CN217298080U - 一种提高单晶拉速的装置 - Google Patents

一种提高单晶拉速的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN217298080U
CN217298080U CN202123192162.4U CN202123192162U CN217298080U CN 217298080 U CN217298080 U CN 217298080U CN 202123192162 U CN202123192162 U CN 202123192162U CN 217298080 U CN217298080 U CN 217298080U
Authority
CN
China
Prior art keywords
draft tube
fixed
water
single crystal
cooling screen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202123192162.4U
Other languages
English (en)
Inventor
杨昊
付春旭
孙自阳
赵秀雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongyuan New Materials Baotou Co ltd
Original Assignee
Hongyuan New Materials Baotou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hongyuan New Materials Baotou Co ltd filed Critical Hongyuan New Materials Baotou Co ltd
Priority to CN202123192162.4U priority Critical patent/CN217298080U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN217298080U publication Critical patent/CN217298080U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种提高单晶拉速的装置,涉及单晶拉晶技术领域。本实用新型包括导流筒,外导流筒内部的底端固定有下部支撑环,外导流筒的内部还固定有内导流筒,内导流筒的底端位于下部支撑环的外侧,且内导流筒的底端与外导流筒内部的底端贴合,内导流筒的内侧固定有水冷屏,外导流筒顶端的两侧固定有抬升机构,抬升机构包括有连杆、电动推杆、固定片与弧形连接扣,连杆固定在外导流筒顶端的外侧。本实用新型通过对结构的改进,能够缩短水冷屏与硅溶液面的距离,进而增加拉晶速度,增加产量,且装置能够调节外导流筒的位置,能够保证硅溶液面高度产生变化时也能够与水冷屏保持在同一间距。

Description

一种提高单晶拉速的装置
技术领域
本实用新型属于单晶拉晶技术领域,特别是涉及一种提高单晶拉速的装置。
背景技术
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备,目前行业提高单晶炉等径拉速的方法主要是通过降功率实现,但单纯的通过降功率提高拉速效果有限,手段单一。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种提高单晶拉速的装置,以解决现有的问题:现有单晶拉速单纯的通过降功率提高拉速效果有限,手段单一。
为解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种提高单晶拉速的装置,包括外导流筒,所述外导流筒内部的底端固定有下部支撑环,所述外导流筒的内部还固定有内导流筒,所述内导流筒的底端位于下部支撑环的外侧,且所述内导流筒的底端与外导流筒内部的底端贴合,所述内导流筒的内侧固定有水冷屏,所述外导流筒顶端的两侧固定有抬升机构。
进一步地,所述抬升机构包括有连杆、电动推杆、固定片与弧形连接扣,所述连杆固定在外导流筒顶端的外侧,所述连杆的底端固定有固定片,所述固定片的底端固定有电动推杆,所述电动推杆的输出端与固定片的底端固定,所述电动推杆的底端固定有弧形连接扣。
进一步地,所述水冷屏顶端的两侧分别固定有入水管和出水管,所述入水管固定在水冷屏的入水口,所述出水管固定在水冷屏的出水口。
进一步地,所述外导流筒与内导流筒之间填充有隔热填充物。
进一步地,所述连杆上表面的中部固定有连接管。
本实用新型具有以下有益效果:
1、本实用新型通过对结构的改进,能够缩短水冷屏与硅溶液面的距离,进而增加拉晶速度,增加产量。
2、本实用新型通过对结构的设计,使得装置能够调节外导流筒的位置,能够保证硅溶液面高度产生变化时也能够与水冷屏保持在同一间距。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型抬升机构的结构示意图;
图3为本实用新型的局部剖面图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、外导流筒;2、内导流筒;3、水冷屏;4、下部支撑环;5、入水管;6、出水管;7、隔热填充物;8、连杆;9、电动推杆;10、固定片;11、弧形连接扣;12、连接管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3所示,本实用新型为一种提高单晶拉速的装置,包括外导流筒1,外导流筒1内部的底端固定有下部支撑环4,下部支撑环4可通过原有的零件基础上进行加工缩短工件直径,能够降低产品生产的成本,外导流筒1的内部还固定有内导流筒2,外导流筒1与内导流筒2之间填充有隔热填充物7,隔热填充物7具有较好的隔热功能,内导流筒2的底端位于下部支撑环4的外侧,且内导流筒2的底端与外导流筒1内部的底端贴合;
进一步地,内导流筒2的内侧固定有水冷屏3,水冷屏3顶端的两侧分别固定有入水管5和出水管6,入水管5固定在水冷屏3的入水口,出水管6固定在水冷屏3的出水口,通过入水管5能够向水冷屏3内输送循环水,并从出水管6处将循环水排出,完成水循环,由于内导流筒2的底端与外导流筒1内部的底端贴合,能够缩短水冷屏3与硅溶液面的距离,增加拉晶速度,外导流筒1顶端的两侧固定有抬升机构。
具体的,抬升机构包括有连杆8、电动推杆9、固定片10与弧形连接扣11,连杆8固定在外导流筒1顶端的外侧,连杆8上表面的中部固定有连接管12,通过连接管12的设置,能够方便装置整体从单晶炉中取出,连杆8的底端固定有固定片10,固定片10的底端固定有电动推杆9,电动推杆9的输出端与固定片10的底端固定,电动推杆9的底端固定有弧形连接扣11,通过电动推杆9推动固定片10升降,能够调节外导流筒1伸入坩埚的深度,进而保证外导流筒1一直与硅溶液面保持同一间距,更加便于使用。
本实施例的一个具体应用为:在使用时将装置的弧形连接扣11处扣在坩埚的外侧,并使得外导流筒1伸入坩埚内,且由于对下部支撑环4的形状进行加工,缩短了下部支撑环4的外径,使得内导流筒2的底端能够贴合外导流筒1内侧的底端,进而使得水冷屏3随着内导流筒2一起下降,缩短了水冷屏3与硅溶液面的距离,在拉晶时能够有效提高单晶拉速,效果更好,且在进行拉晶时硅溶液面产生高度变化时可通过电动推杆9推动固定片10升降,进而带动装置整体在坩埚内进行升降,保持水冷屏3与硅溶液面始终保持在同一间距,使得装置拉晶效果更好。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然,根据本说明书的内容,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (5)

1.一种提高单晶拉速的装置,其特征在于:包括外导流筒(1),所述外导流筒(1)内部的底端固定有下部支撑环(4),所述外导流筒(1)的内部还固定有内导流筒(2),所述内导流筒(2)的底端位于下部支撑环(4)的外侧,且所述内导流筒(2)的底端与外导流筒(1)内部的底端贴合,所述内导流筒(2)的内侧固定有水冷屏(3),所述外导流筒(1)顶端的两侧固定有抬升机构。
2.根据权利要求1所述的一种提高单晶拉速的装置,其特征在于:所述抬升机构包括有连杆(8)、电动推杆(9)、固定片(10)与弧形连接扣(11),所述连杆(8)固定在外导流筒(1)顶端的外侧,所述连杆(8)的底端固定有固定片(10),所述固定片(10)的底端固定有电动推杆(9),所述电动推杆(9)的输出端与固定片(10)的底端固定,所述电动推杆(9)的底端固定有弧形连接扣(11)。
3.根据权利要求1所述的一种提高单晶拉速的装置,其特征在于:所述水冷屏(3)顶端的两侧分别固定有入水管(5)和出水管(6),所述入水管(5)固定在水冷屏(3)的入水口,所述出水管(6)固定在水冷屏(3)的出水口。
4.根据权利要求1所述的一种提高单晶拉速的装置,其特征在于:所述外导流筒(1)与内导流筒(2)之间填充有隔热填充物(7)。
5.根据权利要求2所述的一种提高单晶拉速的装置,其特征在于:所述连杆(8)上表面的中部固定有连接管(12)。
CN202123192162.4U 2021-12-19 2021-12-19 一种提高单晶拉速的装置 Active CN217298080U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202123192162.4U CN217298080U (zh) 2021-12-19 2021-12-19 一种提高单晶拉速的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202123192162.4U CN217298080U (zh) 2021-12-19 2021-12-19 一种提高单晶拉速的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217298080U true CN217298080U (zh) 2022-08-26

Family

ID=82919981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202123192162.4U Active CN217298080U (zh) 2021-12-19 2021-12-19 一种提高单晶拉速的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN217298080U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11708643B2 (en) Method and apparatus for manufacturing monocrystalline silicon
CN207294943U (zh) 一种水冷套及水冷热屏表面发黑处理的单晶生长炉
CN110195256A (zh) 单晶硅多次加料连续生长的装置和工艺
CN110184646A (zh) 大直径高效n型单晶硅的制备装置
CN206624946U (zh) 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
CN112301416A (zh) 一种单晶炉热屏导流筒
CN217298080U (zh) 一种提高单晶拉速的装置
CN206736402U (zh) 用于直拉法生产单晶硅棒的单晶炉
CN202164386U (zh) 超高纯锗单晶炉
CN208121235U (zh) 一种单晶硅炉观察窗
CN205839185U (zh) 一种异型导流筒结构
CN206799790U (zh) 单晶炉
CN217104143U (zh) 一种直拉单晶炉热场结构
CN211112315U (zh) 一种单晶硅拉棒生产用拉速调节装置
CN202643884U (zh) 单晶炉水冷套结构
CN206902281U (zh) 一种单晶炉
CN213652724U (zh) 连续拉晶单晶炉的热场结构
CN211921735U (zh) 一种提高单晶硅拉速的冷却装置
CN206721390U (zh) 一种加料、化料、分离杂质、长晶同步进行连续拉晶的晶体生长炉
CN203613301U (zh) 拉制大直径n型单晶的导流筒
CN206768273U (zh) 一种半导体单晶生长用热场
CN213652720U (zh) 一种单晶炉热屏导流筒
CN201695105U (zh) 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼
CN201648562U (zh) 直拉硅单晶炉装置
CN114635181B (zh) 单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant