CN217486861U - 硅分子散热消磁屏蔽片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅分子散热消磁屏蔽片，具有依次叠层设置的吸波层、高强回弹导热硅胶体层和PET离型膜层，所述吸波层与所述高强回弹导热硅胶体层之间利用第一粘结层相连接，所述高强回弹导热硅胶体层与所述PET离型膜层之间利用第二粘结层相连接，所述吸波层由多个不同磁场取向的薄膜层构成，各个薄膜层中均具有吸波剂，相邻薄膜层之间由第三粘结层相连接，所述高强回弹导热硅胶体层的芯部设置有加强筋。该硅分子散热消磁屏蔽片既能保护电子线路免于受到磁场的干扰，又能保护电子线路免于受到温度影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及消磁屏蔽片的技术领域，尤其一种硅分子散热消磁屏蔽片。
背景技术
为了保护电子线路免于受到诸如永磁铁、变压器、电机、线圈、电缆等产生磁场的干扰，通常需要在电子线路板上增设消磁吸波屏蔽装置，同时为了保护电子线路免于受到温度影响而导致使用寿命降低以及保护电子线路免于受到外界撞击而导致使用寿命降低，通常需要在电子线路板上增设散热装置和填充装置，正是由于既要在电子线路上增加消磁吸波屏蔽装置，又要增加散热装置及填充装置，致使电子线路板的制造成本大大提高，同时也增大了电子线路板的体积，这些将背离消费者对电子产品小型化、轻量化的使用需要。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：为了解决上述背景技术中存在的问题，提供一种硅分子散热消磁屏蔽片，既能保护电子线路免于受到磁场的干扰，又能保护电子线路免于受到温度影响和外界撞击。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅分子散热消磁屏蔽片，具有从上往下依次叠层设置的吸波层、高强回弹导热硅胶体层和PET离型膜层，所述吸波层与所述高强回弹导热硅胶体层之间利用第一粘结层相连接，所述高强回弹导热硅胶体层与所述PET离型膜层之间利用第二粘结层相连接，所述吸波层由多个不同磁场取向的薄膜层构成，各个薄膜层中均具有吸波剂，相邻薄膜层之间由第三粘结层相连接，所述高强回弹导热硅胶体层的芯部设置有加强筋。
进一步具体地限定，上述技术方案中，在所述吸波层中的多个不同磁场取向的薄膜层中，其中磁场取向角度最大的一个薄膜层与第一粘结层相连接，这样的结构设计可以保证硅分子散热消磁屏蔽片尽可能全面的保护电子线路免于受到磁场的干扰。
进一步具体地限定，上述技术方案中，设定薄膜层的磁场取向角度为θ，则0°≤θ≤90°，这样的结构设计可以保证硅分子散热消磁屏蔽片尽可能全面的保护电子线路免于受到磁场的干扰。
进一步具体地限定，上述技术方案中，所述吸波层的厚度、高强回弹导热硅胶体层的厚度和PET离型膜层的厚度比值为1:1:1。
进一步具体地限定，上述技术方案中，所述第一粘结层的厚度、第二粘结层的厚度和第三粘结层的厚度比值为1:1:0.3。
进一步具体地限定，上述技术方案中，所述第一粘结层、第二粘结层和第三粘结层均采用的是散热胶水，这样的结构设计可以进一步提高硅分子散热消磁屏蔽片的散热效果。
进一步具体地限定，上述技术方案中，所述加强筋由开设在高强回弹导热硅胶体层芯部的多个平行分布的圆柱槽构成，这样的结构设计可以提高高强回弹导热硅胶体层的结构强度和使用寿命。
本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的一种硅分子散热消磁屏蔽片，通过引入吸波层和高强回弹导热硅胶体层，具有高散热、高频吸磁以及高填充的特点，上层的吸波层能达到消磁吸波的功能，下层的高强回弹导热硅胶体层能达到高导热及填充的功能，即该硅分子散热消磁屏蔽片既能保护电子线路免于受到磁场的干扰，又能保护电子线路免于受到温度影响及外界撞击，无需在电子线路板上增设消磁吸波屏蔽装置、散热装置及填充装置，完全满足消费者对电子产品小型化、轻量化的使用需要，便于广泛推广和使用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是图1的分解结构示意图。
附图中的标号为：1、吸波层；2、高强回弹导热硅胶体层；3、PET离型膜层；4、第一粘结层；5、第二粘结层。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
