CN216872849U - 一种热插拔电路和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种热插拔电路,通过第一启动模块检测热插拔电路的输入端电压大小,当热插拔电路的输入端电压超过第一电压预设值时导通,以缓冲热插拔电路的输入端的浪涌电流;通过第二启动模块检测第一启动模块的第二端电压大小,当第一启动模块的第二端电压超过第二电压预设值时导通,以缓冲热插拔电路的输入端的浪涌电流,第二电压预设值大于第一电压预设值。本申请通过两个启动模块来缓冲电子设备瞬间接入外部电源时产生的浪涌电流,同时使第二启动模块缓冲后的电流大于第一启动模块缓冲后的电流,能够适应大功率电子设备的热插拔,很大程度上降低了打火现象,提升了系统寿命和可靠性。
Description
技术领域
本申请属于电源技术领域,尤其涉及一种热插拔电路和电子设备。
背景技术
热插拔,即带电插拔,指可以在电子设备运作时插上或拔除硬件,配合适当的软件,便可以在不用关闭电源的情况下插入或拔除支持热插拔的周边设备,不会导致电子设备主机或周边设备烧毁并且能够实时侦测及使用新的设备。
但是,当外部电源接入电子设备时,特别是大功率的电子设备,会出现非常大的浪涌电流,从而导致电源接口容易出现打火现象,烧黑连接器针芯,降低了系统的寿命和可靠性。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种热插拔电路,旨在解决传统热插拔电路容易出现打火现象的问题。
为了实现上述目的,第一方面,本申请实施例提供了一种热插拔电路,包括第一启动模块和第二启动模块;
所述第一启动模块的第一端和所述第二启动模块的第一端电连接构成所述热插拔电路的输入端,所述第一启动模块的第二端和所述第二启动模块的第二端构成所述热插拔电路的输出端;
所述热插拔电路的输入端被配置为接入外部电源;
所述热插拔电路的输出端被配置为与外部负载电连接;
所述第一启动模块,被配置为检测所述热插拔电路的输入端电压大小,当所述热插拔电路的输入端电压超过第一电压预设值时导通,以缓冲所述热插拔电路的输入端的浪涌电流;
所述第二启动模块,被配置为检测所述第一启动模块的第二端电压大小,当所述第一启动模块的第二端电压超过第二电压预设值时导通,以缓冲所述热插拔电路的输入端的浪涌电流,所述第二电压预设值大于所述第一电压预设值。
在第一方面的一种可能的实施方式中,所述第一启动模块包括第一检测单元、第一控制单元和第一开关单元;
所述第一检测单元的输入端为所述第一启动模块的第一端,所述第一开关单元的输出端为所述第一启动模块的第二端;
所述第一检测单元与所述第一控制单元和所述第一开关单元电连接,所述第一控制单元与所述第一开关单元电连接;
所述第一检测单元,被配置为检测所述热插拔电路的输入端电压大于所述第一电压预设值的第一时间;
所述第一控制单元,被配置为当所述第一时间超过第一时间预设值时产生第一导通信号;
所述第一开关单元,被配置为根据所述第一导通信号导通。
在第一方面的另一种可能的实施方式中,所述第一开关单元包括第一MOS 管Q1和第一电阻R1;
所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一控制单元和所述第一电阻R1的一端电连接,所述第一电阻R1的另一端与所述第一控制单元和所述第一检测单元电连接,所述第一MOS管Q1的栅极与所述第一控制单元电连接,所述第一 MOS管Q1的源极为所述热插拔电路的输出端。
在第一方面的另一种可能的实施方式中,所述第一开关单元还包括第一二极管D1、第二二极管D2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1和第二三极管Q2;
所述第一二极管D1的正极与所述第一MOS管Q1的源极和所述第二三极管Q2的集电极电连接,所述第一二极管D1的负极与所述第二电阻R2的一端、所述第三电阻R3的一端、所述第二二极管D2的负极和所述第二三极管Q2的发射极电连接,所述第二电阻R2的另一端与所述第一MOS管Q1的栅极电连接,所述第三电阻R3的另一端所述第一电容C1的一端电连接,所述第一电容 C1的另一端接地;所述第二三极管Q2的基极与所述第四电阻R4的一端电连接,所述第四电阻R4的另一端和所述第二二极管D2的正极均与所述第一控制单元电连接。
