CN216902990U - 一种发光二极管及发光二极管显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发光二极管及发光二极管显示面板，所述发光二极管包括：衬底；半导体外延层，设置在所述衬底上，且包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层连接；第二电极，与所述第二半导体层连接，且与所述第一电极同侧设置；以及保护层，覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧壁。通过本申请提供的发光二极管及发光二极管显示面板，可提高发光二极管的封装固晶良率。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管显示面板。
背景技术
发光二极管显示器是新一代显示技术，相较于液晶显示器而言，具有亮度更高、发光效率更好和功耗更低的优点。
为追求更高的分辨率，发光二极管的尺寸以及基板上相邻发光二极管之间的距离不断缩减。在将发光二极管焊接在基板上时，发光二极管的电极与基板上的锡膏接触。为保证焊接的焊接的质量，锡膏的量较多。在回流焊的过程中，锡膏扩散，易导致发光二极管的两个电极或相邻发光二极管的电极连接，进而导致漏电。
因此，如何解决发光二极管在焊接过程中，因回流焊导致的漏电是目前亟需解决的技术问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管及发光二极管显示面板，旨在解决由于回流焊导致的发光二极管漏电问题，进而提高封装固晶良率。
为解决上述技术问题，本申请是通过以下技术方案实现的：
本申请提供一种发光二极管，包括：
衬底；
半导体外延层，设置在所述衬底上，且包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一电极，与所述第一半导体层连接；
第二电极，与所述第二半导体层连接，且与所述第一电极同侧设置；以及
保护层，覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧壁。
上述的发光二极管，通过在所述第一电极和所述第二电极的侧壁上设置所述保护层。可防止因第一电极和第二电极的距离过小而导致发光二极管在焊接时，锡膏在两个电极之间扩散导致发光二极管发生漏电。
可选的，所述保护层还覆盖所述第一电极和所述第二电极之间的区域。
可选的，所述保护层还覆盖部分所述第一电极和所述第二电极相对于所述半导体外延层的表面。
可选的，所述保护层，以及所述第一电极和所述第二电极相对于所述半导体外延层的表面边缘，在所述半导体外延层上的垂直投影面重叠。
可选的，所述垂直投影面重叠的宽度为0.1-1um。
可选的，所述保护层的厚度为1000-10000埃。
通过所述保护层的覆盖位置和厚度设置，可实现在封装时，可防止锡膏在相邻近的电极之间扩散。
可选的，所述发光二极管还包括：
第一连接电极，所述第一电极通过所述第一连接电极与所述第一半导体层连接；以及
第二连接电极，所述第二电极通过所述第二连接电极与所述第二半导体层连接。
可选的，所述发光二极管还包括反射层，所述反射层设置在所述第一连接电极和所述第二连接电极上。
可选的，所述反射层上设置有导电通道，所述第一电极和所述第二电极通过所述导电通道与所述第一连接电极和所述第二连接电极连接。
可选的，所述保护层覆盖所述反射层。
当所述保护层覆盖所述反射层时，所述保护层还覆盖所述第一电极和所述第二电极两侧的区域，进而避免锡膏在相邻焊接的两个发光二极管之间的电极之间扩散，进而导致发光二极管漏电。进一步提高发光二极管的封装固晶良率。
基于同样的实用新型构思，本申请还提供一种发光二极管显示面板，包扩：
显示基板，且所述显示基板上设置有电路层；以及
发光二极管，设置在所述显示基板上，且电性连接于所述电路层，所述发光二极管包括：
衬底；
半导体外延层，设置在所述衬底上，且包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一电极，与所述第一半导体层连接；
第二电极，与所述第二半导体层连接，且与所述第一电极同侧设置；以及
保护层，覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧壁。
上述所述发光二极管封装体和所述发光二极管显示面板，因设置有相同的发光二极管，在第一电极和第二电极上设置保护层，可避免在焊接时，向邻近的电极之间锡膏扩散，进而避免固晶封装良率，提高了发光二极管封装体和发光二极管显示面板的固晶封装良率。
当然，实施本申请的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请中衬底及半导体外延层的结构示意图。
图2为本申请中透明导电层的结构示意图。
图3为本申请中沟槽的结构示意图。
图4为本申请中连接电极的结构示意图。
图5为本申请中图4的俯视图。
图6为本申请中反射层的结构示意图。
图7为本申请中电极的结构示意图。
图8为本申请中保护层的结构示意图。
图9为本申请中图8的俯视图。
图10为本申请中发光二极管封装体的结构示意图。
图11为本申请中发光二极管显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
10发光二极管，10a红色发光二极管；10b绿色发光二极管；10c蓝色发光二极管；11半导体外延层；100衬底；111第一半导体层；112发光层；113第二半导体层；114凹部；115透明导电层；116沟槽；117第一连接电极；118第二连接电极；119反射层；120第一导电通道；121第二导电通道；122第一电极；123第二电极；124保护层；20封装基板；21显示基板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参阅图8和图11所示，发光二极管10具有多种类型，例如包括发出紫光的发光二极管10、发出蓝光或绿光的发光二极管10或发出红光或黄光的发光二极管10。根据形成的发光二极管10的类型，可使用不同材料的衬底100和半导体外延层11。例如发出紫光的发光二极管10可由氮化镓(GaN)材料制成，则该发光二极管10的衬底100通常是蓝宝石上的异质磊晶、使用氢化物气相磊晶或氨热方法制成的自支撑氮化镓衬底100。对于其他颜色的发光二极管10，可以使用砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)衬底100或其他材料的衬底100。多个发光二极管10可设置在同一衬底100上，形成发光二极管10阵列。再经过分拣挑选，按照需求将发光二极管10转移到暂态基板上，最后将发光二极管10 转移到显示基板21上，或直接将衬底100上的发光二极管10按照需求转移至显示基板21上，形成发光二极管显示面板。且本申请中所述的发光二极管例如为Micro LED或Mini LED，发光二极管10的体积小，一个例如4寸的晶片上，发光二极管10的数量例如为14×106个，且形成发光二极管显示面板需要的发光二极管的数量也非常庞大。具体可通过巨量转移高效地将发光二极管10转移至显示基板21上，并将发光二极管10焊接在显示基板21上，形成发光二极管显示面板。
请参阅图10所示，在一些实施例中，为保证发光二极管10在运输途中的稳定性，需要将形成的单个的发光二极管10进行封装。在其他实施例中，当发光二极管10用于封装端，需要将发光二极管10焊接在封装基板20上。或者制造显示面板时需要将发光二极管10焊接在显示基板21上。在需要将发光二极管10焊接在基板上时，基板例如为显示基板21、封装基板20或暂态基板等。例如通过锡膏将发光二极管10焊接在基板上，且为保证焊接质量，锡膏的用量较多。且发光二极管10的体积较小，且相邻的发光二极管10之间的距离较小，在回流焊的过程中，锡膏易在电极之间扩散，并将相邻的电极连接，进而导致发光二极管10漏电。
基于此，本申请希望提供一种发光二极管，在形成电极后，在相邻的电极之间、电极的侧壁上、以及部分电极相对于半导体外延层的表面上，形成保护层。可避免发光二极管在焊接的过程中，相邻的电极通过锡膏相互连接，从而避免焊接导致的漏电。
请参阅图8所示，本申请提供的一种发光二极管10包括衬底100、设置在衬底100上的半导体外延层11、与半导体外延层11连接的第一电极122和第二电极123，以及设置在电极上的保护层124。在本实施例中，第一电极122和第二电极123位于半导体外延层11的同侧，形成倒装的发光二极管10。且保护层 124覆盖第一电极122和第二电极123之间的区域，第一电极122和第二电极 123的侧壁、以及部分第一电极122和第二电极123相对于半导体外延层11的表面。且在第一电极122和第二电极123相对于半导体外延层11的表面，保护层124由电极的边缘向着中心延伸。
请参阅图1所示，在本申请一实施例中，衬底100的材料包括硅、硅锗、碳化硅、蓝宝石、磷化铟、砷化镓、砷化铟或者其它III/V化合物形成的半导体结构，还包括这些半导体构成的叠层结构等，或者为绝缘体上硅，绝缘体上层叠硅、绝缘体上层叠锗化硅、绝缘体上锗化硅以及绝缘体上锗等。衬底100的材料可根据形成的发光二极管10的种类以及衬底100上的半导体外延层11确定。在一些实施例中，发光二极管10为发出蓝光或绿光的发光二极管10，半导体外延层11的材料例如是氮化镓(GaN)、铟氮化镓(InGaN)，衬底100的材料例如可以为蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN) 及硅(Si)。在其他实施例中，发光二极管10为发出红光或黄光的发光二极管10，半导体外延层11的材料例如是磷化镓(GaP)、铝砷化镓(AlGaAs)、铝镓铟磷 (AlGaInP)等材料中的一种或多种，衬底100的材料例如可以为磷化镓(GaP)或砷化镓(GaAs)。
请参阅图1所示，在本申请一实施例中，在衬底100上，设置有半导体外延层11。其中，半导体外延层11可以包括依次生长的第一半导体层111、发光层112和第二半导体层113，即发光层112位于第一半导体层111上，第二半导体层113位于发光层112上。在本实施例中，第一半导体层111可以是掺有第一杂质的N型半导体层，或者是掺有第二杂质的P型半导体层，相对应的第二半导体层113可以是掺有第二杂质的P型半导体层，或者是掺有第一杂质的N型半导体层。第一杂质例如为施主杂质，第二杂质例如为受主杂质，根据所使用的半导体材料，第一杂质和第二杂质可以为不同的元素。在本实施例中，第一半导体层111和第二半导体层113可以为氮化镓，即第一半导体层111为N型氮化镓层，第二半导体层113为P型氮化镓层，且第一杂质可以为硅(Si)或碲(Te) 元素，第二杂质可以为镁(Mg)或锌(Zn)元素。在其他实施例中，第一半导体层 111和第二半导体层113还可以是其他合适的材料形成。
请再参阅图1所示，在本申请一实施例中，发光层112是本征半导体层或低掺杂半导体层，发光层112掺杂浓度较相邻的同种掺杂类型的半导体层的更低，同时发光层112可以是量子阱发光层。在本实施例中，半导体外延层11例如发出蓝光或绿光，发光层112的材料为铟氮化镓(InGaN)。在其他实施例中，发光层112可例如为发出不同光色波段的量子阱，发光层112的材料可选硒化锌(ZnSe)、铟氮化镓/氮化镓(InGaN/GaN)、铟氮化镓/氮化镓(InGaN/GaN)、磷化镓(GaP)、铝磷化镓(AlGaP)或铝砷化镓(AlGaAs)等材料中的一种或多种。
请再参阅图1所示，在本申请一实施例中，在半导体外延层11的一侧，设置有凹部114，使得半导体外延层11形成台面(MESA)结构。凹部114的底部与第一半导体层111接触。在蚀刻时，可蚀刻掉第二半导体层113和发光层112，凹部114的底部与第一半导体层111接触。也可以蚀刻掉第二半导体层113和发光层112，以及部分厚度的第一半导体层111，以保证凹部114的底部与第一半导体层111接触。凹部114的底部与衬底100具有预设距离。具体的，在本实施例中，凹部114的深度例如为1-2um。且在本实施例中，可利用(BCl3)或氯气(Cl2)干法蚀刻半导体外延层11，形成凹部114。具体可在第二半导体层113 上形成图案化光阻层，且图案化光阻层上设置有开口，可定义凹部114的位置和形状。并以图案化光阻层为掩膜，蚀刻半导体外延层11，形成凹部114。在本实施例中，如图5所示的俯视图，凹部114可呈圆弧形设置。在其他实施例中，凹部114可呈矩形、多边形等其他形状。在形成凹部114后，移除图案化光阻层。
请参阅图2和图5所示，在本申请一实施例中，在第二半导体层113上，还设置有透明导电层115。且透明导电层115位于凹部114的一侧。透明导电层 115的厚度例如为具体为200～2000埃。具体可在第二半导体层113上溅射一层氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，并在氧化铟锡上形成图案化光阻层，可定义透明导电层115的位置。并以图案化光阻层为掩膜，蚀刻掉凹部114上方，以及部分第二半导体层113上的氧化铟锡，形成透明导电层115。在形成透明导电层115后，移除图案化光阻层。本申请并不限制透明导电层115的具体形状以及大小。在本实施例中，如图5所示，透明导电层115的形状例如与蚀刻后第二半导体层113的形状相适应，且与第二半导体层113的边界具有预设距离。
