CN217033574U - 抗干扰性强的spo2传感器 - Google Patents
抗干扰性强的spo2传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217033574U CN217033574U CN202123194575.6U CN202123194575U CN217033574U CN 217033574 U CN217033574 U CN 217033574U CN 202123194575 U CN202123194575 U CN 202123194575U CN 217033574 U CN217033574 U CN 217033574U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- receiving
- light
- area
- emitting
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及传感器的技术领域，公开了抗干扰性强的SPO2传感器，包括光线发射器和光线接收器，光线发射器具有发射区域和发射窗口，发射区域设有发射不同波长光波的发射芯片，发射窗口设有衰减片，衰减片可调制不同波长芯片的辐射功率，发射区域和发射窗口呈上下正对布置；光线接收器具有接收窗口和接收区域，接收窗口处设有可抵抗环境杂光干扰的滤光片，接收区域设有接收芯片，接收芯片可接收穿过手指的光波，接收窗口和接收区域呈上下正对布置；这样，通过在光线发射器的发射窗口设置衰减片，在光线接收器的接收窗口上设置设置抗干扰滤光片，达到发射光强可调制，光线接收器可抵抗环境杂光干扰的效果，从而提升了传感器的测量精度。
Description
技术领域
本实用新型专利涉及传感器的技术领域，具体而言，涉及抗干扰性强的SPO2 传感器。
背景技术
随着科技的发展和生活水平的提高，人们对自身的健康越来越关注。血氧饱和度、心率、血红蛋白浓度等生理参数不仅具有广泛的临床诊断意义，而且也是人们监控自身健康状况的参考标准。而血红蛋白含量是评价个体贫血和铁营养状况的重要指标，现有的检测方法需要对患者采血，不仅耗材成本高，取血也会给患者带来疼痛且不能持续监测。
目前，基于PPG原理的非入侵式生理体征检测是以朗伯-比尔(lambert-Beer) 定律为理论基础，利用吸光光度法测定原理来实现的。两束或两束以上的光交替点亮，产生的光波穿过检测组织部位(如手指、耳垂)后，到达光敏器件，通过对随着脉搏变化的光强进行分析和计算，从而获得脉搏和血氧饱和浓度值。
但是，由于光线发射器发射出来的光能量太强，会导致控制器在进行光电转换时信号溢出而得不到数值，另外，因为室内有灯光，光线接收器受到杂光的串扰，也会影响到SPO2的测试精度。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供抗干扰性强的SPO2传感器，旨在解决现有技术中，传感器抗光干扰能力不强的问题。
本实用新型是这样实现的，抗干扰性强的SPO2传感器，包括光线发射器和光线接收器，所述光线发射器具有发射区域和发射窗口，所述发射区域设有发射不同波长光波的发射芯片，所述发射窗口设有可调制不同波长芯片辐射功率的衰减片，所述发射区域和发射窗口呈上下正对布置；所述光线接收器具有接收窗口和接收区域，所述接收窗口处设有可抵抗环境杂光干扰的滤光片，所述接收区域设有接收穿过手指的光波的接收芯片，所述接收窗口和接收区域呈上下正对布置。
进一步地，所述发射芯片包括深红光芯片，所述深红光芯片发射的光波的波长范围为655～670nm之间。
进一步地，所述发射芯片包括近红外光芯片，所述近红外芯片发射的光波的波长范围为800～1000nm之间。
进一步地，所述衰减片包括中性灰度滤光片，所述中性灰度滤光片固定在所述发射窗口上。
进一步地，所述发射窗口的四周包裹有第一导热结构，所述发射区域印制在发射基板上，所述第一导热结构相对的两个侧边朝下弯折形成有第一包裹区域，所述发射基板卡扣在所述第一包裹区域内。
进一步地，所述发射区域设有功能区，所述功能区设有光学功能的保护层，所述保护层为环氧树脂或硅胶。
进一步地，所述接收芯片包括可抵抗环境杂光干扰的硅基PD芯片。
进一步地，所述滤光片包括带通滤光片，所述带通滤光片固定在所述接收窗口上。
进一步地，所述滤光片包括长波滤光片，所述长波滤光片固定在所述接收窗口上。
进一步地，所述接收窗口的四周包裹有第二导热结构，所述接收区域印制在接收基板上，所述第二导热结构相对的两个侧边朝下弯折形成有第二包裹区域，所述接收基板卡扣在所述第二包裹区域内；所述接收区域设有功能区，所述功能区上设有光学功能的保护层，所述保护层为环氧树脂或硅胶。
与现有技术相比，本实用新型提供的抗干扰性强的SPO2传感器，通过在光线发射器的发射窗口设置衰减片，在光线接收器的接收窗口上设置设置各种抗干扰功能的滤光片，达到发射光强可调制，光线接收器可抵抗环境杂光干扰的效果，从而提升了传感器的测量精度。
附图说明
图1是本实用新型提供的抗干扰性强的SPO2传感器的结构示意图；
图2是本实用新型提供的光线发射器的俯视结构示意图；
图3是本实用新型提供的光线发射器的仰视结构示意图；
图4是本实用新型提供的光线发射器的侧视结构示意图；
图5是本实用新型提供的光线发射器的侧视结构示意图；
图6是本实用新型提供的光线接收器的俯视结构示意图；
图7是本实用新型提供的光线接收器的仰视结构示意图；
图8是本实用新型提供的光线接收器的侧视结构示意图；
图9是本实用新型提供的光线接收器的侧视结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细的描述。
本实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
参照图1-9所示，为本实用新型提供的较佳实施例。