在第一方面的另一种可能的实施方式中,所述第一检测单元包括第六电阻 R6、第八电阻R8和第三电容C3;
所述第六电阻R6的一端和所述第八电阻R8的一端均与所述第一控制单元电连接,所述第六电阻R6的另一端与所述热插拔电路的输入端电连接,所述第三电容C3的一端与所述第一控制单元和所述热插拔电路的输入端电连接,所述第八电阻R8的另一端和所述第三电容C3的另一端接地。
在第一方面的另一种可能的实施方式中,所述第二启动模块包括第二检测单元、第二控制单元和第二开关单元;
所述第二检测单元的输入端为所述第一启动模块的第二端,所述第二开关单元的输出端为所述第二启动模块的第二端;
所述第二检测单元与所述第二控制单元和所述第二开关单元电连接,所述第二控制单元与所述第二开关单元电连接;
所述第二检测单元,被配置为检测所述热插拔电路的输出端电压大于所述第二电压预设值的第二时间;
所述第二控制单元,被配置为当所述第二时间超过第二时间预设值时产生第二导通信号;
所述第二开关单元,被配置为根据所述第二导通信号导通。
在第一方面的另一种可能的实施方式中,所述第二开关单元包括第三MOS 管Q3和第十一电阻R11,所述第三MOS管Q3的漏极与所述第二控制单元和所述第十一电阻R11的一端电连接,所述第十一电阻R11的另一端与所述第二控制单元和所述第二检测单元电连接,所述第三MOS管Q3的栅极与所述第二控制单元电连接,所述第三MOS管Q3的源极为所述热插拔电路的输出端。
在第一方面的另一种可能的实施方式中,所述第二开关单元还包括第四二极管D4、第五二极管D5、第九电阻R9、第十七电阻R17、第十九电阻R19、第六电容C6和第七三极管Q7;
所述第四二极管D4的正极与所述第三MOS管Q3的源极和所述第七三极管Q7的集电极电连接,所述第四二极管D4的负极与所述第九电阻R9的一端、所述第十七电阻R17的一端、所述第五二极管D5的负极和所述第七三极管Q7 的发射极电连接,所述第九电阻R9的另一端与所述第三MOS管Q3的栅极电连接,所述第十七电阻R17的另一端与所述第六电容C6的一端电连接,所述第六电容C6的另一端接地;所述第七三极管Q7的基极与所述第十九电阻R19 的一端电连接,所述第十九电阻R19的另一端和所述第五二极管D5的正极均与所述第二控制单元电连接。
第二方面,本申请实施例提供了一种电子设备,包括所述的热插拔电路和负载;
所述负载与所述热插拔电路电连接;
所述负载,被配置为接收所述热插拔电路的充电电流。
本申请实施例与现有技术相比存在的有益效果是:上述的热插拔电路,通过两个启动模块来缓冲电子设备瞬间接入外部电源时产生的浪涌电流,同时使第二启动模块缓冲后的电流大于第一启动模块缓冲后的电流,能够适应大功率电子设备的热插拔,很大程度上降低了打火现象,提升了系统寿命和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的热插拔电路的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的第一启动模块的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的第二启动模块的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的热插拔电路的电路图;
图5为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的智能设备的另一实施例结构示意图。
附图标记说明:
1-第一启动模块,11-第一检测单元,12-第一控制单元,13-第一开关单元, 2-第二启动模块,21第二检测单元,22-第二控制单元,23-第二开关单元,3- 负载,800-照明设备,801-第一输入端口,802-光源,803-光源驱动板,900-控制设备,901-第二输入端口,902-输出端口。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
当外部电源接入电子设备的瞬间,电子设备会产生较大的浪涌电流,导致电源接口处容易出现打火现象。对于功率较小的电子设备,一般可以采用包含一个低功率启动模块的热插拔电路来缓冲瞬间接入的电流,但是,这种热插拔电路内部器件能够承受的功率较低,无法满足大功率的电子设备。
对于功率较高的电子设备,一般可以采用包含多个低功率启动模块的热插拔电路来缓冲瞬间接入的电流,对应的,电子设备的功率越高,需要的低功率启动模块的个数越多,从而导致这种热插拔电路的成本较高。
为此,本申请提供一种热插拔电路,通过两个启动模块来缓冲电子设备瞬间接入电源时产生的浪涌电流,使得经由第一启动模块缓冲后的电流小于经由第二启动模块缓冲后的电流,在面对小功率的电子设备热插拔时,使第一启动模块导通,以缓冲瞬间接入的小电流,在面对大功率的电子设备热插拔时,使第二启动模块导通,以缓冲瞬间接入的大电流,从而既能够适应大功率电子设备的热插拔,又能够代替多个低功率启动模块,降低热插拔电路的整体成本。
下面结合附图,对本申请提供的热插拔电路,进行实例性的说明:图1为本申请实施例提供的热插拔电路的结构示意图,如图1所示,为了便于说明,仅示出与本实施例相关的部分,详述如下:示例性地,本申请的热插拔电路100 包括第一启动模块1和第二启动模块2;
第一启动模块1的第一端和第二启动模块2的第一端电连接构成热插拔电路的输入端,第一启动模块1的第二端和第二启动模块2的第二端构成热插拔电路的输出端;
热插拔电路的输入端被配置为接入外部电源;
热插拔电路的输出端被配置为与外部负载电连接;
第一启动模块1,被配置为检测热插拔电路的输入端电压大小,当热插拔电路的输入端电压超过第一电压预设值时导通,以缓冲热插拔电路的输入端的浪涌电流;
第二启动模块2,被配置为检测第一启动模块1的第二端电压大小,当第一启动模块1的第二端电压超过第二电压预设值时导通,以缓冲热插拔电路的输入端的浪涌电流,第二电压预设值大于第一电压预设值。
在应用中,在外部电源接入电子设备的瞬间,首先通过第一启动模块进行热插拔电路的输入端的电能累积,当热插拔电路的输入端电压超过第一电压预设值时第一启动模块导通,缓冲热插拔电路的输入端的较小的浪涌电流,从而使外部电源通过第一启动模块逐渐向热插拔电路的输出端的负载供电,热插拔电路的输出端的电压随着充电时间的增长而增加。当热插拔电路的输出端电压超过第二电压预设值时第二启动模块导通,缓冲热插拔电路的输入端的较大的浪涌电流,从而使外部电源也可以通过第二启动模块向热插拔电路的输出端的负载供电。
同时,因为第一启动模块刚开始导通时,热插拔电路的输出端电压较低,热插拔电路的输出端电压和热插拔电路的输入端电压相差较大,所以第一启动模块的启动时间可以较长,从而使热插拔电路的输出端电压缓慢增加。因为第二启动模块导通时,热插拔电路的输出端电压较高,热插拔电路的输出端电压和热插拔电路的输入端电压相差较小,所以第二启动模块的启动时间较短,从而使第二启动模块可以快速打开或关闭。
另外,在热插拔电路的输出端发生短路时,热插拔电路的输出端电流迅速升高,超过预设的电流值,第二启动模块检测到过流信号会立即关断,使热插拔电路的输出端电压降低到低于第二电压预设值的范围,仅剩第一启动模块导通电流,同时间断性检测短路情况是否消失。当短路情况消失后,则会重新向热插拔电路的输出端负载供电。当热插拔电路的输出端电压累积到超过第二电压预设值时,再次导通第二启动模块继续向负载供电,从而有效保护了热插拔电路的输出端负载和电子设备内其他电子器件的安全性,延长了电子设备的使用寿命。
图2为本申请实施例提供的第一启动模块的结构示意图,如图2所示,示例性地,第一启动模块1包括第一检测单元11、第一控制单元12和第一开关单元13;
第一检测单元11的输入端为第一启动模块1的第一端,第一开关单元13 的输出端为第一启动模块1的第二端;
第一检测单元11与第一控制单元12和第一开关单元13电连接,第一控制单元12与第一开关单元13电连接;
第一检测单元11,被配置为检测热插拔电路的输入端电压大于第一电压预设值的第一时间;
第一控制单元12,被配置为当第一时间超过第一时间预设值时产生第一导通信号;
第一开关单元13,被配置为根据第一导通信号导通。
在应用中,当外部电源接入第一启动模块时,首先通过第一检测单元检测热插拔电路的输入端电压是否大于第一电压预设值,并记录热插拔电路的输入端电压大于第一电压预设值的第一时间,通过第一控制单元判断第一时间是否超过第一时间预设值,当第一时间超过第一时间预设值时产生第一导通信号,从而使第一开关单元根据第一导通信号导通,进而使热插拔电路的输入端连接的外部电源向热插拔电路的输出端的负载供电。
图4为本申请实施例提供的热插拔电路的电路图,如图4所示,示例性地,第一控制单元包括第一热插拔控制芯片U1,第一开关单元13包括第一MOS 管Q1和第一电阻R1;
第一MOS管Q1的漏极与第一控制单元12和第一电阻R1的一端电连接,第一电阻R1的另一端与第一控制单元12和第一检测单元11电连接,第一MOS 管Q1的栅极与第一控制单元12电连接,第一MOS管Q1的源极为热插拔电路的输出端。
在应用中,通过第一控制单元产生第一导通信号来控制第一MOS管Q1的导通或截止,进而使热插拔电路的输入端连接的外接电源与热插拔电路的输出端负载连接或断开;通过调节第一电阻R1的阻值大小来调节第一控制单元导通时的电流值,从而可以根据需要设置不同的启动电流值,使本申请的热插拔电路能够适应更多的电子设备。
如图4所示,示例性地,第一开关单元13还包括第一二极管D1、第二二极管D2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1和第二三极管Q2;
第一二极管D1的正极与第一MOS管Q1的源极和第二三极管Q2的集电极电连接,第一二极管D1的负极与第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端、第二二极管D2的负极和第二三极管Q2的发射极电连接,第二电阻R2的另一端与第一MOS管Q1的栅极电连接,第三电阻R3的另一端第一电容C1的一端电连接,第一电容C1的另一端接地;第二三极管Q2的基极与第四电阻R4 的一端电连接,第四电阻R4的另一端和第二二极管D2的正极均与第一控制单元12电连接。
在应用中,通过第一二极管D1、第二二极管D2、第二电阻R2、第三电阻 R3、第四电阻R4、第一电容C1和第二三极管Q2构成第一MOS管Q1的保护电路,防止热插拔电路的输出端电流倒灌。具体地,当第一控制单元处于关断状态时,第一控制单元与热插拔电路的输出端的连接点处于低电位,若此时热插拔电路的输出端电压较高,则可能会向第一控制单元倒灌,导致第一控制单元芯片非正常发热、甚至损坏,所以通过该保护电路可以截止热插拔电路的输出端电流倒灌。
如图4所示,示例性地,第一检测单元11包括第六电阻R6、第八电阻R8 和第三电容C3;
第六电阻R6的一端和第八电阻R8的一端均与第一控制单元12电连接,第六电阻R6的另一端与热插拔电路的输入端电连接,第三电容C3的一端与第一控制单元12和热插拔电路的输入端电连接,第八电阻R8的另一端和第三电容C3的另一端接地。
在应用中,通过第六电阻R6和第八电阻R8构成分压电路来检测热插拔电路的输入端电压并发送至第一控制单元,通过第三电容C3的充满导通接地时间来记录第一时间,同时还可以通过调整第三电容C3的容值来调整第一时间的最大值。
如图4所示,示例性地,第一启动模块1还可以包括第五电阻R5和第七电阻R7,第五电阻R5的一端和第七电阻R7的一端均与第一控制单元电连接,第五电阻R5的另一端与热插拔电路的输出端电连接,第七电阻R7的另一端接地,从而通过第五电阻R5和第七电阻R7构成第一输出端分压电路检测热插拔电路的输出端电压。具体地,在第一启动模块导通后,通过第一输出端分压电路检测热插拔电路的输出端电压是否大于第三电压预设值,当热插拔电路的输出端电压大于第三电压预设值时产生第一电源充满信号,将该第一电源充满信号发送至电子设备内的中央控制器,以便进行后续其他操作,例如使电子设备开始开机等。
如图4所示,示例性地,第一启动模块1还可以包括第三二极管D3和第二电容C2,第三二极管D3的正极与第一热插拔控制芯片U1的第五引脚电连接,第三二极管D3的负极与热插拔电路的输入端电连接;第二电容C2的一端与第一热插拔控制芯片U1的第一引脚电连接,第二电容C2的另一端接地。从而通过第三二极管D3的稳压值可以设定热插拔电路的输入端的过压保护电压值,通过第二电容C2可以对输入电压进行滤波。
图3为本申请实施例提供的第二启动模块的结构示意图,如图3所示,示例性地,第二启动模块2包括第二检测单元21、第二控制单元22和第二开关单元23;
第二检测单元21的输入端为第一启动模块1的第二端,第二开关单元23 的输出端为第二启动模块2的第二端;
第二检测单元21与第二控制单元22和第二开关单元23电连接,第二控制单元22与第二开关单元23电连接;
第二检测单元21,被配置为检测热插拔电路的输出端电压大于第二电压预设值的第二时间;
第二控制单元22,被配置为当第二时间超过第二时间预设值时产生第二导通信号;
第二开关单元23,被配置为根据第二导通信号导通。
在应用中,当外部电源接入第二启动模块时,首先通过第二检测单元检测热插拔电路的输出端电压是否大于第二电压预设值,并记录热插拔电路的输出端电压大于第二电压预设值的第二时间,通过第二控制单元判断第二时间是否超过第二时间预设值,当第二时间超过第二时间预设值时产生第二导通信号,从而使第二开关单元根据第二导通信号导通,进而使与热插拔电路的输入端连接的外部电源向热插拔电路的输出端的负载供电。
如图4所示,示例性地,第二控制单元包括第二热插拔控制芯片U2。第二开关单元23包括第三MOS管Q3和第十一电阻R11,第三MOS管Q3的漏极与第二控制单元22和第十一电阻R11的一端电连接,第十一电阻R11的另一端与第二控制单元22和第二检测单元21电连接,第三MOS管Q3的栅极与第二控制单元22电连接,第三MOS管Q3的源极为热插拔电路的输出端。
在应用中,通过第二控制单元产生第二导通信号来控制第三MOS管Q3的导通或截止,进而使热插拔电路的输入端连接的外接电源与热插拔电路的输出端负载连接或断开;通过调节第十一电阻R11的阻值大小来改变第二控制单元导通时的电流值,从而可以根据需要设置不同的启动电流值,使本申请的热插拔电路能够适应更多的电子设备。
另外,第三MOS管Q3也可以对应增加设置第四MOS管Q4和第十电阻 R10、第五MOS管Q5和第十二电阻R12以及第六MOS管Q6和第十六电阻 R16,用于分摊整个电路的发热功率,提高整个电路的可以承受的功率值。第十一电阻R11也可以对应增加置第十三电阻R13、第十四电阻R14和第十五电阻R15,用于分摊整个电路的发热功率,降低或升高整个电路的可导通的电流值。
如图4所示,示例性地,第二开关单元23还包括第四二极管D4、第五二极管D5、第九电阻R9、第十七电阻R17、第十九电阻R19、第六电容C6和第七三极管Q7;
第四二极管D4的正极与第三MOS管Q3的源极和第七三极管Q7的集电极电连接,第四二极管D4的负极与第九电阻R9的一端、第十七电阻R17的一端、第五二极管D5的负极和第七三极管Q7的发射极电连接,第九电阻R9的另一端与第三MOS管Q3的栅极电连接,第十七电阻R17的另一端与第六电容 C6的一端电连接,第六电容C6的另一端接地;第七三极管Q7的基极与第十九电阻R19的一端电连接,第十九电阻R19的另一端和第五二极管D5的正极均与第二控制单元22电连接。
在应用中,通过第四二极管D4、第五二极管D5、第九电阻R9、第十七电阻R17、第十九电阻R19、第六电容C6和第七三极管Q7构成第二MOS管Q2 的保护电路,防止热插拔电路的输出端电流倒灌。具体地,当第二控制单元处于关断状态时,第二控制单元与热插拔电路的输出端的连接点处于低电位,若此时热插拔电路的输出端电压较高,则可能会向第二控制单元倒灌,导致第二控制单元芯片非正常发热、甚至损坏,所以通过该保护电路可以截止热插拔电路的输出端电流倒灌。
如图4所示,示例性地,第二检测单元21包括第二十电阻R20、第二十一电阻R21和第八电容C8;
第二十电阻R20的一端和第二十一电阻R21的一端均与第二控制单元22 电连接,第二十电阻R20的另一端与热插拔电路的输入端电连接,第八电容 C8的一端与第二控制单元22和热插拔电路的输入端电连接,第二十一电阻R21 的另一端和第八电容C8的另一端接地。
在应用中,通过第二十电阻R20和第二十一电阻R21构成分压电路来检测热插拔电路的输入端电压并发送至第二控制单元,通过第八电容C8的充满导通接地时间来记录第二时间,同时还可以通过调整第八电容C8的容值来调整第二时间的最大值。
如图4所示,示例性地,第二启动模块2还可以包括第十八电阻R18和第二十二电阻R22,第十八电阻R18的一端和第二十二电阻R22的一端与第二控制单元电连接,第十八电阻R18的另一端与热插拔电路的输出端电连接,第二十二电阻R22的另一端接地,从而通过第十八电阻R18和第二十二电阻R22 构成第二输出端分压电路检测热插拔电路的输出端电压。具体地,在第二启动模块导通后,通过第二输出端分压电路检测热插拔电路的输出端电压是否大于第四电压预设值,当热插拔电路的输出端电压大于第四电压预设值时产生第二电源充满信号,将该第二电源充满信号发送至电子设备内的中央控制器,以便进行后续其他操作,例如使电子设备开始工作等。
图5为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图,如图5所示,本实施例公开了一种电子设备200,电子设备可以是照明灯具或者控制设备,示例性地,包括热插拔电路100和负载3;
负载3与热插拔电路100电连接;
负载3,被配置为接收热插拔电路100的充电电流。
在应用中,将热插拔电路设置在电子设备内部,通过热插拔电路内的两个启动模块来缓冲电子设备瞬间接入外部电源时产生的浪涌电流,同时使第二启动模块缓冲后的电流大于第一启动模块缓冲后的电流,能够适应大功率电子设备的热插拔,很大程度上降低了打火现象,提升了系统寿命和可靠性。
如图4所示,具体地,负载3可以包括第四电容C4和第五电容C5,第四电容C4的一端和第五电容C5的一端均与热插拔电路的输出端电连接,第四电容C4的另一端和第五电容C5的另一端接地,从而通过热插拔电路导通后,将外部电源电能向第四电容C4和第五电容C5充电。可以理解,在照明系统中,负载可以是位于控制盒端或者照明灯具端。
在本申请的一个实施例中,本申请还提供一种智能设备,智能设备可以是照明设备或者控制设备,其中智能设备对应包括如上的一种热插拔电路。
在本实施例中,图6为本申请实施例提供的智能设备的另一实施例结构示意图,如图6所示,智能设备可以是照明设备800,照明设备800具有第一输入端口801,该第一输入端口801用于与控制设备900电连接,以通过控制设备900来控制或者驱动或者供电给照明设备800,上述的热插拔电路可以设置在照明设备800内,且位于第一输入端口801和光源驱动板803之间,光源驱动板803与光源802电连接。
在本实施例中,智能设备还可以是控制设备900,控制设备900具有第二输入端口901和输出端口902,该第二输入端口901用于接收外部电源输入,输出端口902用于与照明设备800电连接,以通过控制设备900来控制或者驱动或者供电给照明设备800,上述的热插拔电路可以设置在控制设备900内,且位于第二输入端口901。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成,即将装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中,上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。另外,各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分,并不用于限制本申请的保护范围。在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述或记载的部分,可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露的热插拔电路,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的热插拔电路实施例仅仅是示意性的,例如,模块或单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种热插拔电路,其特征在于,包括第一启动模块(1)和第二启动模块(2);
所述第一启动模块(1)的第一端和所述第二启动模块(2)的第一端电连接构成所述热插拔电路的输入端,所述第一启动模块(1)的第二端和所述第二启动模块(2)的第二端构成所述热插拔电路的输出端;
所述热插拔电路的输入端被配置为接入外部电源;
所述热插拔电路的输出端被配置为与外部负载电连接;
所述第一启动模块(1),被配置为检测所述热插拔电路的输入端电压大小,当所述热插拔电路的输入端电压超过第一电压预设值时导通,以缓冲所述热插拔电路的输入端的浪涌电流;
所述第二启动模块(2),被配置为检测所述第一启动模块(1)的第二端电压大小,当所述第一启动模块(1)的第二端电压超过第二电压预设值时导通,以缓冲所述热插拔电路的输入端的浪涌电流,所述第二电压预设值大于所述第一电压预设值。
2.如权利要求1所述的热插拔电路,其特征在于,所述第一启动模块(1)包括第一检测单元(11)、第一控制单元(12)和第一开关单元(13);
所述第一检测单元(11)的输入端为所述第一启动模块(1)的第一端,所述第一开关单元(13)的输出端为所述第一启动模块(1)的第二端;
所述第一检测单元(11)与所述第一控制单元(12)和所述第一开关单元(13)电连接,所述第一控制单元(12)与所述第一开关单元(13)电连接;
所述第一检测单元(11),被配置为检测所述热插拔电路的输入端电压大于所述第一电压预设值的第一时间;
所述第一控制单元(12),被配置为当所述第一时间超过第一时间预设值时产生第一导通信号;
所述第一开关单元(13),被配置为根据所述第一导通信号导通。
3.如权利要求2所述的热插拔电路,其特征在于,所述第一开关单元(13)包括第一MOS管Q1和第一电阻R1;
所述第一MOS管Q1的漏极与所述第一控制单元(12)和所述第一电阻R1的一端电连接,所述第一电阻R1的另一端与所述第一控制单元(12)和所述第一检测单元(11)电连接,所述第一MOS管Q1的栅极与所述第一控制单元(12)电连接,所述第一MOS管Q1的源极为所述热插拔电路的输出端。
4.如权利要求3所述的热插拔电路,其特征在于,所述第一开关单元(13)还包括第一二极管D1、第二二极管D2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1和第二三极管Q2;
所述第一二极管D1的正极与所述第一MOS管Q1的源极和所述第二三极管Q2的集电极电连接,所述第一二极管D1的负极与所述第二电阻R2的一端、所述第三电阻R3的一端、所述第二二极管D2的负极和所述第二三极管Q2的发射极电连接,所述第二电阻R2的另一端与所述第一MOS管Q1的栅极电连接,所述第三电阻R3的另一端所述第一电容C1的一端电连接,所述第一电容C1的另一端接地;所述第二三极管Q2的基极与所述第四电阻R4的一端电连接,所述第四电阻R4的另一端和所述第二二极管D2的正极均与所述第一控制单元(12)电连接。
5.如权利要求2所述的热插拔电路,其特征在于,所述第一检测单元(11)包括第六电阻R6、第八电阻R8和第三电容C3;
所述第六电阻R6的一端和所述第八电阻R8的一端均与所述第一控制单元(12)电连接,所述第六电阻R6的另一端与所述热插拔电路的输入端电连接,所述第三电容C3的一端与所述第一控制单元(12)和所述热插拔电路的输入端电连接,所述第八电阻R8的另一端和所述第三电容C3的另一端接地。
6.如权利要求1-5任一项所述的热插拔电路,其特征在于,所述第二启动模块(2)包括第二检测单元(21)、第二控制单元(22)和第二开关单元(23);
所述第二检测单元(21)的输入端为所述第一启动模块(1)的第二端,所述第二开关单元(23)的输出端为所述第二启动模块(2)的第二端;
所述第二检测单元(21)与所述第二控制单元(22)和所述第二开关单元(23)电连接,所述第二控制单元(22)与所述第二开关单元(23)电连接;
所述第二检测单元(21),被配置为检测所述热插拔电路的输出端电压大于所述第二电压预设值的第二时间;
所述第二控制单元(22),被配置为当所述第二时间超过第二时间预设值时产生第二导通信号;
所述第二开关单元(23),被配置为根据所述第二导通信号导通。
7.如权利要求6所述的热插拔电路,其特征在于,所述第二开关单元(23)包括第三MOS管Q3和第十一电阻R11,所述第三MOS管Q3的漏极与所述第二控制单元(22)和所述第十一电阻R11的一端电连接,所述第十一电阻R11的另一端与所述第二控制单元(22)和所述第二检测单元(21)电连接,所述第三MOS管Q3的栅极与所述第二控制单元(22)电连接,所述第三MOS管Q3的源极为所述热插拔电路的输出端。
8.如权利要求7所述的热插拔电路,其特征在于,所述第二开关单元(23)还包括第四二极管D4、第五二极管D5、第九电阻R9、第十七电阻R17、第十九电阻R19、第六电容C6和第七三极管Q7;
所述第四二极管D4的正极与所述第三MOS管Q3的源极和所述第七三极管Q7的集电极电连接,所述第四二极管D4的负极与所述第九电阻R9的一端、所述第十七电阻R17的一端、所述第五二极管D5的负极和所述第七三极管Q7的发射极电连接,所述第九电阻R9的另一端与所述第三MOS管Q3的栅极电连接,所述第十七电阻R17的另一端与所述第六电容C6的一端电连接,所述第六电容C6的另一端接地;所述第七三极管Q7的基极与所述第十九电阻R19的一端电连接,所述第十九电阻R19的另一端和所述第五二极管D5的正极均与所述第二控制单元(22)电连接。
9.如权利要求6所述的热插拔电路,其特征在于,所述第二检测单元(21) 包括第二十电阻R20、第二十一电阻R21和第八电容C8;
所述第二十电阻R20的一端和所述第二十一电阻R21的一端均与所述第二控制单元(22)电连接,所述第二十电阻R20的另一端与所述热插拔电路的输入端电连接,所述第八电容C8的一端与所述第二控制单元(22)和所述热插拔电路的输入端电连接,所述第二十一电阻R21的另一端和所述第八电容C8的另一端接地。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的热插拔电路和负载(3);
所述负载(3)与所述热插拔电路电连接;
所述负载(3),被配置为接收所述热插拔电路的充电电流。
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US11474581B2 (en) | 2019-08-09 | 2022-10-18 | Analog Devices International Unlimited Company | Communication terminal for hot-swap controllers |
CN115933851A (zh) * | 2023-03-08 | 2023-04-07 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 存储系统的供电控制电路、方法、装置及存储介质 |
CN116131238A (zh) * | 2023-04-14 | 2023-05-16 | 深圳市迅特通信技术股份有限公司 | 一种抑制热插拔浪涌电流的电路和可插拔模块 |
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- 2021-12-07 CN CN202123105858.9U patent/CN216872849U/zh active Active
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