CN217693709U - Mems扬声器 - Google Patents

Mems扬声器 Download PDF

Info

Publication number
CN217693709U
CN217693709U CN202221548281.0U CN202221548281U CN217693709U CN 217693709 U CN217693709 U CN 217693709U CN 202221548281 U CN202221548281 U CN 202221548281U CN 217693709 U CN217693709 U CN 217693709U
Authority
CN
China
Prior art keywords
section
cavity
cantilever beam
piezoelectric
mems
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202221548281.0U
Other languages
English (en)
Inventor
但强
沈宇
周一苇
李杨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ruisheng Kaitai Technology Wuhan Co ltd
AAC Technologies Holdings Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Ruisheng Kaitai Technology Wuhan Co ltd
AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ruisheng Kaitai Technology Wuhan Co ltd, AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd filed Critical Ruisheng Kaitai Technology Wuhan Co ltd
Priority to CN202221548281.0U priority Critical patent/CN217693709U/zh
Priority to PCT/CN2022/108314 priority patent/WO2023245806A1/zh
Priority to US17/969,668 priority patent/US20230412988A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN217693709U publication Critical patent/CN217693709U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04—Plane diaphragms
    • H04R7/06—Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers
    • H04R7/10—Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers comprising superposed layers in contact

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种MEMS扬声器，其包括围成空腔且两端开口的基底、由基底的一端向空腔延伸并至少部分悬置于空腔上方的悬臂梁、固定于悬臂梁远离空腔一侧的压电驱动器以及设置于压电驱动器远离空腔一侧的聚合物层；悬臂梁与包括固定于基底的第一段、由第一段向空腔延伸并悬置于空腔上方的第二段以及由第二段向远离第一段的方向延伸的第三段，压电驱动器仅固定于第三段，第三段远离第二段的一端悬空；聚合物层完全覆盖悬臂梁、压电驱动器以及空腔并贴合于悬臂梁和压电驱动器，聚合物层、悬臂梁以及压电驱动器共同形成用于振动发声的压电复合振动膜结构。与相关技术相比，采用本实用新型的MEMS扬声器的中高频段的声压级高。

Description

MEMS扬声器
【技术领域】
本实用新型涉及电声转换领域，尤其涉及一种运用于便携式移动电子产品的MEMS扬声器。
【背景技术】
MEMS扬声器广泛运用于便携式移动电子产品中，比如手机，实现将音频信号转化为声音播放，便携式移动电子产品的小型化驱使MEMS扬声器的小型化越来越广泛。MEMS扬声器的声压级(SPL)为声学性能中的重要指标。