抗干扰性强的SPO2传感器，包括光线发射器100和光线接收器200，光线发射器100具有发射区域和发射窗口101，发射区域设有发射不同波长光波的发射芯片，发射窗口101设有衰减片，衰减片可调制不同波长芯片的辐射功率，发射区域和发射窗口101呈上下正对布置；光线接收器200具有接收窗口201和接收区域，接收窗口201处设有可抵抗环境杂光干扰的滤光片，接收区域设有接收芯片，接收芯片可接收穿过手指300的光波，接收窗口201和接收区域呈上下正对布置。
这样，通过在光线发射器100的发射窗口101设置衰减片，在光线接收器200 的接收窗口201上设置设置各种抗干扰功能的滤光片，达到发射光强可调制，光线接收器200可抵抗环境杂光干扰的效果，从而提升了传感器的测量精度。
发射芯片包括深红光芯片，深红光芯片发射的光波的波长范围为655～ 670nm之间。
发射芯片包括近红外光芯片，近红外芯片发射的光波的波长范围为800～ 1000nm之间。
发射芯片采用深红光芯片和近红外光芯片，其波长范围与衰减片可调制的光强范围匹配度更高。
衰减片包括中性灰度滤光片，中性灰度滤光片固定在发射窗口101上，可以将发射芯片的光强调制成预期标准光强，提高其匹配度。
发射窗口101的四周包裹有第一导热结构103，发射区域印制在发射基板102 上，第一导热结构103相对的两个侧边朝下弯折形成有第一包裹区域104，发射基板102卡扣在第一包裹区域104内，发射窗口101和发射基板102通过第一导热结构103连接在一起，结构简单，同时可以快速将光线发射器100的热量散发掉，防止温度过高，烫伤使用者，也保护了光线发射器100，防止高温烧坏。
在发射基板102的四周包裹金属结构，其顶部对应发射窗口101的位置做开口处理，开口处固定中性灰度滤光片。
发射区域设有功能区，功能区设有光学功能的保护层，保护层为环氧树脂或硅胶，可以对发射区域的一些结构起到保护作用，光线发射器100的发射基板102 可采用BT、陶瓷等基材，在此基础上印制线路；或采用金属基材冲压出功能区后注塑出支架。将晶圆采用高导热银浆或锡膏固定在指定功能区烧结后，采用金丝焊接实现电路的导通，采用环氧模压、硅胶塑膜或在支架碗杯内点环氧树脂或硅胶的方式形成具有光学功能的保护层，之后按支架上标记对刀切割，至此光线发射器100独立出来。光线发射器100件长度在1.5mm～10.0mm，宽度在1.0～ 8mm，高度在0.7～2.0mm。
接收芯片包括可抵抗环境杂光干扰的硅基PD芯片。
滤光片包括带通滤光片，带通滤光片固定在接收窗口201上，带通滤光片的作用是仅透过发射芯片所包含的波段，过滤掉其他波段，可以提升信噪比，避免环境光的干扰。
滤光片包括长波滤光片，长波滤光片固定在接收窗口201上，长波滤光片的作用是可拦截波长为380～640nm部分的光，从而提升信噪比，避免环境光的干扰。
接收窗口201的四周包裹有第二导热结构203，接收区域印制在接收基板202 上，第二导热结构203相对的两个侧边朝下弯折形成有第二包裹区域204，接收基板202卡扣在第二包裹区域204内；接收窗口201和接收基板202通过第二导热结构203连接在一起，结构简单，同时可以快速将光线接收器200的热量散发掉，防止温度过高，烫伤使用者，也保护了光线接收器200，防止高温烧坏。
在接收基板202的四周包裹金属结构，其顶部对应接收窗口201的位置做开口处理，开口处固定带通滤光片和(或)长波滤光片，接收区域设有功能区，功能区上设有光学功能的保护层，保护层为环氧树脂或硅胶。
接收区域设有功能区，功能区设有光学功能的保护层，保护层为环氧树脂或硅胶，可以对接收区域的一些结构起到保护作用，光线接收器200的接收基板202 可采用BT、陶瓷等基材，在此基础上印制线路；或采用金属基材冲压出功能区后注塑出支架。将晶圆采用高导热银浆或锡膏固定在指定功能区烧结后，采用金丝焊接实现电路的导通，采用环氧模压、硅胶塑膜或在支架碗杯内点环氧树脂或硅胶的方式形成具有光学功能的保护层，之后按支架上标记对刀切割，至此光线接收器200独立出来。光线接收器200件长度在1.5mm～10.0mm，宽度在1.0～ 8mm，高度在0.7～2.0mm。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，包括光线发射器和光线接收器，所述光线发射器具有发射区域和发射窗口，所述发射区域设有发射不同波长光波的发射芯片，所述发射窗口设有可调制不同波长芯片辐射功率的衰减片，所述发射区域和发射窗口呈上下正对布置；所述光线接收器具有接收窗口和接收区域，所述接收窗口处设有可抵抗环境杂光干扰的滤光片，所述接收区域设有接收穿过手指的光波的接收芯片，所述接收窗口和接收区域呈上下正对布置。
2.如权利要求1所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述发射芯片包括深红光芯片，所述深红光芯片发射的光波的波长范围为655～670nm之间。
3.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述发射芯片包括近红外光芯片，所述近红外芯片发射的光波的波长范围为800～1000nm之间。
4.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述衰减片包括中性灰度滤光片，所述中性灰度滤光片固定在所述发射窗口上。
5.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述发射窗口的四周包裹有第一导热结构，所述发射区域印制在发射基板上，所述第一导热结构相对的两个侧边朝下弯折形成有第一包裹区域，所述发射基板卡扣在所述第一包裹区域内。
6.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述发射区域设有功能区，所述功能区设有光学功能的保护层，所述保护层为环氧树脂或硅胶。
7.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述接收芯片包括可抵抗环境杂光干扰的硅基PD芯片。
8.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述滤光片包括带通滤光片，所述带通滤光片固定在所述接收窗口上。
9.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述滤光片包括长波滤光片，所述长波滤光片固定在所述接收窗口上。
10.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的SPO2传感器，其特征在于，所述接收窗口的四周包裹有第二导热结构，所述接收区域印制在接收基板上，所述第二导热结构相对的两个侧边朝下弯折形成有第二包裹区域，所述接收基板卡扣在所述第二包裹区域内；所述接收区域设有功能区，所述功能区上设有光学功能的保护层，所述保护层为环氧树脂或硅胶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202123194575.6U CN217033574U (zh) | 2021-12-17 | 2021-12-17 | 抗干扰性强的spo2传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202123194575.6U CN217033574U (zh) | 2021-12-17 | 2021-12-17 | 抗干扰性强的spo2传感器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217033574U true CN217033574U (zh) | 2022-07-22 |
Family
ID=82441045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202123194575.6U Active CN217033574U (zh) | 2021-12-17 | 2021-12-17 | 抗干扰性强的spo2传感器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217033574U (zh) |
-
2021
- 2021-12-17 CN CN202123194575.6U patent/CN217033574U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11330993B2 (en) | Sensor and method for continuous health monitoring | |
| US10624563B2 (en) | Multi-stream data collection system for noninvasive measurement of blood constituents | |
| TWI594445B (zh) | 包含特徵以幫助減少雜光及／或光學串擾之光電模組 | |
| US10219709B2 (en) | Sensor and method for continuous health monitoring | |
| US8805463B2 (en) | Medical sensor with compressible light barrier and technique for using the same | |
| EP3380002B1 (en) | Wearable device and system for acquiring physiological information of a subject | |
| US7869849B2 (en) | Opaque, electrically nonconductive region on a medical sensor | |
| KR101506177B1 (ko) | 생체 신호 측정 센서 및 그의 제조 방법 | |
| US9380969B2 (en) | Systems and methods for varying a sampling rate of a signal | |
| EP0706776B1 (en) | Organism information measuring apparatus and pulse-wave measuring apparatus | |
| KR100681387B1 (ko) | 맥파 검출 장치 및 검출 방법 | |
| US20100331640A1 (en) | Use of photodetector array to improve efficiency and accuracy of an optical medical sensor | |
| JP5900632B2 (ja) | 生体センサ、及び、生体センサの製造方法 | |
| CN106214127A (zh) | 诊断测量设备 | |
| KR20140069055A (ko) | 웨어러블 산소농도계 | |
| CN206565941U (zh) | 一种改进型反射式光电传感器 | |
| CN113766872A (zh) | 通过物品感测生理参数 | |
| JP4385677B2 (ja) | 生体情報計測装置 | |
| CN109152543A (zh) | 传感器装置 | |
| CN217033574U (zh) | 抗干扰性强的spo2传感器 | |
| CN206565935U (zh) | 一种新型反射式光电传感器 | |
| CN210871603U (zh) | 一种血氧参数检测模组及其电子设备 | |
| WO2011048556A2 (en) | Photoplethysmography at multiple depths | |
| US11744519B2 (en) | Biological information measurement device | |
| CN112137609A (zh) | 多生理指标采集装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |