CN217895796U

CN217895796U - 半导体工艺腔室

Info

Publication number: CN217895796U
Application number: CN202222001734.4U
Authority: CN
Inventors: 胡启超
Original assignee: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Current assignee: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date: 2022-07-26
Filing date: 2022-07-26
Publication date: 2022-11-25
Anticipated expiration: 2032-07-26

Abstract

本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在腔体中的内衬、预热环、托盘、托盘支撑件、多个第一定位件和多个第二定位件，内衬的内壁上形成有环形凸台，预热环环绕托盘设置在环形凸台上，多个第一定位件设置在预热环的底部与环形凸台的顶部之间且沿周向分布，第一定位件固定设置在预热环和环形凸台中的一者上，且能够相对于另一者沿径向移动；多个第二定位件设置在托盘的底部与托盘支撑件的顶部之间且沿周向分布，第二定位件固定设置在托盘与托盘支撑件中的一者上，且能够相对于另一者沿径向移动。本实用新型提供的半导体工艺腔室能够保持预热环以及托盘的中心位置不变，保证晶圆外延层膜厚的均匀性。

Description

半导体工艺腔室

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术

化学气相沉积硅外延设备是一种利用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)技术在硅基等材质的晶圆表面生长硅薄膜的工艺。硅外延的一般实现方式为：控制工艺气体流过被加热的晶圆，反应物在晶圆表面发生化学反应生成硅单质，进而在晶圆表面形成一层硅单质薄膜。

化学气相沉积外延过程需要一个封闭的腔室，用以约束工艺气体。化学气相沉积反应所需的热量通常通过两种方式提供，一种是灯管照射，另一种是电磁加热。在灯管照射的加热方案中，加热灯位于封闭腔室外侧，其发射出的红外光通过透明的腔室壁照射到硅片以及承载硅片的托盘上，直接和间接地加热硅片，单片式的硅外延设备通常采用这种方式加热。

如图1、图2所示为一种现有的化学气相沉积腔室中工艺气体流动并与晶圆发生反应的原理示意图，该腔室结构主要包括内衬100、预热环200、托盘300和托盘支撑件400，托盘300用于承载晶圆，内衬100的内壁上形成有环形凸台110，预热环200环绕托盘300设置在环形凸台110上，托盘支撑件400用于支撑托盘300并驱动托盘300带动晶圆旋转。工艺气体由左至右(图2中的左右方向)流过预热环200及托盘300的上方，并与托盘300上承载的晶圆发生反应形成外延层。

托盘300与预热环200之间形成有第一间隙a1，第一间隙a1沿周向是否均匀决定了外延层膜厚的均匀性，预热环200与内衬100的内壁表面之间形成有第二间隙a2，第二间隙a2可以防止预热环200在高温工艺过程中受热膨胀后引发的安全问题。

然而，在现有的化学气相沉积腔室中，由于工艺过程中的高温环境易导致预热环和托盘发生受热膨胀，进而导致第一间隙a1与第二间隙a2常在生产过程中发生变化，严重影响了晶圆外延层的膜厚均匀性。因此，如何提供一种能够提高晶圆外延层的膜厚均匀性的半导体工艺腔室，成为本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种半导体工艺腔室，该半导体工艺腔室能够保持预热环以及托盘的中心位置不变，保证晶圆外延层膜厚的均匀性。

为实现上述目的，本实用新型提供一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的内衬、预热环、托盘和托盘支撑件，其中，所述托盘用于承载晶圆，所述内衬的内壁上形成有环形凸台，所述预热环环绕所述托盘设置在所述环形凸台上，所述半导体工艺腔室还包括多个第一定位件和多个第二定位件，多个所述第一定位件设置在所述预热环的底部与所述环形凸台的顶部之间且沿所述预热环的周向分布，所述第一定位件固定设置在所述预热环和所述环形凸台中的一者上，并与另一者活动连接，且能够相对于与其活动连接的部件沿所述预热环的径向移动；

多个所述第二定位件设置在所述托盘的底部与所述托盘支撑件的顶部之间且沿所述托盘的周向分布，所述第二定位件固定设置在所述托盘与所述托盘支撑件中的一者上，并与另一者活动连接，且能够相对于与其活动连接的部件沿所述托盘的径向移动。

可选地，所述第一定位件包括相互连接的第一定位部和第一安装部，所述预热环的底部与所述环形凸台的顶部中的一者上具有多个第一定位槽，且所述第一定位槽沿所述预热环的径向延伸，所述第一安装部固定设置在所述预热环的底部与所述环形凸台的顶部中的另一者上，所述第一定位部一一对应地插入多个所述第一定位槽中，且所述第一定位部能够在所述第一定位槽中沿径向移动。

可选地，所述第二定位件包括相互连接的第二定位部和第二安装部，所述托盘的底部与所述托盘支撑件的顶部中的一者上具有多个第二定位槽，且所述第二定位槽沿所述预热环的径向延伸，所述第二安装部固定设置在所述托盘的底部与所述托盘支撑件的顶部中的另一者上，所述第二定位部一一对应地插入多个所述第二定位槽中，且所述第二定位部能够在所述第二定位槽中沿径向移动。

可选地，所述第一定位槽形成在所述预热环的底部，所述第一定位部的顶部具有第一弧形面，所述第一定位槽的底部具有第二弧形面，所述第一弧形面的半径小于所述第二弧形面的半径，且所述第一弧形面与所述第二弧形面接触。

可选地，所述第二定位槽形成在所述托盘的底部，所述第二定位部的顶部具有第三弧形面，所述第二定位槽的底部具有第四弧形面，所述第三弧形面的半径小于所述第四弧形面的半径，且所述第三弧形面与所述第四弧形面接触。

可选地，所述第一弧形面与所述第二弧形面之间的摩擦系数小于tan(ArcSin(0.1/R1))，其中，R1为所述第二弧形面的半径，d1为所述预热环的偏移量。

可选地，所述第三弧形面与所述第四弧形面之间的摩擦系数小于tan(ArcSin(0.1/R2))，其中，R2为所述第四弧形面的半径，d2位所述托盘的偏移量。

可选地，所述环形凸台的顶部形成有多个第一安装槽，所述第一安装部一一对应地插入多个所述第一安装槽中，所述第一安装部的横截面形状为非圆形，所述第一安装槽的形状与所述第一安装部的形状相匹配。

可选地，所述托盘支撑件的顶部形成有多个第二安装槽，所述第二安装部一一对应地插入多个所述第二安装槽中，所述第二安装部的横截面形状为非圆形，所述第二安装槽的形状与所述第二安装部的形状相匹配。

可选地，所述第一定位件的数量为三个，相邻两个所述第一定位件的之间的夹角为120度；所述第二定位件的数量为三个，相邻两个所述第二定位件的之间的夹角为120度。

在本实用新型提供的半导体工艺腔室中，预热环的底部与环形凸台的顶部之间设置有沿周向分布的多个第一定位件，且第一定位件与预热环和环形凸台中的一者固定连接，且能够相对于另一者沿径向相对运动，从而在预热环受热膨胀或冷却收缩时，多个第一定位件能够保持自身与预热环及环形凸台之间的周向位置不变，进而保持预热环的中心位置相对于腔体不变；同理，托盘的底部与托盘支撑件的顶部之间设置有沿周向分布的多个第二定位件，从而在托盘受热膨胀或冷却收缩时，多个第二定位件也能够保持托盘的中心位置相对于托盘支撑件(即相对于腔体)保持不变，进而保证了托盘与预热环之间的间隙以及预热环与内衬之间的间隙沿周向的均匀性，优化了晶圆外延层膜厚的均匀性。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是一种现有的化学气相沉积腔室中工艺气体流动并与晶圆发生反应的原理示意图；

图2是图1中结构的俯视示意图；

图3是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备的部分结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备的部分结构的俯视结构示意图；

图5是图4中结构沿图4中剖面的剖视图；

图6是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备中第一定位件沿径向的横截面示意图；

图7是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备中第一定位件沿切向的横截面示意图；

图8是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备的部分结构的俯视结构示意图；

图9是图8中结构的A-A向剖视图；

图10是图8中结构的B-B向剖视图；

图11是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备的部分结构的俯视结构示意图；

图12是图11中结构的A-A向剖视图；

图13是图11中结构的B-B向剖视图；

图14是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备的部分结构的俯视结构示意图；

图15是图14中结构的A-A向剖视图；

图16是图14中结构的B-B向剖视图；

图17是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备的部分结构的俯视结构示意图；

图18是图17中结构的A-A向剖视图；

图19是图17中结构的B-B向剖视图；

图20是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备中第二定位件沿径向的横截面示意图；

图21是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备中第二定位件沿切向的横截面示意图；

图22是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备中第一定位件与第二弧形面之间或者第二定位件与第四弧形面之间的一种接触关系的示意图；

图23是图22中结构之间的受力分析示意图。

图24是本实用新型实施例提供的半导体工艺设备中第一定位件与第二弧形面之间或者第二定位件与第四弧形面之间的另一种接触关系的示意图；

图25是图24中结构之间的受力分析示意图。

附图标记说明：

a1：第一间隙 a2：第二间隙

100：内衬 110：环形凸台

112：第一安装槽 120：第一定位件

121：第一定位部 1211：第一接触部

1212：第一连接部 122：第一安装部

110：环形凸台 112：第一安装槽

200：预热环 210：第一定位槽

300：托盘 310：第二定位槽

400：托盘支撑件 420：第二定位件

421：第二定位部 4211：第二接触部

4212：第二连接部 422：第二安装部

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体工艺腔室，如图3所示，该半导体工艺腔室包括腔体(图中未示出)和设置在腔体中的内衬100、预热环200、托盘300和托盘支撑件400，其中，托盘300用于承载晶圆，内衬100的内壁上形成有环形凸台110，预热环200环绕托盘300设置在环形凸台110上。该半导体工艺腔室还包括多个第一定位件120和多个第二定位件420，多个第一定位件120设置在预热环200的底部与环形凸台110的顶部之间且沿预热环200的周向分布，第一定位件120固定设置在预热环200和环形凸台110中的一者上，并与另一者活动连接，且能够相对于与其活动连接的部件沿预热环200的径向移动(图中所示为第一定位件120固定设置在环形凸台110上的情况)；

多个第二定位件420设置在托盘300的底部与托盘支撑件400的顶部之间且沿托盘300的周向分布，第二定位件420固定设置在托盘300与托盘支撑件400中的一者上，并与另一者活动连接，且能够相对于与其活动连接的部件沿托盘300的径向移动(图中所示为第二定位件420固定设置在托盘支撑件400上的情况)。

如图1所示，在现有方案中，预热环200只是简单放置在内衬100的环形凸台110上，预热环200在受热膨胀后发生偏移，冷却后也无法回到原位，引起第一间隙a1与第二间隙a2发生变化，进而导致晶圆外延层的膜厚均匀性变差。

而在本实用新型提供的半导体工艺腔室中，预热环200的底部与环形凸台110的顶部之间设置有沿周向分布的多个第一定位件120，且第一定位件120与预热环200和环形凸台110中的一者固定连接，且能够相对于另一者沿径向相对运动，从而在预热环200受热膨胀或冷却收缩时，多个第一定位件120能够保持自身与预热环200及环形凸台110之间的周向位置不变，进而保持预热环200的中心位置相对于腔体不变；同理，托盘300的底部与托盘支撑件400的顶部之间设置有沿周向分布的多个第二定位件420，从而在托盘300受热膨胀或冷却收缩时，多个第二定位件420也能够保持托盘300的中心位置相对于托盘支撑件400(即相对于腔体)保持不变，进而保证了第一间隙a1与第二间隙a2沿周向的均匀性，优化了晶圆外延层膜厚的均匀性。

可选地，托盘支撑件400除用于通过多个第二定位部401支撑托盘300外，还用于驱动托盘300带动其上承载的晶圆旋转。

作为本实用新型的一种可选实施方式，第一定位件120和第二定位件420具体可以通过与条形孔配合的方式实现活动连接，具体地，如图6至图7所示，第一定位件120包括相互连接的第一定位部121和第一安装部122。如图11至图13所示，预热环200的底部与环形凸台110的顶部中的一者上形成有多个第一定位槽210，且第一定位槽210沿预热环200的径向延伸。如图14至图16所示，第一安装部122固定设置在预热环200的底部与环形凸台110的顶部中的另一者上，第一定位件120一一对应地插入多个第一定位槽210中，且第一定位件120能够在第一定位槽210中沿径向移动；

同样地，如图20至图21所示，第二定位件420包括相互连接的第二定位部421和第二安装部422。如图17至图19所示，托盘300的底部与托盘支撑件400的顶部中的一者上形成有多个第二定位槽310，第二定位槽310沿托盘300的径向延伸。如图3所示，第二安装部422固定设置在托盘300的底部与托盘支撑件400的顶部中的另一者上，第二定位部421一一对应地插入多个第二定位槽310中，且第二定位件420能够在第二定位槽310中沿径向移动。

在本实用新型实施例中，预热环200的底部与环形凸台110的顶部中的一者上形成有沿预热环200的周向分布的多个第一定位槽210，多个第一定位件120的第一定位件120一一对应地插入多个第一定位槽210中，且能够在第一定位槽210中沿径向移动，从而在预热环200受热膨胀或冷却缩小时，多个第一定位件120能够保持在多个第一定位槽210中，进而保持预热环200的中心位置不变。同样地，在托盘300受热膨胀或冷却缩小时，多个第二定位件420也能够保持在多个第二定位槽310中，使托盘300的中心位置保持不变，进而保证了第一间隙a1与第二间隙a2沿周向的均匀性。

为进一步保证预热环200中心位置的稳定性，作为本实用新型的一种优选实施方式，第一定位槽210形成在预热环200的底部，如图6所示，第一定位部121的顶部具有第一弧形面，如图12所示，第一定位槽210的底部具有第二弧形面，第一弧形面和第二弧形面的母线均沿预热环200的径向延伸，第一弧形面的半径小于第二弧形面的半径，且第一弧形面与第二弧形面接触，第一安装部122的横截面形状为非圆形。

如图22所示为理想状态下第一定位部121顶部的第一弧形面与第一定位槽210底部的第二弧形面之间的接触关系，如图23所示，在理想状态下第一弧形面与第二弧形面之间的摩擦系数为零，因此第一定位部121与第一定位槽210之间不存在水平方向的相互作用力，预热环200的重力G分散在各个第一定位部121上，使每个第一定位部121均通过最顶端与第二弧形面的最深处接触。

当预热环200发生偏移时，如图24、图25所示，预热环200通过第二弧形面向第一定位部121施加的重力G可分解为沿弧面切向的滑动力G’和沿径向的向心力N，同时二者之间产生摩擦力f，因此，仅当摩擦力f小于滑动力G’时，第一定位部121与第二弧形面之间才会发生相对滑动，使第一弧形面与第二弧形面恢复至图22所示情况。在理想状态下，第一弧形面与第二弧形面之间的摩擦系数为零，即f＝0，因此第一定位部121与第二弧形面之间能够滑动至重力G无切向分力(即图22所示情况)。

然而，第一定位部121与第二弧形面无法做到绝对光滑，为降低装置制作成本，作为本实用新型的一种优选实施方式，可根据工艺允许的偏移量确定第一弧形面与第二弧形面之间的摩擦系数的取值范围，具体地：

根据摩擦力公式f＝μF_N(压力F_N即为本实用新型中的径向分力N，μ即为第一弧形面与第二弧形面之间的摩擦系数)可得，摩擦力f＝μGcosθ；

而滑动力G’＝Gsinθ，摩擦力f＜滑动力G’时预热环200能够在发生位移后自动回到原位，即，μGcosθ＜Gsinθ，最终可推导出摩擦系数μ＜tanθ；

而角度θ与预热环的偏移量d1之间的关系式为R1sinθ＝d1(R1为第二弧形面的半径)，设允许偏移量d1的最大值为d1max，则有R1sinθ＜d1max，从而有Sinθ＜d1max/R1，进而有θ＜ArcSin(d1/R1)；

将该式带入μ＜tanθ，即可得到摩擦系数μ＜tan(ArcSin(d1max/R1))。

作为本实用新型的一种可选实施方式，允许预热环200偏移量的最大值为0.1mm，则第一定位部121的第一弧形面与第二弧形面之间的摩擦系数小于tan(ArcSin(0.1/R1))。

为进一步保证预热环200中心位置的稳定性，作为本实用新型的一种优选实施方式，第二定位槽310形成在托盘300的底部，如图20所示，第二定位部421的顶部具有第三弧形面，如图18所示，第二定位槽310的底部具有第四弧形面，第三弧形面和第四弧形面的母线均沿托盘300的径向延伸，第三弧形面的半径小于第四弧形面的半径，且第三弧形面与第四弧形面接触，第二安装部422的横截面形状为非圆形。

如图22所示为理想状态下第二定位部421顶部的第三弧形面与第二定位槽310底部的第四弧形面之间的接触关系，如图23所示，在理想状态下第三弧形面与第四弧形面之间的摩擦系数为零，因此第二定位部421与第二定位槽310之间不存在水平方向的相互作用力，托盘300的重力G分散在各个第二定位部421上，使每个第二定位部421均通过最顶端与第四弧形面的最深处接触。

当托盘300发生偏移时，如图24、图25所示，托盘300通过第四弧形面向第二定位部421施加的重力G可分解为沿弧面切向的滑动力G’和沿径向的向心力N，同时二者之间产生摩擦力f，因此，仅当摩擦力f小于滑动力G’时，第二定位部421与第四弧形面之间才会发生相对滑动，使第三弧形面与第四弧形面恢复至图22所示情况。在理想状态下，第三弧形面与第四弧形面之间的摩擦系数为零，即f＝0，因此第二定位部421与第四弧形面之间能够滑动至重力G无切向分力(即图22所示情况)。

然而，第二定位部421与第四弧形面无法做到绝对光滑，为降低装置制作成本，作为本实用新型的一种优选实施方式，可根据工艺允许的偏移量确定第三弧形面与第四弧形面之间的摩擦系数的取值范围，具体地：

根据摩擦力公式f＝μF_N(压力F_N即为本实用新型中的径向分力N，μ即为第三弧形面与第四弧形面之间的摩擦系数)可得，摩擦力f＝μGcosθ；

而滑动力G’＝Gsinθ，摩擦力f＜滑动力G’时托盘300能够在发生位移后自动回到原位，即，μGcosθ＜Gsinθ，最终可推导出摩擦系数μ＜tanθ；

而角度θ与托盘偏移量d2之间的关系式为R2sinθ＝d2(R2为第四弧形面的半径)，设允许偏移量d的最大值为dmax，则有R2sinθ＜dmax，从而有Sinθ＜dmax/R2，进而有θ＜ArcSin(d2/R2)；

将该式带入μ＜tanθ，即可得到摩擦系数μ＜tan(ArcSin(d2max/R2))。

作为本实用新型的一种可选实施方式，允许托盘300偏移量的最大值为0.1mm，则第二定位部421的第三弧形面与托盘300的第四弧形面之间的摩擦系数小于tan(ArcSin(0.1/R2))。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图7所示，第一安装部121包括相互连接的第一接触部1211和第一连接部1212，第一弧形面形成在第一接触部1211上，第一弧形面延伸至第一接触部1211的底部并与第一连接部1212过渡连接，第一连接部1212的横截面面积大于第一安装部122的横截面面积；

如图21所示，第二安装部421包括相互连接的第二接触部4211和第二连接部4212，第三弧形面形成在第二接触部4211上，第三弧形面延伸至第二接触部4211的底部并与第二连接部4212过渡连接，第二连接部4212的横截面面积大于第二安装部422的横截面面积。

作为本实用新型的一种优选实施方式，第一安装部122以及第二安装部422均与对应部件可拆卸地固定连接，具体地，如图4、图5所示，环形凸台110的顶部形成有多个第一安装槽112，第一安装部122一一对应地插入多个第一安装槽112中，第一安装部122的横截面形状为非圆形，第一安装槽112的横截面形状与第一安装部122的横截面形状对应；

同样地，托盘支撑件400的顶部形成有多个第二安装槽，第二安装部422一一对应地插入多个所述第二安装槽中，第二安装部422的横截面形状为非圆形，第二安装槽的横截面形状与第二安装部422的横截面形状对应。

在本实用新型实施例中，第一安装部122与环形凸台110可拆卸地固定连接，第二安装部422与托盘支撑件400可拆卸地固定连接，从而当第一定位件120与环形凸台110顶面的相连处堆积有颗粒等形式的反应副产物时，可将第一定位件120拆下，并分别清洗内衬100与第一定位件120，提高了内衬100的清洁效果。同样地，当第二定位件420与托盘支撑件400顶部的相连处堆积有颗粒等形式的反应副产物时，可将第二定位件420拆下，并分别清洗托盘支撑件400与第二定位件420。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图6、图7所示，第一安装部122的横截面形状为矩形。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图20、图21所示，第二安装部422的横截面形状为矩形。

作为本实用新型的一种可选实施方式，如图3所示，托盘支撑件410包括周向均匀分布的多根手指，每根手指的顶端形成有一个第二安装槽。

可选地，托盘支撑件410包括三根手指。环形凸台110上形成有三个第一安装槽112。

可选地，本实用新型提供的半导体工艺腔室中，第一定位件120和第二定位件420的数量均为三个，相应的第一定位槽210、第一安装槽112、第二定位槽310、第二安装槽均为三个，且相邻两个定位件(120、420)之间的夹角为120度，可以沿托盘或预热环的周向成三角形分布，当预热环或者托盘偏向某一方向时，对应的三个定位件可以协同限制预热环或托盘的偏移，且定位件的顶面与定位槽的底部具有相匹配的弧面，在预热环或托盘偏移后，可以在重力作用下回归原位，这样可以保证托盘和预热环具有较好的同心性。

在本实用新型提供的半导体工艺腔室中，预热环200的底部形成有沿预热环200的周向分布的多个第一定位槽210，环形凸台110的顶部具有多个第一定位部121，多个第一定位部121一一对应地进入多个第一定位槽210中，且能够在第一定位槽210中沿径向移动，从而在预热环200受热膨胀或冷却缩小时，多个第一定位部121能够保持在多个第一定位槽210中，保持预热环200的中心位置不变，同理，在托盘300受热膨胀或冷却缩小时，多个第二定位部421也能够保持在多个第二定位槽310中，使托盘300的中心位置保持不变，进而保证了第一间隙a1与第二间隙a2沿周向的均匀性，优化了晶圆外延层膜厚的均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种半导体工艺腔室，包括腔体和设置在所述腔体中的内衬、预热环、托盘和托盘支撑件，其中，所述托盘用于承载晶圆，所述内衬的内壁上形成有环形凸台，所述预热环环绕所述托盘设置在所述环形凸台上，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括多个第一定位件和多个第二定位件，多个所述第一定位件设置在所述预热环的底部与所述环形凸台的顶部之间且沿所述预热环的周向分布，所述第一定位件固定设置在所述预热环和所述环形凸台中的一者上，并与另一者活动连接，且能够相对于与其活动连接的部件沿所述预热环的径向移动；

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一定位件包括相互连接的第一定位部和第一安装部，所述预热环的底部与所述环形凸台的顶部中的一者上具有多个第一定位槽，且所述第一定位槽沿所述预热环的径向延伸，所述第一安装部固定设置在所述预热环的底部与所述环形凸台的顶部中的另一者上，所述第一定位部一一对应地插入多个所述第一定位槽中，且所述第一定位部能够在所述第一定位槽中沿径向移动。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二定位件包括相互连接的第二定位部和第二安装部，所述托盘的底部与所述托盘支撑件的顶部中的一者上具有多个第二定位槽，且所述第二定位槽沿所述预热环的径向延伸，所述第二安装部固定设置在所述托盘的底部与所述托盘支撑件的顶部中的另一者上，所述第二定位部一一对应地插入多个所述第二定位槽中，且所述第二定位部能够在所述第二定位槽中沿径向移动。

4.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一定位槽形成在所述预热环的底部，所述第一定位部的顶部具有第一弧形面，所述第一定位槽的底部具有第二弧形面，所述第一弧形面的半径小于所述第二弧形面的半径，且所述第一弧形面与所述第二弧形面接触。

5.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二定位槽形成在所述托盘的底部，所述第二定位部的顶部具有第三弧形面，所述第二定位槽的底部具有第四弧形面，所述第三弧形面的半径小于所述第四弧形面的半径，且所述第三弧形面与所述第四弧形面接触。

6.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一弧形面与所述第二弧形面之间的摩擦系数小于tan(ArcSin(d1/R1))，其中，R1为所述第二弧形面的半径，d1为所述预热环的偏移量。

7.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第三弧形面与所述第四弧形面之间的摩擦系数小于tan(ArcSin(d2/R2))，其中，R2为所述第四弧形面的半径，d2位所述托盘的偏移量。

8.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述环形凸台的顶部形成有多个第一安装槽，所述第一安装部一一对应地插入多个所述第一安装槽中，所述第一安装部的横截面形状为非圆形，所述第一安装槽的形状与所述第一安装部的形状相匹配。

9.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述托盘支撑件的顶部形成有多个第二安装槽，所述第二安装部一一对应地插入多个所述第二安装槽中，所述第二安装部的横截面形状为非圆形，所述第二安装槽的形状与所述第二安装部的形状相匹配。

10.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一定位件的数量为三个，相邻两个所述第一定位件的之间的夹角为120度；所述第二定位件的数量为三个，相邻两个所述第二定位件的之间的夹角为120度。