CN217607713U - 一种高频开关电源输出整流电路和高频开关电源 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高频开关电源输出整流电路和高频开关电源，适用于电力电子技术领域。高频变压器的次级的第一端与第一二极管的阳极连接，且与第四二极管的阴极连接；第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，且与负载的第一端连接；高频变压器的次级的第二端与第二二极管的阳极连接，且与第三二极管的阴极连接；负载的第二端与第三二极管的阳极连接，且与第四二极管的阳极连接。该回路的单相桥式整流电路副边的输出电压与现有的高频开关电源的回路输出电压相比提高了一倍的电压值，也就是整个变压器次级电压，输出电压可以被负载充分利用，提高利用率。同时，该电路的高频变压器不需要中心抽头，使其绕制简单。

Description

一种高频开关电源输出整流电路和高频开关电源

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，特别是涉及一种高频开关电源输出整流电路和高频开关电源。

背景技术

高频开关电源为国内第四代工业用直流电源。与传统工频整流电源相比，开关电源具有高效节能、重量轻、体积小、动态性能较好、适应性强，有利于实现工艺过程自动化和智能化控制等显著的优点。

图1为现有的高频开关电源全波整流电路的结构图，如图1所示，变压器次级电压U21和U22大小相等，方向相反，即U21＝-U22＝1/2U2。当变压器U2为正半周时，即a端电压为正，b端电压为负，二极管V1承受正向电压而导通，二极管V2承受反向电压截止，电流通道为：a→V1→R→n完成回路，负载R上有自上而下的电流流过，R上的电压与U21相同。当U2电压为负半周时，即a端电位为负，b端电位为正，二极管V2承受正向电压而导通，而V1承受反向电压截止，电流通道为b→V2→R→n完成回路，负载R上有自上而下的电流流过，R上的电压与U22相同。该全波整流回路的变压器需要中心抽头完成输出电压，其绕制复杂，输出电压并没有完全被负载充分利用，其实际输出电压为U2的一半，利用率较低。

因此，寻求一种高频开关电源回路是本领域技术人员亟需解决的。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高频开关电源输出整流电路和高频开关电源，输出电压可以被负载充分利用，提高利用率。同时，该电路的高频变压器不需要中心抽头，使其绕制简单。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种高频开关电源的输出整流电路，包括高频变压器和包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管的单相桥式整流电路；

高频变压器的次级的第一端与第一二极管的阳极连接，且与第四二极管的阴极连接；第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，且与负载的第一端连接；

高频变压器的次级的第二端与第二二极管的阳极连接，且与第三二极管的阴极连接；负载的第二端与第三二极管的阳极连接，且与第四二极管的阳极连接。

优选地，第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管各自均并联一个阻容吸收电路；其中阻容吸收电路包括电阻和电容，电阻与电容串联。

优选地，还包括：三相断路器、三相电源滤波器、三相整流桥、薄膜滤波电容和IGBT逆变桥；

其中，IGBT逆变桥包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四IGBT管；第一IGBT管的集电极与第三IGBT管的集电极连接；第一IGBT管的发射极与第二IGBT管的集电极连接；第二IGBT管的发射极与第四IGBT管的发射极连接；第三IGBT管的发射极与第四IGBT管的集电极连接；

三相断路器与三相电源滤波器连接；三相电源滤波器与三相整流桥连接，三相整流桥的第一端与薄膜滤波电容的第一端连接，且与第一IGBT管的集电极连接；三相整流桥的另一端与薄膜滤波电容的第二端连接，且与第二IGBT管的发射极连接；第一IGBT管的发射极与高频变压器的初级的第一端连接，第三IGBT管的发射极与高频变压器的初级的第二端连接。

优选地，还包括隔直电容；

隔直电容的第一端连接第一IGBT管的发射极，隔直电容的第二端与高频变压器的初级的第一端连接。

优选地，第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管的型号均为MFDK2000634型号。

优选地，三相电源滤波器为EMI滤波器。

为解决上述技术问题，本实用新型还提供一种高压开关电源，包括上述高频开关电源的输出整流电路。

本实用新型所提供的一种高频开关电源输出整流电路，包括高频变压器、由第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管结合的单相桥式整流电路；高频变压器的次级的第一端与第一二极管的阳极连接，且与第四二极管的阴极连接；第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，且与负载的第一端连接；高频变压器的次级的第二端与第二二极管的阳极连接，且与第三二极管的阴极连接；负载的第二端与第三二极管的阳极连接，且与第四二极管的阳极连接。该电路中当次级电压为正半周时，经过第一二极管、负载和第三二极管形成回路；当次级电压为负半周时，经过第二二极管、负载和第四二极管形成回路。该回路的单相桥式整流电路副边的输出电压与现有的高频开关电源的回路输出电压相比提高了一倍的电压值，也就是整个变压器次级电压，输出电压可以被负载充分利用，提高利用率。同时，该电路的高频变压器不需要中心抽头，使其绕制简单。

