱111与磁芯边柱112之间分别形成绕组槽113。绕组槽113包括分别设置在两端的开口114，开口114可供单层绕组120穿过绕组槽113。

单层绕组120，由导线121围绕磁芯中柱111绕制而成。导线121围绕磁芯中柱111缠绕，且导线121之间并列排布，以形成单层绕组120。单层绕组120的部分位于绕组槽113内。导线121围绕磁芯中柱111绕制过程中，单层绕组120的一部分位于绕组槽113内，另一部分位于绕组槽113外。其中靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，位于绕组槽113的外部，且弯折伸出单层绕组120所在的平面。靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，可以是位于单层绕组120内侧的端部122。在本实施例中，单层绕组120内侧的端部122可以位于磁芯中柱111的端部外侧，进而位于绕组槽113的外部。靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，可以弯折伸出单层绕组120所在的平面，使位于单层绕组120内侧的端部可以在绕组槽113的外部引出。靠近磁芯边柱112的单层绕组120的端部123，可以平行于单层绕组120所在平面的方向直接伸出。

本申请实施例的平面电感器100，采用EE型磁芯110，单层绕组120围绕磁芯中柱111绕制而成，单层绕组120的部分位于绕组槽113内，又磁芯中柱111的长度不小于磁芯边柱112的长度，使靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122位于绕组槽113的外部，且弯折伸出单层绕组120所在的平面，如此可以在EE型磁芯110的内部设置单层绕组120，不需要在EE型磁芯110的内部额外留有高度以引出绕组的端部，进而可以缩小平面电感器100的体积，及提高平面电感器100的扁平化程度。且可以选取截面积更大的导线121，提高平面电感器100的效果。

在一些实施例中，靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部122，垂直伸出单层绕组120所在的平面，并沿平行于单层绕组120所在平面的方向延伸。端部122可以竖直向上或竖直向下伸出单层绕组120所在平面，再向外延伸。如此，可以节省端部122向外伸出单层绕组120所在平面占用的空间，节省空间。在另一些实施中，靠近磁芯中柱111的单层绕组120的端部，可以斜向伸出单层绕组120所在的平面。

在一些实施例中，在绕组槽113贯通EE型磁芯110的方向上，磁芯中柱111的长度等于磁芯边柱112的长度。如此，可以减小平面电感器100的外观尺寸，有利于节省空间，进一步增加平面电感器100的应用场景。在本实施例中，如图1中的方向A上，磁芯中柱111的长度等于磁芯边柱112的长度；磁芯中柱111与磁芯边柱112的端部相互平齐，如此结构整齐、美观。在另一些实施例中，在绕组槽113贯通EE型磁芯110的方向上，磁芯中柱111的长度大于磁芯边柱112的长度。

在一些实施例中，单层绕组120的两个端部从EE型磁芯110的同侧伸出。如此，可以满足单层绕组120的不同排线要求。在本实施例中，靠近磁芯中柱111的端部122和靠近磁芯边柱112的端部123，从EE型磁芯110的同一侧伸出。

在另一些实施例中，单层绕组120的两个端部从EE型磁芯110的相对两侧伸出。靠近磁芯中柱111的端部122从EE型磁芯110的一侧伸出，靠近磁芯边柱112的端部123从EE型磁芯110的另一侧伸出。

在一些实施例中，导线121包括利兹线、单股铜线及多股铜线中的一者。可以根据实际的应用场景选择导线121的具体类型。

在一些实施例中，当导线121为利兹线时，利兹线的绝缘方式包括漆包线、膜包线、铁氟龙线及三层绝缘线中的一者。可以根据平面电感器100的实际耐压要求，灵活设置利兹线的绝缘方式。

在一些实施例中，平面电感器100还包括连接盖130。连接盖130沿平行于单层绕组120所在平面的方向延伸，连接盖130连接磁芯边柱112与磁芯中柱111的端部。连接盖130可以包括上连接盖131和下连接盖(未图示)。连接盖130覆盖绕组槽113、磁芯中柱111及磁芯边柱112设置。在本实施例中，绕组槽113可以由磁芯中柱111、磁芯边柱112及连接盖130围绕而成。如此，可以保护位于绕组槽113内部的单层绕组120。

在一些实施例中，在垂直于单层绕组120所在平面的方向上，绕组槽113的高度大于导线121的直径，且小于导线121的直径的2倍。如此，可以便于将单层绕组120组装于绕组槽113。且可以在单层绕组120与连接盖130之间设置固定层(未图示)，固定层可以是在单层绕组120与连接盖130之间涂布胶体形成，具有固定单层绕组120的作用，进而保护单层绕组120。

请参考图2，在一些实施例中，EE型磁芯110可以由子磁芯115组装而成。子磁芯115包括子磁芯中柱1151，子磁芯边柱1152及连接盖130。多个子磁芯115可以相同，也可以不同。在本实施例中，多个子磁芯115相同。EE型磁芯110可以由两个子磁芯115组装而成，两个子磁芯115可以粘接固定，也可以采取其他方式进行固定连接。两个拼接的子磁芯中柱1151形成EE型磁芯110的磁芯中柱111，两个拼接的子磁芯边柱1152形成EE型磁芯110的磁芯边柱112，进而形成EE型磁芯110。

在一些实施例中，EE型磁芯110的制造工艺包括粉末冶金。EE型磁芯110也可以通过铸造工艺生产。EE型磁芯110的材料包括Mn-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体及Ni-Zn铁氧体中的一者。用户可以根据实际需求选择不同的材料，来生产制造EE型磁芯110。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种平面电感器，其特征在于，包括：

EE型磁芯，包括磁芯中柱、磁芯边柱，及形成于所述磁芯中柱与所述磁芯边柱之间的绕组槽，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度不小于所述磁芯边柱的长度；

单层绕组，由导线围绕所述磁芯中柱绕制而成，所述单层绕组的部分位于所述绕组槽内，其中靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，位于所述绕组槽的外部，且弯折伸出所述单层绕组所在的平面。

2.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述靠近所述磁芯中柱的所述单层绕组的端部，垂直伸出所述单层绕组所在平面，并沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸。

3.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，在所述绕组槽贯通所述EE型磁芯的方向上，所述磁芯中柱的长度等于所述磁芯边柱的长度。

4.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，在垂直于所述单层绕组所在平面的方向上，所述绕组槽的高度大于所述导线的直径，且小于所述导线的直径的2倍。

5.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述导线包括利兹线、单股铜线及多股铜线中的一者。

6.根据权利要求5所述的平面电感器，其特征在于，所述导线包括利兹线，所述利兹线的绝缘方式包括漆包线、膜包线、铁氟龙线及三层绝缘线中的一者。

7.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述EE型磁芯的制造工艺包括粉末冶金，所述EE型磁芯的材料包括Mn-Zn铁氧体、Cu-Zn铁氧体及Ni-Zn铁氧体中的一者。

8.根据权利要求1所述的平面电感器，其特征在于，所述EE型磁芯还包括连接盖，所述连接盖沿平行于所述单层绕组所在平面的方向延伸，所述连接盖连接所述磁芯边柱与所述磁芯中柱的端部。

9.根据权利要求1-8任一项所述的平面电感器，其特征在于，所述单层绕组的两个端部从所述EE型磁芯的相对两侧伸出。

10.根据权利要求1-8任一项所述的平面电感器，其特征在于，所述单层绕组的两个端部从所述EE型磁芯的同侧伸出。

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