CN217438284U - 一种共蒸法Se蒸发源结构 - Google Patents

一种共蒸法Se蒸发源结构 Download PDF

Info

Publication number
CN217438284U
CN217438284U CN202122843468.5U CN202122843468U CN217438284U CN 217438284 U CN217438284 U CN 217438284U CN 202122843468 U CN202122843468 U CN 202122843468U CN 217438284 U CN217438284 U CN 217438284U
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
braced frame
heater
bottom flange
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202122843468.5U
Other languages
English (en)
Inventor
马尚忠
鲁继浩
罗欣
毛成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Ouzhan Technology Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Ouzhan Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Ouzhan Technology Co ltd filed Critical Jiangsu Ouzhan Technology Co ltd
Priority to CN202122843468.5U priority Critical patent/CN217438284U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN217438284U publication Critical patent/CN217438284U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种共蒸法Se蒸发源结构,包括支撑框架,所述支撑框架内设有铠装加热器,支撑框架外套设有套管,所述支撑框架下端水平固定设有底部法兰,且底部法兰下部固定连接有多个反射板,所述铠装加热器均匀绕制为螺旋弹簧状,所述铠装加热器内设有温度传感器,且温度传感器线端贯穿底部法兰以及多个反射板延伸至外部,本实用新型,解决了目前硒源加热的蒸发温度高、热场不均匀等问题,在底部设置了温度传感器,解决了以往加热温控难度大的问题,保证了热场稳定,加热器采用铠装热电偶进行温度监测,控温方便。

Description

一种共蒸法Se蒸发源结构
技术领域
本实用新型涉及非晶硅玻璃基光伏电池技术领域,尤其涉及一种共蒸法Se蒸发源结构。
背景技术
铜铟镓硒(CIGS)玻璃基太阳能电池采用多元共蒸法在真空环境下完成镀膜。利用铜铟镓硒各元素进行共蒸,在基底表面反应形成多晶镀层。
多元共蒸法的蒸发的原理是将铜铟镓硒各金属蒸发源通过高温熔化,金属原子在加热情况下,由液态向气态升华,并以蒸气压的形式沉积到基底表面,现有的硒源加热的蒸发温度高、热场不均匀,难以控温,因此,现提出一种共蒸法Se蒸发源结构。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种共蒸法Se蒸发源结构。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种共蒸法Se蒸发源结构,包括支撑框架,所述支撑框架内设有铠装加热器,支撑框架外套设有套管,所述支撑框架下端水平固定设有底部法兰,且底部法兰下部固定连接有多个反射板。
优选的,所述铠装加热器均匀绕制为螺旋弹簧状。
优选的,所述铠装加热器内设有温度传感器,且温度传感器线端贯穿底部法兰以及多个反射板延伸至外部。
优选的,所述套管内设有加热模块。
本实用新型的有益效果为:
1.通过设置的铠装加热器以及设置了加热模块作为加热源,解决了目前硒源加热的蒸发温度高、热场不均匀等问题,在底部设置了温度传感器,解决了以往加热温控难度大的问题。
2.采用电阻式铠装加热器,加热温控,控温方便,将铠装加热器缠绕成螺旋弹簧状,然后均匀固定在支撑框架上,采用管卡固定,保证了热场稳定,加热器采用铠装热电偶进行温度监测,控温方便。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种共蒸法Se蒸发源结构的平面结构示意图;
图2为本实用新型提出的一种共蒸法Se蒸发源结构的平面剖视结构示意图;
图3为本实用新型提出的一种共蒸法Se蒸发源结构的铠装加热器平面结构示意图;
图4为本实用新型提出的一种共蒸法Se蒸发源结构的支撑框架结构示意图。
图中:1、套管;2、支撑框架;3、铠装加热器;4、温度传感器; 5、底部法兰;6、反射板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-4,一种共蒸法Se蒸发源结构,包括支撑框架2,支撑框架2内设有铠装加热器3,支撑框架2外套设有套管1,支撑框架 2下端水平固定设有底部法兰5,且底部法兰5下部固定连接有多个反射板6。
本实用新型中,铠装加热器3均匀绕制为螺旋弹簧状,铠装加热器3内设有温度传感器4,且温度传感器4线端贯穿底部法兰5以及多个反射板6延伸至外部,套管1内设有加热模块。
本实施例工作原理:将铠装加热器3以及加热模块作为加热源,使得加热温控准确,在支撑框架2底部设置了温度传感器4,解决了以往加热温控难度大的问题,将铠装加热器3缠绕成螺旋弹簧状,然后均匀固定在支撑框架2上固定,保证了热场稳定,加热器采用铠装热电偶进行温度监测,控温方便。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种共蒸法Se蒸发源结构,包括支撑框架(2),其特征在于,所述支撑框架(2)内设有铠装加热器(3),支撑框架(2)外套设有套管(1),所述支撑框架(2)下端水平固定设有底部法兰(5),且底部法兰(5)下部固定连接有多个反射板(6)。
2.根据权利要求1所述的一种共蒸法Se蒸发源结构,其特征在于,所述铠装加热器(3)均匀绕制为螺旋弹簧状。
3.根据权利要求1所述的一种共蒸法Se蒸发源结构,其特征在于,所述铠装加热器(3)内设有温度传感器(4),且温度传感器(4)线端贯穿底部法兰(5)以及多个反射板(6)延伸至外部。
4.根据权利要求1所述的一种共蒸法Se蒸发源结构,其特征在于,所述套管(1)内设有加热模块。
CN202122843468.5U 2021-11-19 2021-11-19 一种共蒸法Se蒸发源结构 Active CN217438284U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202122843468.5U CN217438284U (zh) 2021-11-19 2021-11-19 一种共蒸法Se蒸发源结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202122843468.5U CN217438284U (zh) 2021-11-19 2021-11-19 一种共蒸法Se蒸发源结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217438284U true CN217438284U (zh) 2022-09-16

Family

ID=83208785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202122843468.5U Active CN217438284U (zh) 2021-11-19 2021-11-19 一种共蒸法Se蒸发源结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN217438284U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100340891B1 (ko) 비단결정반도체박막형성장치,그의형성방법및광기전력소자의제조방법
CN104051628B (zh) 有机/无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及其薄膜的用途
EP2031322A2 (en) A reflecting parabolic construction for solar heating systems
CN108470834B (zh) 一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Plentz et al. Amorphous silicon thin-film solar cells on glass fiber textiles
US20050016862A1 (en) Method of producing zinc oxide thin film, method of producing photovoltaic device and method of producing semiconductor device
CN101807613B (zh) 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法
CN102237443A (zh) 用于成形cigs/cis太阳能电池的混浊氧化锌膜
CN103222041B (zh) 用于加热基板的加热装置和方法
JP2013136999A (ja) 太陽光・熱ハイブリッド発電システム
EP1056136A1 (en) Conductive substrate for a photoelectric conversion device and its manufacturing method
US6498380B1 (en) Substrate for photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device using the same
AU7507198A (en) Zinc oxide thin film, process for producing the film, photoelectric conversion element, and process for producing the element
JP4713819B2 (ja) 薄膜光電変換装置用基板及びそれを用いた薄膜光電変換装置
KR101190750B1 (ko) 실리콘 박막 제조방법 및 제조장치
CN217438284U (zh) 一种共蒸法Se蒸发源结构
CN102354712A (zh) 一种宽谱高反射率异形分布式布拉格结构及其制作方法
CN101820006B (zh) 高转化率硅基单结多叠层pin薄膜太阳能电池及其制造方法
JPH05218465A (ja) 多結晶シリコン薄膜太陽電池の製造方法
CN208183109U (zh) 一种八边形多晶硅铸锭的制造设备
CN202543323U (zh) 一种lpcvd预热腔控温系统
CN102108545A (zh) 一种适用于90炉的大投料的热场系统
CN216972678U (zh) 一种铜铟镓硒镀膜设备用加热器
CN202380087U (zh) 一种加热腔保温系统
CN210956716U (zh) 一种持续提供活性硒的装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant