CN218102981U

CN218102981U - 变换电路

Info

Publication number: CN218102981U
Application number: CN202221976443.0U
Authority: CN
Inventors: 刘芳
Original assignee: GD Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd; Winone Elevator Co Ltd
Current assignee: GD Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd; Winone Elevator Co Ltd
Priority date: 2022-07-28
Filing date: 2022-07-28
Publication date: 2022-12-20
Anticipated expiration: 2032-07-28

Abstract

本实用新型公开一种变换电路，涉及电子电路技术领域，用于解决IGBT保护电路中串联的采样电阻占用空间大且成本高的技术问题。变换电路包括至少一个整流桥臂；每个整流桥臂包括桥臂电路、驱动模块以及采样模块；驱动模块的输出端与桥臂电路的控制端连接，采样模块与桥臂电路的分流端连接，采样模块还与驱动模块连接。本实用新型的变换电路用于将直流电压变为交流电源。

Description

变换电路

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种变换电路。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点，具有通态压降低，电流容量大的特性，其输入阻抗高，响应速度快，因此被广泛应用于家用电器与工业设备等领域。

在电路中，为及时对桥臂直通、对地短路等大电流进行保护，现有技术通常需要驱动芯片在驱动IGBT的发射极串联电阻进行电流采样。由于该采样电阻流过逆变电流，故必须选用mΩ级大功率电阻，且考虑到电路流过的是高频电流，因此采样电阻还应当是无感的高精度电阻，最终导致使用的采样电阻占用空间大且成本高。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种变换电路，旨在解决现有IGBT保护电路中串联的采样电阻占用空间大且成本高的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提供的变换电路，包括：

至少一个整流桥臂；

每个整流桥臂包括桥臂电路、驱动模块以及采样模块；

驱动模块的输出端与桥臂电路的控制端连接，采样模块与桥臂电路的分流端连接，采样模块还与驱动模块连接。

本实用新型的有益效果是：在变换电路的整流桥臂中设置采样模块，驱动模块根据采样模块上的压降信号，控制桥臂电路上IGBT的开通与关断，控制整流桥臂上下桥臂的导通与关断，将直流变压变换为交流电源，并实现对IGBT的过流检测与保护。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进：

进一步，每个整流桥臂还包括滤波单元，采样模块还与滤波单元连接。

在上述技术方案中，滤波单元滤除电压信号上的杂讯。

进一步，每个桥臂电路包括第一IGBT，第一IGBT内置电流检测场效应晶体管，电流检测场效应晶体管的发射极作为整流桥臂的分流端。

在上述技术方案中，电流检测场效应晶体管的发射极流过的电流可以设置为第一IGBT的发射极的极小一部分。

进一步，采样模块包括采样电阻，采样电阻的第一端与电流检测场效应晶体管的发射极连接，采样电阻的第二端与第一IGBT的发射极连接。滤波单元包括滤波电容；滤波电容的第一端连接采样电阻的第一端，滤波电容的第二端连接采样电阻的第二端。

在上述技术方案中，采样电阻对电流检测场效应晶体管的发射极流过的电流进行采样，滤波电容滤除检测到的采样电阻电压信号中的杂讯。

进一步，驱动模块包括检测电路和输出电路；检测电路的输入端与采样模块连接，检测电路的输出端连接输出电路的控制端，输出电路的输出端连接桥臂电路的控制端。

在上述技术方案中，检测电路输入端接收采样模块的检测信号，检测电路的输出决定输出电路向桥臂电路控制端输出的控制信号。

进一步，检测电路包括比较器和滤波器；比较器的第一输入端与采样模块连接，比较器的第二输入端接收参考信号；比较器的输出端连接滤波器的输入端，滤波器的输出端作为检测电路的输出端。

在上述技术方案中，比较器将采样模块检测到的电压信号与参考信号进行比较，判断是否发生短路故障，滤波器的作用与滤波单元相近。

进一步，检测电路还包括：第一MOS管和控制电路；第一MOS管的栅极连接控制电路的输出端，第一MOS管的漏极连接比较器的第一输入端，第一MOS管的源极连接地线。

在上述技术方案中，检测电路通过控制电路控制输入第一MOS管栅极的电平信号，第一MOS管的开通与关断可以控制是否开启过流检测。

进一步，输出电路还包括：第二MOS管；第二MOS管的栅极连接检测电路的输出端，第二MOS管的漏极连接桥臂电路的控制端，第二MOS管连接第一电源端。

在上述技术方案中，第二MOS管的开通与关断控制着第一IGBT的开通与关断，实现对第一IGBT的过流保护。

进一步，变换电路包括三个整流桥臂，每个整流桥臂的第一端连接正直流母线，每个整流桥臂的第二端连接负直流母线，每个整流桥臂的第三端接一相交流电。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为一种变换电路的电路原理图；

图2为本申请实施例一提供的变换电路一个整流桥臂的电路原理图；

图3为本申请实施例二提供的变换电路整流桥臂下桥臂的电路原理图；

图4为本申请实施例三提供的变换电路整流桥臂下桥臂的电路原理图；

图5为本申请实施例四提供的变换电路整流桥臂下桥臂的电路原理图；

图6为本申请实施例二提供的变换电路整流桥臂下桥臂的电路原理图；

图7为本申请实施例二提供的变换电路整流桥臂下桥臂的电路原理图；

图8为本申请实施例二提供的变换电路的电路原理图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	驱动芯片	200	采样电阻
300	驱动模块	310	检测电路
				320	输出电路	311	滤波器
312	比较器	313	控制电路
				400	采样模块	500	滤波单元
10	整流桥臂	600	桥臂电路
				601	第一IGBT	602	第二IGBT
N1	第一MOS管	N2	第二MOS管

具体实施方式

功率器件IGBT在各变频装置中应用广泛，然而IGBT的短路耐受时间十分短暂，一旦发生短路，IGBT会很快失效，因此需要实现对IGBT短路故障的快速检测以及保护。目前，驱动芯片100可以实现这一功能，例如：在驱动IGBT的发射极串联采样电阻200，通过采样电阻200上的压降来判断电路是否发生短路，该方法的缺点是需选用的采样电阻200占用空间大且成本高。

如图1所示，提供了一种在母线负极上放置采样电阻器200的方案，在该三相逆变桥中包括IGBTD、IGBTD1、IGBTD2、IGBTD3、IGBTD4、IGBTD5共六个开关管，一个采样电阻器200，以及分别负责驱动IGBTD3、IGBTD4、IGBTD5的三个驱动芯片100驱动芯片100驱动芯片100。采样电阻器200串联在母线负极处，该采样电阻器200上的电压将分别送至三个驱动芯片100的OC脚和COM脚，当这些驱动芯片100驱动的对应IGBT开通时，可以同步检测采样电阻器200上的电压进行过流保护。该方法可以有效节省电阻的使用数量，节省空间和成本，但对于电路板的设计会提出更高的要求。

基于以上问题，本实用新型实施例提出一种变换电路，该电路中的开关管IGBT内置电流检测场效应晶体管(Current Sensing Field-effect Transistor),电流检测场效应晶体管也被称作sense FET。采样电阻器200与sense FET脚串联，sense FET脚流过的电流可以设定为IGBT发射极流过电流的极小一部分，因此采样电阻器200流过的电流不再是负载电流而是和负载电流成一定比例的小电流，可以选用高精度、小功率的电阻，能够节省空间和成本，且不会提升集成电路板的设计难度。

实施例一

如图2所示，本实施例提供的变换电路包括至少一个整流桥臂10。其中，每个整流桥臂10包括桥臂电路600、驱动模块300、采样模块400以及滤波单元500。桥臂电路600分为上桥臂与下桥臂，驱动模块300的输出端与桥臂电路600下桥臂的控制端连接，采样模块400与桥臂电路600下桥臂的分流端连接，采样模块400还与滤波单元500连接，滤波单元500的输出端与驱动模块300的输入端连接。

上下桥臂均包括IGBT，此处为便于描述，将下桥臂的IGBT称为第一IGBT 601，上桥臂的IGBT称为第二IGBT 602。每个IGBT包含控制端、上端和下端，第一IGBT 601的控制端即为桥臂电路600下桥臂的控制端。第一IGBT 601的上端与第二IGBT 602的下端相连，第一IGBT 601的下端与母线负极相连，第二IGBT 602的上端与母线正极相连。

