CN217459568U - 一种改善液态源气体传输稳定性的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种改善液态源气体传输稳定性的装置,包括真空等离子反应腔和液态源存储罐,所述真空等离子反应腔安装有RF电极,并连接RF电源,所述真空等离子反应腔底部连接一真空管路,所述液态源存储罐通过气体传输管道与真空等离子反应腔连通,所述气体传输管道上设有一气体节流装置。本实用新型与现有技术相比的优点是:本实用新型解决了原有MFC质量控制流量计使用局限性和寿命的问题,方便等离子镀膜设备的维护和保养,降低了设备的维护成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及气体流量控制装置,尤其涉及一种改善液态源气体传输稳定性的装置。
背景技术
等离子纳米镀膜设备在消费电子防水领域有着重要的作用,随着制造工艺的不断提高,等离子镀膜工艺的稳定性越来越重要。
等离子镀膜指的是将液态源前体通过加热蒸发成气态,并将气体通过控制管路通入真空腔体内部,利用腔体中馈入的射频能量将该气态分子链断裂,之后又在样品表面重新聚合而沉积纳米薄膜的过程。
如图1所示,是等离子镀膜设备的原理示意图(其中,a为真空等离子沉积反应腔,b为液态源存储罐,c为液体,d为气体,e为气体传输管道,f为MFC质量控制流量计,G为RF电极,h为样品,i为真空管路,j为RF电源)。镀膜原材料以液体形态放置于液态源存储罐中,通过对液态源加热可使液态源前体蒸发,在罐中形成一定的饱和蒸汽压,加热温度不同,将形成不同的饱和蒸汽压。通过MFC质量控制流量计来控制该气体进入等离子真空反应腔体流量的大小。采用MFC质量控制流量计来控制液态源气体流量有两个问题:一是这里MFC质量控制流量计的控制管路也是需要加热的,如果不加热该管路,从液态源罐里蒸发出来的热气体将会在MFC内部冷凝而导致MFC质量控制流量计失效,影响MFC质量控制流量计控制精度和使用寿命。二是MFC的长期使用也会被自然阻塞,因为液态源气体的分子量较大,且粘附性较强。
所以对于传统的等离子镀膜设备,需要不停的对管路进行加热,一旦管路回到常温后就会影响MFC质量控制流量计控制精度,甚至导致MFC质量控制流量计损坏,这就对设备的保养维护造成了很大的影响。另外就是需要定期的更换MFC质量控制流量计,造成了设备成本的增加。因此如何用一种简单方式来解决液态源气体的控制问题非常有意义,可降低设备使用成本,提升镀膜设备的使用效率。故,研发一种改善液态源气体传输稳定性的装置,成为本领域技术人员亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型是为了解决上述不足,提供了一种改善液态源气体传输稳定性的装置。
本实用新型的上述目的通过以下的技术方案来实现:一种改善液态源气体传输稳定性的装置,包括真空等离子反应腔和液态源存储罐,所述真空等离子反应腔安装有RF电极,并连接RF电源,所述真空等离子反应腔底部连接一真空管路,所述液态源存储罐通过气体传输管道与真空等离子反应腔连通,其特征在于:所述气体传输管道上设有一气体节流装置。
进一步地,所述气体节流装置包括一节流金属片,所述节流金属片上设有一通孔。
进一步地,所述通孔直径为0.5mm。
进一步地,所述气体节流装置通过金属挤压件固定在气体传输管道上。
进一步地,所述液态源存储罐上设有加热装置。
进一步地,所述加热装置连接有温控装置。
本实用新型中的节流装置由中心开通孔的节流金属片构成,该节流金属片可通过金属挤压的方式来固定在气体输送管路中(如图3所示),通过金属挤压固定的方式,可以保证整个管路的密封性。这样就可以通过节流片中心区域开孔的大小和液态源加热的温度来控制液态源气体进入反应腔体的流量大小,该装置不会由于管路温度的升降而阻塞,改善了设备液态源气体流量控制的稳定性,同时也降低了设备的维护成本。
本实用新型与现有技术相比的优点是:本实用新型解决了原有MFC质量控制流量计使用局限性和寿命的问题,方便等离子镀膜设备的维护和保养,降低了设备的维护成本。
附图说明
图1是传统的等离子镀膜原理示意图。
图2是本实用新型中气体节流装置的结构示意图。
图3是本实用新型中气体节流装置安装在管路中的结构示意图。
图4是本实用新型的等离子镀膜原理示意图。
图5是采用本实用新型的等离子镀膜流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步详述。
如图2、图3及图4所示,一种改善液态源气体传输稳定性的装置,包括真空等离子反应腔1和液态源存储罐2,所述真空等离子反应腔1安装有RF电极3,并连接RF电源4,所述真空等离子反应腔1底部连接一真空管路5,所述液态源存储罐2通过气体传输管道6与真空等离子反应腔1连通,所述气体传输管道6上设有一气体节流装置7。
进一步地,所述气体节流装置7包括一节流金属片701,所述节流金属片701上设有一通孔702。
进一步地,所述通孔702直径为0.5mm。
进一步地,所述气体节流装置7通过金属挤压件703固定在气体传输管道6上。
进一步地,所述液态源存储罐2上设有加热装置。
进一步地,所述加热装置连接有温控装置。
本实用新型中的节流装置由中心开有通孔702的节流金属片701构成,该节流金属片701可通过金属挤压的方式来固定在气体输送管路中(如图3所示),通过金属挤压固定的方式,可以保证整个管路的密封性。这样就可以通过节流片中心区域开孔的大小和液态源加热的温度来控制液态源气体进入反应腔体的流量大小,该装置不会由于管路温度的升降而阻塞,改善了设备液态源气体流量控制的稳定性,同时也降低了设备的维护成本。
如图4所示,为改进后的等离子镀膜设备原理示意图,通过金属节流装置来控制液态源气体流量的大小,替换了原有的MFC的控制单元,该节流金属片701可通过金属挤压的方式固定在传送管路上,确保了管路的密封性。
针对改进后的设备,镀膜工艺实现方案如下:首先将通孔702为0.5mm的节流金属片701固定在金属管路上,将液态源加热到40℃,待液态源温度稳定后,具体执行镀膜工艺如图5所示。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种改善液态源气体传输稳定性的装置,包括真空等离子反应腔和液态源存储罐,所述真空等离子反应腔安装有RF电极,并连接RF电源,所述真空等离子反应腔底部连接一真空管路,所述液态源存储罐通过气体传输管道与真空等离子反应腔连通,其特征在于:所述气体传输管道上设有一气体节流装置;所述气体节流装置包括一节流金属片,所述节流金属片上设有一通孔;所述气体节流装置通过金属挤压件固定在气体传输管道上。
2.根据权利要求1所述的一种改善液态源气体传输稳定性的装置,其特征在于:所述通孔直径为0.5mm。
3.根据权利要求1所述的一种改善液态源气体传输稳定性的装置,其特征在于:所述液态源存储罐上设有加热装置。
4.根据权利要求3所述的一种改善液态源气体传输稳定性的装置,其特征在于:所述加热装置连接有温控装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202220986855.6U CN217459568U (zh) | 2022-04-27 | 2022-04-27 | 一种改善液态源气体传输稳定性的装置 |
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ID=83270583
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115608580A (zh) * | 2022-11-03 | 2023-01-17 | 天津双微电子科技有限公司 | 一种等离子涂敷结构 |
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2022
- 2022-04-27 CN CN202220986855.6U patent/CN217459568U/zh active Active
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