见图1和图2，本实用新型的一种硅分子散热消磁屏蔽片，具有从上往下依次叠层设置的吸波层1、高强回弹导热硅胶体层2和PET离型膜层3，吸波层1由高分子合成金属制成。吸波层1与高强回弹导热硅胶体层2之间利用第一粘结层4相连接，高强回弹导热硅胶体层2与PET离型膜层3之间利用第二粘结层5相连接，吸波层1由多个不同磁场取向的薄膜层构成，各个薄膜层中均具有吸波剂，相邻薄膜层之间由第三粘结层相连接，高强回弹导热硅胶体层2的芯部设置有加强筋。
其中，为了保证硅分子散热消磁屏蔽片尽可能全面的保护电子线路免于受到磁场的干扰，在吸波层中的多个不同磁场取向的薄膜层中，其中磁场取向角度最大的一个薄膜层与第一粘结层4相连接。设定薄膜层的磁场取向角度为θ，则0°≤θ≤90°。吸波层1的厚度、高强回弹导热硅胶体层2的厚度和PET离型膜层3的厚度比值为1:1:1，即吸波层1的厚度、高强回弹导热硅胶体层2的厚度和PET离型膜层3的厚度相等。第一粘结层4的厚度、第二粘结层5的厚度和第三粘结层的厚度比值为1:1:0.3，即第一粘结层4的厚度和第二粘结层5的厚度相等，且第一粘结层4的厚度是第三粘结层的厚度的3倍左右，第二粘结层5的厚度是第三粘结层的厚度的3倍左右。为了提高硅分子散热消磁屏蔽片的散热效果，第一粘结层4、第二粘结层5和第三粘结层均采用的是散热胶水。为了提高高强回弹导热硅胶体层2的结构强度和使用寿命，加强筋由开设在高强回弹导热硅胶体层2芯部的多个平行分布的圆柱槽构成。
该硅分子散热消磁屏蔽片，通过引入吸波层1和高强回弹导热硅胶体层2，具有高散热、高频吸磁以及高填充的特点，上层的吸波层1能达到消磁吸波的功能，下层的高强回弹导热硅胶体层2能达到高导热及填充的功能，即该硅分子散热消磁屏蔽片既能保护电子线路免于受到磁场的干扰，又能保护电子线路免于受到温度影响及外界撞击，无需在电子线路板上增设消磁吸波屏蔽装置、散热装置及填充装置，完全满足消费者对电子产品小型化、轻量化的使用需要，便于广泛推广和使用。
以上所述的，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：具有从上往下依次叠层设置的吸波层(1)、高强回弹导热硅胶体层(2)和PET离型膜层(3)，所述吸波层(1)与所述高强回弹导热硅胶体层(2)之间利用第一粘结层(4)相连接，所述高强回弹导热硅胶体层(2)与所述PET离型膜层(3)之间利用第二粘结层(5)相连接，所述吸波层(1)由多个不同磁场取向的薄膜层构成，各个薄膜层中均具有吸波剂，相邻薄膜层之间由第三粘结层相连接，所述高强回弹导热硅胶体层(2)的芯部设置有加强筋。
2.根据权利要求1所述的硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：在所述吸波层中的多个不同磁场取向的薄膜层中，其中磁场取向角度最大的一个薄膜层与第一粘结层(4)相连接。
3.根据权利要求1所述的硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：设定薄膜层的磁场取向角度为θ，则0°≤θ≤90°。
4.根据权利要求1所述的硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：所述吸波层(1)的厚度、高强回弹导热硅胶体层(2)的厚度和PET离型膜层(3)的厚度比值为1:1:1。
5.根据权利要求1所述的硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：所述第一粘结层(4)的厚度、第二粘结层(5)的厚度和第三粘结层的厚度比值为1:1:0.3。
6.根据权利要求1所述的硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：所述第一粘结层(4)、第二粘结层(5)和第三粘结层均采用的是散热胶水。
7.根据权利要求1所述的硅分子散热消磁屏蔽片，其特征在于：所述加强筋由开设在高强回弹导热硅胶体层(2)芯部的多个平行分布的圆柱槽构成。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2022
- 2022-02-21 CN CN202220354601.2U patent/CN217486861U/zh active Active
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