第一IGBT 601内置电流检测场效应晶体管，也即sense FET。Sense FET被构造成IGBT器件的一个小部分，在第一IGBT 601中，sense FET包括IGBT沟道区的一小部分，在运行中，sense FET对第一IGBT 601的沟道电流的一小部分取样，因此可以提供关于流过第一IGBT 601的电流的指示。此处sense FET的发射极作为整流桥臂10下桥臂的分流端，与采样模块400进行连接。

采样模块400与整流桥臂10的下桥臂的分流端连接，流过采样模块400的电流是第一IGBT 601沟道电流的一小部分采样，可以设定为第一IGBT 601发射极流过电流的极小一部分。

滤波单元500的输出端与驱动模块300的输入端连接，滤波单元500可以滤除电压信号上的杂讯。

驱动模块300接收经过滤波单元500的信号，驱动模块300输出端与桥臂电路600下桥臂的控制端连接，其中，驱动模块300输出的电平信号将决定第一IGBT 601的开通与关断。

在上述技术方案中，第一IGBT 601内置电流检测场效应晶体管，sense FET发射极代替第一IGBT 601的发射极作为桥臂电路600下桥臂的分流端，采样模块400流过的电流是该分流端的电流，检测采样模块400上的压降，通过滤波单元500滤除电压信号杂讯，驱动模块300根据由滤波单元500送入的信号进行比较判断，进而控制驱动第一IGBT 601的开通与关断。

实施例二

如图3所示，桥臂电路600的下桥臂中，采样模块400包括采样电阻Rs，滤波单元500包括滤波电容C__FLT。采样电阻Rs的第一端与sense FET的发射极连接，采样电阻Rs的第二端与第一IGBT 601的发射极连接。滤波电容C__FLT的第一端连接采样电阻Rs的第一端，滤波电容C__FLT的第二端连接采样电阻Rs的第二端。

为对第一IGBT 601进行短路故障快速检测和保护，通过检测采样模块400中采样电阻Rs上的压降来判断电路是否发生短路。第一IGBT 601发射极流出的是高频逆变电流，而此处采样电阻Rs串联的是sense FET的发射极，sense FET的发射极流出的是与负载电流成比例的小电流，因此采样电阻Rs可以采用高精度、小功率的电阻。

滤波电容C__FLT安装在采样电阻Rs的两端，其作用是滤除采样电阻Rs上电压信号中的杂讯，使进入到驱动模块300中的电压信号更加平滑。

在上述技术方案中，使用了内置sense FET的第一IGBT 601，将sense FET的发射极与采样模块400中的采样电阻Rs串联。由于可以设定sense FET发射极流过的电流是第一IGBT 601的极小一部分，故检测采样电阻Rs上的压降时，可以选用高精度、小功率的电阻，能够降低变换电路中采样模块400的占用空间及成本，且降低变换电路的设计难度。

实施例三

如图4所示，驱动模块300包括检测电路310和输出电路320，检测电路310的输入端与采样模块400连接，检测电路310的输出端连接输出电路320的控制端，输出电路320的输出端连接桥臂电路600的控制端。

检测电路310的输入端接收由采样模块400输出的电压信号，该电压信号已由滤波单元500滤除杂讯，检测电路310可以根据该电压信号是否达到短路保护参考阈值来判断第一IGBT 601是否发生短路，并根据短路与否向输出电路320发送控制开关与关断的信号。

输出电路320接收来自检测电路310输出端的控制信号，根据控制信号变更输出电路320输出端的电平信号，输出端与桥臂电路600的控制端相连，故电平信号输入至第一IGBT 601的栅极，以此控制第一IGBT 601的开通与关断。

在上述技术方案中，驱动模块300中的检测电路310根据所接收的电压信号，与检测电路310内设定的电压准位进行比较，判断第一IGBT 601是否发生短路，输出相应控制信号至输出电路320，输出电路320根据控制信号向第一IGBT 601的控制端输入电平信号，实现对第一IGBT 601的开通与关断。

实施例四

如图5所示，驱动模块300中的检测电路310包括比较器312和滤波器311。

其中，比较器312有两个输入端，此处描述为第一输入端与第二输入端。比较器312的第一输入端与采样模块400连接，第一输入端接收来自采样模块400的电压信号，比较器312的第二输入端接收参考信号，该参考信号由人为设定，其数值与采样模块400上的电压达到短路保护参考阈值时一致。

比较器312的输出端连接滤波器311的输入端，滤波器311的输出端作为检测电路310的输出端，滤波器311的作用与滤波单元500类似，可以滤除比较器312输出信号中的杂讯，使输出信号更加平滑。

比较器312将第一输入端接收的采样模块400压降信号与第二输入端接收的参考信号进行比较，然后输出电路状态信号。

例如：根据已选定的采样电阻Rs阻值，计算得到短路保护参考阈值电压为0.7V，将参考信号设定为与该短路保护参考阈值电压相同的数值，当比较器312的第一输入端接收到采样模块400的电压信号为0.8V时，大于比较器312第二输入端接收到的参考信号0.7V，因此可以判定电路发生短路，比较器312输出高电平故障信号。

在驱动模块300的检测电路310中，还包括第一MOS管N1和控制电路313。

其中，滤波器311的输出端连接控制电路313的输入端，第一MOS管N1的栅极连接控制电路313的输出端，第一MOS管N1的漏极连接比较器312的第一输入端，第一MOS管N1的源极接地。

控制电路313根据驱动模块300原边接收到的开通或关断信号，向第一MOS管N1的栅极输出电压控制信号，控制第一MOS管N1的开通与关断。

金属-氧化物半导体场效应管(Mental-Oxide Semiconductor FET,简称MOS-FET)由源极、漏极、栅极组成，MOS管是电压控制器件，通过栅极电压来控制MOS管的导通。

例如：图5中的驱动模块300为集成芯片，当集成芯片的原边接收到第一IGBT 601的开通信号时，控制电路313向第一MOS管N1的栅极发送低电平信号，此时第一MOS管N1关断，连接比较器312第一输入端的第一MOS管N1漏极不再导通，故采样模块400上的压降信号可以通过芯片的OC脚传输到比较器312上，使得集成芯片在第一IGBT 601开通时起到短路故障的快速检测以及过流保护。

当集成芯片的原边接收到第一IGBT 601的关断信号时，控制电路313向第一MOS管N1的栅极发送高电平信号，此时第一MOS管N1开通，采样模块400上的压降信号通过第一MOS管N1漏极以及第一MOS管N1的源极实现接地，使得OC脚位对COM脚短路。第一MOS管N1在原边接收到第一IGBT 601关断信号时，其作用在于屏蔽过流检测。

在上述技术方案中，当驱动模块300原边接收到第一IGBT 601开通信号时，控制电路313关断第一MOS管N1，使得采样模块400上的压降信号进入比较器312，比较器312可以将压降信号与参考信号进行比较，判断是否发生短路故障，并向输出电路320输出控制第一IGBT 601开通与关断的信号，从而实现对第一IGBT 601短路故障的快速检测以及过流保护。当驱动模块300原边接收到第一IGBT 601关断信号时，控制电路313开通第一MOS管N1，使得采样模块400上的压降信号通过第一MOS管N1接地，屏蔽第一IGBT 601开通时的过流检测作用。

实施例五

如图6所示，驱动模块300中的输出电路320还包括第二MOS管N2。

第二MOS管N2的栅极连接检测电路310的输出端，第二MOS管N2的漏极连接桥臂电路600的控制端，第二MOS管N2连接第一电源端。

检测电路310的输出端输出反映电路运行的状态信号，第二MOS管N2的漏极连接下桥臂第一IGBT 601的栅极，第二MOS管N2漏极的输出决定第一IGBT 601的开通与关断，第二MOS管N2的源极连接第一电源。

例如：图6中的驱动模块300为集成芯片，当集成芯片的原边接收到第一IGBT 601的开通信号时，检测电路310检测采样模块400上的压降，通过与参考信号比较判断是否发生故障。

当采样模块400上的压降小于参考信号设置的电压时，电路未发生短路故障，检测电路310输出低电平到第二MOS管N2的栅极，第二MOS管N2关断，第一IGBT 601保持开通状态。

当采样模块400上的压降达到参考信号设置的短路保护参考阈值时，电路发生短路故障，检测电路310输出高电平到第二MOS管N2的栅极，第二MOS管N2导通。第二MOS管N2的漏极通过集成芯片的OUTL脚连接第一IGBT 601的栅极，第二MOS管N2的源极连接第一电源，也即集成芯片的VEE脚。

因此第二MOS管N2导通时，第二MOS的漏极连接的OUTL脚与第二MOS管N2源极连接的VEE脚导通，VEE脚通过OUTL脚向第一IGBT 601的栅极施加一个负偏压，则第一IGBT 601被软关断。

在上述技术方案中，第一IGBT 601处于开通状态时，当检测电路310检测到采样模块400上的压降达到短路保护参考阈值时，检测电路310向第二MOS管N2输出一个高电平信号，第二MOS管N2的栅极在接收到高电平信号后导通。此时第二MOS管N2的漏极与源极导通，故第二MOS管N2源极连接的第一电源负端向漏极连接的第一IGBT 601的栅极施加一个负偏压，第一IGBT 601栅极接收到负偏压信号后，软关断第一IGBT 601，从而在检测电路310检测到短路故障后，实现对第一IGBT 601的保护。

实施例六

如图7所示，整流桥臂10的下桥臂包括第一IGBT 601，第一IGBT 601内置senseFET，sense FET的发射极作为下桥臂的分流端。采样电阻Rs的第一端与sense FET发射极串联，第二端与第一IGBT 601的发射极连接。

滤波电容C__FLT第一端与采样电阻Rs的第一端连接，滤波电容C__FLT第二端连接在采样电阻Rs的第二端。

在驱动芯片100中，比较器312包括第一输入端与第二输入端，第一输入端通过驱动芯片100上的OC脚连接采样电阻Rs，第二输入端接收参考信号。比较器312的输出端连接滤波器311的输入端。

滤波器311的输出端作为控制电路313的输入端以及输出电路320的输入端。

控制电路313的输出端连接第一MOS管N1的栅极，第一MOS管N1的漏极连接比较器312的第一输入端，第一MOS管N1的源极连接地线。

输出电路320包括第二MOS管N2，第二MOS管N2的栅极连接滤波器311的输出端，第二MOS管N2的漏极通过驱动芯片100上的OUTL脚连接第一IGBT 601的栅极，第二MOS管N2的源极连接驱动芯片100上的VEE脚。

第一IGBT 601的sense FET脚流过的电流可以设定为第一IGBT 601的发射极流过电流的极小一部分，故选用高精度、小功率的电阻作为采样电阻Rs与第一IGBT 601的senseFET脚串联，采样电阻Rs上的压降可以作为判断电路是否发生短路的依据。

滤波电容C__FLT连接在采样电阻Rs的两端，可以滤除采样电阻Rs输出电压信号上的杂讯，滤除杂讯后的电压信号进入到驱动芯片100上的OC脚位。

当驱动芯片100的原边接收到第一IGBT 601的开通信号时，控制电路313输出端向第一MOS管N1的栅极输出低电平信号，此时第一MOS管N1关断，OC信号通过比较器312的第一输入端输入比较器312，该OC信号即为滤除杂讯后的电压信号。

在比较器312中将OC信号与参考信号设定的短路保护参考阈值电压进行对比，当OC信号中电压小于短路保护参考阈值电压时，比较器312输出低电平信号，经过滤波器311后分别送往控制电路313和输出电路320。控制电路313连接的第一MOS管N1和输出电路320中的第二MOS管N2的栅极在接受到低电平信号后，保持关断状态，第一IGBT 601正常运行。

当OC信号中电压达到短路保护参考阈值电压时，比较器312输出高电平信号，也即短路故障信号，该高电平信号经滤波器311送往控制电路313和输出电路320。控制电路313将高电平信号输入至第一MOS管N1的栅极，第一MOS管N1导通，此时芯片的OC脚位对COM脚短路，驱动芯片100不再对OC信号电压与参考电压进行比较，实现过流检测屏蔽。输出电路320将高电平信号输入至第二MOS管N2的栅极，第二MOS管N2导通，故第二MOS管N2漏极连接的OUTL脚与第二MOS管N2源极连接的VEE脚导通，VEE脚为电源负极，通过OUTL脚向第一IGBT601的栅极施加负偏压，第一IGBT 601的栅极接收施加的负偏压后关断，在检测到电路故障的情况下对第一IGBT 601进行过流保护。

当驱动芯片100的原边接收到第一IGBT 601的关断信号时，控制电路313同样需要输出高电平信号，开通第一MOS管N1，依靠OC脚对COM脚的短路实现屏蔽过流检测。

在上述技术方案中，驱动芯片100不仅可以根据原边信号控制第一IGBT 601的开通与关断，还可以依靠第一IGBT 601的sense FET脚流出的与负载电流成比例的小电流与高精度、小阻值的采样电阻Rs检测压降，实现对第一IGBT 601的短路检测与保护，节省了采样电阻Rs的空间与成本，降低了变换电路的设计难度。

实施例七

如图8所示，变换电路包括三个整流桥臂10，每个桥臂的第一端连接正直流母线，每个整流桥臂10的第二端连接负直流母线，每个整流桥臂10的第三端接一相交流电。

上述技术方案中，每个整流桥臂10的上桥臂和下桥臂都包括IGBT，通过控制上下桥臂中IGBT的开通与关断，最终实现将直流电压变为三相交流电源。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims

1.一种变换电路，其特征在于，包括：至少一个整流桥臂；

每个所述整流桥臂包括桥臂电路、驱动模块以及采样模块；

所述驱动模块的输出端与所述桥臂电路的控制端连接，所述采样模块与所述桥臂电路的分流端连接，所述采样模块还与所述驱动模块连接。

2.根据权利要求1所述的变换电路，其特征在于，每个所述整流桥臂还包括滤波单元，所述采样模块还与所述滤波单元连接。

3.根据权利要求1所述的变换电路，其特征在于，每个桥臂电路包括第一IGBT，所述第一IGBT内置电流检测场效应晶体管，所述电流检测场效应晶体管的发射极作为所述整流桥臂的分流端。

4.根据权利要求3所述的变换电路，其特征在于，所述采样模块包括采样电阻，所述采样电阻的第一端与所述电流检测场效应晶体管的发射极连接，所述采样电阻的第二端与所述第一IGBT的发射极连接。

5.根据权利要求2所述的变换电路，其特征在于，所述滤波单元包括滤波电容；所述滤波电容的第一端连接采样电阻的第一端，所述滤波电容的第二端连接所述采样电阻的第二端。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的变换电路，其特征在于，所述驱动模块包括检测电路和输出电路；

所述检测电路的输入端与所述采样模块连接，所述检测电路的输出端连接所述输出电路的控制端，所述输出电路的输出端连接所述桥臂电路的控制端。

7.根据权利要求6所述的变换电路，其特征在于，所述检测电路包括比较器和滤波器；

所述比较器的第一输入端与所述采样模块连接，所述比较器的第二输入端接收参考信号；所述比较器的输出端连接所述滤波器的输入端，所述滤波器的输出端作为所述检测电路的输出端。

8.根据权利要求7所述的变换电路，其特征在于，所述检测电路还包括：第一MOS管和控制电路；

所述第一MOS管的栅极连接所述控制电路的输出端，所述第一MOS管的漏极连接所述比较器的第一输入端，所述第一MOS管的源极连接地线。

9.根据权利要求6所述的变换电路，其特征在于，所述输出电路还包括：第二MOS管；

所述第二MOS管的栅极连接所述检测电路的输出端，所述第二MOS管的漏极连接所述桥臂电路的控制端，所述第二MOS管连接第一电源端。

10.根据权利要求1至5中任意一项所述的变换电路，其特征在于，所述变换电路包括三个所述整流桥臂，每个所述整流桥臂的第一端连接正直流母线，每个所述整流桥臂的第二端连接负直流母线，每个整流桥臂的第三端接一相交流电。