CN218101263U - 图像传感器及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括：读出电路层，包括位于顶层的若干个像素下电极，像素下电极呈阵列排布；像素隔离结构，形成于读出电路层上且对应位于像素下电极之间；光电转换层，形成于读出电路层上，其中，像素隔离结构自光电转换层的下表面朝光电转换层延伸，且位于相邻像素之间以降低相邻像素间的信号串扰。本本实用新型通过在读出电路层上且对应位于像素下电极之间形成像素隔离结构，接着将光电转换层形成于设有像素隔离结构的读出电路层上，使像素隔离结构自光电转换层的下表面朝光电转换层延伸，且位于相邻像素之间，可以有效降低相邻像素间的信号串，从而提高图像传感器的色彩饱和度和成像效果。

Description

图像传感器及电子设备

技术领域

本实用新型属于图像传感技术领域，特别是涉及一种图像传感器及电子设备。

背景技术

图像传感器是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-OxideSemiconductor，金属氧化物半导体元件)两大类。随着CMOS集成电路制造工艺特别是CMOS图像传感器设计及制造工艺的不断发展，CMOS图像传感器已经逐渐取代CCD图像传感器成为主流。CMOS图像传感器相比较具有工业集成度更高、功率更低等优点。

当前用于制造光电传感器件的常见做法是首先通过图案化来制造底部电极。之后，在像素化底部电极上通过旋涂、蒸发、溅射或其他沉积技术来形成光电堆叠。通常，底部电极是彼此电隔离的，而光电堆叠是连续的。在一个像素中生成的光载流子可能会通过功能层(例如，ETL、HTL或感光层)水平扩散到相邻像素中形成噪声，可见，像素阵列中的噪声源之一是相邻像素之间的串扰。随着像素尺寸的缩小，相邻底部电极之间的距离/间隙接近感光层中生成的光载流子的扩散长度，并且串扰噪声将随着像素大小的缩小而急剧增大。

现有量子点图像传感器产品的相邻像素之间会产生信号的串扰，该信号串扰会造成产品的色彩饱和度下降，影响图像传感器的成像效果。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种图像传感器、其制备方法及电子设备，用于解决现有技术中图像传感器的像素之间的信号串扰问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：读出电路层，包括位于顶层的若干个像素下电极，所述像素下电极呈阵列排布；像素隔离结构，形成于所述读出电路层上且对应位于所述像素下电极之间；光电转换层，形成于所述读出电路层上，其中，所述像素隔离结构自所述光电转换层的下表面朝所述光电转换层延伸，且位于相邻像素之间以降低相邻像素间的信号串扰。

可选地，所述像素隔离结构的高度小于所述光电转换层的高度。

可选地，所述像素隔离结构的材质为金属材料和绝缘介质材料中的一种或两者组合。

可选地，所述像素隔离结构的折射率小于所述光电转换层的折射率。

可选地，所述像素隔离结构的高度小于或等于1微米；和/或，所述像素隔离结构的宽度介于50nm-1μm之间；和/或，所述像素隔离结构的俯视形状包括网格状图形。

可选地，相邻所述像素下电极之间的具有高于所述像素下电极的间隔绝缘层，所述像素隔离结构设置于所述间隔绝缘层上。

可选地，所述间隔绝缘层还覆盖所述像素下电极的边缘区域；和/或，所述间隔绝缘层的超出所述像素下电极的厚度小于或等于1μm。

可选地，所述读出电路层包括器件层、间隔排布的金属布线层和层间介质层，所述层间介质层中具有连接相邻金属布线层的金属通道，其中，位于顶层的顶层金属布线层包含若干个所述像素下电极。

可选地，所述读出电路层还包含焊盘，所述焊盘设置于所述像素下电极外围。

可选地，所述光电转换层在所述焊盘区域具有显露所述焊盘的窗口，所述窗口侧壁设置有绝缘侧墙，所述光电转换层上设置有顶电极，所述顶电极沿所述绝缘侧墙延伸至所述焊盘上并与所述焊盘连接。

可选地，所述顶电极上还设置有抗反射层，所述抗反射层上还具有与所述像素对应设置的微透镜；和/或，所述焊盘与所述像素下电极位于同一层，且所述焊盘与所述像素下电极间隔设置。

可选地，所述光电转换层包含至少一个光敏层，所述光敏层包含一种或多种有机半导体层，或包含一种或多种胶体量子点层。

可选地，所述光电转换层还包括至少两个功函数调节层，所述至少两个功函数调节层分别设置于所述光敏层上下两侧，形成三明治结构，所述功函数调节层包括有机小分子材料、有机高分子材料、金属氧化物及金属硫化物中的一种或两种以上的组合。