请参阅图3和图5所示，在本申请一实施例中，在发光二极管10的外侧还设置有沟槽116，沟槽116与衬底100接触。且沟槽116环绕每个发光二极管10 设置，以隔离相邻的发光二极管10。具体的，可在透明导电层115、第二半导体层113、以及分部第一半导体层111上形成图案化光阻层，并以图案化光阻层为掩膜，干法蚀刻半导体外延层11至衬底100，形成沟槽116。具体的蚀刻深度例如为4～8um。并在形成沟槽116后，将图案化光阻层移除。在本实施例中，沟槽116例如呈矩形环状设置。
请参阅图4和图5所示，在本申请一实施例中，在凹部114所在的第一半导体层111上，设置有第一连接电极117，在透明导电层115上设置有第二连接电极118，第二连接电极118通过透明导电层115与第二半导体层113连接。在本实施例中，第一连接电极117和第二连接电极118的厚度例如为1-3um。且本申请并不限制第一连接电极117和第二连接电极118的形状。在本实施例中，第一连接电极117例如呈圆形，第二连接电极118呈长条状，且第二连接电极 118的两端呈圆形。在其他实施例中，第一连接电极117和第二连接电极118例如呈圆形或矩形设置。在本实施例中，例如可在凹部114和透明导电层115上采用负胶光刻第一连接电极117和第二连接电极118的图形，并使用富林蒸镀机台蒸镀金属，形成第一连接电极117和第二连接电极118。第一连接电极117 和第二连接电极118的材料例如可为金或金的合金制成。在形成第一连接电极 117和第二连接电极118后，将胶材移除。
请参阅图6所示，在本申请一实施例中，在第一连接电极117和第二连接电极118上设置有反射层119，且反射层119覆盖沟槽116、半导体外延层11、透明导电层115、第一连接电极117和第二连接电极118。且反射层119上还设置有第一导电通道120和第二导电通道121，第一导电通道120与第一连接电极 117连通，第二导电通道121与第二连接电极118连通。且反射层119例如包括氧化硅层和氧化钛层，且为氧化硅和氧化钛的的叠层。具体的，请参阅图6所示，例如在沟槽116、半导体外延层11、透明导电层115、第一连接电极117和第二连接电极118上蒸镀氧化硅和氧化钛的叠层，以形成反射层119。且反射层 119的厚度例如为2～5um。反射层119可将发光层112发出的光反射，使发光二极管10的光从第一半导体层111的一侧发射出。形成反射层119后，在反射层 119上形成图案化光阻层。图案化光阻层上设置有开口，用于定义第一导电通道 120和第二导电通道121的位置。在形成图案化光阻层后，以图案化光阻层为掩膜，蚀刻反射层119，形成与第一连接电极117连通的第一导电通道120，与第二连接电极118连通的第二导电通道121。其中，第一导电通道120和第二导电通道121可呈任意形状，例如呈圆柱、四棱柱或其他形状的柱状设置。在本实施例中，第一导电通道120和第二导电通道121层圆柱状，且随着导电通道到连接电极的距离增大，导电通道的半径逐渐增大。可便于在第一导电通道120 和第二导电通道121内沉积金属。在本实施例中，例如可以采用干法蚀刻形成导电通道，且蚀刻气体例如为四氟甲烷(CF4)、氧气(O2)或氩气(Ar)的一种或几种。
请参阅图7所示，在本申请一实施例中，在第一导电通道120内以及第一导电通道120上方设置有第一电极122，在第二导电通道121内以及第二导电通道121上方设置有第二电极123。即第一电极122填满第一导电通道120，并与第一连接电极117接触，第二电极123填满第二导电通道121，并与第二连接电极118接触。在本实施例中，在反射层119上，第一电极122和第二电极123 的厚度例如为1-3um。本申请并不限制电极的形状和大小，在本实施例中，第一电极122和第二电极123例如呈矩形，且为圆角矩形。且第一电极122和第二电极123之间的距离例如为40-50um，且第一电极122和第二电极123至反射层 119边缘的距离例如为20-30um。在本实施例中，例如可在反射层119上采用负胶光刻第一电极122和第二电极123的图形，并使用富林蒸镀机台蒸镀金属，形成第一电极122和第二电极123。第一电极122和第二电极123的材料例如为金合金，第一电极122的材料具体例如为Ni/Au，第二电极123的材料具体例如为Ni/Al/Ni/Au。
请参阅图8和图9所示，在本申请一实施例中，在第一电极122和第二电极123上设置有保护层124。保护层124覆盖的反射层119，包括第一电极122 和第二电极123之间的反射层119和向着第一电极122和第二电极123垫缘延伸的反射层119。保护层124还覆盖第一电极122和第二电极123的侧壁，以及部分第一电极122和第二电极123相对于半导体外延层11的表面。且在第一电极122和第二电极123相对于半导体外延层11的表面上，保护层124由第一电极122和第二电极123的边缘向中心延伸，且延伸长度D的范围例如为0.1-1um。即保护层124，以及第一电极122和第二电极123相对于半导体外延层11的表面边缘，在半导体外延层11上的垂直投影面重叠，且垂直投影面重叠的宽度为 0.1-1um。在本实施例中，保护层124例如为氧化硅层或氮化硅层，且保护层124 的厚度例如为1000-10000埃。在本实施例中，具体可在第一电极122和第二电极123上沉积氧化硅或氮化硅，并在第一电极122和第二电极123相对于反射层119的表面上，干法蚀刻中心部分的氧化硅或氮化硅，形成保护层124。
请参阅图10所示，在本申请一实施例中，发光二极管封装体包括封装基板 20和设置在封装基板20上的发光二极管10，可在形成发光二极管10后，将发光二极管10转移至封装基板20上时，并通过锡膏焊接在封装基板20上。此时，保护层124可以防止锡膏扩散至第一电极122和第二电极123之间，以及相邻发光二极管10的电极之间。进而防止锡膏扩散导致发光二极管10漏电，进而提高发光二极管10封装固晶良率。
请参阅图11所示，在本申请一实施例中，在形成多个发光二极管10后，可以将发光二极管10转移到显示基板21上。转移的方法可包括范德华力派，静电力派，磁力派，激光转印派，流体自组装派和卷对卷转印派等。在本实施例中，使用范德华力转移发光二极管10，转移结构例如为弹性印章，且弹性印章的材料例如为聚二甲基硅氧烷(PDMS)。可通过弹性印章拾取发光二极管 10，并将其转移至显示基板21上，形成发光二极管显示面板。
请参阅11所示，在本申请一实施例中，发光二极管显示面板包括显示基板21以及设置在显示基板21上的多个发光二极管10。显示基板21例如为薄膜晶体管阵列基板，且例如包括基底201以及设置在基底201上的电路层202，电路层202中具有多个薄膜晶体管，用于驱动发光二极管10。在本实施例中，显示基板21上例如设置有多个红色发光二极管10a、绿色发光二极管10b以及蓝色发光二极管10c，每个发光二极管10为一个子像素，红色发光二极管10a可形成一个红色子像素，绿色发光二极管10b可形成一个绿色子像素，蓝色发光二极管10c可形成一个蓝色子像素，且依次排列的红色发光二极管10a、绿色发光二极管10b以及蓝色发光二极管10c组成一个像素。
请参阅图11所示，在本申请一实施例中，在一个像素内，且在发光二极管 10上以及相邻的发光二极管10之间，可通过曝光和显影工艺形成平坦化层203。在平坦化层203上还可以设置绝缘层204，绝缘层204设置在相邻像素之间以及像素上方。在绝缘层204上还可以设置保护基板205，保护基板205与绝缘层 204键合形成密闭空腔，以保护内部的发光二极管10。
请参阅图11所示，本申请提供的发光二极管显示面板可应用于电视机、笔记本电脑、显示器、手机、手表、可穿戴显示器、车载装置、虚拟现实(VR) 装置、扩充现实(AR)装置、可携式电子装置、游戏机或其他电子装置中。
综上所示，本申请提供的一种发光二极管及发光二极管显示面板，在两个电极之间的区域、电极的侧壁上，以及电极的表面形成保护层。在将发光二极管焊接在基板上时，保护层可避免锡膏扩散，进而避免相邻的电极通过锡膏扩散导致的漏电，可提高发光二极封装固晶良率。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
半导体外延层，设置在所述衬底上，且包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一电极，与所述第一半导体层连接；
第二电极，与所述第二半导体层连接，且与所述第一电极同侧设置；以及
保护层，覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧壁。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层还覆盖所述第一电极和所述第二电极之间的区域。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层还覆盖部分所述第一电极和所述第二电极相对于所述半导体外延层的表面。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层，以及所述第一电极和所述第二电极相对于所述半导体外延层的表面边缘，在所述半导体外延层上的垂直投影面重叠。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述垂直投影面重叠的宽度为0.1-1um。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：
第一连接电极，所述第一电极通过所述第一连接电极与所述第一半导体层连接；以及
第二连接电极，所述第二电极通过所述第二连接电极与所述第二半导体层连接。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括反射层，所述反射层设置在所述第一连接电极和所述第二连接电极上。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述反射层上设置有导电通道，所述第一电极和所述第二电极通过所述导电通道与所述第一连接电极和所述第二连接电极连接。
9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层覆盖所述反射层。
10.一种发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
显示基板，且所述显示基板上设置有电路层；以及
发光二极管，设置在所述显示基板上，且电性连接于所述电路层，所述发光二极管包括：
衬底；
半导体外延层，设置在所述衬底上，且包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一电极，与所述第一半导体层连接；
第二电极，与所述第二半导体层连接，且与所述第一电极同侧设置；以及
保护层，覆盖所述第一电极和所述第二电极的侧壁。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202220085767.9U CN216902990U (zh) | 2022-01-13 | 2022-01-13 | 一种发光二极管及发光二极管显示面板 |
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| CN202220085767.9U CN216902990U (zh) | 2022-01-13 | 2022-01-13 | 一种发光二极管及发光二极管显示面板 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216902990U true CN216902990U (zh) | 2022-07-05 |
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ID=82212164
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|---|---|
| CN (1) | CN216902990U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115274964A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-11-01 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光二极管及发光装置 |
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2022
- 2022-01-13 CN CN202220085767.9U patent/CN216902990U/zh active Active
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