CN218069442U - 超高压电力电缆 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电力电缆领域，针对超高压电缆的半导电缓冲层上的烧蚀现象，公开了一种超高压电力电缆。该超高压电力电缆包括线芯，线芯外设有半导电轻弹缓层和集束铜丝导流层，在所述集束铜丝导流层外包裹焊接皱纹铝护套并轧纹，所述皱纹铝护套层外挤包外护套层和外半导电层；所述半导电轻弹缓带为半导电三元乙丙橡胶材料；集束铜丝导流层为高强度合成纤维编织布和集束铜丝以纵横交错的形式编织而成的组织结构；所述集束铜丝为铜丝的绞合结构。半导电轻弹缓带能为绝缘线芯提供良好的物理和化学性能保护；集束铜丝导流层可以消除皱纹铝护套与半导电轻弹缓带之间的悬浮电位差，阻绝因放电引发烧蚀现象和局部放电试验时局放量虚大的问题。

Description

超高压电力电缆

技术领域

本发明涉及电力电缆技术领域，更具体而言，涉及一种超高压电力电缆。

背景技术

电缆是用以传输电(磁)能、传递信息、实现电磁能转换和构成自动化控制线路的基础产品。额定电压为66kv和110kv的电缆为高压电缆，额定电压为220kv、330kv和500kv的电缆为超高压电缆。高压电缆结构由内到外分别是导体、内半导电层、绝缘层、外半导电层、缓冲层、金属护套、外护套。随着经济的发展，人们对电线电缆的品质要求越来越高，高压超高压电力电缆年增长率达到29％，每百公里的故障率达到2％，其中本体故障率接近0.08％，经过对电缆本体故障原因分析，发现有大量的本体故障是因为电缆结构中半导电缓冲层烧蚀引起的，半导电缓冲层的采用由聚酯纤维非织造布与半导电涂胶复合而成的半导电缓冲带，金属护套下半导电缓冲层与金属护套两者之间接触不良，会存在悬浮电位，两者之间的电位差因放电引发烧蚀。其半导电缓冲层上的烧蚀现象，长期累积会导致电缆本体故障，将影响高压电力电缆的安全运行。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于克服现有电缆存在的上述的不足，提供一种超高压电力电缆。

为解决其技术问题采用以下技术方案来实现：

一种超高压电力电缆，包括线芯，所述线芯外设有半导电轻弹缓层和集束铜丝导流层，在所述集束铜丝导流层外包裹焊接皱纹铝护套并轧纹，所述皱纹铝护套层外挤包外护套层和外半导电层；所述半导电轻弹缓带为半导电三元乙丙橡胶材料；集束铜丝导流层为高强度合成纤维编织布和集束铜丝以纵横交错的形式编织而成的组织结构；所述集束铜丝为铜丝的绞合结构；所述半导电轻弹缓带的规格为1.0mm×100mm，集束铜丝导流层的规格为0.5mm×55mm，绕包的间隙率≤5％。

进一步的，所述集束铜丝导流层由高强度合成纤维编织布和集束铜丝一上一下相间交织形成的组织结构。

进一步的，集束铜丝导流层为铜丝的正规绞合结构，中心层的单线为3根，从中心层向外每层的单线根数递增6根，相邻层的绞向相反。

进一步的，所述皱纹铝护套层使用的铝带的标称厚度3.3mm，宽度为500mm，轧纹节距25～40mm，深度6～7mm。

进一步的，所述导体芯由三百二十三根铜单线绞合而成，节径比为10-25，由5个扇形分割块和1个圆形紧压导体构成，相邻层的绞向相反。

进一步的，所述导体屏蔽层

进一步的，所述绝缘层采用交联聚乙烯材料，标称厚度为24.0mm，最薄点为22.8mm。

进一步的，所述绝缘屏蔽层

进一步的，非金属护层为非金属材料，外护套层的标称厚度为5.5mm，最薄点为4.95mm。

进一步的，外半导电层为挤出半导电层或涂覆石墨的半导电层，标称厚度为0.2mm。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型采用半导电轻弹缓层和集束铜丝导流层代替了原半导电缓冲层，半导电轻弹缓层可以为绝缘线芯提供良好的物理和化学性能保护，防止绝缘线芯受热膨胀而发生机械性损伤；集束铜丝导流层可以消除皱纹铝护套与绝缘屏蔽层之间的悬浮电位差，阻绝因放电引发烧蚀现象和局部放电试验时局放量虚大的问题，解决了电缆受到烧蚀性破坏使其寿命缩短的问题。

附图说明

图1是本发明实施例超高压电力电缆的结构示意图；

图2是本发明实施例线芯结构示意图；

图3是本发明实施例半导电轻弹缓层与集束铜丝导流层组合结构示意图；

图4是本发明实施例集束铜丝导流层结构示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：1、线芯；11、导体芯；12、半导电带；13、导体屏蔽层；14、绝缘层；15、绝缘屏蔽层；2、半导电轻弹缓层；3、集束铜丝导流层；31、集束铜丝；32、特高轻型编织布；4、皱纹铝护套层；5、非金属护套层；6、外半导电层。

具体实施方式

为了能够更加清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

实施例

一种防皱纹铝套烧蚀的高压电力电缆，如图1和图2所示，包括由一根线芯1，线芯1包括导体芯11,导体芯11外绕包半导电带12，半导电带12外依次设置有三层共挤而成的导体屏蔽层13、绝缘层14和绝缘屏蔽层15。线芯1外设有半导电轻弹缓带2和集束铜丝导流层3，在集束铜丝导流层3外包裹焊接皱纹铝护套4并轧纹，皱纹铝护套层4外挤包外护套层5和外半导电层6。

其中，导体芯11由三百二十三根铜单线绞合而成，节径比为10-25倍，由5个扇形分割块和1个圆形紧压导体构成，相邻层的绞向相反。

绝缘层14采用交联聚乙烯材料，标称厚度为24.0mm，最薄点为22.8mm。

导体屏蔽层13和绝缘屏蔽层15均采用以EVA或EBA为基料的半导电屏蔽材料。

半导电轻弹缓带2采用半导电三元乙丙橡胶材料；集束铜丝导流层3由高强度(每厘米抗拉强度不低于50N)合成纤维编织布32和集束铜丝31以一上一下相间交织形成的组织结构。集束铜丝为铜丝的正规绞合结构，中心层的单线为3根，从中心层向外每层的单线根数递增6根，相邻层的绞向相反。

半导电轻弹缓带2的规格为1.0mm×100mm，集束铜丝导流层3的规格为0.5mm×55mm，绕包的最大间隙率不大于5％。

集束铜丝导流层3中的集束铜丝可有效地实现皱纹铝护套层4与半导电轻弹缓带2的电气联接，消除悬浮电位差。

皱纹铝护套层4使用的铝带的标称厚度3.3mm，宽度为500mm，轧纹节距25～40mm，深度6～7mm。

外护套层5为非金属护层，具有无卤、阻燃、阻水、防鼠、防蚁、防腐蚀、耐紫外线的特性；外护套层5的标称厚度为5.5mm，最薄点为4.95mm。

外半导电层6为半导电料材料，标称厚度为0.2mm。

半导电轻弹缓层2可以为线芯1提供良好的物理和化学性能保护，防止线芯1受热膨胀而发生机械性损伤；集束铜丝导流层3可以消除皱纹铝护套4与绝缘屏蔽层之间的悬浮电位差，阻绝因放电引发烧蚀现象和局部放电试验时局放量虚大的问题，解决了电缆受到烧蚀性破坏使其寿命缩短的问题。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“相连”等术语均应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或一体连接；可以使直接连接，也可以通过中间媒介间接连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

以上所述的实施例仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。

Claims (10)

1.一种超高压电力电缆，其特征在于，包括由一根线芯（1），所述线芯（1）外设有半导电轻弹缓带（2）和集束铜丝导流层（3），在所述集束铜丝导流层（3）外包裹焊接皱纹铝护套层并轧纹，所述皱纹铝护套层（4）外挤包外护套层（5）和外半导电层（6）；所述半导电轻弹缓带（2）为半导电三元乙丙橡胶层；集束铜丝导流层（3）由高强度合成纤维编织布（32）和集束铜丝（31）以纵横交错的形式编织而成的组织结构；所述集束铜丝为铜丝的绞合结构；所述半导电轻弹缓带（2）的规格为1.0mm×100mm，集束铜丝导流层（3）的规格为0.5mm×55mm，绕包的间隙率≤5%。

2.根据权利要求1所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述集束铜丝导流层（3）由高强度合成纤维编织布（32）和集束铜丝（31）一上一下相间交织形成的组织结构。

3.根据权利要求1所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，集束铜丝导流层（3）为铜丝的正规绞合结构，中心层的单线为3根，从中心层向外每层的单线根数递增6根，相邻层的绞向相反。

4.根据权利要求1所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述皱纹铝护套层（4）使用的铝带的标称厚度3.3mm，宽度为500mm，轧纹节距25～40mm，深度6～7mm。

5.根据权利要求1所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述线芯（1）包括导体芯（11）,导体芯（11）外绕包半导电带（12），半导电带（12）外依次设置有共挤而成的导体屏蔽层（13）、绝缘层（14）和绝缘屏蔽层（15）。

6.根据权利要求5所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述导体芯（11）由三百二十三根铜单线绞合而成，节径比为10-25，由5个扇形分割块和1个圆形紧压导体构成，相邻层的绞向相反。

7.根据权利要求5所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述导体屏蔽层（13）和绝缘屏蔽层（15）均为半导电屏蔽材料。

8.根据权利要求5所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述绝缘层（14）为交联聚乙烯材料，标称厚度为24.0mm。

9.根据权利要求1所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述外护套层（5）为非金属材料，外护套层（5）的标称厚度为5.5mm。

10.根据权利要求1所述的一种超高压电力电缆，其特征在于，所述外半导电层（6）为挤出半导电层或涂覆石墨的半导电层，标称厚度为0.2mm。

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