CN217642664U - 中低压热熔式电缆中间接头 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种中低压热熔式电缆中间接头，其特征在于，所述中低压热熔式电缆中间接头包括熔接结构，线芯一及线芯二通过熔接导体结构相互连接固定并实现电连接；在线芯一、线芯二、线芯屏蔽层、线芯屏蔽层二及熔接导体结构外包裹有半导电布层；在半导电布层外包裹有硫化半导电带层；在电缆一的铅笔头结构端部、电缆二的铅笔头结构端部以及硫化半导电带层外包裹有硫化绝缘带层。本实用新型不使用应力锥，电场分布与原有电缆相同。并且本实用新型的内、外导电屏蔽层，绝缘层按照原电缆结构进行恢复，通过对电缆结构逐步重新还原，将电缆恢复至原有结构状态。

Description

中低压热熔式电缆中间接头

技术领域

本实用新型涉及一种热熔式电缆中间接头，尤其涉及一种15kV、35kV等中低压热熔式电缆中间接头。

背景技术

电力是当今社会生产生活的主要动力来源，随着当今城市规模不断扩大以及现代化生产程度日趋提高，输供电系统呈现：供电网络庞大、供电系统复杂、供电环节多、供电距离长等特点。电缆中间接头作为整个供电网络的重要接续点，其运行稳定性将直接影响到供电系统的运行质量。

热熔式中间接头结构是一种国际最新、国内领先的电缆中间连接结构。于2018年8月7日公开的、公开号为CN207705751 U的实用新型专利公开了一种电缆中间接头，用于对两回电力电缆的三相电缆线进行连接，包括导体连接接头、冷缩式中间接头主体、电缆屏蔽层恢复部分、电缆内护套层恢复部分、机械保护与防水密封部分，中间接头采用多层固体复合介质绝缘与密封结构；中间接头主体采用一体式多层复合结构，由内到外包括应力锥、内屏蔽层、绝缘层和外屏蔽层，其中内屏蔽层与绝缘层采用非等内径结构，内屏蔽层内径比绝缘层大，并在内屏蔽层中间位置设置了多个半导电阶梯型接触点；机械保护与防水密封部分采用半重叠缠绕装甲带，最外层套接热缩管和绕包热缩带。上述中间接头结构的实现依赖应力锥，从而影响电场分布。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是：现有的热熔式中间接头结构采用应力锥，会对电场分布造成影响。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是提供了一种中低压热熔式电缆中间接头，用于连接电缆一以及电缆二；自电缆一的绝缘层引出线芯屏蔽层一后，再从线芯屏蔽层引出线芯一；自电缆二的绝缘层引出的线芯屏蔽层二后，再从线芯屏蔽层二引出线芯二；且电缆一以及电缆二引出线芯一及线芯二的端部形成铅笔头结构，其特征在于，所述中低压热熔式电缆中间接头包括熔接结构，线芯一及线芯二通过熔接导体结构相互连接固定并实现电连接；在线芯一、线芯二、线芯屏蔽层、线芯屏蔽层二及熔接导体结构外包裹有半导电布层；在半导电布层外包裹有硫化半导电带层；在电缆一的铅笔头结构端部、电缆二的铅笔头结构端部以及硫化半导电带层外包裹有硫化绝缘带层。

优选地，所述硫化绝缘带层呈纺锤形。

优选地，所述硫化绝缘带层与所述铅笔头结构的电缆本体绝缘充分结合，无界面分层现象。

本实用新型完全恢复电缆结构，接头电场分布完全等同于电缆本体的电场分布特性，无需应力锥、应力管等结构、电场分布均匀。并且本实用新型的内、外导电屏蔽层，绝缘层按照原电缆结构进行恢复，通过对电缆结构逐步重新还原，将电缆恢复至原有结构状态。在实际应用中，本实用新型提供的中间接头的安全可靠性远远优于安装的电缆附件，还原恢复电缆本体的结构使电场分布更稳定、均匀，使其拥有较高的电气安全可靠性和极长的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

如图1所示，本实用新型提供的一种中低压热熔式电缆中间接头，用于连接电缆一1以及电缆二2。连接时，自电缆一1的绝缘层引出线芯屏蔽层一1-2后，再从线芯屏蔽层1-2引出线芯一1-1；自电缆二2的绝缘层引出的线芯屏蔽层二2-2后，再从线芯屏蔽层二2-2引出线芯二2-1。且电缆一1以及电缆二2引出线芯一1-1及线芯二2-1的端部形成铅笔头结构。

则所述中低压热熔式电缆中间接头包括熔接结构3，线芯一1-1及线芯二2-1通过熔接导体结构3相互连接固定并实现电连接。本实施例中，通过爆炸焊方式等径焊接方式实现线芯二2-1及线芯一1-1与熔接导体结构3的等径焊接。在线芯一1-1、线芯二2-1、线芯屏蔽层1-2、线芯屏蔽层二2-2及熔接导体结构3外包裹有半导电布层4。在半导电布层4外包裹有硫化半导电带层5。在电缆一1的铅笔头结构端部、电缆二2的铅笔头结构端部以及硫化半导电带层5外包裹有硫化绝缘带层6。本实施例中，硫化绝缘带层6呈纺锤形。

本实施例中，中低压为15kV或35kV，即本实用新型所公开的结构可用于实现15kV热熔式电缆中间接头，也可用于实现35kV热熔式电缆中间接头，两者之间的区别仅在于硫化绝缘带层6的厚度略有不同。对于15kV热熔式电缆中间接头而言，硫化绝缘带层6平均厚度约为5mm；对于35kV热熔式电缆中间接头而言，硫化绝缘带层6平均厚度约为11mm。

上述中低压热熔式电缆中间接头可以采用如下工艺步骤制作而成，应当注意的是，下文所描述的工艺步骤仅是实现上述结构的最佳工艺步骤，并不是唯一工艺步骤。本领域技术人员在获悉了本实用新型所公开的结构后，可以采用其他本领域技术人员所熟知的工艺来实现上述结构。

热熔式中间接头安装工艺流程可以用下表1概况：

1.开剥电缆并处理铅笔头	8.收缩冷缩管并缠绕加热材料
		2.焊接导体	9.加温硫化
3.打磨抛光焊接部分	10.砂磨硫化部分
		4.砂磨绝缘表面	11.喷涂半导电漆并绕包半导电自粘带
5.绕包半导电布	12.电缆铜屏蔽恢复
		6.绕包半导电硫化带	13.电缆内护套恢复
7.绕包绝缘硫化带	14.电缆铠装带恢复

表1

上表1所示的工艺流程包括以下步骤：

步骤1、开剥电缆一1以及电缆二2。自电缆一1的绝缘层引出线芯屏蔽层一1-2后，再从线芯屏蔽层1-2引出线芯一1-1。自电缆二2的绝缘层引出的线芯屏蔽层二2-2后，再从线芯屏蔽层二2-2引出线芯二2-1。将电缆一1以及电缆二2引出线芯一1-1及线芯二2-1的端部处理成铅笔头结构。

步骤2、采用等径焊接方式将线芯二2-1及线芯一1-1与熔接导体结构3焊接，保证熔接导体结构3的机械性能和导电性能。

步骤3、打磨抛光焊接部分。

步骤4、在线芯一1-1、线芯二2-1、线芯屏蔽层1-2、线芯屏蔽层二2-2及熔接导体结构3外绕包半导电布，从而形成半导电布层4。

步骤5、在半导电布层4外绕包半导电硫化带，从而形成硫化半导电带层5。

步骤6、在硫化半导电带层5外绕包绝缘硫化带，从而形成硫化绝缘带层6。

步骤7、收缩冷缩管并缠绕加热材料后，进行加温硫化。通过整体加热硫化的方式恢复电缆的内屏蔽层和绝缘层。加热硫化采用逐级阶梯式加热，保证半导电硫化带和绝缘硫化带硫化完全，使得绝缘硫化带与电缆本体绝缘充分结合在一起，并不会产生明显的界面分层现象，保证了产品的电气性能。

步骤8、砂磨硫化部分，随后通过在绝缘外喷涂半导电漆以及绕包半导电自粘带的方式来恢复电缆的外屏蔽层。

步骤9、依次进行电缆铜屏蔽恢复、电缆内护套恢复以及电缆铠装带恢复。

Claims (3)

1.一种中低压热熔式电缆中间接头，用于连接电缆一以及电缆二；自电缆一的绝缘层引出线芯屏蔽层一后，再从线芯屏蔽层引出线芯一；自电缆二的绝缘层引出的线芯屏蔽层二后，再从线芯屏蔽层二引出线芯二；且电缆一以及电缆二引出线芯一及线芯二的端部形成铅笔头结构，其特征在于，所述中低压热熔式电缆中间接头包括熔接结构，线芯一及线芯二通过熔接导体结构相互连接固定并实现电连接；在线芯一、线芯二、线芯屏蔽层、线芯屏蔽层二及熔接导体结构外包裹有半导电布层；在半导电布层外包裹有硫化半导电带层；在电缆一的铅笔头结构端部、电缆二的铅笔头结构端部以及硫化半导电带层外包裹有硫化绝缘带层。

2.如权利要求1所述的一种中低压热熔式电缆中间接头，其特征在于，所述硫化绝缘带层呈纺锤形。

3.如权利要求1所述的一种中低压热熔式电缆中间接头，其特征在于，所述硫化绝缘带层与所述铅笔头结构的电缆本体绝缘充分结合，无界面分层现象。

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