CN216749954U - 一种硅基oled微显示器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种硅基OLED微显示器,包括基板、阳极、PDL、OLED膜层以及封装层,所述阳极和PDL设在基板上,封装层覆盖在PDL和OLED膜层外侧,阳极位于基板和OLED膜层之间,所述基板上设有用于防止切割时封装膜层破裂的隔离柱。该硅基OLED微显示器结构设计合理,通过设置具有一定高度的隔离柱,使封装膜层沉积时有一定的起伏,防止切割时膜层破裂,保护封装膜层,以及缩短了生产时间,降低了成本。

Description

一种硅基OLED微显示器
技术领域
本实用新型涉及Micro OLED显示技术领域,尤其是涉及一种硅基OLED微显示器。
背景技术
Micro OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马,现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场,并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用,Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。在微显示制作流程中,会进行封装层切割,切割时膜层易破裂。
实用新型内容
针对现有技术不足,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种硅基OLED微显示器,其可有效防止切割时破坏封装膜层。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案为:
该硅基OLED微显示器,包括基板、阳极、PDL、OLED膜层以及封装层,所述阳极和PDL设在基板上,封装层覆盖在PDL和OLED膜层外侧,阳极位于基板和OLED膜层之间,所述基板上设有用于防止切割时封装膜层破裂的隔离柱。
进一步的:
所述隔离柱设在微显示器的发光区域以外。
所述隔离柱的厚度范围为100-115nm。
所述隔离柱为钛铝柱体。
所述隔离柱为锥台结构。
本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:
该硅基OLED微显示器结构设计合理,通过设置具有一定高度的隔离柱,使封装膜层沉积时有一定的起伏,防止切割时膜层破裂,保护封装膜层,以及缩短了生产时间,降低了成本。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明:
图1为本实用新型微显示器结构示意图。
图中:
1.基板、2.阳极、3.OLED膜层、4.封装层、5.隔离柱、6.PDL、7.OC1胶层、8.OC2胶层、9.盖板。
具体实施方式
下面对照附图,通过对实施例的描述,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1所示,该硅基OLED微显示器,包括基板1、阳极2、PDL6、OLED膜层3以及封装层4;阳极2和PDL6设在基板上,封装层覆盖在PDL和OLED膜层外侧,阳极位于基板和OLED膜层之间,基板上设有用于防止切割时封装膜层破裂的隔离柱5。
隔离柱5设在微显示器的发光区域以外,通过设置具有一定高度的隔离柱,使封装膜层沉积时有一定的起伏,防止切割时膜层破裂,保护封装膜层,以及缩短了生产时间,降低了成本。
隔离柱5的厚度范围为100-115nm;优选的,厚度为107nm,其厚度可以与封装层的厚度一致。
封装层的外侧设有OC1胶层7、OC2胶层8以及盖板9,在发光区域外通过阳极工艺制备具有一定高度的隔离柱,防止切割时膜层破裂,保护TFE封装膜层。
隔离柱为钛铝柱体;隔离柱为锥台结构;隔离柱为一层一层制作成型的柱体结构。
显示器的制作过程为:
在硅基底上制作CMOS电路基板;在COMS电路上制备阳极结构;在发光区域外通过阳极工艺制备具有一定高度的隔离柱,使在切割时隔离柱保护TFE膜层防止破裂;制备OLED膜层结构;整面制备TFE封装层;制备OC1胶层、彩胶层、OC2胶层;切割处理以及贴盖板。
上述仅为对本实用新型较佳的实施例说明,上述技术特征可以任意组合形成多个本实用新型的实施例方案。
上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述,显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进,或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种硅基OLED微显示器,包括基板、阳极、PDL、OLED膜层以及封装层,所述阳极和PDL设在基板上,封装层覆盖在PDL和OLED膜层外侧,阳极位于基板和OLED膜层之间,其特征在于:所述基板上设有用于防止切割时封装膜层破裂的隔离柱。
2.如权利要求1所述硅基OLED微显示器,其特征在于:所述隔离柱设在微显示器的发光区域以外。
3.如权利要求1所述硅基OLED微显示器,其特征在于:所述隔离柱的厚度范围为100-115nm。
4.如权利要求1所述硅基OLED微显示器,其特征在于:所述隔离柱为钛铝柱体。
5.如权利要求1所述硅基OLED微显示器,其特征在于:所述隔离柱为锥台结构。
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