CN217114804U - 一种新型低频去耦单元 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种新型低频去耦单元，该低频去耦单元由辐射臂构成；所述辐射臂包括若干个按预定的间隔两两相对设置的导体段，在每一所述导体段的侧端均设有一与该导体段相互间隔开来的谐振结构。本实用新型具有能够耦合高频感应电流、不易造成天线的高频辐射单元方向图发生畸变、能够确保天线的高频辐射单元的覆盖效果和信道质量的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及通信技术领域，更具体地说，特别涉及一种新型低频去耦单元。
背景技术
近年来，随着通信技术的快速发展，应用于通信系统的天线技术也朝着小型化、集成化和宽带化的方向发展。目前，在通信系统中，一面基站通常都设有天线，由于受尺寸限制，通常每一个天线其内部都自带有多个不同频段和不同制式的辐射单元。
现有的天线，在使用的过程中，一般一个天线内的两个不同频段和不同制式的辐射单元都会产生较强的电磁干扰，例如：一个天线同时包含有高频辐射单元和低频的辐射单元，由于低频的辐射单元辐射的电磁波的波长较长，所以低频的辐射单元辐射的辐射面的口径比高频辐射单元辐射的辐射面的口径大，低频的辐射单元辐射的辐射面的高度也比高频辐射单元辐射的辐射面的高度高，由此，造成低频的辐射单元对高频辐射单元的遮挡较为严重。当激励高频辐射单元时，由于高频辐射单元辐射的电磁波会在低频的辐射单元上引起散射，进而在低频的辐射单元上产生高频感应电流造成二次辐射，而二次辐射的电磁波会向高频辐射单元方向图叠加，造成高频辐射单元方向图发生畸变，严重影响了高频辐射单元的覆盖效果和信道质量，进而影响天线的覆盖效果和信道质量，难以满足实际的应用需求。
如何解决上述问题，成为亟待解决的技术难题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够耦合高频感应电流、不易造成天线的高频辐射单元方向图发生畸变、能够确保天线的高频辐射单元的覆盖效果和信道质量的新型低频去耦单元。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种新型低频去耦单元，该低频去耦单元由辐射臂构成；所述辐射臂包括若干个按预定的间隔两两相对设置的导体段，在每一所述导体段的侧端均设有一与该导体段相互间隔开来的谐振结构。
优选地，所述谐振结构设有若干个，若干个所述谐振结构为沿着相应的所述导体段的长度方向间隔设在该导体段的一侧端，或者，若干个所述谐振结构为沿着相应的所述导体段的长度方向间隔设在该导体段的两侧端。
优选地，所述谐振结构包括由若干个导电体相互连接构成一个带有缺口的导电结构体。
优选地，所述导体段设有四个，四个所述导体段为相互均匀间隔两两相对设置，其中，位于同一对角线上的两个所述导体段与相应的所述谐振结构相配合构成一个辐射振子极化结构体。
优选地，所述导体段由若干个导电元件通过直接拼接或者金属过孔或者耦合连接在一起构成一个导体段结构体，其中，所述导体段的一端为用于与外部的巴伦结构相连接的馈电端，所述导体段的另一端为备用末端。
优选地，所述导体段由电路板或者压铸件或者钣金件中的任意一种构成。
与现有技术相比，本实用新型具有的有益效果如下：
本实用新型构成低频去耦单元的辐射臂，其采用由若干个按预定的间隔两两相对设置的导体段以及在每一导体段的侧端均设有谐振结构一起构成的结构体；在使用的过程中，将本实用新型设在外部天线的高频辐射单元和低频辐射单元之间，当激励天线的高频辐射单元时，高频辐射单元会向低频辐射单元发出电磁波导致低频辐射单元产生高频感应电流，本实用新型通过在导体段的侧端间隔设有谐振结构，通过导体段和谐振结构一起构成的辐射臂能够将低频辐射单元上的大部分高频感应电流耦合到该谐振结构中，利用谐振结构具有的等效并联LC电路性能使该部分感应电流在谐振结构上形成涡流，不易产生二次辐射，进而能够有效地减少高频辐射单元辐射的电磁波在低频辐射单元上产生反射、散射以及形成高频感应电流造成二次辐射，极大地减小了高频感应电流造成的二次辐射对高频辐射单元方向图的影响，降低造成天线的高频辐射单元方向图发生畸变的机率，使天线的高频辐射单元具有良好的覆盖效果和信道质量；因此，本实用新型具有能够耦合高频感应电流、不易造成天线的高频辐射单元方向图发生畸变、能够确保天线的高频辐射单元的覆盖效果和信道质量的优点。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型所述的一种新型低频去耦单元的结构示意图；
图2是本实用新型所述的一种新型低频去耦单元的导体段的结构示意图；
图3是本实用新型所述的一种新型低频去耦单元的谐振结构的示意图。
附图标记说明：30、辐射臂，00、导体段，10、谐振结构，11、导电结构体，12、缺口，01、馈电端，02、备用末端。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
参阅图1至图3所示，一种新型低频去耦单元，该低频去耦单元由辐射臂30构成；所述辐射臂30包括若干个按预定的间隔两两相对设置的导体段00，在每一所述导体段00的侧端均设有一与该导体段00相互间隔开来的谐振结构10。
所述谐振结构10设有若干个，若干个所述谐振结构10为沿着相应的所述导体段00的长度方向间隔设在该导体段00的一侧端，或者，若干个所述谐振结构10为沿着相应的所述导体段00的长度方向间隔设在该导体段00的两侧端。
所述谐振结构10包括由若干个导电体相互连接构成一个带有缺口12的导电结构体11。
所述导体段00设有四个，四个所述导体段00为相互均匀间隔两两相对设置，其中，位于同一对角线上的两个所述导体段00与相应的所述谐振结构10相配合构成一个辐射振子极化结构体。
所述导体段00由若干个导电元件通过直接拼接或者金属过孔或者耦合连接在一起构成一个导体段结构体，其中，所述导体段00的一端为用于与外部的巴伦结构相连接的馈电端01，所述导体段00的另一端为备用末端02。
所述导体段00由电路板或者压铸件或者钣金件中的任意一种构成。
本实施例具体使用时，首先，将各辐射臂30的导体段00分别按预定的间隔两两相对设置在外部的天线的高频辐射单元和低频辐射单元之间；其次，将各谐振结构10的导电结构体11分别设在相应的导体段00的侧端，并且导电结构体11与导体段00不接触，以及，导电结构体11带有缺口12的一端远离相应的导体段00；然后，当激励天线的高频辐射单元时，高频辐射单元会向低频辐射单元发出电磁波进而在低频辐射单元上产生感应电流，通过导体段00和谐振结构10一起构成的辐射臂30能够将在低频辐射单元上产生的大部分感应电流耦合到谐振结构10的导电结构体11中，再利用导电结构体11的缺口12处形成的电压差使该部分感应电流在导电结构体11上产生涡流，不易产生二次辐射，进而能够有效减少高频辐射单元辐射的电磁波在低频辐射单元上产生反射、散射以及不易形成二次辐射，极大地减小了低频辐射单元产生的二次辐射对高频辐射单元的方向图的影响，不易造成天线的高频辐射单元的方向图发生畸变，使天线的高频辐射单元具有良好的覆盖效果和信道质量。
总之，本实用新型采用上述结构，具有能够耦合高频感应电流、不易造成天线的高频辐射单元方向图发生畸变、能够确保天线的高频辐射单元的覆盖效果和信道质量的优点。
对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种新型低频去耦单元，该低频去耦单元由辐射臂(30)构成；其特征在于：所述辐射臂(30)包括若干个按预定的间隔两两相对设置的导体段(00)，在每一所述导体段(00)的侧端均设有一与该导体段(00)相互间隔设置的谐振结构(10)。
2.根据权利要求1所述的一种新型低频去耦单元，其特征在于：所述谐振结构(10)设有若干个，若干个所述谐振结构(10)为沿着相应的所述导体段(00)的长度方向间隔设在该导体段(00)的一侧端，或者，若干个所述谐振结构(10)为沿着相应的所述导体段(00)的长度方向间隔设在该导体段(00)的两侧端。
3.根据权利要求2所述的一种新型低频去耦单元，其特征在于：所述谐振结构(10)包括由若干个导电体相互连接构成一个带有缺口(12)的导电结构体(11)。
4.根据权利要求1所述的一种新型低频去耦单元，其特征在于：所述导体段(00)设有四个，四个所述导体段(00)为相互均匀间隔两两相对设置，其中，位于同一对角线上的两个所述导体段(00)与相应的所述谐振结构(10)相配合构成一个辐射振子极化结构体。
5.根据权利要求4所述的一种新型低频去耦单元，其特征在于：所述导体段(00)由若干个导电元件通过直接拼接或者金属过孔或者耦合连接在一起构成一个导体段结构体，其中，所述导体段(00)的一端为用于与外部的巴伦结构可拆卸连接的馈电端(01)，所述导体段(00)的另一端为备用末端(02)。
6.根据权利要求5所述的一种新型低频去耦单元，其特征在于：所述导体段(00)由电路板或者压铸件或者钣金件中的任意一种构成。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202220963538.2U CN217114804U (zh) | 2022-04-25 | 2022-04-25 | 一种新型低频去耦单元 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN217114804U true CN217114804U (zh) | 2022-08-02 |
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Family Applications (1)
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| CN202220963538.2U Active CN217114804U (zh) | 2022-04-25 | 2022-04-25 | 一种新型低频去耦单元 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN217114804U (zh) |
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2022
- 2022-04-25 CN CN202220963538.2U patent/CN217114804U/zh active Active
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