CN217085455U - 硅基液晶器件及波长选择开关 - Google Patents

Abstract

本申请提出一种硅基液晶器件及波长选择开关，该硅基液晶器件包括：第一基板、与第一基板相对间隔设置的第二基板、紧邻第一基板设置的第一微纳结构层、设于第一基板与第二基板之间的液晶层、设于液晶层与第一基板之间的第一取向层、设于液晶层与第二基板之间的第二取向层以及设于第二取向层和第二基板之间的像素电极层。本申请通过紧邻第一基板引入第一微纳结构层，使得各界面反射光经过微纳结构后不同位置光程差不一致从而削弱不同界面处反射光的干涉效应，减少由各层折射率导致的激光入射光与在各不同层界面的反射光之间的干涉现象，提高了硅基液晶器件的频谱响应一致性，从而保证了频谱的稳定。

Description

硅基液晶器件及波长选择开关

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种硅基液晶器件及波长选择开关。

背景技术

用于WSS(Wavelength Selective Switch，波长选择开关)的硅基液晶(LiquidCrystal on Silicon，简称LCoS)器件是一种在C波段和L波段工作的相位调制器件，因此需要硅基液晶器件在C波段和L波段有较较高的频谱响应一致性。传统的硅基液晶器件在激光入射后，由于入射光与反射光容易在入射界面产生干涉效应，导致硅基液晶器件的频谱响应一致性差，影响硅基液晶器件的性能。

实用新型内容

为了解决现有技术中硅基液晶器件干涉效应严重的技术问题。本申请提供了一种硅基液晶器件及波长选择开关，其主要目的在于抑制或减弱入射光与反射光之间的干涉效应，保证频谱的稳定。

为实现上述目的，本申请提供了一种硅基液晶器件，该硅基液晶器件包括：

第一基板、与第一基板相对间隔设置的第二基板、紧邻第一基板设置的第一微纳结构层、设于第一基板与第二基板之间的液晶层、设于液晶层与第一基板之间的第一取向层、设于液晶层与第二基板之间的第二取向层以及设于第二取向层和第二基板之间的像素电极层。

可选地，第一微纳结构层设置于第一基板背向第一取向层的一侧。

可选地，第一微纳结构层设置于第一基板与第一取向层之间。

可选地，第一微纳结构层包括无规分布的透明纳米颗粒，无规分布的透明纳米颗粒压印在第一基板背向所述第一取向层的一侧。

可选地，第一微纳结构层包括透明薄膜，以及分布于透明薄膜中的透明纳米颗粒。

可选地，透明纳米颗粒为球状透明纳米颗粒，且透明纳米颗粒的直径小于透明薄膜的厚度。

可选地，透明薄膜的厚度小于100nm。

可选地，透明纳米颗粒与透明薄膜所采用的材料不同。

可选地，分布于透明薄膜中的透明纳米颗粒的大小和形状不完全相同。

可选地，在像素电极朝向第二取向层的一侧设有高反射层或第二微纳结构层，或，在像素电极层朝向第二取向层的一侧设有高反射层或第二微纳结构层，

其中，高反射层为金属层，且高反射层的厚度大于50nm。

可选地，第二微纳结构层为亚波长光栅结构或折射率交替变化的增反层。

可选地，第一基板为玻璃基板，玻璃基板的材料为透明导电玻璃，透明导电玻璃的热膨胀系数为2.8～4.0ppm/℃，透明导电玻璃的透过率在波长为1550nm处超过80％。

可选地，第一取向层为上取向层，第二取向层为下取向层，上取向层和下取向层均采用聚酰亚胺或者SiO2制成，且上取向层和下取向层的厚度均不超过100nm。

此外，为实现上述目的，本申请还提供了一种波长选择开关，该波长选择开关包括如前面任一项的硅基液晶器件。

本申请提出的硅基液晶器件及波长选择开关，通过紧邻第一基板引入第一微纳结构层，使得各界面反射光经过第一微纳结构层后不同位置光程差不一致，从而削弱不同界面处反射光的干涉效应，减少由各层折射率导致的激光入射光与在不同层界面的反射光之间的干涉现象，提高了硅基液晶器件的频谱响应一致性，特别是保证了硅基液晶器件在C波段和L波段具有较高的频谱响应一致性，从而保证频谱的稳定。进而使得本申请的硅基液晶器件能够得到更广泛的推广和应用。

基于本申请的硅基液晶器件制成的波长选择开关可以有效抑制或消除干涉效应，提高了波长选择开关的频谱响应一致性，保证波长选择开关的频谱稳定性，提高了波长选择开关性能和产品稳定性，进而利于波长选择开关的推广应用。

附图说明

图1为本申请一实施例中硅基液晶器件的结构示意图；

图2为本申请另一实施例中硅基液晶器件的结构示意图；

图3为本申请一实施例中第一微纳结构层的结构示意图。

其中，附图标记如下：

10-第一基板、20-第二基板、30-第一微纳结构层、40-液晶层、50-第一取向层、60-第二取向层、70-像素电极层。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

本申请提供了一种硅基液晶器件，该硅基液晶器件包括：

第一基板10、与第一基板10相对间隔设置的第二基板20、紧邻第一基板10设置的第一微纳结构层30、设于第一基板10与第二基板20之间的液晶层40、设于液晶层40与第一基板10之间的第一取向层50、设于液晶层40与第二基板20之间的第二取向层60以及设于第二取向层60和第二基板20之间的像素电极层70。

具体地，紧邻或紧挨第一基板10设置有第一微纳结构层30。硅基液晶器件除包括第一基板10和第一微纳结构层30外，还包括依次层叠设置的第一取向层50、液晶层40、第二取向层60、像素电极层70和第二基板20。

第一微纳结构层30可以设置在第一基板10的上层也可以设置在第一基板10的下层。具体参考图1和图2。

参考图1，第一微纳结构层30设置于第一基板10背向第一取向层50的一侧。

更具体地，第一微纳结构层30设置于第一基板10远离或背离第一取向层50的一侧(即第一微纳结构层30设置于第一基板10接近空气的一侧)。此情况，硅基液晶器件包括依次层叠设置的第一微纳结构、第一基板10、第一取向层50、液晶层40、第二取向层60、像素电极层70和第二基板20。

参考图2，第一微纳结构层30设置于第一基板10与第一取向层50之间。

更具体地，此情况，硅基液晶器件包括依次层叠设置的第一基板10、第一微纳结构、第一取向层50、液晶层40、第二取向层60、像素电极层70和第二基板20。

第一微纳结构层30可以使得各界面反射光经过第一微纳结构层后不同位置光程差不一致，进而通过改变局部的光的相位，使得不同区域的光的相位不一致，从而减弱不同界面处入射光与反射光之间的干涉效应，并保证不影响基板的透过率。

第一基板10具体为玻璃基板，第二基板20具体为硅基基板。第一取向层50具体为上取向层，第二取向层60具体为下取向层。上取向层和下取向层起到给液晶层40的液晶材料预取向的功能。

像素电极层70包括多个间隔设置的像素电极。

由于硅基液晶器件各层材料之间存在界面，入射光在界面处与反射光存在干涉相长或者干涉相消，传统LCoS器件由于各层组分之间折射率不一致，激光入射后极易由于干涉效应而产生谐振腔，因而造成LCoS的反射率随波长而剧烈变化，进而导致频谱响应不一致。本申请通过在第一基板10上引入第一微纳结构层30后，使得各界面反射光经过第一微纳结构层后不同位置光程差不一致即对不同位置光的相位改变量不一致，从而可以减弱由各层折射率不同导致的激光入射光与反射光的干涉现象或干涉效应，提高了硅基液晶器件的频谱响应一致性，消除或减小反射率的剧烈波动，以达到不同波长下的反射率一致，从而保证硅基液晶器件在C波段和L波段具有较一致的反射率，保证频谱稳定的目的。

在一个实施例中，第一微纳结构层30包括无规分布的透明纳米颗粒，无规分布的透明纳米颗粒压印在第一基板背向第一取向层50的一侧。

具体地，透明纳米颗粒可以是形状不限且大小不一的颗粒，也可以是形状规则大小相同的颗粒。例如，透明纳米颗粒可以是圆球体、椭球体、立方体、椎体或其它无规形状或有规则形状的颗粒。

透明纳米颗粒可以是有规则分布也可以是无规则分布。

由于透明纳米颗粒的不平整性，使得由透明纳米颗粒形成的第一微纳结构层30使第一基板10背向第一取向层50的一侧的表面凹凸不平，导致不同位置的光的相位改变量的不一致性更加突出，进而进一步减少了不同层之间入射光与反射光的干涉效应。

另外，无规则分布可以加大不同分布之间的折射率的差异，进一步改变局部光的相位，加大了不同区域的光的相位不一致，进而进一步减弱光的干涉效应。

透明纳米颗粒通过纳米压印技术压印在紧挨第一基板10背向第一取向层的一侧形成微透镜结构。纳米压印技术是一种可以在不同衬底上形成微纳结构的可大规模加工的工艺，主要通过形成微纳结构的模板，对目标基板加热到可加工温度下，将带有微纳结构模板在目标基板上压印形成相应的微纳结构。

