CN216751179U - 基于故障检测稳定启动技术的集成电路及电源适配器 - Google Patents

基于故障检测稳定启动技术的集成电路及电源适配器 Download PDF

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Abstract

本申请提供了一种基于故障检测稳定启动技术的集成电路及电源适配器,该集成电路,包括:故障检测模块;开关模块,与故障检测模块电连接,并且被配置为通过导通开关模块以启动故障检测模块;参考电压产生模块,与开关模块电连接,并且被配置为响应于集成电路的初始启动,产生一预设参考电压并提供至开关模块以驱动开关模块的导通,其中,预设参考电压小于集成电路的初始启动电压。本申请在集成电路的初始启动时,通过提供粗略的预设参考电压的方式驱动开关模块的导通,以使得故障检测模块预先启动,保证了内部电路处在已知逻辑状态,而且在缓启动前检查故障状态,能够及时检测到故障条件,以及时触发保护,提升了集成电路的安全性和工作效率。

Description

基于故障检测稳定启动技术的集成电路及电源适配器
技术领域
本申请涉及集成电路(IC)技术领域,特别涉及一种基于故障检测稳定启动技术的电源管理集成电路及电源适配器。
背景技术
开关电源是一种电源供应装置,例如可以是充电器、电源适配器,开关电源用于转换电源以提供电力给电子装置或是其他负载,开关电源一般包括电源管理集成电路,即电源管理芯片。
该电源管理集成电路一般包括故障管脚,该故障管脚用于指示集成电路操作中存在的故障情况。例如,将故障管脚下拉为低电平表示该集成电路存在故障条件,反之故障管脚为漏极开路输出管脚则表示该集成电路不存在故障条件或没有检测到故障条件。故障管脚输出的故障信号可以传输至电源适配器的MCU(微处理单元)或其他保护电路以触发停机或保护动作。其中,故障条件可以为过电流保护(Over Current Protection,OCP)、过电压保护(Over Voltage Protection,OVP)、过高温保护(Over Temperature Protection,OTP)、过负载保护(Over Load Protection,OLP)或欠压保护等。
但是,在该集成电路的启动过程中,如果不仔细设计故障电路和触发条件,可能会出现故障被错误触发,或者不能及时触发来指示真正的故障的情况。例如,在初始启动过程中,初始集成电路内部电压电源轨正在建立,由于其内部偏置电压尚未在有效范围内,内部电路可能会导致未定义的逻辑状态。
而且,根据故障逻辑设计,在启动过程中,集成电路可能会在一定时间段内无法及时响应保护信号。在某些设计中,集成电路在缓启动(soft start)期间,故障信号会被禁用,导致无法检测到故障条件,无法及时触发保护。
实用新型内容
本申请的主要目的在于,提供一种基于故障检测稳定启动技术的集成电路及电源适配器,以改善现有技术中存在的上述缺陷。
本申请是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
作为本申请的一方面,提供一种集成电路,包括:
故障检测模块;
开关模块,与所述故障检测模块电连接,并且被配置为通过导通所述开关模块以启动所述故障检测模块;
参考电压产生模块,与所述开关模块电连接,并且被配置为响应于所述集成电路的初始启动,产生一预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通,其中,所述预设参考电压小于所述集成电路的初始启动电压。
作为可选实施方式,所述参考电压产生模块与所述集成电路的电源输入端电连接;
响应于检测到所述电源输入端的输入电压小于或等于所述集成电路的欠压保护电压,所述参考电压产生模块被配置为产生所述预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通。
作为可选实施方式,所述开关模块包括MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管);
所述参考电压产生模块被配置为将所述预设参考电压提供至所述MOSFET以驱动所述MOSFET的栅极导通。
作为可选实施方式,所述参考电压产生模块包括级联的若干个触发器;
通过级联的所述若干个触发器产生所述预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通。
作为可选实施方式,所述故障检测模块包括故障检测单元、故障寄存器及故障管脚;
所述集成电路被配置为在启动所述故障检测模块后且所述集成电路的缓启动前,检测所述故障寄存器的故障条件,所述故障条件由所述故障检测单元产生;
所述集成电路还被配置为响应于存在所述故障条件,将所述故障管脚下拉为低电平以关闭所述集成电路。
作为可选实施方式,所述故障检测模块还包括消抖(debounce)单元;
所述故障检测单元与所述消抖单元电连接;
所述消抖单元被配置为消除所述故障检测单元产生的假故障信号。
作为可选实施方式,所述故障检测单元包括过温保护单元;
所述过温保护单元被配置为响应于所述集成电路的初始启动或所述集成电路的内部电源复位,将所述过温保护单元的温度保护阈值设定为第一预设温度值;
所述过温保护单元被配置为响应于所述集成电路处于运行状态,将所述温度保护阈值设定为第二预设温度值,其中,所述第二预设温度值大于所述第一预设温度值。
作为可选实施方式,所述集成电路为电源管理集成电路。
作为本申请的另一方面,提供一种电源适配器,包括如上述的集成电路。
根据本申请内容,本领域技术人员可以理解本申请内容的其它方面。
本申请的积极进步效果在于:
本申请提供的基于故障检测稳定启动技术的集成电路及电源适配器,在集成电路的初始启动时,通过提供粗略的预设参考电压的方式驱动开关模块的导通,以使得故障检测模块预先启动,有效地保证了内部电路处在已知逻辑状态,而且在缓启动前检查故障状态,能够及时检测到故障条件,以及时触发保护,从而提升了集成电路的安全性,进而提升了集成电路的工作效率。
附图说明
在结合以下附图阅读本申请的实施例的详细描述之后,能够更好地理解本申请的所述特征和优点。在附图中,各组件不一定是按比例绘制,并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1为根据本申请内容的一实施例的集成电路的部分结构示意图。
图2为根据本申请内容的一实施例的集成电路的故障检测模块的部分结构示意图。
图3为根据本申请内容的一实施例的集成电路的部分电路示意图。
图4为根据本申请的另一实施例的集成电路的控制方法的流程示意图。
图5为根据本申请的另一实施例的实现集成电路的控制方法的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本申请,但并不因此将本申请限制在所述的实施例范围之中。
应当注意,在说明书中对“一实施例”、“可选实施例”、“另一实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性,但是每个实施例可能不一定包括该特定的特征、结构或特性。而且,这样的短语不一定指代相同的实施例。此外,当结合实施例描述特定特征、结构或特性时,无论是否被明确描述,结合其它实施例来实现这样的特征、结构或特性都在相关领域的技术人员的知识范围内。
在本申请内容的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请内容和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请内容的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请内容的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。另外,术语“包括”及其任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。
在本申请内容的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请内容中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指,否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是,这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在,而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
为了克服目前存在的上述缺陷,本实施例提供一种基于故障检测稳定启动技术的集成电路,包括:故障检测模块;开关模块,与故障检测模块电连接,并且被配置为通过导通开关模块以启动故障检测模块;参考电压产生模块,与开关模块电连接,并且被配置为响应于集成电路的初始启动,产生一预设参考电压并提供至开关模块以驱动开关模块的导通,其中,预设参考电压小于集成电路的初始启动电压。
在本实施例中,在集成电路的初始启动时,通过提供粗略的预设参考电压的方式驱动开关模块的导通,以使得故障检测模块预先启动,有效地保证了内部电路处在已知逻辑状态,从而提升了集成电路的安全性和工作效率。
作为一实施例,本实施例提供一种电源适配器,该电源适配器主要包括基于故障检测稳定启动技术的集成电路。
在本实施例中,优选地,电源适配器可以为AC(交流)-DC(直流)电源适配器,但并不仅限于此,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应的调整和选择。
在本实施例中,优选地,集成电路为电源管理集成电路,但并不仅限于此,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应的调整和选择。
电源管理集成电路包括很多种类别,大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压调整器包含线性低压降稳压器(即LDO),以及正、负输出系列电路,此外不有脉宽调制(PWM)型的开关型电路等。电源管理用接口电路主要有接口驱动器、马达驱动器、功率场效应晶体管(MOSFET)驱动器以及高电压/大电流的显示驱动器等。
电源管理分立式半导体器件则包括一些传统的功率半导体器件,可将其分为两大类,一类包含整流器和晶闸管;另一类是三极管型,包含功率双极性晶体管,含有MOS结构的功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
电源管理半导体本中的主导部分是电源管理集成电路,大致可归纳为下述8种:
1)AC/DC调制集成电路,内含低电压控制电路及高压开关晶体管;
2)DC/DC调制集成电路,包括升压/降压调节器,以及电荷泵;
3)功率因数控制PFC(功率因数校正)预调制集成电路,提供具有功率因数校正功能的电源输入电路;
4)脉冲调制或脉幅调制PWM(脉冲宽度调制)/PFM(脉冲频率调制)控制集成电路,为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器,用于驱动外部开关;
5)线性调制集成电路(如线性低压降稳压器LDO等),包括正向和负向调节器,以及低压降LDO调制管;
6)电池充电和管理集成电路,包括电池充电、保护及电量显示集成电路,以及可进行电池数据通讯“智能”电池集成电路;
7)热插板控制集成电路(免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响);
8)MOSFET或IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的开关功能集成电路。
在交流/直流(AC/DC)变换中,低的通态电阻,符合计算机和电信应用中更加高效适配器和电源的需要。
具体地,作为一可选实施方式,如图1及图3所示,该集成电路主要包括欠压保护模块11、参考电压产生模块12、开关驱动模块13、开关模块14及故障检测模块15。
参考电压产生模块12电连接至集成电路的电源输入端10,电源输入端10与欠压保护模块11电连接,开关驱动模块13分别与欠压保护模块11及参考电压产生模块12电连接,开关模块14分别与开关驱动模块13及故障检测模块15电连接。
欠压保护,即欠压锁定(Undervoltage-Lockout)简称UVLO,是电子设备中在电源电压低于正常工程准位时,切断电源的电路。在嵌入式系统中常会用UVLO监控电池电压,若电压低于一定值,会直接切断电源,保护嵌入式系统的电路。
许多电子设备中都有UVLO的功能,例如在镇流器中就有UVLO电路,若电压过低时直接切断电源。
为了更稳定的工作,某些电源转换器具有UVLO(欠压锁定)功能。电源开启后,UVLO功能使内部电路处于待机状态,直到电源转换器的输入电压(VIN)达到UVLO电压,以此来减少消费电流并避免误操作。
在电源管理集成电路中,电压的稳定尤为重要,因此需要在集成电路内部集成欠压锁定电路来提高电源的可靠性和安全性。对于其它的集成电路,为提高电路的可靠性和稳定性,欠压锁定电路同样十分重要。
响应于检测到电源输入端10的输入电压小于或等于欠压保护模块11的欠压保护电压,参考电压产生模块12被配置为产生预设参考电压并提供至开关驱动模块13,开关驱动模块13驱动开关模块14的导通,通过导通开关模块14以启动故障检测模块15。
在本实施例中,在上电期间,提供的预设参考电压可以是大约1V的粗略参考电压,从而足以驱动开关模块14,但并不具体限定预设参考电压值,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应的调整及选择。
作为一优选实施方式,参考电压产生模块12可以包括级联的若干个触发器,通过级联的若干个触发器产生所述预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通。
在本实施例中,触发器的数量可以为至少三个,但并不具体限定参考电压产生模块12的实现方式及触发器的数量,均可根据实际需求或可能出现的需求进行相应的调整及选择。
作为一优选实施方式,开关模块14可以包括MOSFET,但并不仅限于此,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应的选择及调整。
参考电压产生模块被配置为将所述预设参考电压提供至所述MOSFET以驱动所述MOSFET的栅极导通。
如图2所示,故障检测模块15主要包括故障检测单元151、消抖单元152、故障管脚153及故障寄存器154。
故障检测单元151与消抖单元152电连接,消抖单元152与故障管脚153电连接,故障管脚153与电源管理集成电路的电源管理处理模块2电连接,例如电源管理处理模块2可以为MCU或其他保护电路。
故障检测单元151主要包括过压保护单元、过流保护单元及过温保护单元,但并不仅限于此,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应的调整及选择。
集成电路被配置为在启动故障检测模块15后且集成电路的缓启动前,检测故障寄存器154的故障条件,该故障条件由故障检测单元151产生,可以包括输入OVP(过压保护)、OCP(过流保护)、OTP(过温保护)等,从而确认是否有任何OVP、OCP和OTP条件。通常在启动时,最容易出现的故障是OVP和OTP,尤其是OTP。
集成电路还被配置为响应于存在故障条件,将所述故障管脚下拉为低电平以关闭集成电路即禁止电路开关,从而实现在缓启动前检查故障状态,以避免在OVP或OTP条件下潜在的启动切换。
消抖单元152被配置为消除故障检测单元151产生的假故障信号及噪声,有效地避免了误触发。
作为一优选实施方式,过温保护单元被配置为响应于集成电路的初始启动或集成电路的内部电源复位,将过温保护单元的温度保护阈值设定为第一预设温度值。
在本实施例中,第一预设温度值可以为100C左右,但并不仅限于此,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应调整及选择。
过温保护单元被配置为响应于集成电路处于运行状态,将温度保护阈值设定为第二预设温度值,其中,第二预设温度值大于第一预设温度值。
在本实施例中,第二预设温度值可以为140C左右,但并不仅限于此,可根据实际需求或可能出现的需求进行相应调整及选择。
在本实施例中,为了在工作温度方面有效地保护集成电路的工作,在初始启动时,温度保护阈值设定为相对较低;一旦启动操作,将温度保护阈值更改为更高的级别。当集成电路因任何原因关闭时,只要内部电源复位,温度保护阈值就会变回较低级别。
本实施例提供的电源适配器及其集成电路,主要具有以下有益效果:
1)集成电路启动时提供粗略的快速预设参考电压至开关模块,以使得将开关模块导通进而使故障检测模块设为已知状态,保证了及时有效地触发保护;
2)当内部电源轨上电且缓启动前,检查故障寄存器,确认是否有任何故障条件,如果出现任何故障条件,则故障管脚将拉为低电平并禁止开关,从而提升了集成电路的安全性和工作效率;
3)通过在故障检测模块中加设消抖电路,有效地消除了假故障信号和噪声,避免了误操作情况;
4)过温保护单元的温度保护阈值可根据初始启动状态和正常工作运行状态进行实时切换调整,从而有效地保护了集成电路,特别是在频繁操作开关的情况下提升了集成电路的安全性。
作为另一实施例,本实施例提供一种集成电路的控制方法,该控制方法主要应用于如上实施例中的集成电路。
具体地,如图4所示,本实施例提供的集成电路的控制方法,主要包括以下步骤:
步骤101、响应于检测到集成电路的初始启动,产生预设参考电压。
在本步骤中,响应于检测到集成电路的初始启动,控制参考电压产生模块产生一预设参考电压,其中,预设参考电压小于集成电路的初始启动电压。
作为一具体实施方式,在本步骤中,响应于检测到电源输入端的输入电压小于或等于集成电路的欠压保护电压,控制级联的若干个触发器产生一预设参考电压。
步骤102、将预设参考电压提供至开关模块。
作为一具体实施方式,在本步骤中,将预设参考电压提供至MOSFET。
步骤103、响应于开关模块接收到预设参考电压,驱动开关模块的导通以启动故障检测模块。
作为一具体实施方式,在本步骤中,响应于MOSFET接收到预设参考电压,驱动MOSFET的栅极导通以启动故障检测模块。
步骤104、在启动故障检测模块后且集成电路的缓启动前,检测故障寄存器的故障条件。
在本步骤中,故障条件由故障检测单元产生。
步骤105、响应于存在故障条件,将故障管脚下拉为低电平以关闭集成电路。
作为一可选实施方式,控制方法还包括以下步骤:
响应于集成电路的初始启动或集成电路的内部电源复位,将过温保护单元的温度保护阈值设定为第一预设温度值;
响应于集成电路处于运行状态,将温度保护阈值设定为第二预设温度值,其中,第二预设温度值大于第一预设温度值。
本实施例提供的集成电路的控制方法,主要具有以下有益效果:
1)集成电路启动时提供粗略的快速预设参考电压至开关模块,以使得将开关模块导通进而使故障检测模块设为已知状态,保证了及时有效地触发保护;
2)当内部电源轨上电且缓启动前,检查故障寄存器,确认是否有任何故障条件,如果出现任何故障条件,则故障管脚将拉为低电平并禁止开关,从而提升了集成电路的安全性和工作效率;
3)通过在故障检测模块中加设消抖电路,有效地消除了假故障信号和噪声,避免了误操作情况;
4)过温保护单元的温度保护阈值可根据初始启动状态和正常工作运行状态进行实时切换调整,从而有效地保护了集成电路,特别是在频繁操作开关的情况下提升了集成电路的安全性。
图5为根据本实施例提供的一种电子设备的结构示意图。电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上执行的计算机程序,处理器执行程序时实现如上实施例中的集成电路的控制方法。图5显示的电子设备30仅仅是一个示例,不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图5所示,电子设备30可以以通用计算设备的形式表现,例如其可以为服务器设备。电子设备30的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理器31、上述至少一个存储器32、连接不同系统组件(包括存储器32和处理器31)的总线33。
总线33包括数据总线、地址总线和控制总线。
存储器32可以包括易失性存储器,例如随机存取存储器(RAM)321和/或高速缓存存储器322,还可以进一步包括只读存储器(ROM)323。
存储器32还可以包括具有一组(至少一个)程序模块324的程序/实用工具325,这样的程序模块324包括但不限于:操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据,这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
处理器31通过执行存储在存储器32中的计算机程序,从而执行各种功能应用以及数据处理,例如本申请如上实施例中的集成电路的控制方法。
电子设备30也可以与一个或多个外部设备34(例如键盘、指向设备等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口35进行。并且,模型产生的设备30还可以通过网络适配器36与一个或者多个网络(例如局域网(LAN),广域网(WAN)和/或公共网络,例如因特网)通信。如图5所示,网络适配器36通过总线33与模型产生的设备30的其它模块通信。应当明白,尽管图中未示出,可以结合模型产生的设备30使用其它硬件和/或软件模块,包括但不限于:微代码、设备驱动器、冗余处理器、外部磁盘驱动阵列、RAID(磁盘阵列)系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
应当注意,尽管在上文详细描述中提及了电子设备的若干单元/模块或子单元/模块,但是这种划分仅仅是示例性的并非强制性的。实际上,根据本申请的实施方式,上文描述的两个或更多单元/模块的特征和功能可以在一个单元/模块中具体化。反之,上文描述的一个单元/模块的特征和功能可以进一步划分为由多个单元/模块来具体化。
本实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,程序被处理器执行时实现如上实施例中的集成电路的控制方法中的步骤。
其中,可读存储介质可以采用的更具体可以包括但不限于:便携式盘、硬盘、随机存取存储器、只读存储器、可擦拭可编程只读存储器、光存储器件、磁存储器件或上述的任意合适的组合。
在可能的实施方式中,本申请还可以实现为一种程序产品的形式,其包括程序代码,当程序产品在终端设备上执行时,程序代码用于使终端设备执行实现如上实施例中的集成电路的控制方法中的步骤。
其中,可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本申请的程序代码,程序代码可以完全地在用户设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户设备上部分在远程设备上执行或完全在远程设备上执行。
虽然以上描述了本申请的具体实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,这仅是举例说明,本申请的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本申请的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式做出多种变更或修改,但这些变更和修改均落入本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,包括:
故障检测模块;
开关模块,与所述故障检测模块电连接,并且被配置为通过导通所述开关模块以启动所述故障检测模块;
参考电压产生模块,与所述开关模块电连接,并且被配置为响应于所述集成电路的初始启动,产生一预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通,其中,所述预设参考电压小于所述集成电路的初始启动电压。
2.如权利要求1所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述参考电压产生模块与所述集成电路的电源输入端电连接;
响应于检测到所述电源输入端的输入电压小于或等于所述集成电路的欠压保护电压,所述参考电压产生模块被配置为产生所述预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通。
3.如权利要求1所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述开关模块包括MOSFET;
所述参考电压产生模块被配置为将所述预设参考电压提供至所述MOSFET以驱动所述MOSFET的栅极导通。
4.如权利要求1所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述参考电压产生模块包括级联的若干个触发器;
通过级联的所述若干个触发器产生所述预设参考电压并提供至所述开关模块以驱动所述开关模块的导通。
5.如权利要求1所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述故障检测模块包括故障检测单元、故障寄存器及故障管脚;
所述集成电路被配置为在启动所述故障检测模块后且所述集成电路的缓启动前,检测所述故障寄存器的故障条件,所述故障条件由所述故障检测单元产生;
所述集成电路还被配置为响应于存在所述故障条件,将所述故障管脚下拉为低电平以关闭所述集成电路。
6.如权利要求5所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述故障检测模块还包括消抖单元;
所述故障检测单元与所述消抖单元电连接;
所述消抖单元被配置为消除所述故障检测单元产生的假故障信号。
7.如权利要求5所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述故障检测单元包括过温保护单元;
所述过温保护单元被配置为响应于所述集成电路的初始启动或所述集成电路的内部电源复位,将所述过温保护单元的温度保护阈值设定为第一预设温度值;
所述过温保护单元被配置为响应于所述集成电路处于运行状态,将所述温度保护阈值设定为第二预设温度值,其中,所述第二预设温度值大于所述第一预设温度值。
8.如权利要求1~7中任意一项中所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路,其特征在于,所述集成电路为电源管理集成电路。
9.一种电源适配器,其特征在于,包括如权利要求1~8中任意一项中所述的基于故障检测稳定启动技术的集成电路。
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