CN217240579U - Igbt模块的驱动电路及电机控制系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种IGBT模块的驱动电路及电机控制系统,其中IGBT模块的驱动电路包括:驱动单元,驱动单元用于根据导通控制信号输出驱动信号至IGBT模块,以驱动IGBT模块导通;过流检测单元,过流检测单元包括检流线圈,检流线圈对应IGBT模块的集电极设置,以感应IGBT模块导通时的电流信号,过流检测单元根据电流信号判断IGBT模块发生过流时在导通控制信号的控制下输出过流故障信号。由此,能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,扩大了驱动电路的应用场景。
Description
技术领域
本实用新型涉及IGBT模块检测技术领域,尤其涉及一种IGBT模块的驱动电路和一种电机控制系统。
背景技术
相关技术中,通常采用智能IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)驱动控制IGBT模块工作。并且,智能IGBT驱动一般可以实现短路保护、电流上升率很大的过流保护或者IGBT模块退饱和(IGBT模块的管压降等于直流母线电压)保护。但是,在进行过流保护时,通常IGBT的电流小于2-3倍的IGBT额定电流时,智能IGBT驱动并不会采取保护动作。因此,无法精确地对IGBT模块进行过流保护。
或者,可以在每个功率单元(一般为4或6只IGBT模块组成)安装电流传感器采集电流值,并将采样的电流值传送给控制器,以检测IGBT模块是否发生过流。但是,通过电流传感器检测电流值存在带宽问题,对高频电流信号有滤波和延时影响,无法在10us(业界通用保护时间)内做出保护响应,且不适合应用于小功率系统,具有应用场景受限的问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的第一个目的在于提出一种IGBT模块的驱动电路,通过与IGBT模块的集电极对应设置的检流线圈感应IGBT模块导通时的电流信号,以检测IGBT模块是否发生电流,且在IGBT模块发生电流时,在导通控制信号的控制下输出过流故障信号。由此,能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,扩大了驱动电路的应用场景。
本实用新型的第二个目的在于提出一种电机控制系统。
为达上述目的,本实用新型第一方面实施例提出了一种IGBT模块的驱动电路,该驱动电路包括:驱动单元,所述驱动单元用于根据导通控制信号输出驱动信号至IGBT模块,以驱动所述IGBT模块导通;过流检测单元,所述过流检测单元包括检流线圈,所述检流线圈对应所述IGBT模块的集电极设置,以感应所述IGBT模块导通时的电流信号,所述过流检测单元根据所述电流信号判断所述IGBT模块发生过流时在所述导通控制信号的控制下输出过流故障信号。
根据本实用新型实施例的IGBT模块的驱动电路,通过驱动单元根据导通控制信号输出驱动信号至IGBT模块,以驱动IGBT模块导通,以及通过与IGBT模块的集电极对应设置的检流线圈感应IGBT模块导通时的电流信号判断IGBT模块是否发生过流,且在发生过流时,在导通控制信号的控制下输出过流故障信号。由此,能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,扩大了驱动电路的应用场景。
另外,根据本实用新型上述实施例的IGBT模块的驱动电路,还可以具有如下附加特征:
根据本实用新型的一个实施例,所述检流线圈绘制在所述IGBT模块的驱动板上,且呈螺旋状穿过所述IGBT模块的集电极。
根据本实用新型的一个实施例,所述检流线圈绘制在所述IGBT模块的驱动板上,且呈螺旋状穿过所述IGBT模块的集电极。
根据本实用新型的一个实施例,所述过流检测单元包括:放大积分模块,用于对所述电流信号进行放大和积分处理,输出第一处理电压;比较保护模块,用于将所述第一处理电压与预设保护电压进行比较,以在所述第一处理电压大于所述预设保护电压时输出保护信号;保护信号输出模块,用于在所述导通控制信号的控制下对所述保护信号进行光耦隔离,输出所述过流故障信号。
根据本实用新型的一个实施例,所述放大积分模块包括:采样电阻,所述采样电阻与所述检流线圈并联;第一运算放大器,所述第一运算放大器的正输入端与所述采样电阻的一端相连,所述第一运算放大器的负输入端通过第一电阻连接到所述采样电阻的另一端;第二电阻,所述第二电阻连接在所述第一运算放大器的负输入端与输出端之间;第二运算放大器,所述第二运算放大器的负输入端通过第三电阻连接到所述第一运算放大器的输出端,所述第二运算放大器的正输入端通过第四电阻连接到参考地端;第一电容,所述第一电容连接在所述第二运算放大器的负输入端与输出端之间,所述第二运算放大器的输出端作为所述放大积分模块的输出端。
根据本实用新型的一个实施例,所述比较保护模块包括:第一稳压管,所述第一稳压管的阳极连接到参考地端;第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一稳压管的阴极相连且具有第一节点,所述第五电阻的另一端连接到预设驱动电源;第一比较器,所述第一比较器的负输入端与所述放大积分模块的输出端相连,所述第一比较器的正输入端与所述第一节点相连,所述第一比较器的输出端作为所述比较保护模块的输出端。
根据本实用新型的一个实施例,所述保护信号输出模块包括:第一三极管,所述第一三极管的基极用于接收所述导通控制信号,所述第一三极管的发射极与所述比较保护模块的输出端相连;第一光耦,所述第一光耦的第一管脚通过第六电阻连接到预设驱动电源,所述第一光耦的第二管脚与所述第一三极管的集电极相连,所述第一光耦的第三管脚和第四管脚作为所述保护信号输出模块的输出端。
根据本实用新型的一个实施例,所述驱动单元包括:驱动芯片,所述驱动芯片的输入管脚用于接收所述导通控制信号;第七电阻,所述第七电阻的一端与所述驱动芯片的输出管脚相连,所述第七电阻的另一端连接到所述IGBT模块的栅极;第八电阻,所述第八电阻的一端与所述第七电阻的另一端相连,所述第八电阻的另一端连接到参考地端。
根据本实用新型的一个实施例,所述驱动单元接收到的导通控制信号或关断控制信号通过隔离光耦进行隔离。
根据本实用新型的一个实施例,所述驱动单元和所述过流检测单元集成在驱动板上。
为达上述目的,本实用新型第二方面实施例提出了一种电机控制系统,该电机控制系统包括:上述实施例描述的IGBT模块的驱动电路。
根据本实用新型实施例提供的电机控制系统,通过上述实施例描述的IGBT模块的驱动电路,不仅能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,还扩大了驱动电路的应用场景。
本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
图1为根据本实用新型一个实施例的IGBT模块的驱动电路的方框示意图;
图2为根据本实用新型另一个实施例的IGBT模块的驱动电路的方框示意图;
图3为根据本实用新型又一个实施例的IGBT模块的驱动电路的电路示意图;
图4为根据本实用新型一个实施例的电机控制系统的方框示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
本申请是基于发明人对以下问题的认识和研究而做出的:
相关技术中,智能IGBT驱动无法精确地对IGBT模块进行过流保护,基于电流传感器的检测方法无法快速地做出保护响应且应用场景受限,而基于电阻采样IGBT的电流进行检测过流,由于采样电阻串联在主回路中,具有采样波形干扰比较大,采样精度差的问题以及通过检测管压降检测模块的短路和过流(IGBT正常导通时的管压降为2-3V)也具有不准确的问题。由此,本申请体提出了一种IGBT模块的驱动电路,不仅能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,扩大了驱动电路的应用场景。
图1为根据本实用新型一个实施例的IGBT模块的驱动电路的方框示意图。如图1所示,IGBT模块的驱动电路包括驱动单元100和过流检测单元200。其中,驱动单元100用于根据导通控制信号输出驱动信号至IGBT模块,以驱动IGBT模块导通;过流检测单元200包括检流线圈(图中未标出),检流线圈对应IGBT模块(图中未标出)的集电极设置,以感应IGBT模块导通时的电流信号,过流检测单元200根据电流信号判断IGBT模块发生过流时在导通控制信号的控制下输出过流故障信号。
具体地,导通控制信号可以是来自控制器(图中未标出)发出的高电平信号,驱动单元100可以通过对导通控制信号进行整形和放大得到驱动信号,并将驱动信号输出至IGBT模块的栅极,IGBT模块导通,检流线圈感应到电流信号,且过流检测单元200根据电流信号判断IGBT模块是否发生过流,且在IGBT模块发生过流时,在导通控制信号的控制下输出过流故障信号。
在实用新型的一些实施例中,检流线圈可以绘制在IGBT模块的驱动板上,且呈螺旋状穿过IGBT模块的集电极。
具体地,IGBT模块导通时,集电极有相应的正电流流过,检流线圈可以感应到相应的电流。通过在IGBT模块的驱动板上绘制检流线圈检测电流值,在保证驱动电路能够精准地检测到IGBT模块过流的同时,较之基于电流传感器检测IGBT模块的过流电路具有更小的体积。
在实用新型的一些实施例中,如图2所示,过流检测单元200包括放大积分模块210、比较保护模块220和保护信号输出模块230。其中,放大积分模块210,用于对电流信号进行放大和积分处理,输出第一处理电压;比较保护模块220,用于将第一处理电压与预设保护电压进行比较,以在第一处理电压大于预设保护电压时输出保护信号;保护信号输出模块230,用于在导通控制信号的控制下对保护信号进行光耦隔离,输出过流故障信号。
具体地,放大积分模块210可以是积分比例电路(图中未标出),比例积分电路的输入端与检流线圈相连,以对电流信号进行放大和积分处理,输出第一处理电压;比较保护模块220可以是电压比较器(图中未标出),电压比较器的第一输入端与比例积分电路的输出端相连,电压比较器的第二输出端与预设保护电压相连,当第一处理电压大于预设保护电压时电压比较器输出保护信号;保护信号输出模块230可以包括第一MOS(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体型场效应管)管(图中未标出)和第一光耦(图中未标出),当驱动单元100接收到导通控制信号时,第一MOS管导通,保护信号可以通过光耦隔离输出过流故障信号,当驱动单元100接收到关断控制信号(低电平)时,第一MOS管截止,IGBT模块截止,不会出现过流,也无过流故障信号输出。
在实用新型的一些实施例中,如图3所示,放大积分模块210包括采样电阻Rc、第一运算放大器U1、第二电阻R2和第二运算放大器U2。其中,采样电阻Rc与检流线圈L并联;第一运算放大器U1的正输入端与采样电阻Rc的一端相连,第一运算放大器U1的负输入端通过第一电阻R1连接到采样电阻Rc的另一端;第二电阻R2连接在第一运算放大器U1的负输入端与输出端之间;第二运算放大器U2的负输入端通过第三电阻R3连接到第一运算放大器U1的输出端,第二运算放大器U2的正输入端通过第四电阻R4连接到参考地端;第一电容C1连接在第二运算放大器U2的负输入端与输出端之间,第二运算放大器U2的输出端作为放大积分模块210的输出端。
具体地,可以通过采样电阻Rc获取采样电压,并将其输入至第一运算放大器U1的正输入端,通过由第一运算放大器U1、第一电阻R1和第二电阻R2组成的反向比例放大电路211能够对采样电压进行等比放大,并将等比放大后的采样电压输入由第二运算放大器U2、第一电容C1和第四电阻R4组成的积分电路212进行积分,获得第一处理电压。
在实用新型的一些实施例中,如图3所示,比较保护模块220包括第一稳压管D1、第五电阻R5和第一比较器U3。其中,第一稳压管D1的阳极连接到参考地端;第五电阻R5的一端与第一稳压管D1的阴极相连且具有第一节点J1,第五电阻R5的另一端连接到预设驱动电源;第一比较器U3的负输入端与放大积分模块210的输出端相连,第一比较器U3的正输入端与第一节点J1相连,第一比较器U3的输出端作为比较保护模块220的输出端。
具体地,第一处理电压输入第一比较器U3的负输入端,预设保护电压输入第一比较器U3的正输入端,通过第一比较器U3的比较,当第一处理电压大于预设保护电压时,电压比较器输出保护信号(例如,低电平)。
在实用新型的一些实施例中,如图3所示,保护信号输出模块包括第一三极管和第一光耦。其中,第一三极管的基极用于接收导通控制信号,第一三极管的发射极与比较保护模块的输出端相连;第一光耦的第一管脚通过第六电阻连接到预设驱动电源,第一光耦的第二管脚与第一三极管的集电极相连,第一光耦的第三管脚和第四管脚作为保护信号输出模块的输出端。
具体地,当第一三极管Q1的基极P接收到导通控制信号且IGBT模块发生过流时,比较保护模块220输出保护信号,经过导通的第一三极管Q1,将保护信号传输至第一光耦U4的第二管脚,第一光耦U4导通,且第一光耦U4的第三管脚和第四管脚输出过流故障信号。
在实用新型的一些实施例中,如图3所示,驱动单元100包括驱动芯片U5、第七电阻R7和第八电阻R8。其中,驱动芯片U5的输入管脚用于接收导通控制信号;第七电阻R7的一端与驱动芯片U5的输出管脚相连,第七电阻R7的另一端连接到IGBT模块的栅极;第八电阻R8的一端与第七电阻R7的另一端相连,第八电阻R8的另一端连接到参考地端。
具体地,当驱动芯片U5的输入管脚接收到导通控制信号时,经过第七电阻R7提供给IGBT模块导通电压,IGBT模块导通,当驱动芯片U5的输入管脚接收到关断控制信号时,IGBT模块截止。
在实用新型的一些实施例中,如图3所示,驱动单元100接收到的导通控制信号或关断控制信号通过隔离光耦300进行隔离。
在本示例中,通过隔离光耦对导通控制信号或关断控制信号的隔离能够防止高压击穿IGBT模块。
需要说明的是,上述实施例中驱动单元和过流检测单元可以集成在驱动板上。通过将驱动单元和过流检测单元集成在驱动板上,不仅能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,扩大了驱动电路的应用场景,还减小了驱动电路的体积。
在本实用新型的一个具体实施例中,如图3所示,IGBT模块的驱动电路包括隔离电源400、隔离光耦300、驱动单元100和过流检测单元200。其中,驱动单元100包括驱动芯片U5、第七电阻R7和第八电阻R8;过流检测单元200包括放大积分模块210、比较保护模块220和保护信号输出模块230。
隔离光耦300中的数字隔离芯片U6的正、负输入端用于接收电机控制系统发出的PWM信号(在PWM信号为高电平时,驱动单元100接收到导通控制信号;在PWM信号为低电平时,驱动单元100接收到关断控制信号),且正输入端连接有限流电阻R9,数字隔离芯片U6的输出端与驱动芯片U5的输入端、第一三极管Q1的基极P相连,驱动芯片U5的输出端通过第七电阻R7与IGBT模块的栅极相连,并且,在IGBT模块的栅极与发射极S之间连接有第八电阻R8(防开路电阻),螺旋状的检流线圈L穿过IGBT模块的集电极G,并将采样电阻Rc连接在检流线圈L两端,以及采样电阻Rc并联在第一运算放大器U1、第一电阻R1和第二电阻R2组成的反向比例放大电路211的输入端,反向比例放大电路211的输出端与第二运算放大器U2、第三电阻R3、第四电阻R4和第一电容C1组成的积分电路212的负向输入端,积分电路212的输出端与比较保护模块220中的第一比较器U3的负向输入端相连,且第一比较器U3的正向输入端与第一节点J1(在第一稳压管D1与第五电阻R5之间)相连,第一比较器U3的输出端与第一三极管Q1的发射极相连,第一三级管的集电极与第一光耦U4的第二管脚相连,第一光耦U4的第一管脚与第六电阻R6相连,第一光耦U4的第三管脚和第四管脚输出过流故障信号。
当驱动芯片U5接收到导通控制信号时,IGBT模块导通(栅极电压为15V),检流线圈L感应到相应的电流信号,经过采样电阻Rc和放大积分模块210的处理,若得到的第一处理电压小于等于预设保护电压,则第一比较器U3输出高电平,第一光耦U4截止,无过流故障信号输出,则确定IGBT模块未发生过流;若得到的第一处理电压大于预设保护电压,则第一比较器U3输出低电平,第一光耦U4导通,输出过流故障信号,则确定IGBT模块发生过流;当驱动芯片U5接收到关断控制信号时,IGBT模块截止(栅极电压为-5V),第一三极管Q1截止,则第一光耦U4截止,不再输出过流故障信号。
综上所述,根据本实用新型实施例的IGBT模块的驱动电路,通过驱动单元根据导通控制信号输出驱动信号至IGBT模块,以驱动IGBT模块导通,以及通过与IGBT模块的集电极对应设置的检流线圈感应IGBT模块导通时的电流信号判断IGBT模块是否发生过流,且在发生过流时,在导通控制信号的控制下输出过流故障信号。由此,能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,扩大了驱动电路的应用场景。
对应上述实施例,本实用新型还提出了一种电机控制系统。如图4所示,该电机控制系统1包括上述实施例描述的IGBT模块的驱动电路10。
根据本实用新型实施例提供的电机控制系统,通过上述实施例描述的IGBT模块的驱动电路,不仅能够快速准确地检测出IGBT模块的过流情况,还扩大了驱动电路的应用场景。
应当理解,本实用新型的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中,多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如,如果用硬件来实现,和在另一实施方式中一样,可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现:具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路,具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路,可编程门阵列(PGA),现场可编程门阵列(FPGA)等。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
此外,本实用新型实施例中所使用的“第一”、“第二”等术语,仅用于描述目的,而不可以理解为指示或者暗示相对重要性,或者隐含指明本实施例中所指示的技术特征数量。由此,本实用新型实施例中限定有“第一”、“第二”等术语的特征,可以明确或者隐含地表示该实施例中包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,词语“多个”的含义是至少两个或者两个及以上,例如两个、三个、四个等,除非实施例中另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非实施例中另有明确的相关规定或者限定,否则实施例中出现的术语“安装”、“相连”、“连接”和“固定”等应做广义理解,例如,连接可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体,可以理解的,也可以是机械连接、电连接等;当然,还可以是直接相连,或者通过中间媒介进行间接连接,或者可以是两个元件内部的连通,或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,能够根据具体的实施情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要指出的是,以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本实用新型的限制,本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种IGBT模块的驱动电路,其特征在于,包括:
驱动单元,所述驱动单元用于根据导通控制信号输出驱动信号至IGBT模块,以驱动所述IGBT模块导通;
过流检测单元,所述过流检测单元包括检流线圈,所述检流线圈对应所述IGBT模块的集电极设置,以感应所述IGBT模块导通时的电流信号,所述过流检测单元根据所述电流信号判断所述IGBT模块发生过流时在所述导通控制信号的控制下输出过流故障信号。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述检流线圈绘制在所述IGBT模块的驱动板上,且呈螺旋状穿过所述IGBT模块的集电极。
3.根据权利要求1或2所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述过流检测单元包括:
放大积分模块,用于对所述电流信号进行放大和积分处理,输出第一处理电压;
比较保护模块,用于将所述第一处理电压与预设保护电压进行比较,以在所述第一处理电压大于所述预设保护电压时输出保护信号;
保护信号输出模块,用于在所述导通控制信号的控制下对所述保护信号进行光耦隔离,输出所述过流故障信号。
4.根据权利要求3所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述放大积分模块包括:
采样电阻,所述采样电阻与所述检流线圈并联;
第一运算放大器,所述第一运算放大器的正输入端与所述采样电阻的一端相连,所述第一运算放大器的负输入端通过第一电阻连接到所述采样电阻的另一端;
第二电阻,所述第二电阻连接在所述第一运算放大器的负输入端与输出端之间;
第二运算放大器,所述第二运算放大器的负输入端通过第三电阻连接到所述第一运算放大器的输出端,所述第二运算放大器的正输入端通过第四电阻连接到参考地端;
第一电容,所述第一电容连接在所述第二运算放大器的负输入端与输出端之间,所述第二运算放大器的输出端作为所述放大积分模块的输出端。
5.根据权利要求3所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述比较保护模块包括:
第一稳压管,所述第一稳压管的阳极连接到参考地端;
第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一稳压管的阴极相连且具有第一节点,所述第五电阻的另一端连接到预设驱动电源;
第一比较器,所述第一比较器的负输入端与所述放大积分模块的输出端相连,所述第一比较器的正输入端与所述第一节点相连,所述第一比较器的输出端作为所述比较保护模块的输出端。
6.根据权利要求3所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述保护信号输出模块包括:
第一三极管,所述第一三极管的基极用于接收所述导通控制信号,所述第一三极管的发射极与所述比较保护模块的输出端相连;
第一光耦,所述第一光耦的第一管脚通过第六电阻连接到预设驱动电源,所述第一光耦的第二管脚与所述第一三极管的集电极相连,所述第一光耦的第三管脚和第四管脚作为所述保护信号输出模块的输出端。
7.根据权利要求3所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述驱动单元包括:
驱动芯片,所述驱动芯片的输入管脚用于接收所述导通控制信号;
第七电阻,所述第七电阻的一端与所述驱动芯片的输出管脚相连,所述第七电阻的另一端连接到所述IGBT模块的栅极;
第八电阻,所述第八电阻的一端与所述第七电阻的另一端相连,所述第八电阻的另一端连接到参考地端。
8.根据权利要求1所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述驱动单元接收到的导通控制信号或关断控制信号通过隔离光耦进行隔离。
9.根据权利要求1所述的IGBT模块的驱动电路,其特征在于,所述驱动单元和所述过流检测单元集成在驱动板上。
10.一种电机控制系统,其特征在于,包括根据权利要求1-9中任一项所述的IGBT模块的驱动电路。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN118074061A (zh) * | 2024-04-22 | 2024-05-24 | 杭州沃镭智能科技股份有限公司 | 一种用于功率半导体动态测试的过流保护结构 |
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
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