参考图1，第一微纳结构层30设置于第一基板10背向第一取向层50的一侧。此时，第一微纳结构层30所包含的透明纳米颗粒通过纳米压印技术压印在第一基板10背向第一取向层50的一侧。

第一微纳结构层30可以通过纳米压印技术制备。其中，纳米压印针对微透镜结构，先通过软件画出薄膜的结构3D图，再进行压印，每次压印成一样的形状，可以在生产前先进行软件模拟光学效果再进行生产。

通过纳米压印技术对透明纳米颗粒进行压印形成的第一微纳结构层30使得第一基板10的表面形成凹凸不平的表面，从而当光线射入时，由于第一基板10的表面凹凸不平，导致不同位置光的相位改变量不一致，从而减弱干涉效应。而通过纳米压印技术使得第一微纳结构层30形成微透镜结构，由于微透镜具有发散光线或会聚光线的功能，因此，可以进一步导致不同位置的光的相位改变量不一致，进而进一步减弱干涉效应。

在一个实施例中，第一微纳结构层30包括透明薄膜，以及分布于透明薄膜中的透明纳米颗粒。

具体地，透明纳米颗粒可以是形状不限且大小不一的颗粒，也可以是形状规则大小相同的颗粒。例如，透明纳米颗粒可以是圆球体、椭球体、立方体、椎体或其它无规形状或有规则形状的颗粒。

第一微纳结构层30是通过将透明纳米颗粒嵌入至透明薄膜使透明纳米颗粒分布于透明薄膜中制成。透明纳米颗粒可以有规则或无规则的分布在透明薄膜中。

本实施例的第一微纳结构层30是使用常规薄膜制备工艺制成的。常规薄膜制备工艺是通过在膜中无规分散纳米颗粒，通过控制分散颗粒投放密度控制膜的功能效果，优点是成本低且成熟。

在一个具体实施例中，透明纳米颗粒为球状透明纳米颗粒，且透明纳米颗粒的直径小于透明薄膜的厚度。图3为本申请一实施例中第一微纳结构层30的结构示意图，参考图3，透明纳米颗粒为大小不一的透明球体，第一微纳结构层30由众多透明球体无规则排列在透明薄膜中制成。更具体地，在透明薄膜内嵌入有一定数量的尺寸不等的透明球体，且透明球体在透明薄膜内的排列是无规则的。为了使透明球体能够嵌入透明薄膜内，需要保证透明球体的直径小于透明薄膜的厚度，且透明球体的直径不一定完全相同。使用球体状的透明纳米颗粒可以进一步加大第一基板10的表面的凹凸不平程度，进而进一步加大不同位置光的相位改变量不一致性，进而进一步减弱干涉效应。

透明纳米颗粒所使用的材质可以是聚碳酸酯(Polycarbonate，简称PC)、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，简称PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，简称PMMA，俗称有机玻璃)、聚乙烯醋酸乙烯(Polyethylene vinyl acetate，简称PEVA)、聚烯烃类弹性复合材料(Polyolefin elastomer，简称POE)等在1550nm范围透明的聚合物材料中的一种。其中，在1550nm范围透明的聚合物材料是指在对超过1550nm的光不吸收(或吸收极小)的聚合物材料。

透明薄膜所使用的材质可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，简称PET，又称涤纶树脂)、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，简称PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，简称PMMA，俗称有机玻璃)、聚乙烯醋酸乙烯(Polyethylene vinylacetate，简称PEVA)、聚烯烃类弹性复合材料(Polyolefin，简称POE)等聚合物材料中的一种。

在一个实施例中，透明纳米颗粒与透明薄膜所采用的材料不同。

具体地，透明纳米颗粒和透明薄膜使用不同聚合物材质。这样可以保证透明纳米颗粒和透明薄膜的折射率不一致，相当于是使用多层对第一基板10的表面的凹凸状态进行不规则改变，进而不规则地改变不同位置的光的相位改变量，加大了相位改变量的不一致性，进一步减弱干涉效应。

在一个实施例中，透明薄膜的厚度小于100nm。

具体地，透明薄膜的厚度小于100nm，同理，透明球体的直径也要小于100nm。这样可以保证不增加硅基液晶器件整体的光透过率。

在一个实施例中，分布于透明薄膜中的透明纳米颗粒的大小和形状不完全相同。

具体地，不论是通过纳米压印技术制成的第一微纳结构层30还是通过常规薄膜制备工艺制成的包含透明薄膜和透明纳米颗粒的第一微纳结构层30，其中的透明纳米颗粒都可以采用大小不一形状不一的透明纳米颗粒。这样无规则形状和大小的透明纳米颗粒可以无规则分布，并无规则的改变第一基板10的表面的凹凸状态，进而不规则或随机地改变不同位置的光的相位改变量，加大了相位改变量的不一致性，进一步减弱干涉效应。

在一个实施例中，在像素电极朝向第二取向层60的一侧设有高反射层或第二微纳结构层，或，在像素电极层70朝向第二取向层60的一侧设有高反射层或第二微纳结构层，

其中，高反射层为金属层，且高反射层的厚度大于50nm。

具体地，在像素电极朝向第二取向层60的一侧设有高反射层，或，在所像素电极层70朝向第二取向层60的一侧设有高反射层，或，在像素电极朝向第二取向层60的一侧设有第二微纳结构层，或，在所像素电极层70朝向第二取向层60的一侧设有第二微纳结构层。

像素电极层70包括多个间隔设置的像素电极，相邻像素电极之间存在沟槽，沟槽即相邻像素电极之间的间隙。

在每个像素电极靠近或朝向第二取向层60的一侧设有高反射层，此种情况像素电极之间的间隙部位不需要设高反射层。也可以在整个像素电极层70靠近或朝向第二取向层60的一侧设有高反射层，此种情况由于间隙尺寸太小无法跳过，因此间隙部位也设有高反射层。第二取向层60具体为下取向层，因此，高反射层具体位于下取向层和像素电极之间，或，位于下取向层和像素电极层70之间。

高反射层具体可以为厚度>50nm的铝或银等金属层。高反射层可以通过沉积法沉积在像素电极或像素电极层70上。

通过在电极或像素电极层70设高反射层可以提高硅基液晶器件的光利用率。

在每个像素电极靠近或朝向第二取向层60的一侧设有第二微纳结构层，此种情况像素电极之间的间隙部位不需要设第二微纳结构层。也可以在整个像素电极层70靠近或朝向第二取向层60的一侧设有第二微纳结构层，此种情况由于间隙尺寸太小无法跳过，因此间隙部位也设有第二微纳结构层。第二取向层60具体为下取向层，因此，第二微纳结构层具体位于下取向层和像素电极之间，或，位于下取向层和像素电极层70之间。

第二微纳结构层可以通过沉积法沉积在像素电极或像素电极层70上。

通过在电极或像素电极层70设置第二微纳结构层可以增大反射率，增加硅基液晶器件的光利用率。

在一个实施例中，第二微纳结构层为亚波长光栅结构或折射率交替变化的增反层。

具体地，第二微纳结构层可以是亚波长光栅结构也可以是折射率交替变化的增反层，亚波长光栅结构和增发层都能增加硅基液晶器件的光利用率。其中，亚波长光栅结构厚度较小，增反层厚度较大，使用亚波长光栅结构相对增反层而言可以减小器件的整体厚度。

其中，增反层，即通过交替沉积折射率不一样的透明材料，使得在界面处出现干涉相长从而导致透过率减弱，反射率增加的一种光学膜层结构。

在一个实施例中，第一基板10为玻璃基板，玻璃基板的材料为透明导电玻璃，透明导电玻璃的热膨胀系数为2.8～4.0ppm/℃，透明导电玻璃的透过率在波长为1550nm处超过80％。

具体地，透明导电玻璃的材质可以为氧化铟锡、银纳米线、PEDOT、PSS、石墨烯复合导电层等材料中的任意一种。

由于作为硅基衬底或硅基基板的第二基板20的热膨胀系数为2.8ppm/℃，因此玻璃基板的热膨胀系数应在工艺条件允许条件下尽量接近此数值，因而选取透明导电玻璃的热膨胀系数为2.8～4.0ppm/℃。这样贴合过程两种材质基板膨胀范围一致，能有效提高生产率和减少不良率。

透明导电玻璃对波长为1550nm的光的透过率超过80％。这样可以使硅基液晶器件达到较大的光利用率。

在一个实施例中，第一取向层50为上取向层，第二取向层60为下取向层，上取向层和下取向层均采用聚酰亚胺或者SiO2制成，且上取向层和下取向层的厚度均不超过100nm。

具体地，第一取向层50为上取向层，第二取向层60为下取向层，上取向层与下取向层的结构和材质相同，这样生产工艺也可以保证一致，加工可以一次完成，提高加工效率。

聚酰亚胺即Polyimide，简称PI。控制上取向层和下取向层的厚度不超过100nm，可以起到不增加硅基液晶器件整体的光透过率和减少插损的目的。

在一个实施例中，液晶层40使用的液晶材料为双折射率液晶材料。

具体地，液晶层40即液晶分子层或液晶媒介，使用双折射率液晶材料制成的液晶分子可以保证硅基液晶器件能够达到足够的相位深度。

本申请还提供了一种波长选择开关，该波长选择开关包括前面任一项的硅基液晶器件。

具体地，光通信(Optical Communication)是以光为载波的通信方式。作为光通信中的重要通信设备，可重构光分插复用器用于上载或下载特定波长的光，其中，实现该功能的主要器件是波长选择开关(Wavelength Selective Switch，简称WSS)。

LCoS器件还作为波长选择开关的调制芯片在电信网络领域得到了应用。波长选择开关是能够重新配置光网络的关键技术之一。

波长选择开关互联来搭建节点，以实现不同信号的路由交换选择。

波长选择开关是基于硅基液晶器件例如硅基液晶空间光调制器制成。硅基液晶空间光调制器是一种在单晶硅上制作的反射式液晶空间光调制器。该硅基液晶空间光调制器用于对入射光的相位进行调制，以使得光发生衍射。硅基液晶具有体积小、分辨率高和透射式液晶相比光利用率高等优点。目前LCoS技术(硅基液晶技术)已被广泛应用于增强现实(Augmented reality，AR)、虚拟现实(Virtual reality，VR)、3D打印、光通讯和激光投影显示等新兴产品中。

本实施例的波长选择开关是基于前面任意一项的硅基液晶器件制成。因此，本实施例的波长选择开关具有抑制各层之间的反射造成的干涉，从而抑制了不同波长的反射率巨大波动，保证波长选择开关在工作波段(C，L波段)具有平稳的频谱响应的特点。

本申请能通过在硅基液晶器件(LCoS器件)中引入微纳结构层，破坏入射光与反射光的干涉效应即抑制各层之间的反射造成的干涉，从而抑制了不同波长的反射率巨大波动，保证硅基液晶器件在工作波段(C波段和L波段)具有平稳的频谱响应。利用本申请的硅基液晶器件制成的波长选择开关，能够改善波长选择开关的工作性能，提升波长选择开关的稳定性。

其中上述模块/单元中的“第一”和“第二”的意义仅在于将不同的模块/单元加以区分，并不用于限定哪个模块/单元的优先级更高或者其它的限定意义。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或模块，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块，本申请中所出现的模块的划分，仅仅是一种逻辑上的划分，实际应用中实现时可以有另外的划分方式。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、装置、物品或者方法不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、装置、物品或者方法所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、装置、物品或者方法中还存在另外的相同要素。

上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种硅基液晶器件，其特征在于，所述硅基液晶器件包括：

第一基板、与所述第一基板相对间隔设置的第二基板、紧邻所述第一基板设置的第一微纳结构层、设于所述第一基板与第二基板之间的液晶层、设于所述液晶层与所述第一基板之间的第一取向层、设于所述液晶层与所述第二基板之间的第二取向层以及设于所述第二取向层和所述第二基板之间的像素电极层。

2.根据权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述第一微纳结构层设置于所述第一基板背向所述第一取向层的一侧。

3.根据权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述第一微纳结构层设置于所述第一基板与所述第一取向层之间。

4.根据权利要求2所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述第一微纳结构层包括无规分布的透明纳米颗粒，所述无规分布的透明纳米颗粒压印在所述第一基板背向所述第一取向层的一侧。

5.根据权利要求1-3任一项所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述第一微纳结构层包括透明薄膜，以及分布于所述透明薄膜中的透明纳米颗粒。

6.根据权利要求5所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述透明纳米颗粒为球状透明纳米颗粒，且所述透明纳米颗粒的直径小于所述透明薄膜的厚度。

7.根据权利要求5所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述透明薄膜的厚度小于100nm。

8.根据权利要求5所述的硅基液晶器件，其特征在于，

所述透明纳米颗粒与所述透明薄膜所采用的材料不同。

9.根据权利要求5所述的硅基液晶器件，其特征在于，

分布于所述透明薄膜中的透明纳米颗粒的大小和形状不完全相同。

10.一种波长选择开关，其特征在于，所述波长选择开关包括如权利要求1至9任一项所述的硅基液晶器件。

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