本实用新型还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上任意一项方案所述的图像传感器。

本实用新型还提供一种图像传感器的制备方法，包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中制备所述读出电路层；于所述读出电路层上形成所述像素隔离结构；形成所述像素隔离结构后于所述读出电路层上形成所述光电转换层，所述像素隔离结构设置于相邻像素之间以降低相邻像素间的信号串扰，所述像素与所述读出电路层的所述像素下电极对应，所述像素结构自所述光电转换层的下表面朝向所述光电转换层延伸。

可选地，于所述读出电路层上形成像素隔离结构包括步骤：在所述读出电路层上形成隔离结构材料层；刻蚀所述隔离结构材料层，以得到所述像素隔离结构。

可选地，当所述读出电路层包括所述器件层、间隔排布的所述金属布线层和所述层间介质层时，所述制备方法包括：于像素下电极上形成绝缘材料层，并对所述绝缘材料层进行图形化以显露所述像素下电极并得到位于相邻所述像素下电极之间且高于所述像素下电极的所述间隔绝缘层，然后通过涂布工艺于所述读出电路层上形成所述光电转换层。

可选地，当所述顶层金属布线层包含所述焊盘时，所述制备方法还包括步骤：对光电转换层进行图形化以形成显露所述焊盘的窗口；沉积侧墙材料层，并通过刻蚀工艺保留所述窗口侧壁的材料层以形成绝缘侧墙；沉积顶电极，所述顶电极覆盖所述光电转换层上，且所述顶电极沿所述绝缘侧墙延伸至所述焊盘上并与所述焊盘连接。

如上所述，本实用新型的图像传感器、其制备方法及电子设备，具有以下有益效果：

本实用新型通过在读出电路层上且对应位于像素下电极之间形成像素隔离结构，接着将光电转换层形成于设有像素隔离结构的读出电路层上，使所述像素隔离结构自所述光电转换层的下表面朝所述光电转换层延伸，且位于相邻像素之间，可以有效降低相邻像素间的信号串，从而提高图像传感器的色彩饱和度和成像效果。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于说明本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。

图1～图11显示为本实用新型实施例的图像传感器的制备方法各步骤所呈现的结构示意图。

元件标号说明

10 CMOS晶圆

11 读出电路层

111 层间介质层

112 金属布线层

113 金属通道

114 像素下电极

115 焊盘

116 间隔绝缘层

12 像素隔离结构

13 光电转换层

14 侧墙材料层

141 绝缘侧墙

15 顶电极

16 抗反射层

17 微透镜

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

如在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图10及图11所示，本实施例提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：读出电路层11、像素隔离结构12和光电转换层13。

如图10所示，在一个实施例中，所述读出电路层11包括器件层，所述器件层可以形成CMOS晶圆10上，所述CMOS晶圆10中可以包含多个晶体管和电路元件，例如传输晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管、行选晶体管、电容等。

如图10所示，在一个实施例中，所述读出电路层11还包括间隔排布的金属布线层112、层间介质层111，其中，位于顶层的顶层金属布线层包含若干个所述像素下电极114，所述层间介质层111中具有金属通道113，可以连接相邻金属布线层112或者连接金属布线层112与需要电性连接的晶体管和电路元件等，依据实际布置，所述像素下电极114呈阵列排布，所述像素下电极114通过所述间隔排布的金属布线层112、层间介质层111和金属通道113与所述器件层中的晶体管连接，并通过相应金属布线层112的实现所需的排布方式。

如图10所示，在一个实施例中，所述读出电路层11还包含焊盘115，所述焊盘115设置于所述像素下电极114外围，用于顶电极15与电路层的连接。所述焊盘115可以与所述像素下电极114位于同一层，且所述焊盘115与所述像素下电极114间隔设置。

如图10所示，所述像素隔离结构12形成于所述读出电路层11上且对应位于所述像素下电极114之间，所述像素隔离结构12自光电转换层13的下表面朝向光电转换层13内部延伸，所述像素隔离结构12用于降低相邻像素间的信号串，从而提高图像传感器的色彩饱和度和成像效果。在一示例中，所述像素隔离结构12的下表面显露于所述光电转换层13，所述像素隔离结构12显露于所述光电转换层13的下表面直接与相邻的材料层接触。其中，该示例中，所述像素隔离结构12的下表面及所述光电转换层13的下表面均指背离入射光一侧表面。

在一个实施例中，所述像素隔离结构12的高度小于所述光电转换层13的高度，以减少涂布于所述像素隔离结构12上的光电转换层13由于涂布工艺造成的缺陷。例如，所述像素隔离结构12的高度可以小于或等于1微米，如，可以为0.7微米、0.5微米等。所述像素隔离结构12的宽度可以介于50nm-1μm之间，如，可以为100nm、500nm、800nm等，以保证其隔离效果的同时，降低其所占面积，保证图像传感器的有效感光面积，提高器件的集成度。另外，其他示例中，所述像素隔离结构12也可以等于或超出所述光电转换层13的上表面。

在一个实施例中，相邻所述像素下电极114之间的具有高于所述像素下电极114的间隔绝缘层116，所述像素隔离结构12设置于所述间隔绝缘层116上，所述间隔绝缘层116的厚度小于500纳米，例如，可以为200nm、300nm等，以减少光电转换层13由于涂布工艺造成的缺陷。进一步示例中，所述间隔绝缘层116还覆盖所述像素下电极114的边缘区域，以保证相邻像素下电极114之间的绝缘，所述间隔绝缘层116的超出所述像素下电极114的厚度小于或等于1μm，例如，可以为0.5μm、0.8μm等，以保证所述像素下电极114具有较大的可用于连接的接触面积。

在一个实施例中，如图11所示，所述像素隔离结构12的俯视形状包括网格状图形，可以但不限于矩阵网格等。

在一个实施例中，所述像素隔离结构12的材质为金属材料和绝缘介质材料中的一种或两者组合，可以是部分所述像素隔离结构12采用金属材料构成的隔离结构，部分所述像素隔离结构12采用绝缘介质材料构成的隔离结构。当然，所述像素隔离结构12的材质也可以为折射率小于1.5的其他低折射率材料，并不限于此处所列举的示例。

在一个实施例中，所述像素隔离结构12的折射率小于所述光电转换层13的折射率，以使从光电转换层13的光线照射到所述像素隔离结构12上时，发生全反射，提高所述像素隔离结构12的反射率。

如图10所示，所述光电转换层13形成于所述读出电路层11上，其中，所述像素隔离结构12自所述光电转换层13的下表面朝所述光电转换层13延伸，且位于相邻像素之间以降低相邻像素间的信号串扰。

在一个实施例中，所述光电转换层13在所述焊盘115区域具有显露所述焊盘115的窗口，所述窗口侧壁设置有绝缘侧墙141，所述光电转换层13上设置有顶电极15，所述顶电极15沿所述绝缘侧墙141延伸至所述焊盘115上并与所述焊盘115连接，所述绝缘侧墙141的材料例如可以为二氧化硅、氮化硅、有机绝缘物等。所述顶电极15可以与一个或多个焊盘115形成电连接，所述顶电极15可以是透明导电氧化物(TCO)或纳米金属薄层等。

在一个实施例中，所述顶电极15上还设置有抗反射层16，所述抗反射层16上还具有与所述像素对应设置的微透镜17。所述抗反射层16上还可以设置有水氧隔绝层，或者通过选择合适的材料，使所述抗反射层16也可以包含水氧隔绝功能。

在一个实施例中，所述抗反射层16与所述微透镜17之间还可以设有平坦层，以保证所述微透镜17的设置。

在一个实施例中，所述光电转换层13包含至少一个光敏层，所述光敏层包含一种或多种有机半导体层，以基于光信号产生电信号，可选地，所述光电转换层13可以是一种有机半导体层构成的单层结构或者是两种或两种以上的有机半导体层构成的叠层结构；或所述光电转换层13包含一种或多种胶体量子点层(QD)，可选地，所述光电转换层13可以是一种胶体量子点层构成的单层结构或者是两种或两种以上的胶体量子点层构成的叠层结构。需要说明的是，多种胶体量子点层，可以指构成胶体量子点纳米晶体的材料不同，例如可以分别为PbS、PbSe、InAs、HgTe等，也可以为表面配体不同的同一材料的量子点层。

可选地，所述光电转换层13还包括至少两个功函数调节层，以利于光敏层产生的电信号的传输，所述至少两个功函数调节层分别设置于所述光敏层上下两侧，形成三明治结构，所述功函数调节层包括有机小分子材料、有机高分子材料、金属氧化物及金属硫化物中的一种或两种以上的组合，可以是上述材料层构成的单层结构，也可以上述材料层中的两种或两种以上构成的叠层结构，可以采用现有技术中功函数调节常用材料。

本实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上实施例所述的图像传感器。

如图1～图11所示，本实施例还提供一种图像传感器的制备方法，所述制备方法包括步骤：

如图1所示，首先进行步骤1)，提供半导体衬底，在所述半导体衬底中制备所述读出电路层11。

如图1所示，在一个实施例中，所述半导体衬底可以为CMOS晶圆10，所述读出电路层11包括器件层，所述器件层可以形成CMOS晶圆10上，所述CMOS晶圆10中可以包含多个晶体管和电路元件，例如传输晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管、行选晶体管、电容等。

如图1所示，在一个实施例中，所述读出电路层11还包括间隔排布的金属布线层112、层间介质层111，其中，位于顶层的顶层金属布线层包含若干个所述像素下电极114，所述层间介质层111中具有金属通道113，可以连接相邻金属布线层112或者连接金属布线层112与需要电性连接的晶体管和电路元件等，依据实际布置，所述像素下电极114呈阵列排布，所述像素下电极114通过所述间隔排布的金属布线层112、层间介质层111和金属通道113与所述器件层中的晶体管连接，并通过相应金属布线层112的实现所需的排布方式。所述层间介质层111可以通过化学气相沉积工艺制备，所述金属布线层112可以通过如溅射工艺和光刻-刻蚀工艺制备。

如图1所示，在一个实施例中，所述读出电路层11还包含焊盘115，所述焊盘115设置于所述像素下电极114外围，用于顶电极15与电路层的连接。所述焊盘115可以与所述像素下电极114位于同一层，且所述焊盘115与所述像素下电极114间隔设置。

如图2～图4所示，然后进行步骤2)，于所述读出电路层11上形成所述像素隔离结构12。

在一个实施例中，于所述读出电路层11上形成像素隔离结构12包括步骤：

首先，进行步骤2-1)，通过如化学气相沉积工艺等在所述读出电路层11上形成隔离结构材料层。

如图3所示，进行步骤2-2)，通过光刻工艺和刻蚀工艺，刻蚀所述隔离结构材料层，以得到所述像素隔离结构12。

如在一个实施例中，所述像素隔离结构12的高度小于所述光电转换层13的高度，以减少涂布于所述像素隔离结构12上的光电转换层13由于涂布工艺造成的缺陷。例如，所述像素隔离结构12的高度可以小于或等于1微米。所述像素隔离结构12的宽度可以介于50nm-1μm之间，以保证其隔离效果的同时，降低其所占面积，保证图像传感器的有效感光面积，提高器件的集成度。

在一个实施例中，如图11所示，所述像素隔离结构12的俯视形状包括网格状图形，可以但不限于矩阵网格等。

在一个实施例中，所述像素隔离结构12的材质为金属材料和绝缘介质材料中的一种或两者组合。当然，所述像素隔离结构12的材质也可以为折射率小于1.5的其他低折射率材料，并不限于此处所列举的示例。

在一个实施例中，所述像素隔离结构12的折射率小于所述光电转换层13的折射率，以使从光电转换层13的光线照射到所述像素隔离结构12上时，发生全反射，提高所述像素隔离结构12的反射率。

图3及图4所示，其中，图4显示为图3的一个像素隔离结构12位置处的放大结构示意图，进行步骤2-3)，于像素下电极114上形成绝缘材料层，并对所述绝缘材料层进行图形化以显露所述像素下电极114并得到位于相邻所述像素下电极114之间且高于所述像素下电极114的所述间隔绝缘层116，所述间隔绝缘层116的厚度小于500纳米，以减少光电转换层13由于涂布工艺造成的缺陷。在一示例中，先形成绝缘材料层，再在所述绝缘材料层上制备所述像素隔离结构12，如图2所示；然后，形成所述像素隔离结构12之后再刻蚀所述绝缘材料层得到所述间隔绝缘层16，如图3所示。所述间隔绝缘层116还覆盖所述像素下电极114的边缘区域，以保证相邻像素下电极114之间的绝缘，所述间隔绝缘层116的超出所述像素下电极114的厚度小于或等于1μm，以保证所述像素下电极114具有较大的可用于连接的接触面积。

如图5～图11所示，最后进行步骤3)，形成所述像素隔离结构12后于所述读出电路层11上形成所述光电转换层13，所述像素隔离结构12设置于相邻像素之间以降低相邻像素间的信号串扰，所述像素与所述读出电路层11的所述像素下电极114对应，所述像素结构自所述光电转换层13的下表面朝向所述光电转换层13延伸。

在一个实施例中，步骤3)包括：

如图5所示，进行步骤3-1)，形成所述像素隔离结构12后于所述读出电路层11上形成所述光电转换层13。

在一个实施例中，所述光电转换层13包含至少一个光敏层，所述光敏层包含一种或多种有机半导体层，或包含一种或多种胶体量子点层。需要说明的是，多种胶体量子点层，可以指构成胶体量子点纳米晶体的材料不同，例如可以分别为PbS、PbSe、InAs、HgTe等，也可以为表面配体不同的同一材料的量子点层。

可选地，所述光电转换层13还包括至少两个功函数调节层，所述至少两个功函数调节层分别设置于所述光敏层上下两侧，形成三明治结构，所述功函数调节层包括有机小分子材料、有机高分子材料、金属氧化物及金属硫化物中的一种或两种以上的组合。

如图6所示，进行步骤3-2)，对光电转换层13进行图形化以形成显露所述焊盘115的窗口。其中，所述焊盘115可以是与所述像素下电极114位于同一层基于同一工艺制备。

如图7～图8所示，进行步骤3-3)，沉积侧墙材料层14，并通过刻蚀工艺保留所述窗口侧壁的材料层以形成绝缘侧墙141。所述绝缘侧墙141的材料例如可以为二氧化硅、氮化硅、有机绝缘物等。

如图9所示，进行步骤3-4)，沉积顶电极15，所述顶电极15覆盖所述光电转换层13上，且所述顶电极15沿所述绝缘侧墙141延伸至所述焊盘115上并与所述焊盘115连接。所述顶电极15可以是透明导电氧化物(TCO)或纳米金属薄层等。

如图10所示，进行步骤3-5)，于所述顶电极15上依次设置反射层和微透镜17。其中，所述抗反射层16上还可以设置水氧隔绝层，或者通过选择合适的材料，使所述抗反射层16也可以包含水氧隔绝功能。

在一个实施例中，所述抗反射层16与所述微透镜17之间还可以设有平坦层，以保证所述微透镜17的设置。

如上所述，本实用新型的图像传感器、其制备方法及电子设备，具有以下有益效果：

本实用新型通过在读出电路层11上且对应位于像素下电极114之间形成像素隔离结构12，接着将光电转换层13形成于设有像素隔离结构12的读出电路层11上，使所述像素隔离结构12自所述光电转换层13的下表面朝所述光电转换层13延伸，且位于相邻像素之间，可以有效降低相邻像素间的信号串，从而提高图像传感器的色彩饱和度和成像效果。

所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (11)

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

读出电路层，包括位于顶层的若干个像素下电极，所述像素下电极呈阵列排布；

像素隔离结构，形成于所述读出电路层上且对应位于所述像素下电极之间；

光电转换层，形成于所述读出电路层上，其中，所述像素隔离结构自所述光电转换层的下表面朝所述光电转换层延伸，且位于相邻像素之间以降低相邻像素间的信号串扰。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述像素隔离结构的折射率小于所述光电转换层的折射率；和/或，所述像素隔离结构的高度小于所述光电转换层的高度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述像素隔离结构的高度小于或等于1微米；和/或，所述像素隔离结构的宽度介于50nm-1μm之间；和/或，所述像素隔离结构的俯视形状包括网格状图形；和/或，所述像素隔离结构的材质为金属材料和绝缘介质材料中的一种或两者组合。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：相邻所述像素下电极之间的具有高于所述像素下电极的间隔绝缘层，所述像素隔离结构设置于所述间隔绝缘层上。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于：所述间隔绝缘层还覆盖所述像素下电极的边缘区域；和/或，所述间隔绝缘层的超出所述像素下电极的厚度小于或等于1μm。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述读出电路层包括器件层、间隔排布的金属布线层和层间介质层，所述层间介质层中具有连接相邻金属布线层的金属通道，其中，位于顶层的顶层金属布线层包含若干个所述像素下电极。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述读出电路层还包含焊盘，所述焊盘设置于所述像素下电极外围，所述光电转换层在所述焊盘区域具有显露所述焊盘的窗口，所述窗口侧壁设置有绝缘侧墙，所述光电转换层上设置有顶电极，所述顶电极沿所述绝缘侧墙延伸至所述焊盘上并与所述焊盘连接。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其特征在于：所述顶电极上还设置有抗反射层，所述抗反射层上还具有与所述像素对应设置的微透镜；和/或，所述焊盘与所述像素下电极位于同一层，且所述焊盘与所述像素下电极间隔设置。

9.根据权利要求1-8任一项所述的图像传感器，其特征在于：所述光电转换层包含至少一个光敏层，所述光敏层包含一种或多种有机半导体层，或包含一种或多种胶体量子点层。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：所述光电转换层还包括至少两个功函数调节层，所述至少两个功函数调节层分别设置于所述光敏层上下两侧，形成三明治结构，所述功函数调节层包括有机小分子材料、有机高分子材料、金属氧化物及金属硫化物中的一种或两种以上的组合。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-10任意一项所述的图像传感器。

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