另外，本实用新型还提供了一种高频开关电源，具有如上述高频开关电源输出整流电路相同的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的高频开关电源全波整流电路的结构图；

图2为本实用新型实施例提供的一种高频开关电源的输出整流电路的结构图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种高频开关电源的输出整流电路的结构图；

图4为本实用新型实施例提供的一种高压开关电源的单相桥整流主回路的结构图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护范围。

本实用新型的核心是提供一种高频开关电源输出整流电路和高频开关电源，输出电压可以被负载充分利用，提高利用率。同时，该电路的高频变压器不需要中心抽头，使其绕制简单。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

需要说明的是，高频开关电源是一种直流电源设备，其波纹系统低，在实验测试项目中是不可或缺的存在，除此之外，在电镀、电解等行业也离不开这种高频开关电源。从外观来说，其电源设备的体积和重量较小，电子线路得到较大程度的简化，方便后期的维护与维修。高频开关电源可应用于电解抛光，电解污水，电解镍、铝、铜、锌、镁等金属，电解食盐水，电解制氢气，电解除油；碱性镀铜，镀锌，氯化物镀锌，镀镍，镀硬铬；以及电加热，烧线，铝阳极氧化，退镀等领域。高频开关电源是通过金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor，IGBT)的高频工作的电源，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。主要包括输入滤波器、整流与滤波、逆变和输出整流与滤波。高频的工作状态下，变压器的电磁转换速度快，储存的能量就可以大大降低。减小变压器中的损耗，提高效率。

图2为本实用新型实施例提供的一种高频开关电源的输出整流电路的结构图，如图2所示，该电路包括高频变压器和包括第一二极管V1、第二二极管V2、第三二极管V3和第四二极管V4的单相桥式整流电路；

高频变压器的次级的第一端与第一二极管V1的阳极连接，且与第四二极管V4的阴极连接；第一二极管V1的阴极与第二二极管V2的阴极连接，且与负载R的第一端连接；

高频变压器的次级的第二端与第二二极管V2的阳极连接，且与第三二极管V3的阴极连接；负载R的第二端与第三二极管V3的阳极连接，且与第四二极管V4的阳极连接。

利用二极管的电流导向作用，在交流输入电压U2的正半周内，第一二极管V1和第三二极管V3导通，第二二极管V2和第四二极管V4截止，在负载R上得到上正下负的输出电压；在负半周内，正好相反，第一二极管V1和第三二极管V3截止，第二二极管V2和第四二极管V4导通，流过负载R的电流方向与正半周一致。因此，利用变压器的一个副边绕组和四个二极管，使得在交流电源的正、负半周内，整流电路的负载上都有方向不变的脉动直流电压和电流。桥式整流的名称只是说明电路连接方法是桥式的接法，桥式整流二极管常用的一般是由4只单个二极管封装在一起的元件，取名桥式整流二极管，整流桥或全桥二极管。

当变压器B次级电压U2为正半周时，即a端电压为正，b端电压为负，第一二极管V1和第三二极管V3承受正向电压而导通，第二二极管V2和第四二极管V4承受反向电压截止，电流通道为：a→V1→R2→V3→b完成回路，于是负载R上得到一组半波电压。当U2电压为负半周时，变压器次级的a端电位为负，b端电位为正，第二二极管V2和第四二极管V4承受正向电压而导通，而第一二极管V1和第三二极管V3承受反向电压截止，电流通道为b→V2→Rz→V4→a完成回路，负载上又得到一个与上半周相同方向的半波电压。这样，在一个周期内，负载R上得到了两个半波。

桥式整流电路与前面的全波整流电路比较，在同样负载或同样输出电压、电流时，桥式电路的变压器不用中心抽头，利用率高，且副边电压可低一半；整流管中流过的电流相同，但每只二极管所承受的反向电压却低了一倍。只是桥式整流电路中要相对多使用两只二极管。

本实用新型所提供的一种高频开关电源输出整流电路，包括高频变压器、由第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管结合的单相桥式整流电路；高频变压器的次级的第一端与第一二极管的阳极连接，且与第四二极管的阴极连接；第一二极管的阴极与第二二极管的阴极连接，且与负载的第一端连接；高频变压器的次级的第二端与第二二极管的阳极连接，且与第三二极管的阴极连接；负载的第二端与第三二极管的阳极连接，且与第四二极管的阳极连接。该电路中当次级电压为正半周时，经过第一二极管、负载和第三二极管形成回路；当次级电压为负半周时，经过第二二极管、负载和第四二极管形成回路。该回路的单相桥式整流电路副边的输出电压与现有的高频开关电源的回路输出电压相比提高了一倍的电压值，也就是整个变压器次级电压，输出电压可以被负载充分利用，提高利用率。同时，该电路的高频变压器不需要中心抽头，使其绕制简单。

在上述实施例的基础上，为了限制电路电压上升率过大，确保二极管安全运行，常在二极管两端并联RC阻容吸收电路，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感(变压器漏感或负载电感)，故与电容C串联电阻R可起阻尼作用，放置R、L、C电路在过度过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏二极管。同时，避免电容器通过二极管放电电流过大，造成过电流而损坏二极管。由于二极管过流过压能力较差，若不采取可靠的保护措施是不能正常工作。因此第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管各自均并联一个阻容吸收电路；其中阻容吸收电路包括电阻和电容，电阻与电容串联。

图3为本实用新型实施例提供的另一种高频开关电源的输出整流电路的结构图，如图3所示，在高频变压器1的次级侧，第一二极管V1、第二二极管V2、第三二极管V3和第四二极管V4各自均并联一个阻容吸收电路2；其中阻容吸收电路2包括电阻和电容，电阻与电容串联。

阻容吸收电路2可接在电路的交流测、直流侧或并接在二极管的阳极和阴极之间。

本实用新型实施例提供的第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管各自均并联一个阻容吸收电路；其中阻容吸收电路包括电阻和电容，电阻与电容串联。降低高压回路产生的操作过电压，使电器设备避免因操作过电压造成绝缘损坏，保证电器安全运行必不可少的常用的过电压保护。

在上述实施例的基础上，图4为本实用新型实施例提供的一种高压开关电源的单相桥整流主回路的结构图，如图4所示，还包括三相断路器3、三相电源滤波器4、三相整流桥5、薄膜滤波电容6和IGBT逆变桥7；

其中，IGBT逆变桥7包括第一IGBT管Q1、第二IGBT管Q2、第三IGBT管Q3和第四IGBT管Q4；第一IGBT管Q1的集电极与第三IGBT管Q3的集电极连接；第一IGBT管Q1的发射极与第二IGBT管Q2的集电极连接；第二IGBT管Q2的发射极与第四IGBT管Q4的发射极连接；第三IGBT管Q3的发射极与第四IGBT管Q4的集电极连接；

三相断路器3与三相电源滤波器4连接；三相电源滤波器4与三相整流桥5连接，三相整流桥5的第一端与薄膜滤波电容6的第一端连接，且与第一IGBT管Q1的集电极连接；三相整流桥5的另一端与薄膜滤波电容6的第二端连接，且与第二IGBT管Q2的发射极连接；第一IGBT管Q1的发射极与高频变压器1的初级的第一端连接，第三IGBT管Q3的发射极与高频变压器1的初级的第二端连接。

具体地，高频开关电源的单相桥整流主电路，主电路由N组电源模块组成。本实施例以一组电源模块为例，包括三相断路器3、三相电源滤波器4、三相整流桥5、薄膜滤波电容6、IGBT逆变桥7、高频变压器1和包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管的单相桥式整流电路。

IGBT逆变桥7通过调节IGBT占空比输出单相逆变交流，经高频变压器1调压、整流后输出脉变直流。电力晶体管(Giant Transistor，GTR)的饱和电压降低，载流密度大，但驱动电流大。MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，电流密度小。三相IGBT逆变技术结合了以上两种器件的优点，实现了低驱动功率和低饱和电压。

本实用新型实施例提供的还包括三相断路器、三相电源滤波器、三相整流桥、薄膜滤波电容和IGBT逆变桥，三相断路器与三相电源滤波器连接；三相电源滤波器与三相整流桥连接，三相整流桥的第一端与薄膜滤波电容的第一端连接，且与第一IGBT管的集电极连接；三相整流桥的另一端与薄膜滤波电容的第二端连接，且与第二IGBT管的发射极连接；第一IGBT管的发射极与高频变压器的初级的第一端连接，第三IGBT管的发射极与高频变压器的初级的第二端连接。高频的工作状态下，变压器的电磁转换速度快，储存的能量就可以大大降低。减小变压器中的损耗，提高效率。

在上述实施例的基础上，如图4所示，该电路还包括：隔直电容8；

隔直电容8的第一端连接第一IGBT管Q1的发射极，隔直电容8的第二端与高频变压器1的初级的第一端连接。

具体地，隔直电容8为两个电路之间的隔离，但它同时又承担着传输信号的功能，传输信号电容越大信号损失越小，而且容量大有利于低频信号的传输。在电路中用于隔离直流电，而只允许交流电通过的电容，在此电路中叫“隔直电容8”。

电容器的结构是两块极板，中间隔着一层绝缘体，所以，正常情况下电容器是不会有电流通过的(除非中间的绝缘被击穿)。在交流环境下，电源频率越大，角频率ω就越大，容抗就越小，当小到与其他阻抗忽略不计时，甚至可以认为是短路。而在直流环境下，电源频率为0，ω趋近无穷小，容抗无穷大，没有直流电流通过。因此，交流电流可以通过电容；直流电流不能通过电容。电容不能流通直流的外在表现是：当电容器接入直流回路时，会有一个短暂的充电过程，当正负极板都充满电荷，即电容器两端电压等于电源电压以后，就没有直流再流动，所以说电容是隔离直流电流的。

当全桥逆变电路的变压器发生偏磁时，变压器一次侧电压波形发生正负半波伏秒积不等，变压器磁芯工作区单向饱和，导致励磁电流急剧增大，这种不平衡会随着时间的增加累积下来，励磁电流可以大到将变压器烧毁，隔直电容8法抑制偏磁是在变压器一次侧串联一个参数合适的电容，此电容可以消除变压器一次侧电压波形中的直流成分，当单向伏秒积增大时，产生的直流成分会被隔直电容8抑制，在一定程度上全桥电路变压器偏磁受到抑制。

在全桥电路中，对于功率器件饱和电压或导通脉冲宽度不一致引起的电路不平衡，隔直电容8抗偏磁过程是一个二阶过程。在偏磁的调整过程中存在最大磁通偏移量，在出现最大磁通偏移量后，磁通偏移量逐渐稳定在一个常数，最大偏移量的幅度和电路参数有关，在设计时只要合理选择电路参数和变压器磁芯的饱和磁通量，使得磁芯的最大磁通偏移量和最大工作磁通量之和小于磁芯的饱和磁通量，可避免变压器饱和，从而防止逆变失败。选择合适的隔直电容8和磁芯可以得到合适的最大磁芯磁通偏移量。

本实用新型实施例提供的隔直电容的第一端连接第一IGBT管Q1的发射极，隔直电容的第二端与高频变压器的初级的第一端连接，抑制全桥逆变器变压器偏磁。

具体地，第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管的型号均为MFDK2000634型号。

可以理解的是，MFDK 2000634中的M代表电力半导体模块，FD是超快恢复二极管，MFDK对应的电联结形式是两个二极管的阴极对接，其二极管使用的为快恢复二极管。2000634为200A，600V，其结构代码为W34。

需要说明的是，维修时若发现快恢复二极管损坏，不可采用普通的整流二极管进行替代，这是因为若采用普通二极管代替快恢复二极管时，普通整流二极管的反向恢复时间较长(一般达到几十微秒)，当开关变压器输出正向脉冲使二极管导通后，二极管还来不及反向截止，反向脉冲就已经涌来，这势必给二极管造成较大的反向电流，使二极管结间温度升高，把二极管烧坏。

本实用新型实施例提供的第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管的型号均为MFDK 2000634型号。该型号二极管具有足够的耐压，且具有良好的开关特性，很短的反向恢复时间，反向恢复时间是指二极管由正向导通转为方向截止过程所需要的时间，一般都小于0.5微秒。

在上述实施例的基础上，该电路的三相电源滤波器为EMI滤波器。

电源滤波器就是对电源线中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除的电器设备。电源滤波器的功能就是通过在电源线中接入电源滤波器，得到一个特定频率的电源信号，或消除一个特定频率后的电源信号。

利用电源滤波器的这个特性，可以将通过电源滤波器后的一个方波群或复合噪波，变成一个特定频率的正弦波。大功率电源的滤波器如Satons、UBS、变频器等将会产生大量谐波电流，这类滤波器需采用有源电力滤波器APF。APF可对2～50次谐波电流进行滤除。电源滤波器的目的是在抑制电磁噪声，噪声的影响可分为以下二种：发射(Emissions)：是要将由设备产生，影响电源或其他设备的噪声降到法规(例如FCC part 15)允许值以下，例如由开关电源产生的噪声。抗扰(Immunity)：是要将进入设备的噪声降低到不会使设备出现异常动作的程度，例如用在广播电台发射设备中的仪器。

电源滤波器要抑制的噪声可分为以下的二种：共模：在二条(或多条)电源线都相同的噪声，可视为电源线对地的噪声。差模：电源线和电源线之间的噪声。

根据电源端口的电磁骚扰特点，电源电磁干扰(Electromagnetic interference，EMI)噪声滤波器是一种无源低通滤波器，它无衰减地将交流电传输到电源，而大大衰减随交流电传入的EMI噪声，同时又能有效地抑制电源设备产生的EMI噪声，阻止它们进入交流电网干扰其它电子设备。

本实用新型实施例提供的三相电源滤波器为EMI滤波器，衰减随交流电传入的EMI噪声，同时又能有效地抑制电源设备产生的EMI噪声，阻止它们进入交流电网干扰其它电子设备。

上述详细描述了高频开关电源的输出整流电路对应的各个实施例，在此基础上，本实用新型还公开与上述电路对应的高压开关电源。由于装置部分的实施例与上述的实施例相互对应，因此装置部分的实施例请参照上述方法部分的实施例描述，在此不再赘述，具有上述高频开关电源的输出整流电路相同的有益效果。

以上对本实用新型所提供的高频开关电源的输出整流电路、高频开关电源进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (7)

1.一种高频开关电源输出整流电路，其特征在于，包括高频变压器和包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管的单相桥式整流电路；

所述高频变压器的次级的第一端与所述第一二极管的阳极连接，且与所述第四二极管的阴极连接；所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极连接，且与负载的第一端连接；

所述高频变压器的次级的第二端与所述第二二极管的阳极连接，且与所述第三二极管的阴极连接；所述负载的第二端与所述第三二极管的阳极连接，且与所述第四二极管的阳极连接。

2.根据权利要求1所述的高频开关电源输出整流电路，其特征在于，所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管和所述第四二极管各自均并联一个阻容吸收电路；其中所述阻容吸收电路包括电阻和电容，所述电阻与所述电容串联。

3.根据权利要求2所述的高频开关电源输出整流电路，其特征在于，还包括：三相断路器、三相电源滤波器、三相整流桥、薄膜滤波电容和IGBT逆变桥；

其中，所述IGBT逆变桥包括第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管和第四IGBT管；所述第一IGBT管的集电极与所述第三IGBT管的集电极连接；所述第一IGBT管的发射极与所述第二IGBT管的集电极连接；所述第二IGBT管的发射极与所述第四IGBT管的发射极连接；所述第三IGBT管的发射极与所述第四IGBT管的集电极连接；

所述三相断路器与所述三相电源滤波器连接；所述三相电源滤波器与所述三相整流桥连接，所述三相整流桥的第一端与所述薄膜滤波电容的第一端连接，且与所述第一IGBT管的集电极连接；所述三相整流桥的另一端与所述薄膜滤波电容的第二端连接，且与所述第二IGBT管的发射极连接；所述第一IGBT管的发射极与所述高频变压器的初级的第一端连接，所述第三IGBT管的发射极与所述高频变压器的初级的第二端连接。

4.根据权利要求3所述的高频开关电源输出整流电路，其特征在于，还包括隔直电容；

所述隔直电容的第一端连接所述第一IGBT管的发射极，所述隔直电容的第二端与所述高频变压器的初级的第一端连接。

5.根据权利要求2所述的高频开关电源输出整流电路，其特征在于，所述第一二极管、所述第二二极管、所述第三二极管和所述第四二极管的型号均为MFDK 2000634型号。

6.根据权利要求3所述的高频开关电源输出整流电路，其特征在于，所述三相电源滤波器为EMI滤波器。

7.一种高频开关电源，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的高频开关电源输出整流电路。

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