相关技术的MEMS扬声器，其包括围成空腔且两端开口的基底、由所述基底的一端向所述空腔弯折延伸的悬臂梁、固定于所述悬臂梁远离所述空腔一侧的压电驱动器以及弹性连接件；所述悬臂梁与其延伸方向正对的所述基底间隔设置，并通过所述弹性连接件将所述悬臂梁与其延伸方向正对的所述基底连接，所述弹性连接件、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成用于振动发声的压电复合振动膜结构。其中，所述压电驱动器覆盖整个悬臂梁(至少包含悬臂梁固定于所述基底的一端)。
然而，相关技术的MEMS扬声器因为小型化使得所述压电复合振动膜结构的发声面积小，很难获得高的声压级(SPL)，并且小型化的MEMS扬声器的谐振频率(f0)较高。小型化的MEMS扬声器在高的谐振频率(f0)的谐振状态下，所述压电复合振动膜结构的振动振幅小。因此，在外围设计尺寸不变的情况下，如何在中高频段增大所述压电复合振动膜结构的发声面积，并使得所述压电复合振动膜结构的振动振幅变大，从而提高MEMS扬声器的声压级(SPL)是一个需要解决的技术问题。
因此，有必要提供一种新的MEMS扬声器解决上述技术问题。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种中高频段的声压级高的MEMS扬声器。
为了达到上述目的，本实用新型实施例提供了一种MEMS扬声器，其包括围成空腔且两端开口的基底、由所述基底的一端向所述空腔延伸并至少部分悬置于所述空腔上方的悬臂梁以及固定于所述悬臂梁远离所述空腔一侧的压电驱动器；所述悬臂梁包括固定于所述基底的第一段、由所述第一段向所述空腔延伸并悬置于所述空腔上方的第二段以及由所述第二段向远离所述第一段的方向延伸的第三段，所述压电驱动器仅固定于所述第三段，所述第三段远离所述第二段的一端悬空；所述MEMS扬声器还包括设置于所述压电驱动器远离所述空腔一侧的聚合物层，所述聚合物层完全覆盖所述悬臂梁、所述压电驱动器以及所述空腔并贴合于所述悬臂梁和所述压电驱动器，所述聚合物层、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成用于振动发声的压电复合振动膜结构。
优选的，所述MEMS扬声器还包括介质层，所述介质层夹设于所述第一段与所述基底之间，所述介质层与所述基底的材质不同。。
优选的，所述压电驱动器包括沿所述MEMS扬声器的厚度方向在所述第三段上依次叠设的第一电极、压电层和第二电极；所述压电驱动器沿所述MEMS扬声器的厚度方向的投影仅覆盖所述第三段。
优选的，所述第二段连接于所述第三段连接处的截面面积小于所述第三段在该连接处的截面面积，在所述悬臂梁的延伸方向上，所述第二段的不同位置处的截面面积相等，所述第三段的截面面积逐渐减小。
优选的，所述悬臂梁包括多个且相互间隔，相邻两个所述悬臂梁之间形成第一结构缝隙，所述压电驱动器包括多个，每一所述压电驱动器固定于其中一个所述悬臂梁上；多个所述悬臂梁各自的所述第三段相互靠近的一端相互间隔设置并共同围成第二结构缝隙，所述第一结构缝隙与所述第二结构缝隙连通且共同形成结构缝隙，所述第二结构缝隙位于所述空腔的中央区域，所述结构缝隙与所述空腔连通。
优选的，所述第一结构缝隙形成于相邻两个所述悬臂梁的所述第三段之间。
优选的，所述MEMS扬声器还包括质量块，所述质量块收容于所述第二结构缝隙并连接于所述聚合物层或所述悬臂梁，所述质量块、所述聚合物层、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成所述压电复合振动膜结构。
优选的，所述MEMS扬声器还包括弹性连接件，所述弹性连接件收容于所述第二结构缝隙，每一所述悬臂梁的所述第三段远离所述第一段的一端均通过所述弹性连接件连接于所述质量块。
优选的，所述质量块远离所述空腔的一侧固定于所述聚合物层，所述质量块与所述第三段间隔设置。
优选的，所述质量块的高度可调且至少部分延伸至所述空腔中。
与相关技术相比，本实用新型提供的MEMS扬声器将所述悬臂梁设置为依次延伸的所述第一段、所述第二段和所述第三段，并所述压电驱动器仅固定于所述第三段。由于所述第三段与固定于所述基底的所述第一段之间相隔所述第二段，第二段悬置于空腔上方，所述第三段远离所述第二段的一端悬空，当所述压电驱动器通电时驱动第三段振动从而带动第二段振动，所述聚合物层、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成用于振动发声的压电复合振动结构，从而使得MEMS扬声器的发声面积大。中高频段响应优异，提高了MEMS扬声器的声压级(SPL)。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本实用新型第一实施例的MEMS扬声器的结构示意图；
图2为本实用新型第一实施例的MEMS扬声器的部分立体结构分解示意图；
图3为沿图1中A-A线的剖示图；
图4本实用新型第一实施例的MEMS扬声器的声压级与频率关系曲线图；
图5为本实用新型第二实施例的MEMS扬声器的结构示意图；
图6为本实用新型第二实施例的MEMS扬声器的部分立体结构分解示意图；
图7为沿图5中B-B线的剖示图；
图8为本实用新型第三实施例的MEMS扬声器的结构示意图；
图9为本实用新型第三实施例的MEMS扬声器的部分立体结构分解示意图；
图10为沿图8中B-B线的剖示图；
图11为本实用新型第四实施例的MEMS扬声器的部分立体结构分解示意图；
图12为本实用新型第五实施例的MEMS扬声器的剖示图。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
(第一实施例)
本实用新型提供了一种MEMS扬声器100。请同时参阅图1-3，图1为本实用新型第一实施例的MEMS扬声器100的结构示意图。
所述MEMS扬声器100包括基底1、悬臂梁2、压电驱动器3以及聚合物层4。
所述基底1围成空腔10且两端开口。本第一实施例中，所述基底1呈矩形。所述基底1为硅基底。但本公开的基底1不局限于实施例的举例，还可以是SOI基片或者其他基片。
所述悬臂梁2由所述基底1的一端向所述空腔10延伸并至少部分悬置于所述空腔10上方。具体的，所述悬臂梁2包括固定于所述基底1的第一段21、由所述第一段21向所述空腔10延伸并悬置于所述空腔10上方的第二段22以及由所述第二段22向远离所述第一段21的方向延伸的第三段23。
本第一实施例中，所述悬臂梁2为一个。所述悬臂梁2远离所述基底1的一端悬置于所述空腔10上方。具体的，所述第三段23远离所述第二段22的一端悬置于所述空腔10上方。
所述压电驱动器3包括沿所述MEMS扬声器的厚度方向在所述第三段23上依次叠设的第一电极、压电层和第二电极。所述压电驱动器3沿所述MEMS扬声器100的厚度方向的投影仅覆盖所述第三段23。所述压电驱动器3仅固定于所述悬臂梁2远离所述空腔10一侧。具体的，所述压电驱动器3仅固定于所述第三段23。由于所述压电驱动器3设置在所述第三段23，该位置距离固定于所述基底1的所述第一段21较远，中间隔着所述第二段22，而且所述第三段23悬空，因此该结构在所述压电驱动器3通电时驱动所述第三段23振动从而带动所述第二段22振动，所述第三段23振动幅度较大。相对于相关技术的MEMS扬声器，相关技术的MEMS扬声器将压电驱动器同时固定于所述第一段21、所述第二段22以及所述第三段23，相对于相关技术的压电驱动器通电振动时，其振动幅度较小。所述压电驱动器3和所述悬臂梁2形成的振膜振动幅度大，从而使得在中高频段提高了所述MEMS扬声器100的声压级(SPL)。
请参阅图3，所述第二段22的长度为LA，所述第三段23的长度为LB。通过比率Ratio进行说明，其中，Ratio＝LB/(LA+LB)。
请参阅图4，图4本实用新型第一实施例的MEMS扬声器100的声压级与频率关系曲线图。
相关技术的MEMS扬声器的曲线为W1。
W1为比率Ratio为1.0的曲线。
所述MEMS扬声器100的曲线为W2和W3。
W2为比率Ratio为0.9的曲线。W1为比率Ratio为0.5的曲线。
由图4可得：
W2和W3的声压级(SPL)优于W1的声压级(SPL)，因此，本实用新型第一实施例的MEMS扬声器100将所述压电驱动器3设置在所述第三段23的声压级(SPL)高于相关技术的MEMS扬声器的声压级(SPL)。
随着比率Ratio变小，高频段抬升效果越明显，但低频段同时出现声压级谷，当然由于不关注该频段使用，可以忽略，但要注意声压级谷的位置，太朝右边移动会缩减MEMS扬声器100的工作频率范围。设计者需综合考虑优化设计。
所述聚合物层4设置于所述压电驱动器3远离所述空腔10一侧。所述聚合物层4贴合于所述悬臂梁2和所述压电驱动器3。所述聚合物层4完全覆盖所述悬臂梁2、所述压电驱动器3以及所述空腔10。所述聚合物层4、所述悬臂梁2以及所述压电驱动器3共同形成用于振动发声的压电复合振动膜结构。所述聚合物层4将所述悬臂梁2以及所述压电驱动器3共同形成一个整体。由于所述聚合物层4完全覆盖所述空腔10，即所述聚合物层4同时也覆盖所述悬臂梁2与所述悬臂梁2与其延伸方向正对的所述基底1之间的缝隙。从而使得所述压电复合振动膜结构的发声面积大，使得MEMS扬声器100的发声面积大。因此，该结构在中高频段增大所述压电复合振动膜结构的发声面积，中高频段响应优异，并使得所述压电复合振动膜结构的振动振幅变大，从而提高MEMS扬声器100的声压级(SPL)。
所述聚合物层4为高聚合物材料制成，该材料有利于将所述悬臂梁2以及所述压电驱动器3贴合成为一个整体，并且在所述悬臂梁2与所述悬臂梁2与其延伸方向正对的所述基底1之间的缝隙上的部分所述聚合物层4还可以充当柔性连接部分，有利于所述压电复合振动膜结构的振动，也有利于增加所述压电复合振动膜结构的振动发声面积，使得MEMS扬声器100的发声面积大。
本第一实施例中，所述MEMS扬声器100还包括介质层5。所述介质层5夹设于所述第一段21与所述基底1之间。介质层5与基底1的材质不同，在本实施方式中，介质层的材质为SiO2，基底为Si。所述介质层5的设置有利于所述MEMS扬声器100的生产工艺，并有利于所述悬臂梁2的振动。
(第二实施例)
本实用新型还提供了一种MEMS扬声器200。请同时参阅图5-7，图5为本实用新型第二实施例的MEMS扬声器200的结构示意图。
第二实施例的MEMS扬声器200与第一实施例的MEMS扬声器100的基本结构相同，两者的区别在于：
所述悬臂梁2a包括多个且相互间隔，相邻两个所述悬臂梁2a之间形成第一结构缝隙201a。作为一种实施方式，所述第一结构缝隙201a可以仅形成于相邻两个所述悬臂梁2a的所述第三段23a之间。所述压电驱动器3a包括多个。每一所述压电驱动器3a固定于其中一个所述悬臂梁2a上。多个所述悬臂梁2a各自的所述第三段23a相互靠近的一端相互间隔设置并共同围第二结构缝隙202a。所述第一结构缝隙201a与所述第二结构缝隙202a连通且共同形成结构缝隙20a。所述第二结构缝隙202a位于所述空腔10a的中央区域。所述结构缝隙20a与所述空腔10a连通。多个所述悬臂梁2a分别在相应的多个所述压电驱动器3a共同振动，所述压电复合振动膜结构的振动幅度相对单一的所述悬臂梁2a的振动幅度大，该结构有利所述MEMS扬声器200的振动幅度大，从而提高MEMS扬声器200的声压级(SPL)。
本第二实施例中，所述基底1a呈矩形，所述悬臂梁2a包括四个，每一所述悬臂梁2a呈三角形，所述结构缝隙20a呈X形。该结构有利于MEMS扬声器200的制造。四个对称的所述悬臂梁2a和所述压电驱动器3a的结构，有利于所述压电复合振动膜结构的振动幅度大，还有利于提高MEMS扬声器200声学性能，尤其提高了声压级(SPL)。
(第三实施例)
本实用新型还提供了一种MEMS扬声器300。请同时参阅图8-10，图8为本实用新型第三实施例的MEMS扬声器300的结构示意图。
第三实施例的MEMS扬声器300与第二实施例的MEMS扬声器200的基本结构相同，两者的区别在于：
四个所述悬臂梁2b相互靠近的一端共同围成的所述第二结构缝隙202b。
所述MEMS扬声器300还包括质量块6。所述质量块6收容于所述第二结构缝隙202b并连接于所述悬臂梁2b。所述质量块6、所述聚合物层4b、所述悬臂梁2b以及所述压电驱动器3b共同形成所述压电复合振动膜结构。所述质量块6的设置有利增大所述压电复合振动膜结构的振动幅度，也有利于增加所述压电复合振动膜结构的振动发声面积，使得MEMS扬声器300的发声面积大，从而使得在中高频段提高了所述MEMS扬声器100的声压级(SPL)。
所述MEMS扬声器300还包括弹性连接件7。所述弹性连接件7收容于所述第二结构缝隙202b。每一所述悬臂梁2b的所述第三段23b远离所述第一段21b的一端均通过所述弹性连接件7连接于所述质量块6。本第三实施例中，所述弹性连接件7包括四个，每一所述弹性连接件7连接于相邻的一个所述第三段23b。所述质量块6分别连接于四个所述弹性连接件7。所述弹性连接件7将所述质量块6与所述第三段23b连接呈一个整体，使得用于发声振动的重量增加，从而大所述压电复合振动膜结构的振动幅度，也有利于增加所述压电复合振动膜结构的振动发声面积，使得MEMS扬声器300的发声面积大，从而使得在中高频段提高了所述MEMS扬声器100的声压级(SPL)。
本第三实施例中，所述质量块6远离所述空腔10b的一侧与所述聚合物层4b间隔设置。该结构使得所述质量块6与所述第三段23b仅通过所述弹性连接件7，从而使得所述压电复合振动膜结构的振动灵活且振动幅度大，提高了所述MEMS扬声器100的声学性能。
(第四实施例)
本实用新型还提供了一种MEMS扬声器400。请同时参阅图11，图11为本实用新型第四实施例的MEMS扬声器400的部分立体结构分解示意图。
第四实施例的MEMS扬声器400与第三实施例的MEMS扬声器300的基本结构相同，两者的区别在于：
所述第二段22c连接于所述第三段23c连接处SA的截面面积小于所述第三段23c在该连接处SA的截面面积。在所述悬臂梁2c的延伸方向上，所述第二段22c的不同位置处的截面面积相等，所述第三段23c的截面面积逐渐减小。如图11所示，所述第二段22c在不同位置处的截面面积的长度为LC。当然，所述第二段22c在连接处SA的截面面积的长度也为LC。所述第三段23c在连接处SA的截面面积的长度为LD。其中，LD>LC。
也就是说，用于支撑所述第三段23c的结构为所述第二段22c，所述第二段22c可以比所述第三段23c的宽度变窄，该结构降低作为所述压电复合振动膜结构的振动结构的整体刚度，从而有利于提高MEMS扬声器400的声学性能。
(第五实施例)
本实用新型还提供了一种MEMS扬声器500。请同时参阅图12，图12为本实用新型第五实施例的MEMS扬声器500的剖示图。
第五实施例的MEMS扬声器500与第三实施例的MEMS扬声器300的基本结构相同，两者的区别在于：
所述质量块6d远离所述空腔10d的一侧固定于所述聚合物层4d，所述质量块6d与所述第三段23d间隔设置。所述质量块6d收容于所述第二结构缝隙202d并连接于所述聚合物层4d或所述悬臂梁2d。本第五实施例中，所述质量块6d收容于所述第二结构缝隙202d并连接于所述聚合物层4d。具体的，所述质量块6d远离所述空腔10d的一侧固定于所述聚合物层4d。通过所述聚合物层4d将所述质量块6d固定，有利于所述压电复合振动膜结构的振动时为一个整体，从而所述MEMS扬声器500的声学性能好。相对于MEMS扬声器300，本第五实施例的MEMS扬声器500去除所述弹性连接件7，使得MEMS扬声器500的结构简单且易于工艺制造。
所述质量块6d的高度可调且至少部分延伸至所述空腔10d中。所述质量块6d的高度可调，有利于设计者调节作为所述压电复合振动膜结构的振动结构的动态特性，从而有利于提高MEMS扬声器500的声学性能。
与相关技术相比，本实用新型提供的MEMS扬声器将所述悬臂梁设置为依次延伸的所述第一段、所述第二段和所述第三段，并所述压电驱动器仅固定于所述第三段。由于所述第三段与固定于所述基底的所述第一段之间相隔所述第二段，第二段悬置于空腔上方，所述第三段远离所述第二段的一端悬空，当所述压电驱动器通电时驱动第三段振动从而带动第二段振动，所述聚合物层、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成用于振动发声的压电复合振动结构，从而使得MEMS扬声器的发声面积大。中高频段响应优异，提高了MEMS扬声器的声压级(SPL)。
以上所述的仅是本实用新型的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种MEMS扬声器，其包括围成空腔且两端开口的基底、由所述基底的一端向所述空腔延伸并至少部分悬置于所述空腔上方的悬臂梁以及固定于所述悬臂梁远离所述空腔一侧的压电驱动器；其特征在于，所述悬臂梁包括固定于所述基底的第一段、由所述第一段向所述空腔延伸并悬置于所述空腔上方的第二段以及由所述第二段向远离所述第一段的方向延伸的第三段，所述压电驱动器仅固定于所述第三段，所述第三段远离所述第二段的一端悬空；所述MEMS扬声器还包括设置于所述压电驱动器远离所述空腔一侧的聚合物层，所述聚合物层完全覆盖所述悬臂梁、所述压电驱动器以及所述空腔并贴合于所述悬臂梁和所述压电驱动器，所述聚合物层、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成用于振动发声的压电复合振动结构。
2.根据权利要求1所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述MEMS扬声器还包括介质层，所述介质层夹设于所述第一段与所述基底之间，所述介质层与所述基底的材质不同。
3.根据权利要求2所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述压电驱动器包括沿所述MEMS扬声器的厚度方向在所述第三段上依次叠设的第一电极、压电层和第二电极；所述压电驱动器沿所述MEMS扬声器的厚度方向的投影仅覆盖所述第三段。
4.根据权利要求3所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述第二段连接于所述第三段连接处的截面面积小于所述第三段在该连接处的截面面积，在所述悬臂梁的延伸方向上，所述第二段的不同位置处的截面面积相等，所述第三段的截面面积逐渐减小。
5.根据权利要求3或4所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述悬臂梁包括多个且相互间隔，相邻两个所述悬臂梁之间形成第一结构缝隙，所述压电驱动器包括多个，每一所述压电驱动器固定于其中一个所述悬臂梁上；多个所述悬臂梁各自的所述第三段相互靠近的一端相互间隔设置并共同围成第二结构缝隙，所述第一结构缝隙与所述第二结构缝隙连通且共同形成结构缝隙，所述第二结构缝隙位于所述空腔的中央区域，所述结构缝隙与所述空腔连通。
6.根据权利要求5所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述第一结构缝隙形成于相邻两个所述悬臂梁的所述第三段之间。
7.根据权利要求5所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述MEMS扬声器还包括质量块，所述质量块收容于所述第二结构缝隙并连接于所述聚合物层或所述悬臂梁，所述质量块、所述聚合物层、所述悬臂梁以及所述压电驱动器共同形成所述压电复合振动结构。
8.根据权利要求7所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述MEMS扬声器还包括弹性连接件，所述弹性连接件收容于所述第二结构缝隙，每一所述悬臂梁的所述第三段远离所述第一段的一端均通过所述弹性连接件连接于所述质量块。
9.根据权利要求7所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述质量块远离所述空腔的一侧固定于所述聚合物层，所述质量块与所述第三段间隔设置。
10.根据权利要求7所述的MEMS扬声器，其特征在于，所述质量块的高度可调且至少部分延伸至所述空腔中。
CN202221548281.0U 2022-06-20 2022-06-20 Mems扬声器 Active CN217693709U (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202221548281.0U CN217693709U (zh) 2022-06-20 2022-06-20 Mems扬声器
PCT/CN2022/108314 WO2023245806A1 (zh) 2022-06-20 2022-07-27 Mems扬声器
US17/969,668 US20230412988A1 (en) 2022-06-20 2022-10-19 MEMS Speaker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202221548281.0U CN217693709U (zh) 2022-06-20 2022-06-20 Mems扬声器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217693709U true CN217693709U (zh) 2022-10-28

Family

ID=83710860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202221548281.0U Active CN217693709U (zh) 2022-06-20 2022-06-20 Mems扬声器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230412988A1 (zh)
CN (1) CN217693709U (zh)
WO (1) WO2023245806A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2660146B3 (fr) * 1990-03-21 1992-09-11 Fromy Frank William Transducteur actif a conversion analogique de tous phenomenes vibratoires mecaniques en potentiel electrique d'amplitude et de dynamique tres large et equipements munis dudit transducteur.
EP2237571A1 (en) * 2009-03-31 2010-10-06 Nxp B.V. MEMS transducer for an audio device
CN107564505B (zh) * 2017-08-30 2020-10-16 上海材料研究所 一种压电振动发声模块
US10848875B2 (en) * 2018-11-30 2020-11-24 Google Llc Reinforced actuators for distributed mode loudspeakers
CN112752209B (zh) * 2019-10-31 2022-03-25 华为技术有限公司 一种压电式mems传感器以及相关设备
WO2021106266A1 (ja) * 2019-11-25 2021-06-03 株式会社村田製作所 圧電デバイス
US10999684B1 (en) * 2020-01-17 2021-05-04 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS microphone
TWI752600B (zh) * 2020-08-24 2022-01-11 周展興 電子裝置的揚聲器結構
CN215581695U (zh) * 2021-06-28 2022-01-18 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 Mems声传感器
CN114339552A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 一种发声装置
CN217985406U (zh) * 2022-06-21 2022-12-06 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 一种mems压电扬声器

Also Published As

Publication number Publication date
US20230412988A1 (en) 2023-12-21
WO2023245806A1 (zh) 2023-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101587069B1 (ko) 전기 음향 변환 장치 및 전자 기기
US8907733B2 (en) Oscillator
WO2010106736A1 (ja) 圧電音響素子、電子機器及び圧電音響素子の製造方法
CN204259149U (zh) 电声换能器
JP2000312398A (ja) 電気音響変換器
KR101180320B1 (ko) 음향 액츄에이터 및 음향 액츄에이터 시스템
US11239408B2 (en) Acoustic transducer and related fabrication and packaging techniques
CN204231656U (zh) 电声换能器
JP5939160B2 (ja) 発振装置および電子機器
CN113365196A (zh) Mems扬声器及mems扬声器制造方法
CN115914975A (zh) 一种像素发声单元及其制造方法、数字发声芯片
CN114827856A (zh) 一种静电式微型发声装置
CN217693709U (zh) Mems扬声器
JP2000134697A (ja) 圧電型電気音響変換器
CN116320941A (zh) 一种像素发声单元及其制造方法、数字发声芯片
KR101765000B1 (ko) 지향성 스피커용 압전 트랜스듀서 및 이를 포함하는 지향성 스피커
JP2006100954A (ja) 圧電型音響変換装置およびその製造方法
CN113490120A (zh) Mems扬声器
WO2024051441A1 (zh) Mems扬声器阵列
WO2024051509A1 (zh) 具有可拉伸膜的mems扬声器、其制造方法以及包括其的电子设备
US20240114795A1 (en) Mems piezoelectric speaker
JP4124154B2 (ja) 音響変換器およびその製造方法
KR101367453B1 (ko) 댐퍼 필름형 평판스피커
JPS60182300A (ja) 圧電型電気音響変換器
JP2023098056A (ja) スピーカーおよびスピーカーの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant