CN217331574U - 硅基液晶光电性能测试装置 - Google Patents

Abstract

本申请提出一种硅基液晶光电性能测试装置，该测试装置包括：光发生器、第一起偏器、半反半透镜、第二起偏器、光功率器和控制器，光发生器用于发射入射光，第一起偏器的转换效率大于40％，第一起偏器将入射光转换为偏振方向一致的偏振光，半反半透镜对偏振光进行透射，使得部分偏振光进入待测硅基液晶，待测硅基液晶对部分偏振光进行调制得到调制光，半反半透镜还对调制光进行反射得到出射光；出射光经过第二起偏器后进入光功率器；控制器接收光功率器输出的光功率，并根据光功率器计算出待测硅基液晶的相位调制深度。由于第一起偏器的光转换效率比较高，从而减少了光经过第一起偏器时的损耗，进一步减少入射光传输过程中的光损。

Description

硅基液晶光电性能测试装置

技术领域

本申请涉及光学技术领域，尤其涉及一种硅基液晶光电性能测试装置。

背景技术

硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon，即LCOS)是一种基于反射模式的矩阵液晶显示装置，在显示领域、光通信领域以及3D打印领域等方面有广泛的应用。其中，LCOS的相位调制深度是LCOS重要的技术参数，因此，精确测试LCOS的相位调制深度对优化产品设计、改进产品质量有着重要的作用。而在传统的相位调制深度测试平台中，测试光需要经过偏振片后到达LCOS，由于偏振片对光的转换效率较低，使得光强损耗过大，导致信噪比增大，最终测试结果准确度下降。

实用新型内容

本申请提供一种硅基液晶光电性能测试装置，其主要目的在于解决传统硅基液晶光电性能测试平台测试准确度较低的问题，有效较少测试过程中光强损耗，从而提高测试结果的准确度。

本申请实施例提供一种硅基液晶光电性能测试装置，包括：包括：光发生器、第一起偏器、半反半透镜、第二起偏器、光功率器和控制器，所述光发生器、所述第一起偏器、所述半反半透镜和待测硅基液晶按照入射光方向依次设置在入射光路上，所述第一起偏器的转换效率大于40％，所述光发生器用于发射入射光，所述第一起偏器将所述入射光转换为偏振方向一致的偏振光，所述偏振光的偏振方向与所述待测硅基液晶芯片长轴之间的角度为45度或135度，所述半反半透镜对所述偏振光进行透射，使得部分偏振光进入所述待测硅基液晶，所述待测硅基液晶对所述部分偏振光进行调制，得到调制光，并将所述调制光出射至所述半反半透镜，所述半反半透镜对所述调制光进行反射，得到出射光；

所述半反半透镜、所述第二起偏器和所述光功率器按照所述出射光方向依次设置在出射光路上，所述出射光经过所述第二起偏器后进入所述光功率器；

所述控制器的输入端与所述光功率器的输出端连接，所述控制器用于接收所述光功率器输出的光功率，并根据所述光功率器计算出所述待测硅基液晶的相位调制深度。

优选地，所述第一起偏器为偏振转换器，所述偏振转换器包括多个偏振分光棱镜，多个所述偏振分光棱镜呈一字排列，多个所述偏振分光棱镜的入射面位于同一侧，多个所述偏振分光棱镜的出射面位于同一侧；

在多个所述偏振分光棱镜中，每相邻的两个所述偏振分光棱镜中的一个所述偏振分光棱镜的入射面设置有遮光板，另一个所述偏振分光棱镜的出射面设置有半波片。

优选地，所述第二起偏器的结构与所述第一起偏器的结构相同，或，所述第二起偏器为偏振片。

优选地，若所述第二起偏器的结构与所述第一起偏器的结构相同，所述第一起偏器与所述第二起偏器之间的夹角成90度或者平行。

优选地，所述装置还包括光阑，所述光阑设置在所述入射光路上，位于所述光发生器和所述第一起偏器之间，所述光阑用于使所述入射光的光斑直径恒定。

优选地，所述装置还包括透镜，所述透镜设置在所述出射光路上，位于所述第二起偏器和所述光功率器之间，所述透镜用于对所述出射光进行聚焦。

优选地，所述半反半透镜的分光比值为1：1。

优选地，所述装置还包括驱动器，所述驱动器的输出端与所述待测硅基液晶的输入端连接，所述驱动器用于根据预设电压指令为所述待测硅基液晶两端加载相应大小的电压。

优选地，所述控制器的输出端与所述驱动器的输入端连接，所述控制器还用于向所述驱动器发送所述预设电压指令。

优选地，所述装置还包括上位机，所述上位机的输入端与所述控制器的第二输出端连接，所述上位机用于接收所述控制器传输的光功率，并根据不同时刻的光功率绘制光功率曲线。

优选地，所述光功率器为光功率计。

优选地，所述光发生器为激光器。

本申请提出的一种硅基液晶光电性能测试装置，光发生器发出的入射光，入射光经过第一起偏器后得到偏振方向一致的偏振光，偏振光经过半反半透镜后部分透射出来，透射出的部分偏转光经过待测硅基液晶调整后得到调制光，调制光再次经过半反半透镜反射后得到出射光，最终出射光经过第二起偏器后到达光功率器，控制器根据光功率器检测的光功率计算出待测硅基液晶的相位调制深度。本申请中第一起偏器的光转换效率比较高，从而减少了光经过第一起偏器时的损耗，减少入射光传输过程中的光损；半反半透镜具有对光吸收性低的特点，可以进一步减小光在传输过程中的损耗，使得光功率计最终得到的光功率更加准确，从而计算出待测硅基液晶相位调制深度也更加准确。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的一种硅基液晶光电性能测试装置的结构示意图；

图2为本申请一实施例中第一起偏器的结构示意图；

图3为本申请又一实施例提供的一种硅基液晶光电性能测试装置的结构示意图；

图4为本申请另一实施例提供的一种硅基液晶光电性能测试装置的结构示意图。

附图说明：

10，光发生器； 11，第一起偏器；

12，半反半透镜； 13，待测硅基液晶；

14，第二起偏器； 15，光功率器；

16，控制器； 1，入射光；

2，调制光； 3，出射光；

17，偏振分光棱镜； 18，遮光板；

19，半波片； 20，光阑；

21，透镜； 22，驱动器；

23，上位机。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

图1为本申请一实施例提供的一种硅基液晶光电性能测试装置的结构示意图，如图1所示，该测试装置包括：光发生器10、第一起偏器11、半反半透镜12、第二起偏器14、光功率器15和控制器16，所述光发生器10、所述第一起偏器11、所述半反半透镜12和待测硅基液晶13按照入射光1方向依次设置在入射光1路上，所述第一起偏器11的转换效率大于40％，所述光发生器用于发射入射光1，所述第一起偏器11将所述入射光1转换为偏振方向一致的偏振光，所述偏振光的偏振方向与所述待测硅基液晶13芯片长轴之间的角度为45度或135度，所述半反半透镜12对所述偏振光进行透射，使得部分偏振光进入所述待测硅基液晶13，所述待测硅基液晶13对所述部分偏振光进行调制，得到调制光2，并将所述调制光2出射至所述半反半透镜12，所述半反半透镜12对所述调制光2进行反射，得到出射光3；所述半反半透镜12、所述第二起偏器14和所述光功率器15按照所述出射光3方向依次设置在出射光3路上，所述出射光3经过所述第二起偏器14后进入所述光功率器15；所述控制器16的输入端与所述光功率器15的输出端连接，所述控制器16用于接收所述光功率器15输出的光功率，并根据所述光功率器15计算出所述待测硅基液晶13的相位调制深度。

本申请实施例中测试装置主要用来测试硅基液晶的相位调制深度，该测试装置由光发声器10、第一起偏器11、半反半透镜12、第二起偏器14、透镜21、光功率器15和控制器16组成。本申请实施例中光发生器10为能够发射光源的器件，可以是常见的集成型光产生器，比如激光器，也可以为光导管、功率调制器、控制模块和发射模块等部件组装后得到的光发生装置，具体可以根据实际情况进行确定。光发声器首先发射入射光1，入射光1照射到第一起偏器11上，第一起偏器11将该入射光1转换为偏振方向一致的偏振光，该偏振光的偏振方向与待测硅基液晶13芯片长轴之间的角度为45度或135度，该待测硅基液晶13的芯片长轴根据制作过程中的液晶取向确定，对于待测硅基液晶13，该待测硅基液晶13的芯片长轴是确定的，本实施例中通过第一起偏器11，使得照射到待测硅基液晶13的偏振光的角度满足LCOS对入射光1偏振态的要求，并且，传统偏振片对光的转换效率最高为40％，而本实施例中第一起偏器11对光的转换效率大于40％，相比传统的偏振片，第一起偏器11的光转换效率较高，通过第一起偏器11代替传统的偏振片，可以增加光源使用效率，从而提高测试结构的对比度，降低信噪比，提高该测试装置的准确度；偏振光照射到半反半透镜12上，半反半透镜12又叫做分光镜、分光片、半透半反镜，是一种在光学玻璃上镀制半反射膜，改变入射光1束原来的透射和反射的比例的种光学元件，本实施例中半反半透镜12的分光比值可以根据实际情况进行确定，分光比值表示半反半透镜12的透过率和反射率之比，半反半透镜12具有对光吸收性低的特点，可以减小光在传输过程中的损耗。其中透过半反半透镜12的光照射到待测硅基液晶13上，待测硅基液晶13显示周期性驱动的灰阶图像，透过的光照射到该待测硅基液晶13上，通过该待测硅基液晶13对该光照进行调制，得到调制光2；该灰阶图像与加载在待测硅基液晶13两端的电压大小是相对应的，通过改变加载在待测硅基液晶13两端的电压大小，就可以改变该待测硅基液晶13显示的灰阶图像，另外，特定的灰阶图像表示硅基液晶特定的扭转角，不同灰阶表示不同的扭转角，因而不同灰阶图像对光的调制量也不一样，调制光2和透过的光之间是有相位变化的，该相位变化与待测硅基液晶13的厚度、液晶材料折射率和该待测硅基液晶13两端加载的电压有关，因此可以在待测硅基液晶13两端加载从0到255不同灰阶图像，并分别记录相应功率值，可以做出相位-灰阶曲线，并算出待测硅基液晶13的相位深度。还需要说明的是，本实施例中光发生器10、第一起偏器11、半反半透镜12和待测硅基液晶13依次设置在入射光1路上。

调制光2照射到半反半透镜12后，将半反半透镜12反射的光称之为出射光3，出射光3先照射到第二起偏器14上，第二起偏器14将该出射光3转换为偏振方向一致的偏振光，该偏振光进入到光功率器15中，光功率器15可以计算出功率值。

该测试装置还包括控制器16，该控制器16的输入端和光功率器15的输出端连接，光功率器15将检测到的光功率计算出来，并将该光功率传输给控制器16，控制器16接收到该光功率后存储起来，并且根据该光功率器15计算出待测硅基液晶13的相位调制深度。该控制器16为集成一定控制功能的处理器，比如单片机、现场可编程逻辑门阵列(FieldProgrammable Gate Array，简称FPGA)等等，还可以为由各种电子元器件组成的具有存储功能、控制功能、计算功能和信号传输功能的电路，具体可以根据实际情况进行确定，本实施例中，该相位调制深度根据如下公式计算出来：

其中，P(cv)表示光功率，

表示相位调制深度。

本申请提出的一种硅基液晶光电性能测试装置，光发生器10发出的入射光1，入射光1经过第一起偏器11后得到偏振方向一致的偏振光，偏振光经过半反半透镜12后部分透射出来，透射出的部分偏转光经过待测硅基液晶13调整后得到调制光2，调制光2再次经过半反半透镜12反射后得到出射光3，最终出射光3依次经过第二起偏器14后到达光功率器15，控制器16根据光功率器15检测的光功率计算出待测硅基液晶13的相位调制深度。本申请中第一起偏器11的光转换效率比较高，从而减少了光经过第一起偏器11时的损耗，减少入射光1传输过程中的光损；半反半透镜12具有对光吸收性低的特点，可以进一步减小光在传输过程中的损耗，使得光功率计最终得到的光功率更加准确，从而计算出待测硅基液晶13相位调制深度也更加准确。并且，本实施例中通过半透半反镜，同时实现对光的透射和反射两种功能，将两中功能集中于一个部件上，可以减小该测试装置的体积。

在上述实施例的基础上，优选地，所述第一起偏器11为偏振转换器，所述偏振转换器包括多个偏振分光棱镜17，多个所述偏振分光棱镜17呈一字排列，多个所述偏振分光棱镜17的入射面位于同一侧，多个所述偏振分光棱镜17的出射面位于同一侧；在多个所述偏振分光棱镜17中，每相邻的两个所述偏振分光棱镜17中的一个所述偏振分光棱镜17的入射面设置有遮光板18，另一个所述偏振分光棱镜17的出射面设置有半波片19。

图2为本申请一实施例中第一起偏器11的结构示意图，如图2所示，本实施例中的第一起偏器11包括多个偏振分光棱镜17，多个偏振分光棱镜17呈一字排列，多个偏振分光棱镜17的入射面位于同一侧，多个偏振分光棱镜17的出射面位于同一侧；在多个偏振分光棱镜17中，每相邻的两个偏振分光棱镜17中的一个偏振分光棱镜17的入射面设置有遮光板18，另一个偏振分光棱镜17的出射面设置有半波片19。具体地，本实施例中第一起偏器11包括九个偏振分光棱镜17胶合而成，其中，偏振分光棱镜17由将两个直角棱镜的斜面进行胶合，形成一个立方体棱柱，在两个直角棱镜斜面的胶合面处镀有偏振膜，光斑直径恒定的光进入偏振分光棱镜17后，经过偏振膜后一部分反射，另一部分透射，反射光为s偏振光，透射光为p偏振光，其中，s偏振光反射后再次碰到相邻的偏振分光棱镜17的两个直角棱镜的斜面的胶合面，经再次反射后至偏振分光棱镜17的出射面出射，而透射的p偏振光在半波片19的作用下转变为s偏振光出射。

与现有技术相比，由于第一起偏器11包括多个偏振分光棱镜17，在每个偏振分光棱镜17内的胶合界面处，s偏振光反射，p偏振光透射；s偏振光反射后再次碰到相邻的偏振分光棱镜17内的胶合界面，再次反射至偏振分光棱镜17的出射面出射；而经偏振分光棱镜17内的胶合界面处透射的p偏振光在半波片19作用下转变为s偏振光出射，因此，光斑直径恒定的光线经过第一起偏器11后，都转换成为s偏振光。图像光经第一起偏器11转换成s偏振光，其转换效率可达到80％，远高于偏光膜40％的转换效率，入射光1经过第一起偏器11后，80％的光都可被转换为偏振光，因而在降低功耗的条件下达到较佳的成像效果。

在上述实施例的基础上，优选地，所述第二起偏器14的结构与所述第一起偏器11的结构相同，或，所述第二起偏器14为偏振片。

具体地，本申请实施例中第二起偏器14的结构和上述所说的第一起偏器11的结构是相同的，也是由多个偏振分光棱镜17排列组成，第二起偏器14可以将出射光3转换成偏振光，其转换效率可以达到80％，可以在降低功耗的条件下到达较佳的成像效果。在第二起偏器14采用多个偏振分光棱镜17排列组成的情况下，为了适应低成本、检测精度要求不高情况下的使用要求，该第二起偏器14还可以为偏振片，普通的偏振片是一种光滤波器，其中光的透射率与其偏振状态直接相关，通常是某一方向的线偏振光可以通过，而偏振方向与其垂直的光则不能通过，这样的光会被吸收或者反射到其它的方向上，本实施例中通过合适地设置偏振片，同样可以起到对光进行偏振的作用，并且单纯的偏振片比多个偏振分光棱镜17组成的起偏器成本更低。

本实施例为第二起偏器14提供了两种具体实施方式，当对该测试装置的准确度要求较高的情况下，可以使用该多个偏振分光棱镜17排列组成第二起偏器14的结构，通过第一起偏器11和第二起偏器14，在入射光1和出射光3两处都能提高光的转换效率，从而能够提高该测试装置的准确度；当需要降低该测试装置的成本，而对该测试装置的准确度要求不是抬高的情况下，可以将偏振片直接作为第二起偏器14，通过第一起偏器11可以提高光转换效率，而偏振片可以降低该测试装置的使用成本，可以平衡准确率和成本之间的需求。本实施例中给出了第二起偏器14两种不同的实施方式，可以适应不同情况下的使用需求，使得该测试装置具有更强的适应性。

在上述实施例的基础上，优选地，若所述第二起偏器14的结构与所述第一起偏器11的结构相同，所述第一起偏器11与所述第二起偏器14之间的夹角成90度或者平行。

当第二起偏器14也是由多个偏振分光棱镜17组成时，该第二起偏器14和第一起偏器11之间的夹角为90度或180度，以此保证进入第二起偏器14的出射光3能垂直入射到第二起偏器14中，从而最大程度提高出射光3的转换效率，减少光的损耗。

在上述实施例的基础上，优选地，所述装置还包括光阑20，所述光阑20设置在所述入射光1路上，位于所述光发生器和所述第一起偏器11之间，所述光阑20用于使所述入射光1的光斑直径恒定。

图3为本申请又一实施例提供的一种硅基液晶光电性能测试装置的结构示意图，如图所示，光阑20设置在入射光1路上，并且位于光发生器和第一起偏器11之间，光发生器10发射的光首先经过光阑20，得到光斑直径恒定的光，光阑20是指在光学实体中对光束起着限定作用的实体，它可以是透镜21的边缘、框架或特别设置的带孔屏，其作用为限制光束大小，本实施例中通过选取合适通光孔径大小的光阑20，从而使得通过光束的光斑直径大小是合适的，使得后续照射到待测硅基液晶13的光满足LCOS对入射光1光斑大小的要求。

本申请中首先通过光阑20将入射光1转换为光斑直径恒定的光，通过选取合适通光孔径大小的光阑20，从而使得通过光束的光斑直径大小是合适的，通过该光阑20使得后续照射到待测硅基液晶13的光满足LCOS对入射光1光斑大小的要求。

在上述实施例的基础上，优选地，所述装置还包括透镜21，所述透镜21设置在所述出射光3路上，位于所述第二起偏器14和所述光功率器15之间，所述透镜21用于对所述出射光3进行聚焦。

如图3所示，出射光3经过第二起偏器14后转换为偏振光，偏振光经过该透镜21聚焦后，聚焦后的光变得更加聚集，可以更加方便的被光功率器15接收。

在上述实施例的基础上，优选地，所述半反半透镜12的分光比值为1：1。

本实施例中半反半透镜12的分光比值为1：1，也就是该半反半透镜12的透过率和反射率的比值为1：1，当入射光1照射到该半反半透镜12上，50％的透射光照射到待测硅基液晶13上，经过该待测硅基液晶13进行调制后，得到调制光2，调制光2再次照射到半反半透镜12后，50％的光出射，得到出射光3。

在上述实施例的基础上，优选地，所述装置还包括驱动器22，所述驱动器22的输出端与所述待测硅基液晶13的输入端连接，所述驱动器22用于根据预设电压指令为所述待测硅基液晶13两端加载相应大小的电压。

具体地，图4为本申请另一实施例提供的一种硅基液晶光电性能测试装置的结构示意图，如图4所示，该测试装置还包括驱动器22，该驱动器22的输出端和待测硅基液晶13的输入端连接，该驱动器22为集成一定控制功能的处理器，比如单片机、现场可编程逻辑门阵列(FieldProgrammable GateArray，简称FPGA)等等，还可以为由各种电子元器件组成的具有驱动功能和信号传输功能的电路，具体可以根据实际情况进行确定。该驱动器22根据预设电压指令向待测硅基液晶13两端加载相应大小的电压，从而使得待测硅基液晶13根据两端电压的大小调整显示的灰阶图像。本实施例中的预设电压指令可以是该驱动器22事先存储的，也可以是实时人工输入的，具体的可以根据实际情况进行确定。本实施例中，预设电压指令时周期性的，不同时刻该预设电压指令一般是不同的，通常地，该预设电压指令对应0到255不同阶层的加载电压，当加载从0到255所有不同灰阶图像并分别记录相应功率值，可以做出相位-灰阶曲线，并算出LCOS的相位调制深度。本实施例中通过驱动器22对待测硅基液晶13进行驱动，可以对自身不带驱动器22的待测硅基液晶13也进行测试，并且该驱动器22可以根据预设电压指令适应性调整加载电压的大小，可以增加测试的多样性。

在上述实施例的基础上，优选地，所述控制器16的输出端与所述驱动器22的输入端连接，所述控制器16还用于向所述驱动器22发送所述预设电压指令。

具体地，本实施例中控制器16的输出端和驱动器22的输入端连接，并且控制器16会向驱动器22发送预设电压指令，使得驱动器22接收到该预设电压指令后向待测硅基液晶13两端加载相应大小的电压。另外，当控制器16接收到触发指令后，就会向驱动器22发送该预设电压指令。

在上述实施例的基础上，优选地，所述装置还包括上位机23，所述上位机23的输入端与所述控制器16的第二输出端连接，所述上位机23用于接收所述控制器16传输的光功率，并根据不同时刻的光功率绘制光功率曲线。

本申请实施例中，该测试装置还包括上位机23，上位机23的输入端和控制器16的第二输出端连接，控制器16存储的光功率会传输到上位机23，上位机23接收到该光功率后，根据不同时间段接收到的光功率，利用电脑软件绘制出光功率曲线。上位机23还可以在不同测试条件下向控制器16发送不同触发指令，控制器16接收到不同触发指令后，向驱动器22发送不同的预设电压指令，以满足不同条件下的待测硅基液晶13测试。

本实施例中通过上位机23和控制器16对测试过程进行控制，起到触发测试条件和采集相应条件下测试数据，并通过电脑软件控制多个不同条件进行测试，最终输出数据曲线。本实施例可以优化测试过程，提升测试的简便程度。

在上述实施例的基础上，优选地，所述光功率器15为光功率计。

本申请实施例中光功率器15为光功率计，光功率计用于测量绝对光功率，当出射光3照射到光功率计后，光功率计可以即时检测出光功率，并将光功率传输给控制器16。

在上述实施例的基础上，优选地，所述光发生器10为激光器。

本申请实施例中，该光发生器10为激光器，激光具有高方向性、高単色性和高相干性，将激光作为入射光1，可以最大程度的减少光源在传播过程中的散射。该激光器优选为可调谐激光器，可调谐激光器可以生成不同波长的激光，从而可以保证待测硅基液晶13测试结果的多样性和准确性。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，包括：光发生器、第一起偏器、半反半透镜、第二起偏器、光功率器和控制器，所述光发生器、所述第一起偏器、所述半反半透镜和待测硅基液晶按照入射光方向依次设置在入射光路上，所述第一起偏器的转换效率大于40％，所述光发生器用于发射入射光，所述第一起偏器将所述入射光转换为偏振方向一致的偏振光，所述偏振光的偏振方向与所述待测硅基液晶芯片长轴之间的角度为45度或135度，所述半反半透镜对所述偏振光进行透射，使得部分偏振光进入所述待测硅基液晶，所述待测硅基液晶对所述部分偏振光进行调制，得到调制光，并将所述调制光出射至所述半反半透镜，所述半反半透镜对所述调制光进行反射，得到出射光；

所述半反半透镜、所述第二起偏器和所述光功率器按照所述出射光的方向依次设置在出射光路上，所述出射光经过所述第二起偏器后进入所述光功率器；

所述控制器的输入端与所述光功率器的输出端连接，所述控制器用于接收所述光功率器输出的光功率，并根据所述光功率器计算出所述待测硅基液晶的相位调制深度。

2.根据权利要求1所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述第一起偏器为偏振转换器，所述偏振转换器包括多个偏振分光棱镜，多个所述偏振分光棱镜呈一字排列，多个所述偏振分光棱镜的入射面位于同一侧，多个所述偏振分光棱镜的出射面位于同一侧；

在多个所述偏振分光棱镜中，每相邻的两个所述偏振分光棱镜中的一个所述偏振分光棱镜的入射面设置有遮光板，另一个所述偏振分光棱镜的出射面设置有半波片。

3.根据权利要求2所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述第二起偏器的结构与所述第一起偏器的结构相同，或，所述第二起偏器为偏振片。

4.根据权利要求3所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，若所述第二起偏器的结构与所述第一起偏器的结构相同，所述第一起偏器与所述第二起偏器之间的夹角成90度或者平行。

5.根据权利要求1所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述装置还包括光阑，所述光阑设置在所述入射光路上，位于所述光发生器和所述第一起偏器之间，所述光阑用于使所述入射光的光斑直径恒定。

6.根据权利要求1所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述装置还包括透镜，所述透镜设置在所述出射光路上，位于所述第二起偏器和所述光功率器之间，所述透镜用于对所述出射光进行聚焦。

7.根据权利要求1所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述半反半透镜的分光比值为1：1。

8.根据权利要求1所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述装置还包括驱动器，所述驱动器的输出端与所述待测硅基液晶的输入端连接，所述驱动器用于根据预设电压指令为所述待测硅基液晶两端加载相应大小的电压。

9.根据权利要求8所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述控制器的输出端与所述驱动器的输入端连接，所述控制器还用于向所述驱动器发送所述预设电压指令。

10.根据权利要求1所述的硅基液晶光电性能测试装置，其特征在于，所述装置还包括上位机，所述上位机的输入端与所述控制器的第二输出端连接，所述上位机用于接收所述控制器传输的光功率，并根据不同时刻的光功率绘制光功率曲线。

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