CN216748802U - 一种消光光阑、光学生物识别模组及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种消光光阑、光学生物识别模组及电子设备，包括芯片基体，该芯片基体上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列，消光光阑单元为无机膜。本实用新型的光阑结构相比常规光阑结构，光阑表面具有更低反射率，且具有更强的可见光及红外截止率，从而降低杂光对设备的干扰。

Description

一种消光光阑、光学生物识别模组及电子设备

技术领域

本实用新型属于芯片领域，具体涉及一种消光光阑、光学生物识别模组和电子设备。

背景技术

指纹识别器件光路结构的消光光阑用于阻挡可见光通过，目前消光光阑的制作工艺如图1，包括以下步骤：

S01:取芯片基体1；

S02:涂布黑色光刻胶覆盖芯片基体1；

S03:光刻形成如图2的黑色光刻胶组成的消光光阑2。

图2中，消光光阑2形成在芯片基体1上。

图1的工艺由于有机材料的限制，形成的消光光阑2图形上下表面光反射率较高，对设备性能造成一定干扰，如图3和图4。

实用新型内容

为了解决上述缺陷，本实用新型提供一种消光光阑，形成的消光光阑阵列相比常规光阑结构，光阑表面具有更低反射率，且具有更强的可见光及红外截止率，从而降低杂光对设备的干扰。

一种消光光阑，包括芯片基体，该芯片基体上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列，消光光阑单元为无机膜。

可选地，所述含金属元素的膜包括第一减反薄膜、吸光薄膜、第二减反薄膜，吸光薄膜位于第一减反薄膜和第二减反薄膜之间。

可选地，所述第一减反薄膜和第二减反薄膜为氧化膜，吸光薄膜为金属膜。

可选地，所述金属膜为钛膜。

可选地，所述第一减反薄膜为氧化钛膜或氧化硅膜，第二减反薄膜为氧化钛膜或氧化硅膜。

可选地，所述第一减反薄膜为氧化钛和氧化硅交替形成的膜，第二减反薄膜为氧化钛和氧化硅交替形成的膜。

本实用新型还提供一种光学生物识别模组。

一种光学生物识别模组，包括微透镜单元形成的微透镜阵列和消光光阑所述消光光阑为上述的消光光阑。

本实用新型还提供一种电子设备。

一种电子设备，所述电子设备包括上述的光学生物识别模组。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是背景技术工艺流程示意图；

图2是背景技术工艺形成的结构示意图；

图3是背景技术消光光阑的透射光谱曲线图；

图4是背景技术消光光阑的反射光谱曲线图；

图5是实施例1工艺流程示意图；

图6是实施例1芯片基体示意图；

图7是实施例1的S02步骤形成的示意图；

图8是实施例1的S03步骤形成的示意图；

图9是实施例1的S04步骤形成的示意图；

图10是本申请一光学生物识别模组结构示意图；

图11是实施例2芯片基体示意图；

图12是实施例2芯片基体示意图；

图13是实施例2的S02步骤形成的示意图；

图14是实施例2的S31步骤形成的示意图；

图15是实施例2的S32步骤形成的示意图；

图16是实施例2的S33步骤形成的示意图；

图17是实施例2的S04步骤形成的示意图；

图18是本申请另一光学生物识别模组结构示意图；

图19是实施例2的消光光阑的透射光谱曲线图；

图20是实施例2的消光光阑的反射光谱曲线图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

下面以具体地实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

本申请中，芯片基体指在进行消光光阑结构工艺制作之前，但已完成其它工艺步骤所形成的基体。

实施例1

一种消光光阑的制作方法，如图5，包括以下步骤：

S01:取芯片基体1，如图6；

S02:涂布辅助光刻胶覆盖芯片基体1，光刻形成光阑图形2，如图7；

S03:沉积含金属元素的膜，如图8。

S04:剥离辅助光刻胶，形成由含金属元素的膜组成的消光光阑单元，消光光阑单元形成消光光阑阵列3，如图9。

基于上述的实施例1，本申请还提供一种消光光阑。

一种消光光阑，包括芯片基体1，该芯片基体1上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列3，消光光阑单元由含金属元素的膜组成。

基于上述的消光光阑，本申请还提供一种光学生物识别模组。

如图10，一种光学生物识别模组，包括芯片基体1和位于该芯片基体1上方的微透镜单元形成的微透镜阵列5，该芯片基体1上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列3，消光光阑单元由含金属元素的膜组成。

在本申请的一个或多个具体地实施方式中，该光学生物识别模组还设置有由消杂光光阑单元形成的消杂光光阑阵列4，消消杂光光阑单元与微透镜单元交叉设置。

在本申请的一个或多个具体地实施方式中，该光学生物识别模组还设置有填充层2，填充层2填充在芯片基体1、微透镜阵列5、消光光阑阵列3之间的空隙中。

基于上述的光学生物识别模组，本实用新型还提供一种电子设备。

一种电子设备，该电子设备包括上述的光学生物识别模组。

电子设备可以为手机、平板电脑等。

实施例2

一种消光光阑的制作方法，如图11，包括以下步骤：

S01:取芯片基体1，如图12；

S02:涂布辅助光刻胶覆盖芯片基体1，光刻形成光阑图形2，如图13；

S03:沉积含金属元素的膜，包括以下步骤：

S31:沉积第一减反薄膜31，如图14；第一减反薄膜31可以为氧化钛膜，也可以为氧化硅膜，也可以为氧化钛和氧化硅交替形成的膜；

S32:沉积吸光薄膜32，如图15；吸光薄膜32可以为钛膜；

S33:沉积第二减反薄膜33，如图16。第二减反薄膜33可以为氧化钛膜，也可以为氧化硅膜，也可以为氧化钛和氧化硅交替形成的膜。

S04:剥离辅助光刻胶，形成由第一减反薄膜31、吸光薄膜32和第二减反薄膜33组成的消光光阑单元，消光光阑单元形成消光光阑阵列3，如图17。

基于上述的实施例2，本申请还提供一种消光光阑。

一种消光光阑，包括芯片基体1，该芯片基体1上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列3，消光光阑单元由第一减反薄膜31、吸光薄膜32、第二减反薄膜33，吸光薄膜32位于第一减反薄膜31和第二减反薄膜33之间。

基于上述的消光光阑，本申请还提供一种光学生物识别模组。

如图18，一种光学生物识别模组，包括芯片基体1和位于该芯片基体1上方的微透镜单元形成的微透镜阵列5，该芯片基体1上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列3，消光光阑单元由第一减反薄膜31、吸光薄膜32、第二减反薄膜33，吸光薄膜32位于第一减反薄膜31和第二减反薄膜33之间。

在本申请的一个或多个具体地实施方式中，该光学生物识别模组还设置有由消杂光光阑单元形成的消杂光光阑阵列4，消消杂光光阑单元与微透镜单元交叉设置。

在本申请的一个或多个具体地实施方式中，该光学生物识别模组还设置有填充层2，填充层2填充在芯片基体1、微透镜阵列5、消光光阑阵列3之间的空隙中。

基于上述的光学生物识别模组，本实用新型还提供一种电子设备。

一种电子设备，该电子设备包括上述的光学生物识别模组。

电子设备可以为手机、平板电脑等。

将实施例2的消光光阑进行透射和反射实验，透射光谱和反射光谱分别如图19和20。从图19和20可知，实施例2形成的消光光阑结构相较黑色光刻胶形成的常规消光光阑结构表面反射率更低、可见光及近红外光的透射率极低，从而降低杂光对设备的干扰。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种消光光阑，包括芯片基体，其特征在于，该芯片基体上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列，消光光阑单元为无机膜。

2.根据权利要求1所述的消光光阑，其特征在于，所述无机膜包括第一减反薄膜、吸光薄膜、第二减反薄膜，吸光薄膜位于第一减反薄膜和第二减反薄膜之间。

3.根据权利要求2所述的消光光阑，其特征在于，所述第一减反薄膜和第二减反薄膜为氧化膜，吸光薄膜为金属膜。

4.根据权利要求3所述的消光光阑，其特征在于，所述金属膜为钛膜。

5.根据权利要求3所述的消光光阑，其特征在于，所述第一减反薄膜为氧化钛膜或氧化硅膜，第二减反薄膜为氧化钛膜或氧化硅膜。

6.根据权利要求3所述的消光光阑，其特征在于，所述第一减反薄膜为氧化钛和氧化硅交替形成的膜，第二减反薄膜为氧化钛和氧化硅交替形成的膜。

7.一种光学生物识别模组，包括微透镜单元形成的微透镜阵列和消光光阑，其特征在于，所述消光光阑为权利要求1-6任一所述的消光光阑。

8.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求7所述的光学生物识别模组。

Images